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Departamento de Cincias e Engenharia de Materiais

Disciplina: Cincia dos Materiais I


Profa Cristiane Xavier Resende

ESTRUTURA DOS MATERIAIS:


AULA 04: DIREES E PLANOS CRISTALOGRFICOS

POR QUE ESTUDAR DIREES CRISTALOGRFICAS?

Utiliza-se direes cristalogrficas para identificar


uma
orientao
especfica
de
um
material
monocristalino ou de um material policristalino, cujos
gro esto preferencialmente orientados.

O FATO DE SABER DESCREVER TAIS DIREES PODE SER


TIL EM VRIAS APLICAES

- Os metais se deformam mais facilmente nas direes


em que os tomos esto mais compactados;
- H uma dependncia das propriedades magnticas
com as direes cristalogrficas; muito mais fcil
magnetizar o Fe na direo [100] que nas direes
[111] e [110];
- As palhetas das turbinas so fabricadas de forma que
os cristais estejam orientados em certas direes, a
fim de apresentarem melhores propriedades
mecnicas.

Especificao de Coordenadas de Pontos


1- Especificar as coordenadas das posies
dos tomos no CCC.
2- Localizar o ponto com
coordenada (1/4,1,1/2)
P

c
N -------------------------M

DIREES CRISTALOGRFICAS
Coordenadas de Pontos
possvel localizar pontos (como posio de tomos, por exemplo) no
interior de uma clula unitria construindo o sistema de coordenadas.
A distncia medida em termos do nmero de parmetros de rede, ou
seja, comprimento das arestas. As coordenadas so expressas como
trs distncias separadas por vrgulas.
z

Direo Cristalogrfica

(0,0,1)
(0,1,1)

(1,0,1)

(1,1,1)

(0,0,0)

a
5

(0,1,0)
(1,1,0)

(1,0,0)

b
vxyz

uma linha entre dois pontos ou um


vetor.
y

r r
r
r
v xyz = xa + yb + zc

Determinao de uma Direo Cristalogrfica na Clula


Unitria (ndices de Miller)
1)

Com um auxlio de um sistema de coordenadas positivamente


orientadas, determine as coordenadas de dois pontos situados
nesta direo;

2) Subtraia as coordenadas do ponto final das coordenadas do ponto


inicial a fim de obter o nmero de parmetros de rede
percorridos na direo de cada eixo do sistema de coordenadas;
3)

Elimine fraes por meio de diviso/multiplicao dos resultados


da subtrao para obter os menores nmeros inteiros possveis;

4) Coloque os ndices entre colchetes [uvw]. Caso haja algum sinal


negativo, represente-o com uma barra sobre o nmero. Os
ndices no so representados por virgulas.
6

Exemplo 1: Determine os ndices de Miller para a direo


mostrada.
mostrada.

Projeo sobre
o eixo x (a/2)
Projeo sobre
o eixo y (b)

projees

1a
2

1b

0c

projees em
termos de a,b e c

1
2

reduo a mnimos
inteiros

notao

[120]

Exemplo 2: Determine os ndices de Miller de direo A,


B e C da clula unitria abaixo.
Z

0,0,1

Direo A
[100]

1,1,1

Direo B
[111]
Direo C
[122]

c
0,0,0

Y
,1,0

1,0,0

Exemplo 3 : Determine os ndices de Miller para as


direes da clula unitria cbica.

[211]

D
[111]

C
B
9

[120]

Exemplo 4 : Determine os ndices de Miller para as


direes da clula unitria cbica.

3/4

C
[101]

[434]

[221]

B
[122]
10

Diversos aspectos sobre o uso dos ndices de Miller


para direes precisam ser observados:

1- Como as direes so vetores, determinada direo e seu


negativo no so idnticos- [100] [100]

2- Toda direo e seu mltiplo so idnticos, [100]= [200];


Z

[100]
11

Diversos aspectos sobre o uso dos ndices de Miller


para direes precisam ser observados:
3- Certos grupos de direes so equivalentes. Os grupos de
direes equivalentes so chamados de famlia de direes.
Z

Famlia de Direes 110


[100]

Y X

[010]

Y
Equivalncia das direes
cristalogrficas em sistemas cbicos.

12

<110> =

[110] [110]
[101] [101]
[011] [011]
[110] [110]
[101] [101]
[011] [011]

DIREES EM CRISTAIS HEXAGONAIS


O sistema de coordenadas emprega
quatro eixos ou sistemas coordenados de
Miller-Bravais, em vez de trs para o
sistema cbico;
Os trs eixos a1, a2 e a3 esto todos
contidos dentro de um nico plano
(chamado de plano de base ou basal), e a
120 em relao um ao outro. O eixo Z
perpendicular a base.
Os ndices Bravais sero representados
por quatro ndices, no formato [uvtw]; por
conveno, os trs primeiros ndices
dizem respeito a projees ao longo dos
respectivos eixos a1, a2 e a3 no plano da
base.
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IDENTIFICAO DE DIREO NO SISTEMA HC


Eixos basais e ilustrao do
procedimento para
estabelecer direes no
sistema hexagonal

Principais direes em
clula unitria hexagonal.
[0001]

+c
[ 1 2 1 0]

[ 1 1 20]

a3

uma

[ 2 1 1 0]
[0 1 10]
2
1

-1

-1

[ 1 2 1 0]

+a3

-1
1

-1

a2

-a1

-1

[1 1 00]

-a2

+a2
-c

a1

14

+a1
a

-a3

Sistema de eixos coordenados com escala reduzida

Converso do Sistema com Trs ndices


para o Sistema com Quatro ndices
feita mediante o uso das seguintes frmulas:

OBS: Os ndices marcados com linha


esto associados ao sistema com trs
ndices , e os ndices sem linha esto
associados ao novo sistema com os
quatro ndices de Miller- Bravais.

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Tambm podemos determinar os ndices direcionais


para uma clula unitria HEXAGONAL...[2423]

IDENTIFICAO DE DIREO NO SISTEMA HC


Exerccio:
A- Converter a direo [111] ao sistema de quatro ndices
para cristais hexagonais

B- Desenhar essa direo no sistema de coordenadas com


escala reduzida

16

IDENTIFICAO DE DIREO NO SISTEMA HC


Exerccio:
B- Desenhar essa direo no sistema de coordenadas
com escala reduzida

[1123]

17

Exemplo 3 : Converta a direo [010] de um sistema


cbico para um sistema hexagonal.

18

DISTNCIA DE REPETIO, DENSIDADE LINEAR E


FRAO DE EMPACOTAMENTO

- Distncia de Repetio (ou distncia entre pontos de rede ao


longo de certa direo) outra forma de caracterizar direes.

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Ex: Cu que apresenta um


parmetro de rede de 0,36151 nm,
a distncia de repetio 0,2556
nm.

DISTNCIA DE REPETIO, DENSIDADE LINEAR E


FRAO DE EMPACOTAMENTO
- Densidade Linear (D.L): o nmero de pontos de rede por
unidade de comprimento ao longo da direo considerada, ou seja,
o nmero de tomos, por unidade de comprimento, cujo centros
esto sobre o vetor direo para uma direo cristalogrfica
especfica.
No caso do cobre h duas distncias de repetio ao longo da
direo [110] em cada clula unitria.

2 ao
D.L = 2 distncias de repetio/0,51125 nm
D.L = 3,91 pontos de rede/nm

20

OBSERVE QUE A DENSIDADE LINEAR O


INVERSO DA DISTNCIA DE REPETIO

DISTNCIA DE REPETIO, DENSIDADE LINEAR E


FRAO DE EMPACOTAMENTO

- Frao de Empacotamento de uma direo especfica, ou seja,


a frao realmente ocupada por tomos tambm pode ser
determinada.
No caso do cobre h um tomo localizado em cada ponto de rede,
esta frao equivale ao produto da densidade linear pelo dobro
do raio atmico. r =a 2 /4= 0,12781 nm
Frao de empacotamento= D.L x 2r

21

PLANOS CRISTALOGRFICOS

22

Determinao dos Planos Cristalogrficos


1)

Identifique os pontos nos quais os planos interceptam as


coordenadas x, y e z em termos do nmero de parmetros de
rede. Se o plano passar pela origem, a origem das coordenadas
ter de ser deslocada. Se o plano no intercepta um eixo ele
considerado como tendo uma interseo no infinito e, portanto,
um ndice igual a zero;

3)

Calcule os inversos dessas intersees (h=1/a, k=1/b e


l=1/c);

4) Elimine as fraes, mas sem arredondar para os nmeros


inteiros mais baixos;
5)
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Coloque os nmeros resultantes entre parntese (hkl),


expressando os nmeros negativos com uma barra
sobreposta. No utilizar vrgula para separar os ndices;

REPRESENTAES DE UMA SRIE DE PLANOS


CRISTALOGRFICOS
Plano (001) com referncia origem no ponto O.

Plano (110) com referncia origem no ponto O.

Outros planos (110) equivalentes


Outros planos
equivalentes.

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(001)
Plano (111) com referncia origem no ponto O.

Outros planos (111) equivalentes.

Exemplo 1: Identificar os ndices dos planos


cristalogrficos.

Plano C (010)

25

Exemplo 2: Identificar os ndices dos planos cristalogrficos.

Temos que deslocar


o plano

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Exemplo 3: Determine os ndices de Miller para os


seguintes planos
(101)

(001)
(110)

Aspectos importantes dos ndices de Miller


para os planos
1) Os planos e seus negativos so idnticos ( o que no
ocorre com as direes. Portanto, (100)= (100).
2) Em cada clula unitria, as famlias de plano
representam grupos de planos equivalentes que tm
ndices especficos, devido orientao das
coordenadas. Representamos esses grupos de planos
similares por meio da notao { }. Assim, as famlias de
planos {hkl} contm os planos (hkl), ( h kl) (h k l) (hk l ) ( h k l) (h k l )
(hk l) (h k l)

3)
28

No caso de sistemas cbicos, uma direo com os


mesmos ndices de um plano perpendicular a esse
plano.

Aspectos importantes dos ndices de Miller


para os planos
4) Os planos e seus mltiplos no so idnticos, ao
contrrio das direes cristalogrficas.

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Determinao do ngulo entre Direes


(x1,y1,z1)

r
A

r
r
r
r
B = x 2 a + y 2b + z 2 c

(0,0,0)

r
r
r
r
A = x1a + y 1b + z1c

r r
B-A

r
B

(x2,y2,z2)

Considerando o produto interno entre os vetores temos a seguinte


relao:

r r
B.A
cos = r r
B. A

ou
30

x1x 2 + y1y 2 + z1z2


cos = 2
2
2 1/ 2
2
2
2 1/ 2
( x1 + y1 + z1 ) ( x 2 + y 2 + z 2 )

Exemplo 5: Determine o ngulo entre as direes [111] e


[110].
z

x1 x2 + y1 y2 + z1 z 2
cos = 2
2
2
2
2
2
( x1 + y1 + z1 )1/ 2 ( x2 + y2 + z2 )1/ 2
[111]

y
[110]

1.1 + 1.1 + 1.0


2
cos =
=
1/ 2
1/ 2
(1 + 1 + 1) (1 + 1 + 0)
6
Logo, o valor de igual a 35,
35,2o.

31

ARRANJOS ATMICOS
O arranjo atmico para um plano cristalogrfico depende da estrutura cristalina.

(110)

Clula unitria CFC, mostrando o


empacotamento atmico de um
plano 110.

(110)

Clula unitria CCC, mostrando o


empacotamento atmico de um
plano 110.
32

DIREES PARA O SISTEMA CCC

No sistema CCC os tomos se


tocam ao longo da diagonal do
cubo, que corresponde a
famlia de direes <111>
Ento, a direo [111] a de
maior empacotamento atmico
para o sistema CCC

33

DIREES PARA O SISTEMA CFC

No sistema CFC os tomos se


tocam ao longo da diagonal da
face, que corresponde a
famlia de direes <110>
Ento, a direo [110] a de
maior empacotamento
atmico para o sistema CFC

34

Exemplo 9: Calcular a densidade planar para o plano (110) em


uma estrutura cristalina CFC.

n o de atomos
Dplanar =
rea

Dados:
Aresta da CFC
35

a = 2R 2

36

A estrutura do cdmio temperatura ambiente HC. Considerando que


seus parmetros de rede so a=0,2973nm e c=0,5618nm,
[ 2 1 1 0] determine as
densidades atmicas: (a) Na direo
, (b) no plano (0001)
[0001]

Densidade Linear

+c
[ 1 2 1 0]

[ 1 1 20]

No de tomos = 2 x 1/2 = 1 tomo

[ 2 1 1 0]

Distncia = 0,2973x10-9 m
c

1 1
+
n o de atomos 2 2 1
=
=
Dlinear =
comprimento
a
a

+a3

-a1

-a2

1
9
=
=
3
,
36
x
10
tomos / m
9
0,2973x10 m
36

+a2
-c
+a1
a

-a3

Estruturas Cristalinas Compactas (HC e CFC)


O fator de empacotamento atmico da CFC e HC so
iguais (0,74).
Isto resultado da natureza dos planos cristalinos que
constituem estas duas estruturas.
O fator de empacotamento atmico consiste na forma
de empacotamento mais eficiente possvel de ser obtida
com esferas ou tomos do mesmo tamanho.
Alm das representaes das clulas unitrias, essas duas
estruturas cristalinas podem ser descritas em termos de
planos compactos de tomos,isto , planos que possuem uma
densidade mxima de empacotamento desses planos compactos,
uns sobre os outros; a diferena entre as duas estruturas
reside na seqncia do empilhamento.
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ESTRUTURAS CRISTALINAS COMPACTAS (HC E CFC)


38
Sequncia de Empilhamento
HC

CFC

Centro dos tomos


em um plano compacto

B
C

MATERIAIS MONOCRISTALINOS E POLICRISTALINOS


MONOCRISTALINOS: constitudos por um nico cristal em
toda a extenso do material sem interrupes.

Monocristal de granada
POLICRISTALINOS: constitudo de vrios cristais pequenos
ou gros, cada um deles com diferentes orientaes.
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Estgios da solidificao de uma material policristalino


(a)

Pequenos ncleos de cristalizao.

(c)

Ao se completar a solidificao, ocorre a


formao de gros que possuem formatos
irregulares.

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(b)

Crescimento dos cristalitos com obstruo de


alguns gros que so adjacentes uns aos outros.

(d)

A estrutura de gros como ela apareceria em


um microscpio. As linhas so os contornos de
gros.

MICROESTRUTURA
Organizao na Escala Micromtrica

Tamanhos dos gros do material policristalino (gro = monocristal;


policristalino = muitos cristais ou gros)

Nmero e distribuio de fases presentes no material policristalino


(polifsico = mais de uma fase)

Defeitos presentes no
material (poros, incluses
de impurezas, ...)

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Anisotropia: Efeito de direcionalidade das propriedades devido


variao do espao atmico ou inico em funo da direo
cristalogrfica.
Ex. mdulo de elasticidade; condutividade eltrica; propriedade
magntica, ndice de refrao....

Isotropia: materiais que apresentam propriedades


independentes de direes cristalogrficas.
42

idnticas

TAMANHO DE GRO
Influncia sobre as Propriedades Mecnicas
Menor Tamanho de Gro

Maior Resistncia Mecnica

Lato (Cu-30Zn)

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