Você está na página 1de 20

103

CAPITULO V

ANALISIS DE DESEMPEO DE DISPOSITIVOS DE CONTROL EN


PROBLEMAS DE FLUJO DE POTENCIA
5.1 INTRODUCCIN
Este captulodescribe la aplicacin del mtodo propuesto, para el sistema de
prueba de la IEEE 9 barras, donde se presenta un disturbio en las barras de
tipo PQ (incremento en un 155 % de la demanda en las barras de carga). Este
incremento de potencia activa equivale a 488.25 MW.
Se mejora los niveles de tensin, al igual que la estabilidad de voltaje,
mediante la utilizacin de dispositivos de control, las cuales inyectan potencia
reactiva y da como resultado, un traslado del punto de operacin del sistema,
al igual que los valores propios del sistema de prueba.
La ubicacin de los dispositivos de control es determinado mediante la
utilizacin de los factores de participacin y un anlisis de sensibilidad
V Q del sistema.

Para la obtencin de los resultados (clculo de valores propios, factores de


participacin, anlisis de sensibilidad, Flujo de Potencia Continua) se utiliza el
programa de Matlab, el cual constituye una herramienta til para el anlisis

104

de sistemas de potencia, debido a su flexibilidad de simular e implementar


nuevas tecnologas en los sistemas de potencias reales.
5.2 CONTROL DEL NIVEL DE TENSIN PARA EL SISTEMA IEEE 9 BARRAS
CON INCREMENTO DE CARGA
Se inyecta potencia reactiva mediante la conexin de un dispositivo shunt
ubicado en la barra 5 (tal como se muestra en la Figura 5.1), con el fin de
controlar el nivel de tensin de la barra 6 (control remoto de tensin) a
0.9505 pu.

Tabla5.1: IEEE 9 barras - Resultados del Clculo de Flujo de Potencia con control de Tensin
Fuente: elaboracin propia

Nro.
ANGUL
BARR V (pu)
O ()
A

INYECCION DE
POTENCIA
MW

MVAR

POTENCIA
GENERADA
MW

MVAR

MW

MVAR

177.621 581.461
16.580 163.000
27.980 85.000
0.000
0.000

177.621
16.580
27.980
0.000

0.000
0.000
0.000
0.000
318.75
0
229.50
0
0.000
255.00
0
0.000

0.000
0.000
0.000
0.000
50.00
0
30.00
0
0.000
35.00
0
0.000

1
2
3
4

1.0400
0.000
1.0250 -28.775
1.0250 -32.405
0.9952 -18.881

581.461
163.000
85.000
0.000

1.0313 -34.775

-318.750

-50.000

0.000

159.463

6
7

0.9505 -32.895
1.0197 -34.368

-229.500
0.000

-30.000
0.000

0.000
0.000

0.000
0.000

8
9

0.9899 -40.762
1.0102 -35.162

-255.000
0.000

-35.000
0.000

0.000
0.000

0.000
0.000

26.211 107.182

829.46
1

TOTAL :

CARGA

381.64 803.25 115.0


4
0
00

105

Figura 5.1: Diagrama Unifilar del Sistema IEEE 9 Barras con control de tensin
Fuente: elaboracin propia

Para conseguir el nivel de tensin deseada en la barra 6, se inyecta 159.463


MVAR en la barra 5, siendo el valor del dispositivo shunt a conectar en la
barra 5 igual a 1.499 pu.

106

Esta inyeccin de potencia reactiva, tambin produce:


El incremento de los niveles de tensin en las otras barras del
sistema.
La reduccin de potencia reactiva generada en la barra Slack en un
49.78 %.
La reduccin de las prdidas de la red elctrica (26.211 MW) en un
28.076 %.
La disminucin depotencia reactiva generada en las barras 2 y 3 en
83.05 % y 64.36 % respectivamente, dando como resultado, la
existencia de reservas de potencia reactiva.
De la misma manera, se realiza la comparacin de resultados con los
programas comerciales de clculo de Flujo de Potencia, con el fin de ver la
confiabilidad de los resultados hallados (Tabla 5.2).
Tabla5.2: IEEE 9 Barras - Comparacin de Resultados con algunos Programas de Flujo
de Potencia
Fuente: elaboracin propia

Nro.
BAR
RA
1
2
3
4
5
6
7
8
9

NEPLAN 5.3

PSAT 2.6

WinFlu 2.3

V (pu)

ANGUL
O ()

V
(pu)

ANGUL
O ()

V
(pu)

1.040
1.025
1.025
0.995
1.031
0.951
1.020
0.990
1.010

0.000
-28.800
-32.400
-18.900
-34.800
-32.900
-34.400
-40.800
-35.200

1.040
1.025
1.025
0.995
1.031
0.951
1.020
0.990
1.010

0.000
-28.772
-32.402
-18.880
-34.773
-32.893
-34.365
-40.759
-35.159

1.040
1.025
1.025
0.996
1.032
0.951
1.020
0.990
1.010

ALGORITMO
DESARROLLAD
O

ANGUL
O ()

V (pu)

0.000
-28.743
-32.372
-18.871
-34.747
-32.870
-34.335
-40.757
-35.149

1.0400
1.0250
1.0250
0.9952
1.0313
0.9505
1.0197
0.9899
1.0102

ANGUL
O ()
0.000
-28.775
-32.405
-18.881
-34.775
-32.895
-34.368
-40.762
-35.162

Las figuras 5.2 y 5.3 muestran el porcentaje de error frente a la comparacin


del NEPLAN 5.3 con algunos programas de clculo (incluido el algoritmo
desarrollado). Se puede decir que los resultados siguen siendo ptimos y
puede ser usado para el clculo de Flujo de Potencia mediante el control de
tensin (inyeccin de potencia reactiva)

107
0.090
0.080
0.070
0.060

NEPLAN 5.3 v/s PSAT 2.6

NEPLAN 5.3 v/s WinFlu 2.3

0.050

ERROR - V (%) 0.040


0.030
0.020
NEPLAN 5.3 v/s0.010
ALGORITMO DESARROLLADO

0.000
1

NRO DE BARRA

Figura 5.2: IEEE 9 Barras - Porcentaje de Error en los Resultados - Magnitudes de las Tensin

Fuente: elaboracin propia

108

7.000
6.000
5.000
NEPLAN 5.3 v/s PSAT 2.6

NEPLAN 5.3 v/s WinFlu 2.3

4.000

ERROR - (%)

3.000
2.000

NEPLAN 5.3 v/s1.000


ALGORITMO DESARROLLADO

0.000
1

NRO DE BARRA

Figura 5.3: IEEE 9 Barras - Porcentaje de Error en los Resultados - ngulos de las Tensin

Fuente: elaboracin propia

En la Figura 5.4 se muestra la evolucin del vector de errores en cada


iteracin, hasta que este valor sea menor a

105

(tolerancia del algoritmo).

109

110

Figura 5.4: IEEE 9 Barras - Evolucin del vector de errores en cada Iteracin
Fuente: elaboracin propia

5.3 ANLISIS DE SENSIBILIDAD

V Q , CON CONTROL DE TENSIN

PARA EL SISTEMA IEEE 9 BARRAS


Con respecto a los valores propios (Figura 5.5), se puede observar que la
tendencia de los valores propios es de disminuir conforme se incrementa la
demanda de potencia activa en las barras, mientras que al inyectar potencia
reactiva (utilizacin del dispositivo shunt) se trasladan a valores mucho ms
grandes, esto significa el alejamiento de la barra 9 a la inestabilidad de
tensin.

111

MODOS

11.87
5

4.011

VALORES PROPIOS
NRO
BARRA
4
5
6
7
8
9

49.26
0

43.71
1

35.47
7

13.62
7

15.692 61.023
0.210 17.124 5.479
0.471
6.943
6.684
3.284 34.310 1.122 47.658
3.367
7.151
4.046 29.360 15.428 40.647
40.082 13.441 23.637
5.998 16.105
0.737
21.792
9.721
1.165
8.791 55.646
2.885
12.124
1.979 67.658
4.417 6.219
7.602

TOTAL

100.0
0

100.0
0

100.0
0

100.0
0

100.0
0

100.0
0

Figura 5.5: IEEE 9 barras Valores Propios de la matriz

JR

en diferentes casos

Fuente: elaboracin propia

En la figura 5.5, todos los valores propios son positivos, es decir, el sistema
es estable desde el punto de vista del voltaje.

Tabla 5.3: IEEE 9 Barras - Matriz de Factores de Participacin (%) con control de tensin
Fuente: elaboracin propia

112

El modo ms crtico (dado por el menor valor propio) se encuentra en el


modo 6

Figura 5.6: IEEE 9 Barras - Factores de Participacin (%) para un Mnimo Valor
Propio, con control de tensin

En la Figura 5.6 se observaFuente:


que laselaboracin
barras 5 ypropia
6 tienen mayor participacin
al modo crtico.
Esto significa que si el sistema sufre una inestabilidad de voltaje, la conexin
del dispositivo shunt seria en la barra 6 y se incrementara el valor del
dispositivo shunt en la barra 5 para mejorar el margen de estabilidad. Esto
puede ser fcilmente comprobado mediante el anlisis de sensibilidad

113

V Q

mostrada en la Figura 5.7, donde la barra que presenta mayor

sensibilidad son las barras5 y 6.

Figura 5.7: IEEE 9 Barras - Anlisis de Sensibilidad V-Q con control de tensin
Fuente: elaboracin propia

5.4 FLUJO DE POTENCIA CONTINUA CON DISPOSITIVO SHUNT DEL


SISTEMA IEEE 9 BARRAS
Se realiza el clculo de Flujo de Potencia Continua de las barras de carga,
con el fin de obtener el PMC y ver el comportamiento del sistema debido a la
inyeccin de 159.463 MVAR debido a la conexin del dispositivo shunt. Para
el clculo, se tom las siguientes consideraciones:

114

La tolerancia adoptada es igual a

10

y la disminucin de la

pendiente es igual 0.05 (adimensional).


V 0=0.5 pu , 0=0 pu .

Las coordenadas del punto escogido O es

Con respecto a la potencia reactiva (Q) de las barras PV, son


comparadas con sus respectivos lmites en cada iteracin.

Las cargas son modeladas como una potencia constante y el


parmetro

es usado para simular incrementos de potencia activa

de las barras 5, 6 y 8. Cada incremento de la carga es seguida por un


incremento de la generacin, equivalente al valor de

113

(a)

(c)

Figura 5.8: IEEE


funcin , (b) Angulo de la barra 8 en funcin ,
(b)9 Barras con dispositivo shunt: (a) Tensin en la barra 8 en (d)
(c) Numero de Iteraciones en funcin de cada punto de la Curva, (d) Numero de Iteraciones en funcin de cada punto de la
Curva y determinacin del PMC
Fuente: elaboracin propia

114

(c)

(a)

Figura 5.9: IEEE 9 Barras con dispositivo shunt: (a) Tensin en la barra 6 en funcin , (b) Angulo de la barra 6 en funcin
, (c) Numero de Iteraciones en funcin de cada punto de la Curva, (d) Numero de Iteraciones en funcin de cada punto de
(d)
(b)
la Curva y determinacin del PMC
Fuente: elaboracin propia

115

(a)

(c)

Figura 5.10: IEEE 9 Barras con dispositivo shunt: (a) Tensin en la barra 5 en funcin , (b) Angulo de la barra 5 en
(b)
(d)
funcin , (c) Numero de Iteraciones en funcin de cada punto de la Curva, (d) Numero de Iteraciones en funcin
de cada punto de la Curva y determinacin del PMC
Fuente: elaboracin propia

116

En las Figuras 5.8 (a), 5.9 (a) y 5.10 (a) se observa que el PMC es alcanzado,
cuando el factor de cargabilidad es igual a 3.380 pu, 3.289 pu y 4.126 pu,
haciendo que los niveles de tensin en dichas barras disminuya a valores
iguales a 0.938 pu, 0.764 pu y 0.806, a partir de estos puntos de operacin, se
observa que cualquier incremento del factor de cargabilidad, llevara al sistema a
la inestabilidad e incluso a un colapso de voltaje.
En las Figuras 5.8 (b), 5.9 (b) y 5.10 (b), se tiene los cambios que experimenta
los ngulos de las tensiones en las barras respecto al incremento del factor de
cargabilidad, donde a incrementos del factor de cargabilidad los ngulos tienden
a disminuir.
De las figuras 5.8 (c, d), 5.9 (c, d) y 5.10 (c, d) se tiene el nmero de iteraciones
de cada punto de la curva

PV , donde el PMC es alcanzado en los puntos

78 Y 79 con 4 y 5 iteraciones para alcanzar la convergencia.

117

Figura 5.11: IEEE 9 Barras Determinante de la matriz Jacobianaen funcin del factor de
cargabilidad en la barra 8
Fuente: elaboracin propia

118

Figura 5.12: IEEE 9 Barras Determinante de la matriz Jacobianaen funcin del factor de
cargabilidad en la barra 6
Fuente: elaboracin propia

119

Figura 5.13: IEEE 9 Barras Determinante de la matriz Jacobianaen funcin del factor de
cargabilidad en la barra 5
Fuente: elaboracin propia

Tambin se puede observar en las Figura 5.11, 5.12 y 5.13, como se aproxima
a cero de la grfica del determinante en funcin del factor de cargabilidad,
cuando se alcanza el PMC, y cuyos valores debajo de este, se acercan al eje
de coordenadas.
5.5 ANLISIS DE SENSIBILIDAD

V b shunt

Esta matriz de sensibilidad es obtenida a partir de la matriz jacobiana


J SC

expandida (matriz

), donde el valor propio de dicha matriz nos ayudara a

determinar las variaciones modales de la tensin, con respecto a las


variaciones modales del dispositivo shunt.
Tabla 5.4: Valor Propio de la matriz

J sc

Fuente: elaboracin propia

Tensin
Controlada

Valores Propios

V 5

Ubicacin del
Dispositivo Shunt

b shunt 6

0.053

Como se observa un solo valor propio, tambin existir un solo valor de la


sensibilidad

V b shunt

, debido a la existencia de un solo dispositivo que

controla el nivel de tensin en la barra 6.

Tabla 5.5: Sensibilidad

V b shunt

Fuente: elaboracin propia

120

Tensin
Controlada

V 5

Sensibilidad

V b shunt

Ubicacin del
Dispositivo Shunt

18.832

b shunt 6