CONSULTA DE ELECTRNICA GENERAL

TIRISTORES
Daniel Guevara
daniel_guevara_romero@hotmail.com
RESUMEN
Los tiristores representan varios tipos de
dispositivos semiconductores .En esta
familia se construye con cuatro capas
semiconductoras (pnpn). Los tiristores
incluyen el diodo de 4 capas, el
rectificador controlado de silicio (SCR), el
diac, el triac y el interruptor controlado de
silicio (SCS). Estos tipos de tiristores
comparten ciertas caractersticas adems
de su construccin de cuatro capas. Actan
como circuitos abiertos capaces de
soportar cierto voltaje nominal hasta que
son disparados. Cuando son disparados, se
encienden y se convierten en trayectorias
de baja resistencia para la corriente y
permanecen as, incluso despus de que
desaparece el disparo, hasta que la
corriente se reduce a un cierto nivel o hasta
que son apagados, segn el tipo de
dispositivo. Se pueden utilizar tiristores
para controlar la cantidad de potencia de ca
entregada a una carga y se utilizan en
variadores de intensidad luminosa de
lmparas, controles de velocidad de
motores elctricos, sistemas de encendido
y circuitos de carga, por mencionar
algunas de sus aplicaciones.

PALABRAS CLAVES: Tiristor, SCR,

fototiristores, Diac, Triac, PUT
ABSTRACT
Thyristors represent various types of
semiconductor devices .In this family is
constructed with four semiconductor
layers (pnpn). Thyristor diode 4 include
layers, the silicon controlled rectifier
(SCR), the diac, triac and silicon
controlled switch (SCS). These types of
thyristors share certain characteristics in
addition to its construction of four layers.
They act as open circuits capable of
supporting a nominal voltage until they are
fired. When triggered, light and become
paths of low resistance to the flow and
remain so even after disappearing shot,
until the current drops to a certain level or
until they are turned off, depending on the
type of device. Thyristors can be used to
control the amount of power delivered to a
load ca and used in dimmers lamps, speed
control of electric motors, ignition systems
and charging circuits, to mention some of
its applications.
KEYWORDS:
Thyristor,
thyristors, Diac, Triac, PUT

SCR,

1. INTRODUCCION
El conocimiento de los componentes
de potencia es el paso imprescindible
para la comprensin de los montajes de
electrnica de potencia. Por suerte para
el aficionado, su principio de
funcionamiento es bastante simple: el
tiristor y el triac se puede decir, a
grandes rasgos, que se comportan
como interruptores. El hecho que se les
controle por impulsos elctricos y que
sus tiempos de respuesta sean
pequeos, les abre unos campos de
aplicacin inalcanzables para los
aparatos electromecnicos y los
distingue
de
ellos.
As
sus
particularidades
merecen
ser
estudiadas. Para la comprensin de
estos fenmenos resulte fcil,
comenzaremos por dos realizaciones
que nos permitirn, en un primer
momento, entender cmo trabajan el
tiristor y el triac y acceder, as, a las
descripciones tcnicas que siguen.
Posteriormente, estos montajes nos
permitirn comprobar el buen
funcionamiento de los componentes de
potencia.
2. OBJETIVOS
Estudiar la estructura y
operacin bsicas de un
diodo de 4 capas.
Conocer la estructura y
operacin bsicas de un
SCR.
Reconocer la estructura y
operacin bsicas de los
diacs y triacs

Definir voltaje de ruptura

en directa
Comprender la corriente de
conmutacin
Determinar el smbolo
esquemtico y trazar un
circuito equivalente de los
dispositivos de 4 capas
Interpretar la curva de
caracterstica de los diac,
triac
3. MARCO TEORICO
TIRISTORES
Es un conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez,
el tiristor es un componente idneo
en electrnica de potencia. El triac,
por su parte, no es sino variante
bidireccional.
El tiristor, concebido en un
principio como equivalente de
estado slido para reemplazar al
tiratrn a gas, se ha impuesto
rpidamente en toda una serie de
dominios de los que los ms
importantes son, a parte de la
conmutacin pura y simple, la
variacin de velocidad de motores
y la graduacin de luz.
En efecto, el tiristor permanece
normalmente bloqueado hasta el
momento en que se le hace
conducir actuando sobre su
electrodo de disparo. Puesto que
ese momento se puede fijar con
toda precisin, es posible gobernar

a voluntad el paso de intensidades

de corriente en su valor medio.

del tiristor son el

ctodo.

nodo y el

Smbolo

Figura 1. Smbolo del Tiristor

Ventaja
Aptitud para controlar grandes
potencias, con una potencia de
control mnima.
Funcionamiento bsico
El tiristor acta esencialmente en
dos modalidades distintas. Siendo
en (a), la onda de entrada, el tiristor
suprime,
en
(b),
algunos
semiperiodos de ella, mientras que
en (c) subsisten todos los
semiperiodos
aunque
no
completos, como puede apreciarse
mejor en el detalle (d).

El tiristor es un conmutador
biestable, es decir, es el equivalente
electrnico de los interruptores
mecnicos; por tanto, es capaz de
dejar pasar plenamente o bloquear
por completo el paso de la corriente
sin tener nivel intermedio alguno,
aunque no son capaces de soportar
grandes sobrecargas de corriente.

La familia de dispositivos
semiconductores de varias capas
que presentan una accin de
conmutacin biestable, debido a su
inherente
realimentacin
regenerativa.

El diseo del tiristor permite que

ste pase rpidamente a encendido
al recibir un pulso momentneo de
corriente en su terminal de control,
denominada puerta (o en ingls,
gate) cuando hay una tensin
positiva entre nodo y ctodo, es
decir la tensin en el nodo es
mayor que en el ctodo. Solo puede
ser apagado con la interrupcin de
la fuente de voltaje, abriendo el
circuito, o bien, haciendo pasar una

El tiristor es un dispositivo
semiconductor de tres terminales y
cuatro capas,
cada capa est
formada alternativamente de tipo N
o material de tipo P, por ejemplo
PNPN. Las principales terminales

corriente en sentido inverso por el

dispositivo. Si se polariza
inversamente en el tiristor existir
una dbil corriente inversa de fugas
hasta que se alcance el punto de
tensin
inversa
mxima,
provocndose la destruccin del
elemento (por avalancha en la
unin).
TIPOS DE TIRISTORES

Rels
Protectores de sobre carga
Graduadores de iluminacin
Sistema de encendido de motores
de explosin
Control de temperatura con
termopares
Control de potencia
Radar
Laser de impulsos
Generadores de ultrasonidos
Circuitos lgicos
Multivibradores de potencia
Control de tiempo, contadores
Fines de carrera, deteccin de
niveles
Circuitos de alarma
Control
de
alumbrado
de
emergencia

CONMUTACIN
COMPLEMENTARIA
APAGADO
FORZADO
TIRISTORES

Figura 2. Tipos de Tiristores

APLICACIONES.

Rectificacin de corriente
Carga de bateras w soldadura
Generacin de potencia a distancia
Procesos electroqumicos
Regulacin
de
fuentes
de
alimentacin
Control de velocidad de motores
Mquinas herramientas
Vehculos de traccin
Sustitucin
de dispositivos
electromecnicos

Y
DE

La conmutacin complementaria se
utiliza para transferir corriente entre
dos cargas; una disposicin como sta
aparece en la figura. El disparo de un
tiristor conmuta a otro.
Cuando se dispara el tiristor T1, la
carga con R1 se conecta al voltaje de
alimentacin, Vs, y al mismo tiempo
se carga el capacitor C hasta Vs, a
travs de la otra carga con R2. La
polaridad del capacitor C es como la
que aparece en la figura. Cuando se
conecta el tiristor T2, el capacitor
queda colocado a travs del tiristor T1
y la carga con R2 se conecta al voltaje
de alimentacin, Vs. T1 adquiere

polarizacin inversa y se desactiva

mediante la conmutacin por impulso.
Una vez desactivado el tiristor T1, el
voltaje del capacitar se invierte a -Vs a
travs de R1, T2 y la alimentacin. Si
el tiristor T1 se vuelve a disparar, el
tiristor T2 se desactiva y el ciclo se
repite. Por lo general, los dos tiristores
conducen con iguales intervalos de
tiempo. Las formas de onda de los
voltajes y las corrientes aparecen en la
figura 2 para R1=R2=R. Ya que cada
tiristor se desconecta debido a la
conmutacin por impulso, este tipo de
conmutacin a veces se conoce como
conmutacin complementaria por
impulso.

Figura 3. Circuito de conmutacin

TRIAC
Un Triac es un dispositivo
semiconductor, de la familia de los
tiristores. El xito obtenido con la
introduccin
del
tiristor
convencional en el campo de la
electrnica,
indujo
a
los
investigadores a desarrollar otro
tiristor ms apto para conduccin
controlada en circuitos de corriente
alterna. El Triac (Triode AC

semiconductor)
es
un
semiconductor capaz de bloquear
tensin y conducir corriente en
ambos sentidos entre los terminales
principales T1 y T2. Su estructura
bsica,
smbolo
y
curva
caracterstica,
aparece
a
continuacin. Es un componente
simtrico en cuanto a conduccin y
estado de bloqueo se refiere, pues
la caracterstica en el cuadrante I de
la curva v T2-T1 vs i T2 es igual a
la del III
Tiene unas fugas en bloqueo y una
cada de tensin en conduccin
prctica-mente igual a la de un
tiristor y el hecho de que entre en
conduccin, si se supera la tensin
de ruptura en cualquier sentido, lo
hace inmune a destruccin por
sobretensin.
La
estructura
contiene seis capas, aunque
funciona siempre como un tiristor
de cuatro. En sentido T2-Tl
conduce a travs de P1NlP2N2 y
en sentido Tl-T2 a travs de
P2NlPlN4. La capa N3 facilita el
disparo con intensidad de puerta
negativa. La complicacin de su
estructura lo hace ms delicado que
un tiristor en cuanto a su, y de
menor capacidad para soportar
sobre corrientes. Se fabrican para
intensidades
desde
algunos
amperes hasta unos 200 A eficaces
y desde 400 a 1.000 V de tensin
de pico repetitivo.

Figura 4. Estructura y curva caracterstica

del tiristor

RECTIFICADOR
CONTROLADO
DE
SILICIO
SCR (SILICON
CONTROLLED RECTIFIER)
Es un dispositivo semiconductor
biestable formado por tres uniones
pn con la disposicin pnpn Est
formado por tres terminales,
llamados nodo, Ctodo y Puerta.
La conduccin entre nodo y
ctodo es controlada por el
terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional (sentido de la
corriente es nico), conmutador
casi
ideal,
rectificador
y
amplificador a la vez.

Figura 5. Smbolo y estructura real de un

SCR

El SCR se asemeja a un diodo

rectificador pero si el nodo es
positivo en relacin al ctodo no
circular la corriente hasta que una
corriente positiva se inyecte en la
puerta. Luego el diodo se enciende
y no se apagar hasta que no se
remueva la tensin en el nodoctodo, de all el nombre
rectificador
controlado.
FUNCIONAMIENTO BSICO
DEL SCR
El siguiente grfico muestra un
circuito equivalente del SCR para
comprender su funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al
terminal G (base de Q2 y colector
de Q1), se producen dos corrientes:
IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del
transistor Q1 y causa que exista

una corriente de colector de Q1

(IC1) que a su vez alimenta la base
del transistor Q2 (IB2), este a su
vez causa ms corriente en IC2,
que es lo mismos que IB1 en la
base de Q1.
Este proceso regenerativo se repite
hasta saturar Q1 y Q2 causando el
encendido del SCR.

Figura 6. Funcionamiento bsico del SCR

OPERACIN CONTROLADA DEL

RECTIFICADOR CONTROLADO DE
SILICIO

suficiente slo la polarizacin

directa del nodo al ctodo del
dispositivo. En la regin de
conduccin la resistencia dinmica
el SCR es tpicamente de 0.01 a 0.1
La
resistencia
inversa
es
tpicamente de 100 k ms. Un
SCR acta a semejanza de un
interruptor. Cuando esta encendido
(ON), hay una trayectoria de flujo
de corriente de baja resistencia del
nodo al ctodo. Acta entonces
como un interruptor cerrado.
Cuando est apagado (OFF), no
puede haber flujo de corriente del
nodo al ctodo. Por tanto, acta
como un interruptor abierto. Dado
que es un dispositivo de estado
s1ido, la accin de conmutacin
de un SCR es muy rpida.
Polarizacin Inversa

Como su nombre lo indica, el SCR

es un rectificador construido con
material de silicio con una tercera
terminal para efecto de control. Se
escogi el silicio debido a sus
capacidades de alta temperatura y
potencia.
La operacin bsica del SCR es
diferente de la del diodo
semiconductor de dos capas
fundamental, en que una tercera
terminal, llamada compuerta,
determina cundo el rectificador
conmuta del estado de circuito
abierto al de circuito cerrado. No es

Figura 7. Polarizacin inversa del SCR

Polarizacin Directa

Figura 8. Polarizacin directa del SCR

CARACTERSTICAS
DESTACADAS DEL SCR:

MS

Estructura de cuatro capas p-n

alternadas.
Directamente polarizado tiene dos
estados: cebado y bloqueado.
Inversamente polarizado estar
bloqueado.
Dispositivo capaz de soportar las
potencias ms elevadas. nico
dispositivo capaz de soportar
I>4000Amp.
(Von24Volt.)
yV>7000Volt.
Control del encendido por
corriente de puerta (pulso). No es
posible apagarlo desde la puerta.
El circuito de potencia debe bajar
la corriente andica por debajo de
la de mantenimiento.
Frecuencia
mxima
de
funcionamiento baja, ya que se
sacrifica la velocidad (vida media
de los portadores larga) para
conseguir
una
cada
en
conduccin lo menor posible. Su
funcionamiento se centra en
aplicaciones a frecuencia de red.

La derivada de la corriente
andica respecto al tiempo en el
momento del cebado debe
limitarse para dar tiempo a la
expansin del plasma en todo el
cristal evitando la focalizacin de
la corriente.
La derivada de la tensin nodo
ctodo al reaplicar tensin positiva
debe limitarse para evitar que
vuelva cebarse. Tambin se debe
esperar un tiempo mnimo para
reaplicar tensin positiva.
Caractersticas del Tiristor (SCR)
y del Triac.
Existen
un
sin
fin
de
caractersticas
que
debemos
indicar si queremos definirlos
convenientemente:
VDRM
Tensin de pico repetitivo en
estado de bloqueo directo.
(Repetitive
peak
off-state
voltage). Expresa el valor mximo
de voltaje repetitivo para el cual el
fabricante garantiza que no hay
conmutacin, con la puerta en
circuito abierto.
VDSM Tensin de pico no
repetitivo en estado de bloqueo
directo. (Non -repetitive peak off
state voltage). Valor mximo de
tensin en sentido directo que se
puede
aplicar
durante
un
determinado periodo de tiempo
con la puerta abierta sin provocar
el disparo.
VDWM Tensin mxima directa
en estado de trabajo. (Crest
working off - state voltage). Valor

mximo de tensin en condiciones

normales de funcionamiento.
VT Tensin en extremos del
tiristor en estado de conduccin.
(Forward on - state voltage).
VGT Tensin de disparo de
puerta. (Tensin de encendido).
(Gate voltage to trigger). Tensin
de puerta que asegura el disparo
con tensin nodo - ctodo en
directo.
VGNT Tensin de puerta que no
provoca el disparo. (Non triggering gate voltage). Voltaje
de puerta mximo que no produce
disparo, a una temperatura
determinada.
VRGM Tensin inversa de puerta
mxima. (Peak reverse gate
voltage). Mxima tensin inversa
que se puede aplicar a la puerta.
VBR Tensin de ruptura.
(Breakdown voltage). Valor lmite
que si es alcanzado un
determinado tiempo en algn
momento, puede destruir o al
menos degradar las caractersticas
elctricas del tiristor.
IT (AV) Corriente elctrica
media. (Average on - state
current). Valor mximo de la
corriente media en el sentido
directo, para unas condiciones
dadas de temperatura, frecuencia,
forma de onda y ngulo de
conduccin.
IT (RMS) Intensidad directa
eficaz. (R.M.S. on state current).
VRRM Tensin inversa de pico
repetitivo.
(Repetitive
peak
reverse voltage). Valor mximo de

tensin que se puede aplicar

durante un cierto periodo de
tiempo con el terminal de puerta
abierto.
VRSM Tensin inversa de pico no
repetitivo. (Non - repetitive peak
reverse voltage). Valor mximo de
tensin que se puede aplicar con el
terminal de puerta abierto.
VRWM Tensin inversa mxima
de trabajo. (Crest working reverse
voltage). Tensin mxima que
puede soportar el tiristor con la
puerta
abierta,
de
forma
continuada, sin peligro de ruptura.
Voltaje de ruptura directo. Es el
voltaje que soporta en polarizacin
directa y en estado de bloqueo.
Tensin de pico repetitivo en estado
de bloqueo directo (Repetitive peak
off-state voltage).
Expresa el valor mximo de voltaje
repetitivo para el cual el fabricante
garantiza que Electrnica de potencia
El
mundo
del
automatismo
electrnico 165 Sin embargo vamos a
reflejar lo que un fabricante destaca en
sus catlogos, que en definitiva sern
los parmetros que utilizaremos
preferentemente si trabajamos con
estos componentes. IFAV (SIN 180)
VRSM y VRRM de potencia no hay
conmutacin, con la puerta en circuito
abierto.
Voltaje
mximo
soportar
Tensin

de pico inverso. Es el
voltaje inverso que puede
(similar al de los diodos).
de pico no repetitivo en

estado de bloqueo directo. (Non repetitive peak off state voltage).

Valor mximo de tensin en sentido
directo que se puede aplicar durante
un determinado periodo de tiempo con
la puerta abierta sin provocar el
disparo.
Corriente mxima de operacin. Es
la corriente de operacin o trabajo.

disparo ptico puede controlarse

electrnicamente. La ventaja principal
del fototiristor es que es un excelente
conmutador, con una capacidad de
gobernar potencias muy superiores a
otros
fotodetectores.
Con
refrigeracin apropiada, algunos
fototiristores pueden trabajar a unos
cientos de voltios con un ampere.

Cada de voltaje en polarizacin

directa. Es el voltaje entre el nodo y
el ctodo cuando est en estado de
conduccin.
Voltajes de compuerta. Son los
valores de voltaje en la compuerta el
mnimo para activarlo o mximo que
soporta.
Corrientes de compuerta. Son las
corrientes mnima y mxima que debe
haber en la compuerta para que el SCR
o Triac puedan conducir.
Corriente de enganche. Es la
corriente mnima que debe pasar entre
sus dos terminales principales para
mantener al dispositivo en estado de
conduccin inmediatamente despus
de que ha sido activado y se ha
retirado la seal de la compuerta.
FOTOTIRISTORES (LASCR)
Los fototiristores son como los
fototransistores o FET muy similares
a
sus
correspondientes
convencionales, excepto en la adicin
de una ventana o lente para enfocar la
luz en un rea apropiada. Tienen tres
terminales, y por tanto, el umbral del

Figura 9. Smbolo y esquema de un LASCR

ELEMENTOS DE DISPARO
INTRODUCCIN
A ciertos niveles, para disparar el tiristor y
el triac se necesitan dispositivos
intermedios entre la seal de disparo y la
puerta. Para estudiarlos utilizaremos:

VS = Tensin de disparo.
VH = Tensin de mantenimiento.
VR = Tensin inversa.
V0 = Tensin de pico de los
impulsos.
IH = Corriente de mantenimiento.
IS = Corriente en el momento del
disparo
1. DIAC
El Diac es un elemento simtrico
que no posee, por tanto, polaridad.
Su estructura es muy simple ya que
se obtiene por doble difusin de

impurezas de tipo opuesto al del

sustrato.
La tensin del disparo se suele
escoger cercana a los 30 V. Es
difcil
obtener
tensiones
sensiblemente ms bajas con una
resistencia negativa suficiente,
mientras que el empleo de valores
ms elevados reducira las
posibilidades de control.
Los diacs son muy utilizados para
realizar variadores de potencia
muy simples. Permiten obtener,
con condensadores de poco
volumen, corrientes de disparo de
valor elevado. A menudo se
presentan en cpsulas de tipo DO7.

entre puerta y ctodo, un diodo de

avalancha de baja tensin.
Algunas caractersticas tpicas de
este elemento, tomadas de un D13
D1 de General Electric, son las
siguientes:
Tensin de disparo Vs= 6 10V
Corriente en el momento de
diapro Is=0.5 mAmx.
Tensin de mantenimiento
VH= aproximadamente 0.7 V a
25C.
Corriente de mantenimiento
IH=1.5 mA mx.
Cada de tensin directa = 1.75
V.
Tensin inversa VR= 30 V.
Pico de los impulsos Vo=3.5 V
min.

Figura 10. Curva caracterstica de un diac

y smbolo ms usuales

2. CONMUTADOR
UNILATERAL DE SILICIO
(SUS)
Destinado
esencialmente
al
disparo de tiristores, el conmutador
unilateral de silicio est constituido
por un tiristor miniatura, con
puerta de nodo, al que asocia,

Figura 11. Smbolo, circuito equivalente

y curva caracterstica del conmutador
unilateral de silicio (SUS)

Comparado con el UJT, SUS se

dispara a una tensin fija,
determinada por su diodo de
avalancha, y su corriente Is
resulta mayor, y muy cercana a

IH. Estos datos limitan la

frecuencia de trabajo del
elemento.
La sincronizacin se asegura
mediante
los
impulsos
aplicados a la puerta del SUS.

Figura 13. Conmutador bilateral de silicio y

curva caracterstica
Figura 12. Circuito bsico de montaje del
SUS

3. CONMUTADOR BILATERAL
DE SILICIO (SBS)
El conmutador bilateral de silicio,
derivado de SUS, se compone de
dos SUS idnticos en antiparalelo.
Funciona pues en los dos sentidos,
como su nombre indica, y se aplica
sobre todo al control de triacs. En
ese caso, el montaje de principio es
idntico al del SUS, siendo la nica
diferencia la tensin de c.c. de
ataque que habr de sustituirse por
una tensin inversa VR pierde todo
significado, como es obvio.

4. TRANSISTOR
(UJT)

UNIUNIN

UJT (Uni-Juntion Transistor):

transistor formado por una
resistencia de silicio (de 4 a 9 K)
tipo N con tres terminales, dos
bases, B1 y B2, y un emisor (unin
NP).
En la figura se representa el
smbolo, estructura y curva
caracterstica.

Figura 14. Smbolo, estructura de un UJT

Figura 17. Formulas del UJT

Figura 15. Curva caracterstica de un UJT

El circuito equivalente del UJT es

el representado en la figura
siguiente,
para
su
estudio
definimos:

Figura 16. Circuito equivalente del UJT

FUNCIONAMIENTO DEL UJT

El punto de funcionamiento viene
determinado por las caractersticas
del
circuito
exterior.
El
funcionamiento del UJT se basa en
el control de la resistencia rB1B2
mediante la tensin aplicada al
emisor.
Si el emisor no est conectado o
VE < VP Diodo polarizado
inversamente no conduce IE
= 0.

Si VE VP Diodo polarizado
directamente conduce
aumenta IE.
Cuando IP < IE < IV entramos
en una zona de resistencia negativa
donde rBB varia en funcin de IE.
A
partir
del
punto
de
funcionamiento, si IE disminuye
hasta alcanzar un valor inferior a
IV el diodo se polariza
inversamente.
Se suele usar para el disparo de
tiristores o en el diseo de
osciladores de relajacin
5. TRANSISTOR
UNIN
PROGRAMABLE (PUT)
PARMETROS DEL PUT
PUT (Programable Uni-Juntion
Transistor): de caractersticas
idnticas al UJT, puede ajustar los
valores de , VP e IV mediante un
circuito de polarizacin externo.
Su constitucin y funcionamiento
es similar a las de un tiristor con
puerta de nodo (Fig. 6). Tiene tres
terminales: ctodo K, nodo A y
puerta de nodo GA

comparable a un tiristor sin el

terminal de puerta.

Figura 20. Smbolo del diodo Shockley

Figura 18. Montaje y circuito equivalente de

un PUT

FUNCIONAMIENTO
DEL
PUT
Si VA < VGA diodo A-GA se
polariza inversamente solo
circula corriente de fugas.
Si VA > VGA diodo A-GA
conduce y tiene una caracterstica
similar a la del UJT.

7. QUADRAC
Dispositivo formado por un diac
que dispara a un triac. Posee tres
terminales, dos de potencia del
triac y un extremo del diac como
puerta del Quadracs.

Figura 21. Esquema de un Quadracs

8. CONJUNTO DIODO MS
TIRISTOR
Dispositivo formado por un diodo
y un tiristor en la misma cpsula o
integrados en la misma pastilla.

Figura 19. Curva caracterstica del PUT

La variacin de IP e IV dependen
de R1 y R2 en el divisor de tensin
VGA, es decir de RG.
El voltaje de valle VV es el de
encendido del PUT ( 1 V).
6. DIODO SHOCKLEY
Diodo de cuatro capas o diodo
tiristor: dispositivo bipolar PNPN

Figura 22. Estructura de un conjunto diodo

ms tiristor

9. PUENTES MIXTOS
Conjunto de dos diodos y dos
tiristores en la misma cpsula.

conduciendo hasta que el voltaje

disminuya a tal punto que se desactive.
Los scr nos permiten controlar el paso de
corriente a determinadas ramas de un
circuito previniendo daos y alargando la
vida til de estos.
Figura 23. Estructura de un puente mixto

10. ACOPLADORES
PTICOS
CON TIRISTORES
Conjunto formado por un
fototiristor y un diodo LED en la
misma cpsula. Tambin se
denominan
OPTOACOPLADORES.

Figura 24. Smbolo de un Opto acoplador

4. CONCLUSIONES

Segn la referencia del scr estos pueden

controlar diferentes tipos de voltajes.
Mientras no se aplique ninguna tensin
en el GATE del scr no se inicia la
conduccin, dado que esta es la clave
para que el tiristor quede activo de forma
permanente hasta que algo externo al
l rompa la conduccin.
Los scr se utilizan en aplicaciones de
electrnica de potencia, en el campo del
control; debido a que el tiristor puede ser
utilizado como interruptor de tipo
electrnico.
El Triac conmuta del modo de
corte al modo de conduccin
cuando se inyecta corriente a la
compuerta. Despus del disparo la
compuerta no posee control sobre
el estado del Triac. Para apagar el
Triac la corriente andica debe
reducirse por debajo del valor de la
corriente de retencin IH.

La corriente que activa el scr puede ser de

bajo valor, pues con solo un pulso de
corriente este quedar activo.

Las corrientes de prdida del Triac

son pequeas, del orden de 0,1 A
a la temperatura ambiente.

El voltaje que hay en el nodo cae

drsticamente al momento del encendido
del scr y queda siendo un voltaje
aproximado de 0.8 v.

La corriente y la tensin de
encendido disminuyen con el
aumento de temperatura y con el
aumento de la tensin de bloqueo.

Luego de encendido el scr, no es

necesario que la compuerta siga
recibiendo corriente porque este seguir

Las aplicaciones del triac, a

diferencia de los tiristores se
encuentran
bsicamente
en
corriente alterna.

 La principal utilidad de los triacs es

como regulador de potencia
entregada a una carga, en corriente
alterna.
El tirac conmuta en forma de corte
al modo de conduccin cuando se
inyecta corriente a la compuerta
.
5. RECOMENDACIONES
Se debe verificar el correcto
funcionamiento de los dispositivos
de 4 capa para una prctica de
laboratorio.
Las caractersticas de ruptura de
voltaje vienen especificadas por el
fabricante.
Las diferentes siglas nos indican
con qu frecuencia y voltaje
mximo podemos trabajar
6. BIBLIOGRAFIA
http://es.slideshare.net/isai
asnathanael/tipos-detiristores?related=1
http://es.slideshare.net/Boy
tronic/tiristorescaractersticasaplicaciones-yfuncionamiento
https://es.scribd.com/doc/6
1823602/Dispositivo-deCuatro-Capas
http://www2.uca.es/grupinvest/instrument_electro/
Ramiro/docencia_archivos
/Tiristores.PDF
http://www.monografias.c
om/trabajos-pdf2/apagadoforzado-tiristoreconmutacioncomplementaria/apagado-

forzado-tiristoreconmutacioncomplementaria.pdf
http://es.slideshare.net/Boy
tronic/tiristorescaractersticasaplicaciones-yfuncionamiento
http://www.iuma.ulpgc.es/
~roberto/asignaturas/EI/tra
nsparencias/EI_Tema_3.3.
Tiristor.pdf