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TIRISTORES
Daniel Guevara
daniel_guevara_romero@hotmail.com
RESUMEN
Los tiristores representan varios tipos de
dispositivos semiconductores .En esta
familia se construye con cuatro capas
semiconductoras (pnpn). Los tiristores
incluyen el diodo de 4 capas, el
rectificador controlado de silicio (SCR), el
diac, el triac y el interruptor controlado de
silicio (SCS). Estos tipos de tiristores
comparten ciertas caractersticas adems
de su construccin de cuatro capas. Actan
como circuitos abiertos capaces de
soportar cierto voltaje nominal hasta que
son disparados. Cuando son disparados, se
encienden y se convierten en trayectorias
de baja resistencia para la corriente y
permanecen as, incluso despus de que
desaparece el disparo, hasta que la
corriente se reduce a un cierto nivel o hasta
que son apagados, segn el tipo de
dispositivo. Se pueden utilizar tiristores
para controlar la cantidad de potencia de ca
entregada a una carga y se utilizan en
variadores de intensidad luminosa de
lmparas, controles de velocidad de
motores elctricos, sistemas de encendido
y circuitos de carga, por mencionar
algunas de sus aplicaciones.
SCR,
1. INTRODUCCION
El conocimiento de los componentes
de potencia es el paso imprescindible
para la comprensin de los montajes de
electrnica de potencia. Por suerte para
el aficionado, su principio de
funcionamiento es bastante simple: el
tiristor y el triac se puede decir, a
grandes rasgos, que se comportan
como interruptores. El hecho que se les
controle por impulsos elctricos y que
sus tiempos de respuesta sean
pequeos, les abre unos campos de
aplicacin inalcanzables para los
aparatos electromecnicos y los
distingue
de
ellos.
As
sus
particularidades
merecen
ser
estudiadas. Para la comprensin de
estos fenmenos resulte fcil,
comenzaremos por dos realizaciones
que nos permitirn, en un primer
momento, entender cmo trabajan el
tiristor y el triac y acceder, as, a las
descripciones tcnicas que siguen.
Posteriormente, estos montajes nos
permitirn comprobar el buen
funcionamiento de los componentes de
potencia.
2. OBJETIVOS
Estudiar la estructura y
operacin bsicas de un
diodo de 4 capas.
Conocer la estructura y
operacin bsicas de un
SCR.
Reconocer la estructura y
operacin bsicas de los
diacs y triacs
nodo y el
Smbolo
Ventaja
Aptitud para controlar grandes
potencias, con una potencia de
control mnima.
Funcionamiento bsico
El tiristor acta esencialmente en
dos modalidades distintas. Siendo
en (a), la onda de entrada, el tiristor
suprime,
en
(b),
algunos
semiperiodos de ella, mientras que
en (c) subsisten todos los
semiperiodos
aunque
no
completos, como puede apreciarse
mejor en el detalle (d).
El tiristor es un conmutador
biestable, es decir, es el equivalente
electrnico de los interruptores
mecnicos; por tanto, es capaz de
dejar pasar plenamente o bloquear
por completo el paso de la corriente
sin tener nivel intermedio alguno,
aunque no son capaces de soportar
grandes sobrecargas de corriente.
La familia de dispositivos
semiconductores de varias capas
que presentan una accin de
conmutacin biestable, debido a su
inherente
realimentacin
regenerativa.
El tiristor es un dispositivo
semiconductor de tres terminales y
cuatro capas,
cada capa est
formada alternativamente de tipo N
o material de tipo P, por ejemplo
PNPN. Las principales terminales
Rels
Protectores de sobre carga
Graduadores de iluminacin
Sistema de encendido de motores
de explosin
Control de temperatura con
termopares
Control de potencia
Radar
Laser de impulsos
Generadores de ultrasonidos
Circuitos lgicos
Multivibradores de potencia
Control de tiempo, contadores
Fines de carrera, deteccin de
niveles
Circuitos de alarma
Control
de
alumbrado
de
emergencia
CONMUTACIN
COMPLEMENTARIA
APAGADO
FORZADO
TIRISTORES
APLICACIONES.
Rectificacin de corriente
Carga de bateras w soldadura
Generacin de potencia a distancia
Procesos electroqumicos
Regulacin
de
fuentes
de
alimentacin
Control de velocidad de motores
Mquinas herramientas
Vehculos de traccin
Sustitucin
de dispositivos
electromecnicos
Y
DE
La conmutacin complementaria se
utiliza para transferir corriente entre
dos cargas; una disposicin como sta
aparece en la figura. El disparo de un
tiristor conmuta a otro.
Cuando se dispara el tiristor T1, la
carga con R1 se conecta al voltaje de
alimentacin, Vs, y al mismo tiempo
se carga el capacitor C hasta Vs, a
travs de la otra carga con R2. La
polaridad del capacitor C es como la
que aparece en la figura. Cuando se
conecta el tiristor T2, el capacitor
queda colocado a travs del tiristor T1
y la carga con R2 se conecta al voltaje
de alimentacin, Vs. T1 adquiere
TRIAC
Un Triac es un dispositivo
semiconductor, de la familia de los
tiristores. El xito obtenido con la
introduccin
del
tiristor
convencional en el campo de la
electrnica,
indujo
a
los
investigadores a desarrollar otro
tiristor ms apto para conduccin
controlada en circuitos de corriente
alterna. El Triac (Triode AC
semiconductor)
es
un
semiconductor capaz de bloquear
tensin y conducir corriente en
ambos sentidos entre los terminales
principales T1 y T2. Su estructura
bsica,
smbolo
y
curva
caracterstica,
aparece
a
continuacin. Es un componente
simtrico en cuanto a conduccin y
estado de bloqueo se refiere, pues
la caracterstica en el cuadrante I de
la curva v T2-T1 vs i T2 es igual a
la del III
Tiene unas fugas en bloqueo y una
cada de tensin en conduccin
prctica-mente igual a la de un
tiristor y el hecho de que entre en
conduccin, si se supera la tensin
de ruptura en cualquier sentido, lo
hace inmune a destruccin por
sobretensin.
La
estructura
contiene seis capas, aunque
funciona siempre como un tiristor
de cuatro. En sentido T2-Tl
conduce a travs de P1NlP2N2 y
en sentido Tl-T2 a travs de
P2NlPlN4. La capa N3 facilita el
disparo con intensidad de puerta
negativa. La complicacin de su
estructura lo hace ms delicado que
un tiristor en cuanto a su, y de
menor capacidad para soportar
sobre corrientes. Se fabrican para
intensidades
desde
algunos
amperes hasta unos 200 A eficaces
y desde 400 a 1.000 V de tensin
de pico repetitivo.
RECTIFICADOR
CONTROLADO
DE
SILICIO
SCR (SILICON
CONTROLLED RECTIFIER)
Es un dispositivo semiconductor
biestable formado por tres uniones
pn con la disposicin pnpn Est
formado por tres terminales,
llamados nodo, Ctodo y Puerta.
La conduccin entre nodo y
ctodo es controlada por el
terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional (sentido de la
corriente es nico), conmutador
casi
ideal,
rectificador
y
amplificador a la vez.
Polarizacin Directa
CARACTERSTICAS
DESTACADAS DEL SCR:
MS
La derivada de la corriente
andica respecto al tiempo en el
momento del cebado debe
limitarse para dar tiempo a la
expansin del plasma en todo el
cristal evitando la focalizacin de
la corriente.
La derivada de la tensin nodo
ctodo al reaplicar tensin positiva
debe limitarse para evitar que
vuelva cebarse. Tambin se debe
esperar un tiempo mnimo para
reaplicar tensin positiva.
Caractersticas del Tiristor (SCR)
y del Triac.
Existen
un
sin
fin
de
caractersticas
que
debemos
indicar si queremos definirlos
convenientemente:
VDRM
Tensin de pico repetitivo en
estado de bloqueo directo.
(Repetitive
peak
off-state
voltage). Expresa el valor mximo
de voltaje repetitivo para el cual el
fabricante garantiza que no hay
conmutacin, con la puerta en
circuito abierto.
VDSM Tensin de pico no
repetitivo en estado de bloqueo
directo. (Non -repetitive peak off
state voltage). Valor mximo de
tensin en sentido directo que se
puede
aplicar
durante
un
determinado periodo de tiempo
con la puerta abierta sin provocar
el disparo.
VDWM Tensin mxima directa
en estado de trabajo. (Crest
working off - state voltage). Valor
de pico inverso. Es el
voltaje inverso que puede
(similar al de los diodos).
de pico no repetitivo en
ELEMENTOS DE DISPARO
INTRODUCCIN
A ciertos niveles, para disparar el tiristor y
el triac se necesitan dispositivos
intermedios entre la seal de disparo y la
puerta. Para estudiarlos utilizaremos:
VS = Tensin de disparo.
VH = Tensin de mantenimiento.
VR = Tensin inversa.
V0 = Tensin de pico de los
impulsos.
IH = Corriente de mantenimiento.
IS = Corriente en el momento del
disparo
1. DIAC
El Diac es un elemento simtrico
que no posee, por tanto, polaridad.
Su estructura es muy simple ya que
se obtiene por doble difusin de
2. CONMUTADOR
UNILATERAL DE SILICIO
(SUS)
Destinado
esencialmente
al
disparo de tiristores, el conmutador
unilateral de silicio est constituido
por un tiristor miniatura, con
puerta de nodo, al que asocia,
3. CONMUTADOR BILATERAL
DE SILICIO (SBS)
El conmutador bilateral de silicio,
derivado de SUS, se compone de
dos SUS idnticos en antiparalelo.
Funciona pues en los dos sentidos,
como su nombre indica, y se aplica
sobre todo al control de triacs. En
ese caso, el montaje de principio es
idntico al del SUS, siendo la nica
diferencia la tensin de c.c. de
ataque que habr de sustituirse por
una tensin inversa VR pierde todo
significado, como es obvio.
4. TRANSISTOR
(UJT)
UNIUNIN
Si VE VP Diodo polarizado
directamente conduce
aumenta IE.
Cuando IP < IE < IV entramos
en una zona de resistencia negativa
donde rBB varia en funcin de IE.
A
partir
del
punto
de
funcionamiento, si IE disminuye
hasta alcanzar un valor inferior a
IV el diodo se polariza
inversamente.
Se suele usar para el disparo de
tiristores o en el diseo de
osciladores de relajacin
5. TRANSISTOR
UNIN
PROGRAMABLE (PUT)
PARMETROS DEL PUT
PUT (Programable Uni-Juntion
Transistor): de caractersticas
idnticas al UJT, puede ajustar los
valores de , VP e IV mediante un
circuito de polarizacin externo.
Su constitucin y funcionamiento
es similar a las de un tiristor con
puerta de nodo (Fig. 6). Tiene tres
terminales: ctodo K, nodo A y
puerta de nodo GA
FUNCIONAMIENTO
DEL
PUT
Si VA < VGA diodo A-GA se
polariza inversamente solo
circula corriente de fugas.
Si VA > VGA diodo A-GA
conduce y tiene una caracterstica
similar a la del UJT.
7. QUADRAC
Dispositivo formado por un diac
que dispara a un triac. Posee tres
terminales, dos de potencia del
triac y un extremo del diac como
puerta del Quadracs.
8. CONJUNTO DIODO MS
TIRISTOR
Dispositivo formado por un diodo
y un tiristor en la misma cpsula o
integrados en la misma pastilla.
La variacin de IP e IV dependen
de R1 y R2 en el divisor de tensin
VGA, es decir de RG.
El voltaje de valle VV es el de
encendido del PUT ( 1 V).
6. DIODO SHOCKLEY
Diodo de cuatro capas o diodo
tiristor: dispositivo bipolar PNPN
9. PUENTES MIXTOS
Conjunto de dos diodos y dos
tiristores en la misma cpsula.
10. ACOPLADORES
PTICOS
CON TIRISTORES
Conjunto formado por un
fototiristor y un diodo LED en la
misma cpsula. Tambin se
denominan
OPTOACOPLADORES.
4. CONCLUSIONES
La corriente y la tensin de
encendido disminuyen con el
aumento de temperatura y con el
aumento de la tensin de bloqueo.
forzado-tiristoreconmutacioncomplementaria.pdf
http://es.slideshare.net/Boy
tronic/tiristorescaractersticasaplicaciones-yfuncionamiento
http://www.iuma.ulpgc.es/
~roberto/asignaturas/EI/tra
nsparencias/EI_Tema_3.3.
Tiristor.pdf