Universidad Nacional de Colombia, Informe de Laboratorio Electrnica Anloga II,

Informe de Laboratorio 2 Transistor Mosfet

Caracterizacin y Amplificacin en Pequea
Seal
Anglica Parra, Marco Hernndez, David Reyes
apparral@unal.edu.co;
maahernandezgo@unal.edu.co;
dareyesal@unal.edu.co
Bogot, Colombia

Resumen En esta prctica se pretende llevar a cabo la

amplificacin de potencia a travs del transistor Mosfet. Para
llevar a cabo el objetivo se montaron diferentes circuitos en los
que pona a prueba cada compuerta del transistor y corroborar
cul tenia ms xito. Los resultados fueron exitosos y claros en la
medida que se logr establecer un funcin especfica para cada
compuerta, lo anterior resulta bastante til para el lector en la
medida en que dependiendo de la funcin que desee slo basta
con acudir a un gate comn, drain comn o si es necesario a
source comn.

Abstract In this practice the objective is to perform power

amplification through the MOSFET transistor. To accomplish the
objective were mounted in different circuits that tested each
transistor gate and corroborate what was more successful. The
results were successful and clear to the extent that it was possible
to establish a specific role for each gate, the above is quite useful
to the reader in the extent depending on the function you just
need to go to a common gate, common drain or if necessary a
common source.
Key words Polarization, amplifier, Common Source,
Common Drain, Common Gate.

I.

INTRODUCCIN

EL transistor MOSFET (Metal-oxide-semiconductor Fieldeffect transistor, el trmino 'metal' es actualmente incorrecto

debido a que el material de la compuerta, que antes era
metlico, ahora se construye con una capa de silicio
policristalino) es un dispositivo de efecto de campo que utiliza
un campo elctrico para crear una canal de conduccin el cual
posee cuatro electrodos llamados fuente compuerta
drenaje y sustrato. Son dispositivos ms importantes que
los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados
digitales se construyen con la tecnologa MOS. Existen
adems diversos tipos de transistores entre ellos encontramos
que existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal
N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. Cada uno de los
canales se divide en empobrecimiento y enriquecimiento.
Los transistores de efecto de campo fueron propuestos en 1952
por Schockley y su funcionamiento se basa en el control del

paso de la corriente por el campo aplicado a la puerta

constituida por una o varias uniones P-N polarizadas en
inverso. Seguidamente surge el transistor de efecto de campo
de unin metal-oxido-semiconductor), de desarrollo un poco
ms reciente, en el que el control de la corriente a travs del
semiconductor se realiza mediante un contacto separado del
semiconductor por una capa aislante (normalmente oxido de
silicio). Este tipo de transistor tiene un amplio uso actual
principalmente en la electrnica digital y en la construccin de
circuitos integrados.
En los ltimos aos se ha aumentado el uso de los
amplificadores electrnicos. Su objetivo principal dentro de
un circuito tiene como funcin incrementar la intensidad de
corriente, la tensin o la potencia de una seal que se aplica en
su entrada obteniendo la seal aumentada en la salida. Los
transistores han creado una revolucin tecnolgica que ha
conseguido un gran avance en todo tipo de dispositivos
electrnicos, debido a que permitieron la creacin de los
circuitos integrados y por medio de estos la fabricacin de los
microprocesadores que son la base de la tecnologa actual. El
MOSFET proporciona una ganancia de corriente y tensin
produciendo una corriente de salida en una carga externa que
supera la entrada de corriente y un voltaje de salida a travs de
esa carga externa que supera el voltaje de entrada. Conociendo
esto en esta prctica se planea hacer uso de este transistor y
bajo una serie de estructuras circuitales diseadas observar el
comportamiento como amplificador del transistor MOSFET
verificando la ganancia en la salida de cada circuito.

II.

MARCO TERICO

POLARIZACION TRANSISTOR MOSFET

A. Configuracin de polarizacin con divisor de
voltaje
Este tipo de configuracin lo podemos observar en la figura 1.
En esta podemos observar que que el terminal Gate (G) se
encuentra aislada y por ende IG=0 y se genera un divisor de
tensin que determina la tensin VG. De modo que por leyes
de Kirchhoff se puede determinar la tensin VGS.

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amplificador de voltaje. En este caso tenemos que la seal de

entrada es colocada en el terminal Source (S) y la seal
amplificada la vemos en el terminal Drain(D). En la figura 3
vemos su configuracin. [2]

Fig.1 Polarizacin por divisor de tensin.

Las ecuaciones que definen esta configuracin son:

V G=

V DDR 2
R1 + R2

V GS=V G I DRS

Fig. 3. Configuracin compuerta comn.

Mediante el modelo de pequea seal mostrado a
continuacin se puede realizar un anlisis acerca del
comportamiento que sucede en este circuito.

B. Configuracin de polarizacin en
retroalimentacin.
En la figura nmero 2 podemos ver otro arreglo que
representa de manera grfica la polarizacin para los
MOSFET de enriquecimiento. En ella podemos ver que
la
resistencia
RG
proporciona
un
voltaje
considerablemente grande alterminal Gate para as crear
el canal en el transistor. En esta configuracin existe una
conexin directa entre el Drain y la Gate, por tanto
VGS=VDS permitiendo adems el que el transistor este
siempre en su zona de saturacin. [1]

Figura4. Circuito equivalente pequea seal para

amplificador compuerta comn.
Basados en esto podemos ver que:
Ganancia de voltaje

A v =gm( R D R L )

Resistencia de salida

Resistencia de entrada.

Rsal =R D
Rent =RG =RS

1
gm

B. Configuracin Fuente Comn

Figura2. Polarizacin MOSFET. Configuracin en retroalimentacin.

AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL CON

TRANSISTORES MOSFET
A. Configuracin Gate comn.
Es la topologa menos utilizada en transistores MOSFET,
aun as funciona como acoplador de impedancias y como

Es una de las topologas principales de amplificadores con

transistores MOSFET, que se utiliza principalmente como
amplificador de voltaje y de transconductancia. Para este
modelo, colocamos la seal que queremos amplificar en el
terminal Gate, y la salida la obtenemos del terminal Drain.

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Figura7. Amplificador MOS en configuracin drenaje comn.

Figura5. Amplificador en configuracin fuente comn.

Para facilitar el anlisis se utilizan modelos de circuitos
equivalentes que se aproximan al comportamiento real del
amplificador. El modelo equivalente, para este circuito que
es polarizado mediante un divisor de tensin seria el
mostrado en la figura 6. [3]
Figura8. Circuito equivalente pequea seal para amplificador
drenaje comn.

Por medio del anlisis del anterior circuito vemos que:

Resistencia de entrada.

Rent =RG =R1 R2

Figura6. Circuito equivalente pequea seal para

amplificador fuente comn.
Que cumple con las siguientes caractersticas
Resistencia de entrada:

Rent =RG =R1 R2

Resistencia de salida.

Rsal =r 0||R s||

Ganancia de voltaje:

A v=

Ganancia de voltaje

r 0||RD|| RL
A v =gm

1
gm
r 0||Rs|| R L
1

( r 0||RS||R L )+ g

Resistencia de salida

Rsal =R L =r 0 R D
C. Configuracin drenaje Comn
Tambin conocido como Seguidor de Fuente, es otra topologa
de amplificador que utiliza transistores MOSFET. Este circuito
es utilizado como acoplador de impedancias. En este modelo,
la seal que se va a amplificar se coloca en el terminal Gate y
la salida la obtenemos en el terminal Source. Su configuracin
principal se presenta en la Figura 7. [4]
El modelo equivalente para pequea seal, mediante el cual
facilitamos el anlisis de este circuito se presenta en la
Figura8.

III.

PROCEDIMIENTO

En primer lugar, como no se tenan los datos de kn, kp, VT de

los transistores, se procedi a deducirlos con los circuitos de
las siguientes figuras:

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VDD
11,99

10,53 3,4,5
10,52 6,7,8
10,52 9,10,12

VD
Vt
Kn
1,39 1,46
0,000216327
1,401 1,47
0,000222411
1,38 1,47
0,000130988
Tabla 1. Valores de Vt hallados en la caracterizacin
Diseos
Antes de realizar el procedimiento con los amplificadores, se
precis disear los amplificadores de common drain, common
gate y common source. Para esto, dado que se trabajar con el
mismo transistor MOS, se procedi, en primer lugar, a realizar
la polarizacin del transistor:
Se tuvo en cuenta los parmetros del transistor y las
condiciones para la polarizacin:

k n =0.216

mA
V2

V T =1,46V
I D =2 mA
Q

R1 R2 >100 K
R D 2 RS
Fig. 9 Caracterizacin MOSFET Canal N

V DD =12 V
=0.005 V 1
Si se tiene en cuenta que el transistor est en la regin de
saturacin, se tiene que
2

| |

I D =k n ( V GSV T ) V GS=

ID
+V T
kn

Se obtiene que VGS es de 4.5 V. Con el valor de VGS hallado, se

procedi a hallar VDS:

V DS V GSV T

V DS 4.51.46
V DS 3.04 V

Fig. 10 Caracterizacin MOSFET Canal P

Para hallar los valores de kn y kp, se usaron las siguientes
frmulas:

kn =

(V DDV D )
2

R ( V DV T )

k p=

VD
R ( V DD V D V T )

Los valores de VT fueron hallados con el circuito (1) de cada

figura, mientras que kn y kp se hallaron con el circuito (2) de
cada circuito. A continuacin se muestra la tabla con los
valores hallados:

Por tanto se fija VDS en 6 V. Por ley de tensiones de Kirchhoff,

y suponiendo que RD=2RS, se tiene que

2[mA ] ( R D + RS ) [ K ] +6 [ V ] =12[V ]
6 RS [ mA ] [ K]=6[V ]

RS =1 K

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De aqu se deduce que RD es 2
K. Para hallar R1 y R2, se
hace una malla en la parte
inferior de la figura, y se tiene
que

4.5=12
12

Common Drain
Common Gate
Common Source

AV [V/V]
0.596
1.8751
-1.851

Zi [K]
178.75
0.766
178.75

Zo [k]
0.99
1.96
1.96

R2
(0.0021000)
R2 + R 1

R2
=6.5
R2 + R1

12 R 2=6.5 ( R1 + R2 ) 5.5 R 2=6.5 R1

Se eligi R1 = 330 K, por tanto R2 = 390 K.
Con todos los valores de las resistencias hallados, procedemos
a hallar los parmetros de modelo de pequea seal:

gm=1.314

Fig. 12 Circuito amplificador compuerta comn.

mA
V

r O =100 K

Fig. 13 Circuito amplificador drain comn.

Tabla 2. Valores de ganancia para cada tipo de amplificador

Con estos valores, hallamos los valores para cada tipo de
amplificador, que se muestra en la tabla 2.

IV.

ANLISIS DE RESULTADOS.

A continuacin se presentan los circuitos diseados para la

prctica.

V.

PREGUNTAS SUGERIDAS

PARTE I. FUENTE COMUN

Fig. 11 Circuito amplificador fuente comn

Como se explica la inversin de fase en seal de

este amplificador?
La inversin de fase queda en evidencia en los
clculos, en donde la ganancia se proporciona con
signo negativo es decir que invierte la seal.

Cul es la impedancia de entrada de este

amplificador? Como se compara esta con la del
amplificador de emisor comn?
La impedancia de entrada de este amplificador es
bastante grande, del orden de megaohmios, la cual es
significativamente ms grande que en el emisor
comn, que es del orden de kiloohmios.

PARTE II. COMPUERTA COMUN

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-

Como se compara la ganancia de voltaje del

montaje de compuerta comn con el de fuente
comn?
Un amplificador de fuente comn tiene una ganancia
de voltaje mayor.
Que pueden decir sobre la fase de la seal de
entrada y la de salida?
As como la ganancia lo muestra y como se vio en el
laboratorio ambas seales, la de entrada y la de
salida, estn perfectamente en fase, esto siendo
concorde con lo esperado para un amplificador de
Gate Common.
Qu valor obtuvieron para su impedancia de
entrada? como se compara dicha impedancia con
la del montaje en fuente comn?
Para el amplificador de Gate Common se obtuvo una
impedancia de entrada de: 700 Ohms.
Lo cual presenta una desventaja para etapas
anteriores con impedancia de entrada de orden
comparable, pero igualmente muy util para la captura
de seales provenientes de generadores de
impedancias bajas. Al comparar con la impedancia de
entrada del Source Common existe una gran
desventaja debido a que dicho amplificador posee
una impedancia de entrada de orden de magnitud
mayor a la impedancia del amplificador de Gate
common.
Que pueden decir de la frecuencia superior de la
banda media de este montaje en comparacin con
la obtenida para el anterior montaje?
En una comparacin inicial el ancho de banda del
Source Common debe ser mucho menor que el ancho
de banda del amplificador de configuracin Gate
Common, aspecto que no ocurre segn las
mediciones realizadas en el laboratorio, sin embargo
se conoce que el circuito de polarizacin influye en el
ancho de banda de ambos amplificadores debido a
que dependen de la resistencia R0 del transistor, la
cual depende, as mismo de el voltaje Vce. Por lo
tanto se asume que la inconsistencia en lo obtenido
con respecto al ancho de banda es debido a la
diferencia en los circuitos de polarizacin.

Como se comparan las ganancias de voltaje de los

montajes de compuerta comn y el de fuente
comn, con la ganancia del seguidor por fuente?
La ganancia del seguidor por fuente es muy baja con
respecto a las otras configuraciones, un buen diseo
lograra ganancias cercanas a 1. En este caso es de
0,96 que es muy bajo comparado con ganancias de
3.6 de fuente comn. Sin embargo los beneficios del
drenador comn son una ganancia de corriente
considerable y una impedancia de salida baja.
Que pueden decir sobre la fase de la seal de
entrada y la de salida?

La fase de la seal no vara considerablemente, los

efectos observables a baja frecuencia se corrigen con
el valor de las capacitancias de desacople.
Qu valor obtuvieron para la impedancia de
entrada del seguidor por fuente?
El valor de impedancia de entrada corresponde al
paralelo de las resistencias de polarizacin que es de
178K.
Como se compara esta con la del montaje de
fuente comn y el de compuerta comn?
Las impedancias de entrada pueden hacerse del orden
de los megos ohmios, sin embargo para el gate
comn se tiene una impedancia de entrada muy baja.
Como se compara el seguidor por emisor, con el
seguidor por fuente con MOSFET?
La impedancia de entrada es significativamente
mayor, lo que aumenta considerablemente la
ganancia de corriente. Ambas configuraciones se
pueden usar como buffer de voltaje o acoplador de
impedancias.

VI.

CONCLUSIONES.

El principio bsico del uso transistor MOSFET como

amplificador es que en la zona de saturacin, la
tensin entre gate y source controla la corriente de
drain, es decir que funciona como una fuente de
corriente dependiente de tensin, as, cuando el
transistor es polarizado en la zona de saturacin y la
seal alterna de entrada es pequea, del orden de los
mili-voltios, la operacin del MOSFET se puede
considerar como lineal.

El procedimiento para analizar el amplificador

MOSFET con una seal AC consiste en remplazar el
circuito por su equivalente en pequea seal, de esta
manera, las fuentes DC y los capacitores son
remplazados por cortos circuitos, y el resultado se
reduce a un anlisis de circuitos.

El amplificador de source comn idealmente tiene

una resistencia de entrada alta, una ganancia de
tensin considerablemente alta, pero en cambio posee
una impedancia de salida relativamente alta. Esta
configuracin es ampliamente usada como la etapa de
mayor ganancia en un amplificador de cascada.

El amplificador de gate comn tiene una impedancia

de entrada baja lo que hace que su uso sea muy
limitado en los amplificadores.

El amplificador de drain comn o seguidor de source

tiene idealmente una impedancia de entrada bastante
grande, la ganancia es pequea, muy prxima a la
unidad y una impedancia de salida pequea, estas
caractersticas lo hacen til como un adaptador de
impedancias, los cuales son utilizados en la etapa
final de los amplificadores multi-etapas.

PARTE III. DRENAJE COMUN

-

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-

La operacin adecuada de estas configuraciones es

posible gracias al diseo de circuitos de polarizacin
estables que permitan predecir el valor de los
parmetros caractersticos del transistor MOSFET,
tanto en su punto de trabajo en DC como en su
operacin en AC.

VII.

BIBLIOGRAFA

[1] Chuto, Armando. (2012) Capitulo 6 - POLARIZACION

DEL FET.Recuperado el 12 de Noviembre del sitio web:
http://www.slideshare.net/armandorob/electronicapolarizacion-del-fet
[2] Configuraciones polarizacin de FET. Recuperado el 12 de
Mayo del sitio web:
http://usuarios.multimania.es/instrumentacio/sergiom/transisto
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[3] Vasquez G., Sergio. (2009)Polarizacion de Transistor de

Efecto de Campo (FET) Universidad del Valle de Mexico.
Recuperado el 21 de Noviembre del sitio web:
http://www.slideshare.net/projectronicsuvm/polarizacin-fet1765772
[4] Villalba M., German; Zamora I., Miguel A. TEMA 5 AMPLIFICADORES DE PEQUENA SENAL. Recuperado
el 21 de Noviembre del sitio web:
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-istemaselectronicos/
material-de-clase-1/tema-5.-amplificadores-de-pequenasenal.
pdf
[5] Tema 4: Amplificadores de pequena senal. Recuperado el
21 de Noviembre del sitio web:
https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitoselectronicos
-analogicos/transparencias/tema-4Subir