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Estrutura e Propriedades dos Materiais

UFPA ITEC FEM


Lopes 1
1
INTRODUO

Introduo
Prof. Jorge Tefilo de Barros

1.1 O Que Cincia e Engenharia de Materiais?


Os materiais esto intimamente ligados existncia da espcie humana. Desde o incio da civilizao os
materiais e a energia so usados com o objetivo de melhorar o nvel de vida do ser humano.
Atualmente, existe uma grande quantidade de materiais, sendo os de uso mais freqentes: pedra,
madeira, cimento, ao, plstico, vidro, borracha, alumnio, cobre e papel.
A produo e a transformao de materiais em bens acabados constituem uma das mais importantes
atividades de uma economia moderna. Aos engenheiros cabe conceber a maioria dos produtos fabricados
e definir as tecnologias necessrias para a sua produo. A manufatura de um produto requer uma etapa
de planejamento de produo, onde so selecionados diversos materiais, de acordo com custos e,
principalmente, com as necessidades tcnicas exigidas. A elaborao desta etapa exige do seu
responsvel a noo das estruturas internas e das propriedades dos materiais, pois esses
conhecimentos permitem prever o comportamento do material em servio, bem como possibilita
programar e controlar as suas propriedades e caractersticas. Tais conhecimentos, portanto, tornam
os engenheiros aptos a selecionar os mais adequados materiais para cada aplicao, e a serem capazes
de desenvolver os melhores processos de produo. Os materiais so analisados e desenvolvidos
dentro do ramo de conhecimento denominado Cincia e Engenharia de Materiais, o qual um campo
interdisciplinar que trata da descoberta de novos materiais e do melhoramento dos j existentes, pelo
desenvolvimento e aprofundamento do conhecimento da relao microestrutura-composio-snteseprocessamento entre diferentes materiais (ASKELAND & PHUL, 2003).
A composio o termo que
significa a constituio qumica de um material; a estrutura significa uma descrio do arranjo de tomos
em diferentes nveis de detalhes; a sntese o termo que se refere obteno dos materiais, se
ocorrem naturalmente ou se so quimicamente produzidos; e o processamento que significa as
diferentes maneiras de conformar os materiais em componentes utilizveis, ou mudar as suas
propriedades.
A Cincia dos Materiais est associada ao estudo das relaes entre a sntese e o processamento,
a microestrutura e as propriedades dos materiais. Portanto, visa Estrutura e Propriedades dos
Materiais fundamentalmente a descoberta de conhecimentos bsicos nos domnios da estrutura interna,
das propriedades e do processamento de materiais.
A Engenharia dos Materiais est principalmente ligada ao emprego de conceitos fundamentais e
empricos dos materiais, na converso destes em produtos finais. Dedica-se essencialmente
aplicao dos conhecimentos da cincia dos materiais, de modo que os materiais possam ser
convertidos em produtos teis ou desejados pela sociedade (o foco como transformar os
materiais em uma pea ou estrutura utilizvel).
A estrutura do material tem uma profunda influncia em muitas de suas propriedades, mesmo que a sua
composio qumica no seja alterada. Por exemplo, um fio de cobre puro quando flexionado
repetidamente fica mais duro e mais frgil, e sua resistividade eltrica tambm aumenta; como a
composio qumica do fio no foi modificada, as mudanas em suas propriedades so devidas s
modificaes em sua estrutura interna. Nesse exemplo no se observa nenhuma mudana no material em
escala macroscpica; entretanto, sua estrutura foi modificada em uma escala muito pequena ou escala
microscpica, a qual conhecida como microestrutura. Se pudermos entender como o material
modificou microscopicamente, comearemos a descobrir maneiras de controlar as suas propriedades.
1.2 Classificao dos Materiais
A maioria dos materiais de engenharia classificada em quatro grupos principais: metais,
polmeros, cermicos e, mais recentemente, compsitos ou conjugados. Outros dois grupos tm sido
considerados importantes como materiais de engenharia (CALLISTER, 2002), em funo do grande
desenvolvimento de suas aplicaes nos ltimos anos: semicondutores e biomateriais. Os
semicondutores se caracterizam por possurem propriedades eltricas intermedirias entre as dos
condutores e as dos isolantes; esses materiais possibilitaram o advento dos circuitos integrados, que
revolucionaram as indstrias de produtos eletrnicos e de computadores. Os biomateriais, por sua
vez, apresentam caractersticas especficas que permitem a sua utilizao como componentes
implantados no interior do corpo humano, substituindo as partes doentes ou danificadas do mesmo.
Os materiais metlicos, formados pelos metais e ligas metlicas1, so substncias inorgnicas
compostas por um ou mais elementos metlicos, mas podem, tambm, conter elementos nometlicos. So exemplos de materiais metlicos: ferro (Fe), cobre (Cu), alumnio (Al) e nquel (Ni),
aos (ligas Fe-C), bronzes (ligas Cu-Sn) e lates (ligas Cu-Zn).
Os elementos no-metlicos mais comuns em ligas metlicas so: carbono (C), nitrognio (N) e
oxignio (O).
Os materiais metlicos possuem uma estrutura cristalina na qual os tomos esto arranjados de
maneira ordenada. Geralmente, so bons condutores trmicos e eltricos, e quase todos so

mecanicamente resistentes, dcteis e, na sua maioria, mantm essa resistncia mesmo em altas
temperaturas.
Os materiais polimricos, algumas vezes denominados de plsticos, na sua maioria consistem de
cadeias moleculares orgnicas (carbono) de longa extenso. Estruturalmente, estes materiais, na sua
maioria, no so cristalinos; no entanto, alguns exibem uma mistura de regies cristalinas e nocristalinas. A resistncia mecnica e a ductilidade dos materiais polimricos variam em grande
escala.
1 Liga metlica: consiste de uma combinao entre dois elementos, onde pelo menos um metal
e os outros
podem ser metais ou no-metais, desde que o carter metlico da liga seja mantido.

Devido natureza da estrutura interna, esses materiais normalmente so pssimos condutores de


eletricidade e de calor, o que lhes permite serem utilizados freqentemente como isolantes, o que os
torna de grande importncia na confeco de dispositivos e equipamentos eletrnicos. Os materiais
cermicos so definidos como materiais cristalinos inorgnicos. A maioria apresenta alta dureza e
elevada resistncia mecnica, mesmo em altas temperaturas; entretanto, normalmente so
bastante frgeis. O fato de serem bons isolantes trmicos e possurem alta resistncia ao calor os
tornam muito importantes na construo de fornos usados na indstria metalrgica.
A idia principal no desenvolvimento dos materiais compsitos foi combinar as propriedades de
diferentes materiais. Os materiais compsitos so formados de dois ou mais materiais, produzindo
propriedades no encontradas nos materiais que o formam. A maioria consiste de um elemento de
reforo envolvido por uma matriz constituda de resina ligante, com o objetivo de se obter
caractersticas especficas e propriedades desejadas. Geralmente, os componentes no se dissolvem um
no outro, e podem ser identificados fisicamente por uma interface bem definida entre eles. Podem
ser de vrios tipos, e os mais importantes so os fibrosos (fibras envolvidas por uma matriz) e os
particulados (partculas envolvidas por uma matriz). Um exemplo bastante comum de material
compsito o concreto armado, que constitudo de uma matriz de concreto (cimento, areia e pedra)
envolvendo o elemento reforo (barras de ao).
O Quadro 1.1 destaca comparativamente algumas propriedades dos materiais, e a Figura 1.1 ilustra a
resistncia representativa de vrias classes de materiais.
Quadro 1.1 Propriedades gerais das diversas classes de materiais (CARAM, 2000).

Figura 1.1 - Resistncia representativa de vrias classes de materiais (adaptado de ASKELAND & PHUL,
2003):
1.3 Estrutura e Propriedades dos Materiais
O emprego de materiais na forma de produtos acabados envolve, geralmente, etapas de processamento
onde algumas de suas caractersticas podem ser significativamente alteradas.
Normalmente, esta etapa promove modificaes na estrutura interna do material. A modificao da
forma geomtrica de um material metlico (conformao plstica) resulta em alteraes no estado de
tenses da estrutura atmica, bem como pode modificar a estrutura ao nvel atmico.
Para a produo de uma pea metlica por processo de fundio (pisto de automvel, por exemplo), um
molde, geralmente metlico, preenchido por um volume de metal lquido; aps a solidificao, a pea
desmoldada e o processo concludo. A estrutura interna do material solidificado ser afetada pela
velocidade de solidificao do metal lquido com relao a defeitos nos arranjos atmicos,
influenciando, assim, as propriedades da pea. Um material para ser aplicado em engenharia
necessita apresentar dados sobre suas caractersticas bsicas, como tambm sobre a maneira com que
foi processado at o momento de ser empregado. Uma chapa de ao (liga ferro-carbono) laminada a
frio, por exemplo, apresenta caractersticas distintas de outra laminada a quente.
A Figura 1.2 mostra a relao entre estruturas, propriedades e processos de modificao de propriedades
dos materiais (CARAM, 2000).

Figura 1.2 - Relao entre estruturas, propriedades e processos de modificao de propriedades dos
materiais (CARAM, 2000).
A natureza e o comportamento dos materiais em servio esto basicamente associados aos tipos de
tomos envolvidos e aos seus arranjos. Um material pode ser constitudo por um ou mais elementos
qumicos; entretanto, a forma com que tais elementos se arranjam no espao determinar as
caractersticas do material.
Dessa forma, a estrutura dos materiais pode ser estudada de acordo com quatro nveis seqenciais, quais
sejam: subatmico, atmico, microscpico e macroscpico.
O nvel subatmico est relacionado anlise do tomo individual, o comportamento do seu ncleo e os
eltrons de suas camadas perifricas, ou seja, a interao ncleo-eletrosfera.
Existe um compromisso muito forte entre o comportamento do tomo e suas partculas
subatmicas com as propriedades eltricas, trmicas e magnticas. O nvel atmico est ligado anlise
do comportamento de um tomo em relao a outro tomo, ou seja, interao entre tomos e
ligaes entre os mesmos e a formao de molculas. As ligaes interatmicas dependem do
comportamento do tomo ao nvel subatmico. Em funo do tipo e intensidade dessas ligaes,
um dado material pode apresentar-se como slido, lquido ou gasoso (estado de agregao),
dependendo de uma determinada condio.
O nvel microscpico relaciona-se anlise do arranjo dos tomos ou suas molculas no espao. Um
arranjo atmico pode resultar em trs tipos estruturais: arranjo cristalino, arranjo molecular e arranjo
amorfo. O arranjo estrutural apresentado por um material influencia diretamente as suas
propriedades e caractersticas.
O nvel macroscpico relaciona-se s caractersticas e propriedades dos materiais em servio, as
quais esto diretamente ligadas natureza do comportamento atmico nos trs nveis anteriores e
maneira com que o material foi processado.
Os trs primeiros nveis so responsveis pela formao do material e o ltimo nvel por sua utilizao.
A Figura 1.4 relaciona a escala de tamanho de diversas estruturas (CARAM, 2000)

Figura 1.4 Comparao entre a escala de tamanho de diversas estruturas (CARAM, 2000).
1.4 Referncias bibliogrficas
ASKELAND, Donald R.; PHUL, Pradeep P. The science and engineering of materials. 4.ed.
California: Brooks/Cole-Thomson Learning, 2003.
CALLISTER JR., William D. Cincia e engenharia de materiais: uma introduo. 5.ed. Rio
de Janeiro: LTC, 2002.
CARAM JR., Rubens. Estrutura e propriedades dos materiais. Apostilha de aula. Campinas:
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP), 2000..
CAPITULO 2
2 LIGAES ATMICAS
2.1 A Estrutura do tomo (Reviso)
Um tomo composto de um ncleo circundado por eltrons. O ncleo formado por nutrons e prtons.
Como os prtons so carregados positivamente e os nutrons so eletricamente neutros, ento a carga
lquida do ncleo positiva.
Os eltrons so carregados negativamente e so ligados ao ncleo por uma atrao eletrosttica.
A carga eltrica dos prtons e dos eltrons, q, igual a 1,60x10-19 C (coulomb).
Como o nmero de eltrons e o nmero de prtons so iguais, o tomo eletricamente neutro. O
nmero atmico de um elemento (Z) igual ao nmero de eltrons ou de prtons em cada tomo. O
tomo de ferro, por exemplo, contm 26 eltrons e 26 prtons, o seu nmero atmico, portanto, igual a
26 (Z = 26).
A maior parte da massa do tomo est contida em seu ncleo, pois a massa de cada prton e de cada
nutron igual a 1,67x10-24
g, mas a massa de cada eltron somente 9,11x10-28g.
A massa atmica de um material (M ou A) a massa em gramas da Constante de
Avogadro (NA) de tomos. A quantidade NA = 6,02x1023 tomos/mol o nmero de tomos ou molculas
em um mol; portanto, a unidade de massa atmica g/mol.
Uma unidade alternativa para a massa atmica a unidade de massa atmica (u.m.a), a qual vale 1/12 da
massa do carbono 12 (carbono com 12 prtons). Um mol de ferro (Fe), por exemplo, contm 6,02x1023
tomos e tem uma massa de 55,847 g ou 55,847 u.m.a.
2.2 A Estrutura Eletrnica do tomo (Reviso)

Os eltrons ocupam nveis de energia discretos dentro do tomo. Cada eltron possui uma energia
particular, sendo que no mais que dois eltrons em cada tomo tm a mesma energia. Isto tambm
implica que h uma diferena discreta de energia entre dois nveis energticos.

2.2.1 Nmeros qunticos


O nvel de energia ocupado por cada eltron determinado por quatro nmeros qunticos, assim
denominados e representados: nmero quntico principal (n), nmero quntico azimutal (l), nmero
quntico magntico (ml) e nmero quntico de spins (ms). O nmero de nveis de energia possvel
determinado pelos trs primeiros nmeros qunticos.
O nmero quntico principal (n) designado pelos valores 1, 2, 3, 4, 5, 6 e 7, que correspondem s
camadas qunticas nas quais os eltrons esto posicionados. As camadas qunticas so tambm
designadas por letras: K (n = 1), L (n = 2), M (n = 3), N (n = 4), O
(n = 5), P (n = 6) e Q (n = 7). A Figura 2.1 ilustra a estrutura atmica do elemento sdio (Z = 11),
mostrando os eltrons nas camadas qunticas K, L e M.
Figura 2.1 Estrutura atmica do sdio
(Na).
Cada eltron na camada quntica
caracterizado
por
quatro
nmeros
qunticos. O nmero
de
nveis
de
energia em cada camada quntica
determinado
pelo
nmero quntico
azimutal (l) e pelo nmero quntico
magntico (ml).
Os nmeros qunticos azimutais so
designados por l = 0, 1, 2, ..., n 1. Se n
= 2, por
exemplo, h dois nmeros
qunticos azimutais, l = 0 e l = 1. Os
nmeros qunticos azimutais tambm so
designados por letras minsculas 1:s (l = 0), p (l = 1), d (l = 2) e f (l = 3).
1

As letras s, p, d e f so
fundamental, respectivamente.

as

iniciais

das

palavras

inglesas

sharp,

principal,

diffuse

O nmero quntico magntico (ms) fornece o nmero de nveis de energia, ou orbitais, para cada
nmero quntico azimutal. O total de nmeros qunticos magnticos para cada l dado por 2l + 1, e
corresponde a todos os valores inteiros entre l e +l. Para l = 2, por exemplo, h 5 nmeros qunticos
magnticos (-2, -1, 0, +1, +2).
2.2.2 Princpio da Excluso de Pauli
O princpio da excluso de Pauli
especifica que em um orbital encontrase no mais que dois eltrons e eles
conjunto dos nmeros qunticos para
eltrons do sdio (Na) mostrado na
2.2.

possuem

spins

eletrnicos

opostos. O
os 11
Figura

Figura 2.2 Conjunto dos nmeros


qunticos para o sdio (Z = 11).
A notao freqentemente usada para
descrever a estrutura eletrnica de um
combina o nmero quntico principal, a
minscula do nmero quntico azimutal
valor sobrescrito mostrando o nmero
eltrons em cada orbital (subnveis de
exemplo, dada por:
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2
A Tabela 2.1 mostra o padro usado
determinar a quantidade de eltrons
dos nmeros qunticos.

tomo
letra
e
o
de
energia). A configurao eletrnica do germnio (Z = 32), por
para
nos nveis de energia, e a Tabela 2.2 resume a distribuio

Tabela 2.1 Padro usado para determinar a


quantidade de eltrons nos nveis de energia
Nota: Os valores 2, 6, 10 e 14 referem-se ao n
eltrons no nvel de energia.

de

Tabela 2.2 Resumo da distribuio dos


nmeros qunticos.

Desvios na estrutura eletrnica O ordenamento na formao da estrutura eletrnica nem sempre


seguido, particularmente quando o nmero atmico do elemento grande e os nveis d e f comeam a ser
preenchidos, como no caso dos elementos de transio. O Fe (Z = 26), por exemplo, mostra um desvio
entre a estrutura eletrnica esperada e a observada, como segue:
Esperada 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d8 Observada 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d6 4s2
O no preenchimento do nvel 3d causa o comportamento magntico do ferro.
2.2.3 Valncia
A valncia de um tomo o nmero de eltrons que participa na ligao ou reaes qumicas;
habitualmente, a valncia de um tomo o nmero de eltrons nos nveis de energia s e p mais
externos. Alguns exemplos so mostrados a seguir:
Mg 1s2 2s2 2p6 3s2
valncia = 2
Al 1s2 2s2 2p6 3s2 3p1
valncia = 3
Ge 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2 valncia = 4
A valncia tambm depende do meio em torno do tomo ou dos tomos vizinhos disponveis para
a ligao. O fsforo (P), por exemplo, tem valncia 3 (possui 3 eltrons no nvel p), mas quando se
combina com o oxignio (O) passa a ter valncia 5. O mangans (Mn), por outro lado, pode ter valncia 2,
3, 4, 6 ou 7, dependendo do elemento a que vai se ligar. Se um tomo de um elemento tem valncia zero,
o elemento inerte (no-reativo). O argnio (Ar), por exemplo, apresenta estrutura eletrnica 1s2 2s2 2p6
3s2 3p6; portanto possui valncia igual a 0.
2.2.4 Regra do Octeto
Um tomo adquirir estabilidade qumica quando possuir oito eltrons na camada perifrica ou, se
constitudo somente pela camada K, esta possuir dois eltrons; ou seja, quando apresentar
configurao eletrnica semelhante a dos gases nobres, conforme mostrado na Tabela 2.3.
Tabela 2.3 Configurao eletrnica dos gases nobres.

O tomo de sdio (Na), por exemplo, possui nmero atmico 11 (Z = 11) e sua configurao
eletrnica (2, 8, 1); para adquirir estabilidade ele perde um eltron, ou seja, passa a ter a configurao
eletrnica do tomo de nenio (2, 8).
tomos no estveis adquirem estabilidade completando, com oito eltrons, os seus nveis s e p mais
externos, ou esvaziando-os totalmente. O alumnio (Al) tem trs eltrons em seus nveis s e p mais
externos; ele facilmente cede esses eltrons para esvaziar os nveis 3s e 3p e ficar estvel (a ligao
atmica e o comportamento do Al so determinados pelo mecanismo por meio do qual esses trs eltrons
interagem com os tomos vizinhos).
O cloro (Cl), como possui nmero atmico 35 (Z = 35), contm sete eltrons em seus nveis mais
externos 3s e 3p (2, 8, 18, 7); sua reatividade causada pela capacidade que tem de completar o nvel
de energia mais externo aceitando um eltron e ficando com a configurao eletrnica do kriptnio (2,
8, 18, 8).
Existem compostos onde os tomos tornam-se estveis com 4, 6, 12, 18 ou outro valor de eltrons
na camada perifrica, constituindo-se excees Regra do Octeto.
- Exemplos:
Zn++, Ag+, Cu+ estveis com 18 eltrons na camada externa;
Fe++ estvel com 14 eltrons na camada externa;
Fe+++ estvel com 13 eltrons na camada externa.
2.2.5 Eletronegatividade
A eletronegatividade descreve a tendncia de um tomo ganhar eltrons. tomos com seus nveis
mais externos quase completos, tal como o cloro (Cl), so fortemente eletronegativos e, portanto,
facilmente aceitam eltrons. tomos com seus nveis mais externos quase vazios, tal como o
sdio (Na), facilmente cedem eltrons e apresentam baixa eletronegatividade.
Elementos que possuem nmeros atmicos elevados, tambm apresentam baixa eletronegatividade,
devido os seus eltrons mais externos estarem a uma distncia muito maior do ncleo (positivo), no
sendo, desta forma, fortemente atrados para o tomo.
A Tabela 2.4 lista a eletronegatividade de vrios elementos.
Tabela 2.4 - Eletronegatividade de alguns elementos relativa ao nmero de eltrons nos nveis s e p mais
externos.

Os elementos com baixa eletronegatividade (< 2,0) so algumas vezes definidos como
eletropositivos, que o caso dos metais, por exemplo.
2.3 Ligaes Atmicas
Existem quatro mecanismos mais importantes pelos quais os tomos so ligados para formar os materiais
de engenharia: ligao inica, ligao covalente, ligao metlica e foras de van der Walls.
Nos trs primeiros mecanismos, a ligao ocorre quando os tomos completam os nveis de energia
s e p mais externos. Esses trs tipos de ligaes so relativamente fortes e recebem a denominao de
ligaes primrias.
As foras de van der Walls originam-se de diferentes mecanismos e so relativamente mais fracas,
da serem denominadas de ligaes secundrias.
2.3.1 Ligao inica
Quando mais de um tipo de tomo est presente em um material, um deles pode ceder seus
eltrons de valncia para o outro, preenchendo a camada de energia mais externa daquele. Ambos

os tomos, ento, passam a apresentar os seus nveis de energia mais externos completos (ou vazios),
adquirindo uma carga eltrica e, portanto, comportando-se como ons.
O tomo que contribui com os eltrons fica com carga eltrica lquida positiva e chamado de ction;
enquanto o tomo que recebe os eltrons
passar a possuir carga eltrica lquida
negativa e ser chamado de nion.
Os ons com cargas opostas se atraem
mutuamente e produzem uma ligao inica.
Por exemplo, a atrao entre os ons sdio
(Na+) e cloro (Cl) produzem o cloreto de sdio
(NaCl). Esse processo est ilustrado na Figura
2.3.
Figura 2.3 Esquema ilustrativo da ligao
inica entre o cloro e o sdio.
Nas ligaes inicas, a atrao eletrosttica
age em todas as direes, da (ligaes nodirecionais), tendo-se assim, foras de coeso
que geram arranjos tridimensionais.

2.3.2 Ligao covalente


So ligaes formadas pelo compartilhamento dos eltrons
de valncia entre dois ou mais tomos, de tal forma que
cada tomo complete a sua camada sp mais externa.
Por exemplo, o tomo de silcio (Si), que tem valncia
quatro, obtm oito eltrons em sua camada de energia
mais externa pelo compartilhamento de seus eltrons com
outros quatro tomos de silcio vizinhos. Esse tipo de
ligao atmica est ilustrado esquematicamente na Figura
2.4
Figura 2.4 Esquema ilustrativo da ligao covalente entre
tomos de silcio (adaptada de ASKELAND & PHUL, 2003).
Esse tipo de ligao primria muito forte e, como
resultado, os materiais ligados covalentemente so muito
duros, como tambm exibem elevado ponto de fuso. O diamante, por exemplo, constitudo de
tomos de carbono ligados somente por ligaes covalentes, conseqentemente, esse material
apresenta alta dureza e elevado ponto de fuso (> 3300oC).
A ligao covalente apresenta carter direcional, ou seja, cada ligao s ocorre com um nico tomo;
no silcio (Si), por exemplo, cada tomo ligado a quatro tomos vizinhos por quatro ligaes
covalentes. Por causa desse carter direcional, os materiais ligados covalentemente possuem
ductilidade limitada.
Muitos materiais formados por ligaes covalentes possuem pssima condutibilidade eltrica (silcio,
diamante e muitos materiais cermicos), pois os eltrons de valncia so utilizados nas ligaes entre os
tomos e, portanto, no esto disponveis para conduzirem eletricidade.
Em alguns desses materiais (no Si, por exemplo), a introduo deliberada de pequenas quantidades
de outros elementos, denominados dopantes, permite a obteno de nveis controlados de condutividade
eltrica, formando os materiais semicondutores.
As ligaes covalentes podem ser simples, duplas ou triplas; quanto maior o nmero de eltrons
compartilhados, menores distncias interatmicas e energias de ligao mais elevadas so
produzidas, conforme pode ser verificado na Tabela 2.5.

Tabela 2.5 Alguns valores de


comprimento de ligao e de
energia de ligao (VAN VLACK, 1977)
Ligaes covalentes dativas
Em alguns casos, apenas um dos
envolvidos na ligao contribui com o
eletrnico na formao da ligao
nesses casos, a ligao covalente
nome de ligao coordenada ou dativa.
exemplo, no radical SO4--, o enxofre
a sua camada externa completa, se
liga com os dois tomos de oxignio
ligao covalente;
porm,
os
dois
eltrons do par compartilhado so fornecidos
esquematicamente esse tipo de ligao.
Figura 2.5 Esquema da ligao coordenada ou dativa.

tomos
par
covalente;
recebe
o
Por
(S), j com
por
somente

pelo enxofre. A Figura 2.5 ilustra

2.3.3 Ligao metlica


So
assim
denominadas
por
serem
ligaes
caractersticas dos metais.
Os
eltrons
de
valncia
dos
metais
esto
fracamente ligados ao ncleo (so eletropositivos);
atrados por ncleos de tomos vizinhos se
libertam, compondo uma nuvem que envolve os
ons
positivos
formados,
proporcionando,
dessa
forma,
o aparecimento
de
foras
de
atrao
eletrosttica entre os eltrons da nuvem e os ons
positivos.
Conforme pode ser observado na Figura 2.6, o tomo de
alumnio (Al) cede os seus trs eltrons de valncia,
tornando-se um on com carga lquida positiva +3; os eltrons de valncia movem-se livremente pela
nuvem de eltrons e comeam a se associar com os outros ons positivos formados; esses ons so
mantidos coesos pela atrao mtua com os eltrons da nuvem, produzindo, portanto, fortes ligaes
metlicas.
Na ligao metlica, os eltrons no se ligam permanentemente a nenhum tomo, proporcionando
grande mobilidade, o que explica a alta condutibilidade trmica e eltrica dos metais. A grande
mobilidade dos eltrons na ligao metlica tambm explica o fato dos metais serem bons refletores de
radiao visvel. Sob a influncia de uma carga eltrica aplicada
no metal, os eltrons se movem causando um fluxo de corrente
eltrica, conforme mostrado na Figura 2.7.
Figura 2.7 Fluxo de corrente eltrica em um metal.
A

ligao metlica possui carter no-direcional, da os metais


apresentarem boa ductilidade.
Como a ligao metlica forte, geralmente os metais possuem pontos de fuso relativamente
altos.
Vale ressaltar, que esse tipo de ligao apenas um dos fatores que explicam as propriedades
dos materiais metlicos, pois existem outros relacionados microestrutura que tambm tm um
papel crucial na determinao das propriedades dos materiais metlicos.
2.3.4 Foras de van der Walls
Em um gs nobre (Hlio, Nenio, Argnio, Criptnio, Xennio e Radnio) a camada mais externa est
completa (dois eltrons para o He e oito para os demais); nestas situaes de estabilidade, nenhum dos
tipos de ligao j estudados pode ser efetivo; como conseqncia, os tomos desses gases tm
pouca atrao uns pelos outros, permanecendo monoatmicos nas temperaturas ordinrias; somente
em temperaturas muito baixas, quando as vibraes trmicas so drasticamente reduzidas, eles se
condensam.
Se inexistisse atrao atmica entre os tomos dos gases nobres, esses elementos deveriam
passar diretamente do estado gasoso para o slido quando a energia cintica fosse nula (Zero

Absoluto 273C); entretanto, o gs passa ao estado lquido e depois ao estado slido antes do zero
absoluto. A Tabela 2.6 fornece as temperaturas de fuso e de ebulio dos gases nobres.
Tabela 2.6 - Temperaturas de fuso e ebulio dos gases nobres.

a) Polarizao induzida
A maior parte das foras das ligaes de van der Walls se originam de dipolos eltricos. A
formao de um dipolo eltrico ocorre quando o centro das cargas positivas no coincide com o centro
das cargas negativas nos tomos ou molculas, dando origens a regies positivas e negativas.
medida que os tomos vo se aglomerando, os seus eltrons no se apresentaro distribudos
simetricamente a todo instante. Essa deslocalizao de certos eltrons no tomo causa uma
pequena polarizao no mesmo. Por outro lado, os eltrons de um tomo repelem os eltrons de outros
tomos e atraem ncleos vizinhos.
Um tomo j desbalanceado eletricamente causa indues eltricas mais sensveis nos tomos
vizinhos; diz-se, nesse caso, que os tomos sofreram uma polarizao induzida.
As foras que unem os tomos por meio das polarizaes induzidas so denominadas de foras de van der
Walls, e so as mais fracas em relao s outras ligaes.
Essas ligaes so responsveis pela liquefao e solidificao dos gases nobres e pelas atraes
intermoleculares nos lquidos e slidos constitudos de molculas apolares.
Por exemplo, a ligao entre os tomos de cloro para formar a molcula de
cloro slido, ClCl,
a ligao covalente normal, mas as ligaes que
mantm as molculas unidas entre si so as ligaes de
foras de van der Walls, conforme ilustrado na Figura 2.8.
Figura 2.8 Ligaes existentes na estrutura molecular do

cloro slido.

A polarizao induzida depende de dois fatores: a


quantidade
de
eltrons da molcula e a massa molecular. Quanto mais eltrons a molcula possuir, maior ser a
intensidade de polarizao induzida e mais acentuadas sero as foras de van der Walls.
Quanto maior a massa molecular do material, maior ser a energia cintica (maior temperatura)
necessria para que o mesmo passe para o estado gasoso. Esses fatos podem ser verificados por meio da
Tabela 2.7.
Tabela 2.7 - Comparao entre os pontos de ebulio de algumas substncias com as massas moleculares
e nmero de eltrons por molcula.

b) Polarizao permanente
As molculas que apresentam pontes de hidrognio possuem uma polarizao permanente. A ponte
de hidrognio conseqncia da atrao entre os ncleos
expostos de hidrognio de uma molcula pelos
eltrons no compartilhados da outra (o pequeno
ncleo do hidrognio, que um prton, atrado por
eltrons no compartilhados de uma molcula prxima).
O metano (CH4) e o silano (SiH4) so molculas apolares
e no apresentam pontes de hidrognio.
Cada molcula da gua (H2O) apresenta duas pontes
de hidrognio no tomo de oxignio; enquanto que na
amnia (NH3) e no cido fluordrico (HF), tanto o
nitrognio (N) como o flor (F) apresentam uma ponte de
hidrognio. A Figura 2.9 mostra exemplos de pontes de
hidrognio.

dessa substncia.

Figura 2.9 Formao de pontes de hidrognio nas


molculas da gua e do cido fluordrico.
Na gua, o nmero de pontes de hidrognio aliado
ao fato do oxignio ser muito
eletronegativo proporciona o elevado ponto de ebulio

c) Combinao de ligaes
Em muitos materiais, as ligaes entre os tomos que os formam so de dois ou mais tipos. No sulfato de
clcio (CaSO4), por exemplo, as ligaes entre os tomos do radical SO4-- so covalentes, mas a ligao
entre este e o tomo de clcio (Ca) do tipo inica (Figura 2.10).