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Facultad de Ingeniera

Laboratorio de Ingeniera de Materiales


Profesor: Ing. Martin Reyes Farias
Semestre 2015-2

Prctica No.1 Estructuras y defectos cristalinos


Grupo 7
Integrantes:

Grupo Terico:

lvarez Salazar Alan Said

Hernndez Vzquez C. Alan

Gonzlez Aldaco Rafael

Vargas Hernndez Luis Alejandro

Fecha de realizacin de la prctica: 06/02/15

Fecha de entrega de la prctica: 13/02/15


1

ndice
OBJETIVO ......................................................................................... 3
INTRODUCCION .. ........................................................................... 3
DESARROLLO .................................................................................. 3
RESULTADOS ................................................................................... 4
CONCLUSIONES INDIVIDUALES .............................................. 23
BIBLIOGRAFA .............................................................................. 24

Objetivo.
Conocer las diferentes estructuras cristalinas que conforman a un material, los tipos de defecto
que existen en las mismas, su efecto en las propiedades de los materiales.

Introduccin:
Mediante el uso del Software Materials Science on CD-ROM, Diseado para complementar los
mtodos de enseanza y de aprendizaje tradicionales, sirve como un recurso estimulante para
los profesores que explican conceptos nuevos. Los estudiantes aprenden nuevos aspectos de la
ciencia de los materiales, mientras que de sus conocimientos respondiendo a las preguntas que
aparecen dentro de cada mdulo en el CD-ROM.

Desarrollo:
Con la ayuda del software Matter pudimos desarrollar varias actividades, adems de conocer y
rectificar conceptos como el de estructuras cristalinas, entre otras.

Resultados:
Explique brevemente los siguientes conceptos:

1) Estructuras Cristalinas

Historia de Bravais
Auguste Bravais
(Annonay, 1811-Versalles, 1863) Fsico y mineralogista francs. Profesor de fsica y de
astronoma, estableci la teora reticular, segn la cual las molculas de los cristales estn
dispuestas en redes tridimensionales. Esta teora, que explica los fenmenos de simetra y
anisotropa de las sustancias cristalinas, fue posteriormente demostrada gracias a la difraccin
por rayos X. Escribi Estudios cristalogrficos (1851).

Celdas unitarias o redes de Bravais (Sistema de estructuras cristalina).


Las Redes de Bravais o celdas unitarias, son paraleleppedos que constituyen la menor
subdivisin de una red cristalina que conserva las caractersticas generales de toda la reticula,
de modo que por simple traslacin del mismo, puede reconstruirse el slido cristalino completo.

-Parmetros reticulares
Las longitudes de las aristas de la celdilla se designan, habitualmente, por las letras a, b y c, y se
denominan longitudes axiales. Los ngulos que forman las caras entre s se designan por a, b y
g, y se denominan ngulos interaxiales. Estos 6 valores (3 longitudes y 3 ngulos) son conocidos
globalmente como parmetros reticulares o cristalinos. Se representan, a continuacin, dos
celdillas elementales con sus respectivos parmetros.

-Puntos reticulares
Posiciones ocupadas por tomos, molculas o iones que definen la geometra de una celda
unitaria.

-Parmetros de Red
El parmetro de red hace referencia a la distancia constante entre las celdas unitarias en una
estructura cristalina. Las estructuras o redes en tres dimensiones generalmente tienen tres
parmetros de red, a, b y c. Sin embargo, en el caso especial de redes cbicas, todos los
parmetros son iguales, con lo cual nos referimos a ellos como a. Del mismo modo, en las
estructuras cristalinas hexagonales, los parmetros a y b son iguales, por lo que nicamente
consideraremos a y c.

-Nmero de tomos por celda unitaria


Es el nmero promedio de puntos de red asociados a una celda unitaria.
La estructura CS tiene 1 tomo por celda unitaria
La estructura BCC tiene 2 tomos por celda unitaria
La estructura FCC tiene 4 tomos por celda unitaria

-Distancias interatmicas y radios inicos


La distancia interatmica es, pues, el criterio experimental de la existencia de enlace, y un
enlace es ms fuerte y libera ms energa cuanta ms pequea es esa distancia.
El radio inico es, al igual que el radio atmico, la distancia entre el centro del ncleo del tomo
y el electrn estable ms alejado del mismo, pero haciendo referencia no al tomo, sino al ion.

-Nmero de coordinacin
El nmero de coordinacin (NC) es el nmero de vecinos que estn en contacto directo con un
tomo o ion en particular en una red o estructura cristalina.

-Factor de empaquetamiento
En cristalografa, el factor de empaquetamiento atmico (FEA), en ingls: atomic packing factor,
APF, es la fraccin de volumen en una celda unidad que est ocupada por tomos. Este factor
es adimensional y siempre menor que la unidad. Para propsitos prcticos, el FEA de una celda
unidad se determina asumiendo que los tomos son esferas rgidas. Con respecto a cristales de
un componente (los que contienen un tipo de tomo nico), el FEA se representa
matemticamente por:

Donde Ntomos es el nmero de tomos en la celda unidad, Vtomo es el volumen de un tomo, y


Vcelda unidad es el volumen ocupado por la celda unidad. Matemticamente se puede probar que,
para estructuras de un componente, el valor del FEA del arreglo ms denso de tomos es de
alrededor de 0.74. En realidad, debido a factores intermoleculares especficos, esta cifra puede
ser mayor. Referente a estructuras de componentes mltiples puede exceder el 0.74.

-Densidad
es una magnitud escalar referida a la cantidad de masa en un determinado volumen de una
sustancia. La densidad media es la razn entre la masa de un cuerpo y el volumen que ocupa.

Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria

-Coordenadas de los puntos


Coordenadas de puntos: se emplean para localizar las posiciones de los tomos en la red o
dentro de la celda unitaria. La distancia se mide en parmetros de red usando un sistema
cartesiano.

-Direccin en la celda unitaria (ndices de Miller)


Algunas direcciones son de particular importancia. Los metales se deforman a lo largo de
aquellas direcciones a travs de las cuales los tomos estn en contacto ms estrecho. Estas
direcciones se abrevian usando los ndices de Miller. El procedimiento es el que sigue:
1. Usando el sistema de coordenadas ubique dos puntos que estn contenidos en esa direccin.
2. Preste a las coordenadas del punto final las del inicial.
3. Reduzca las fracciones o resultados obtenidos a mnimos enteros, encierre los tres nmeros
entre corchetes y de haber algn negativo colquelo como una barra sobre el nmero.
Los ndices de Miller para las direcciones tienen las siguientes caractersticas:
1. Una direccin y su negativo no son iguales, representan una misma lnea con direcciones
opuestas.
2. Una direccin y sus mltiplos son idnticas slo falt reducirlas a sus mnimos enteros.
3. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes. Sus ndices particulares dependen de cmo
se construyen las coordenadas. Estas pueden representarse como familias de direccin
encerrados entre parntesis angulares.
La densidad lineal es el nmero de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una
direccin. Tambin podra calcularse el factor de empaquetamiento lineal en una direccin
particular, es decir, la fraccin verdaderamente cubierta por tomos.

-Planos en la celda unitaria


Algunos planos de tomos son significativos. Los metales se deforman a lo largo de los planos
de empaquetamiento ms compacto.
La determinacin de los ndices de Miller se hace de la siguiente manera:
1. Identifique los puntos en los cuales el plano intersecta los ejes coordenados. Si el plano pasa
a travs del origen el origen debe moverse.
2. Tome los recprocos de las intersecciones.
3. Elimine las fracciones pero no reduce a mnimos enteros.
4. Encierre los nmeros resultantes entre parntesis ( ). Los nmeros negativos se escriben con
una barra.
En relacin a los ndices de Miller de los planos es importante:
1. Los planos y sus negativos son idnticos.
2. Los planos y sus mltiplos no son idnticos. Para demostrar lo anterior se recurre a la
densidad planar: es el nmero de tomos por unidad de superficie cuyo centro est sobre el
plano. De la misma forma, la fraccin de empaquetamiento, es el rea sobre el plano cubierta
por tomos.
3. Para una celda unitaria los planos de una familia se representan encerrndolos entre llaves.

-Planos y direcciones de compacidad


En el mbito de la ciencia de materiales y la fsica del estado slido, las dislocaciones son
defectos de la red cristalina de dimensin uno, es decir, que afectan a una fila de puntos de la
red de Bravais.
Las dislocaciones estn definidas por el vector de Burgers, el cual permite pasar de un punto de
la red al obtenido tras aplicar la dislocacin al mismo. Las dislocaciones suceden con mayor
probabilidad en las direcciones compactas de un cristal y son sumamente importantes para
explicar el comportamiento elstico de los metales, as como su maleabilidad, puesto que la
deformacin plstica puede ocurrir por desplazamiento de dislocaciones.
La eleccin de este plano y la direccin de deslizamiento no es arbitraria y por lo tanto el grado
de facilidad de deslizamiento vendr determinado por las condiciones a las que est sometido el
cristal y la estructura del mismo. Existen planos con mayor facilidad en la propagacin de
dislocaciones y dentro de lo mismo, existen direcciones preferentes de deslizamiento por las
cuales se desplazan las dislocaciones. Se puede definir un plano sobre el que desliza la
dislocacin y una direccin de deslizamiento, la combinacin de ambos se denomina sistema de
deslizamiento. Los planos ms favorables para que se d movimiento de dislocaciones son los
de mxima compacidad y las direcciones sern alguno de los vectores contenidos en el plano,
generalmente donde los tomos estn ms compactos.

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-Comportamiento anisotropico
La anisotropa es la propiedad de ser direccional dependiente, en oposicin a la isotropa, que
implica propiedades idnticas en todas las direcciones. Se puede definir como una diferencia,
cuando se mide a lo largo de diferentes ejes, en las propiedades fsicas o mecnicas de un
material Un ejemplo de anisotropa es la luz que entra a travs de un polarizador. Un ejemplo de
un material anisotrpico es de madera, la cual es ms fcil de dividir a lo largo de su grano de
contra ella.
Anisotropa, en Ciencia de los Materiales, es una dependencia direccional materiales de una
propiedad fsica. La mayora de los materiales presentan un comportamiento anisotrpico. Un
ejemplo sera la dependencia del mdulo de Young en la direccin de la carga. Anisotropa en
materiales policristalinos tambin puede ser debido a ciertos patrones de textura, que a menudo
se producen durante la fabricacin del material.
En el caso de la laminacin, "largueros" de textura se producen en la direccin de laminado, que
puede conducir a vastamente propiedades diferentes en las direcciones de laminacin y
transversal. Algunos materiales, tales como madera y materiales compuestos reforzados con
fibras son muy anisotrpico, siendo mucho ms fuerte a lo largo del grano/fibra que a travs de
ella. Metales y aleaciones tienden a ser ms istropo, aunque a veces pueden exhibir un
comportamiento anisotrpico significativa. Esto es especialmente importante en los procesos
tales como embuticin profunda.
La madera es un material natural anisotrpico. Sus propiedades varan mucho cuando se mide
con el grano del crecimiento o en contra de ella. Por ejemplo, la fuerza y la dureza de la madera
sern diferentes para la misma muestra si se mide en diferentes orientacin.

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-Tcnica de Debye-Scherrer
El mtodo del polvo cristalino presenta caractersticas muy interesantes para su utilizacin; es el
nico procedimiento de DRX que permite abordar el estudio cristalogrfico de las especies que
no se presentan, o no es posible obtener, en forma de monocristales. La desorientacin relativa
existente entre los numerosos cristalitos que componen la muestra hace que en los diagramas
de difraccin quede reflejada, tanto cualitativa como cuantitativamente, la identificacin de las
fases cristalinas de la muestra.
En este mtodo la muestra se pulveriza lo ms finamente posible de forma que est constituida
idealmente por partculas cristalinas en cualquier orientacin. Para asegurar la orientacin
totalmente al azar de estas pequeas partculas con respecto al haz incidente la muestra
localizada en la cmara de polvo generalmente se hace girar en el haz de rayos X durante la
exposicin.

En la cmara de polvo un haz monocromtico de rayos X pasa a travs de un colimador dentro


de un cilindro de metal en el centro del cual se encuentra la muestra de polvo. Los haces
difractados al incidir sobre la muestra se registran en una delgada pelcula fotogrfica localizada
en el interior de la pared del cilindro. Cuando el haz monocromtico incide sobre la muestra se
producen al mismo tiempo todas las difracciones posibles. Para cada conjunto de planos
atmicos (hkl) con su caracterstico espaciado dhkl existen numerosas partculas con una
orientacin tal que forman el ngulo apropiado con respecto al rayo incidente capaz de satisfacer
la ley de Bragg.

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-Distancia interplanar
La distancia entre dos planos de tomos paralelos adyacentes, con los mismo ndices de Miller,
se denomina distancia interplanar, en ocasiones es til conocer la distancia interplanar de una
misma familia de planos

2) Defectos

-Vacancia
Ausencia de un tomo en un punto del reticulado cristalino
Origen: durante la solidificacin a alta temperatura o como consecuencia de los daos
provocados por la radiacin (intencionados).

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-Defecto Intersticial
Un tomo adicional se inserta en una posicin habitualmente desocupada de la red cristalina.
Los tomos intersticiales son mayores que los huecos intersticiales que ocupan y menores que
los tomos reticulares que los rodean (Distorsin de la red)
Nmero: prcticamente constante con la temperatura

-Defecto Sustitucional
Substitucin de un tomo de la red cristalina por otro distinto
Si el defecto substitucional es mayor que los tomos normales la red se comprime, si es menor
la red se expande (tensin)
El nmero de defectos substitucionales no depende de la temperatura

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-Defecto de Frenkel
Par de defectos (intersticial + vacante). En un cristal inico, un on salta su sitio normal a un sitio
intersticial dejando una vacante par de defectos (vacante + vacante). En un cristal

-Defecto de Schottky
Par de defectos (vacante + vacante). En un cristal inico, faltan simultneamente un anin y un
catin.

-Endurecimiento por solucin slida de los materiales


El endurecimiento por solucin slida se logra al aadirle impurezas al material. Dichas
impurezas distorsionan la estructura cristalina donde se alojan debido a que tienen un tamao
diferente al de los tomos originales.

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Dislocaciones o defectos de lnea


-Vector de Burgers
El vector de Burgers, o vector de deslizamiento, se define como en la dislocacin cua. En la
figura se observa el trazado del vector de Burgers en el entorno de la dislocacin tornillo.
Corresponde a una dislocacin de tornillo derecho, rosca a derechas, figura, y apunta en el
sentido contrario al esfuerzo cortante superior, y en el mismo sentido del inferior.
Existe tambin la dislocacin hlice a la izquierda como se indica en la figura. El vector de
Burgers es contrario a la direccin mostrada en la figura, e indica un giro de hlice a la izquierda.
Como en la dislocacin cua, enumeramos las propiedades ms importantes de la dislocacin
hlice:
1-

El vector es paralelo a la lnea de dislocacin e indica el sentido, direccin y


magnitud del deslizamiento.

2-

El plano de deslizamiento no queda definido por la lnea de dislocacin y el


vector de Burgers.

3-

El movimiento de deslizamiento hace que la lnea de dislocacin forme


ngulo recto con la direccin de deslizamiento.

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-Deslizamiento
Un deslizamiento es un tipo de corrimiento o movimiento de masa de tierra, provocado por la
inestabilidad de un talud.
Se produce cuando una gran masa de terreno se convierte en zona inestable y desliza con
respecto a una zona estable, a travs de una superficie o franja de terreno pequeo espesor.
Los deslizamientos se producen cuando en la franja se alcanza la tensin tangencial mxima en
todos sus puntos.
Estos tipos de inestabilidades son evitables por medios tcnicos. Sin embargo, el resto de tipos
de corrimientos (flujo de arcilla, licuefaccin y reptacin) resultan ms difciles de evitar.

-Planos de deslizamiento
Plano definido por la lnea de dislocacin y el vector de deslizamiento. Si la dislocacin se
mueve en la direccin del vector de deslizamiento, se dice que se mueve propiamente por
deslizamiento y la lnea de dislocacin se mueve a lo largo del plano de deslizamiento.

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-Dislocacin de alabeo o tornillos


Se llama as debido a la superficie espiral formada por los planos atmicos alrededor de la lnea
de dislocacin y se forman al aplicar un esfuerzo cizallante. La parte superior de la regin frontal
del cristal desliza una unidad atmica a la derecha respecto a la parte inferior. En este caso, el
vector de Burgers es paralelo al plano que contiene la dislocacin y perpendicular al plano de
deslizamiento.

-Dislocacin de borde o arista


Formada por un plano extra de tomos en el cristal, el vector de Burgers es perpendicular al
plano que contiene la dislocacin y paralelo al plano de deslizamiento. Existe una interaccin
fuerte entre dislocaciones de arista de tal manera que se pueden llegar a aniquilar.

-Energa de dislocacin
Existe una energa elstica asociada a los campos de tensiones producidos por los diferentes
tipos de dislocaciones, es decir, a la distorsin atmica entorno a la dislocacin. Esta energa
juega un papel muy importante en el movimiento de dislocaciones y, por tanto, en el flujo plstico
pues las dislocaciones tratan siempre de minimizar su energa, reduciendo su longitud o
formando grupos de forma que se minimice la energa total del sistema.

-Significado de las Dislocaciones


Las dislocaciones estn definidas por el vector de Burgers, el cual permite pasar de un punto de
la red al obtenido tras aplicar la dislocacin al mismo. Las dislocaciones suceden con mayor
probabilidad en las direcciones compactas de un cristal y son sumamente importantes para
explicar el comportamiento elstico de los metales, as como su maleabilidad, puesto que la
deformacin plstica puede ocurrir por desplazamiento de dislocaciones.

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-Ley de Schmid
Se puede entender las diferencias en el comportamiento de los metales que tienen diferentes
estructuras, examinando la fuerza requerida para iniciar el proceso de deslizamiento. Suponga
que se aplica una fuerza unidireccional F a un cilindro de metal que es un cristal simple o mono
cristal Es posible ubicar el plano de deslizamiento y la direccin del desplazamiento al aplicar la
fuerza, definiendo los ngulos l y f. l es el ngulo entre la direccin del desplazamiento y la
fuerza aplicada, y f es el ngulo entre la normal al plano de desplazamiento y la fuerza aplicada.

Defecto de superficie
-Grano
Es la superficie de separacin entre dos cristales de un mismo grano policristal. Surge como
consecuencia del mecanismo del crecimiento de grano, cristalizacin, cuando dos cristales que
han crecido a partir de ncleos diferentes se "encuentran". A pesar de tener la misma estructura
cristalina, las orientaciones, debido al azar, sern diferentes y unos cristales compensarn a los
otros: los policristales suelen ser istropos.

-Bordes de grano
En general se puede aceptar, que cada grano o cristal de una muestra se ha originado en un
ncleo de fase slido, estabilizado como tal en el seno del lquido, y que luego, ha crecido hasta
encontrarse con sus vecinos. Como en su origen y luego al crecer tienen sus redes orientadas al
azar, no es posible que las redes de dos granos vecinos empalmen al encontrarse. Esta
superficie de encuentro entre dos granos no puede tener el orden del slido; all los tomos
estn a distancias distintas a las de equilibrio, tanto mayores como menores, por lo tanto la

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regin del borde es de mayor energa que los granos, y ms inestable. Esto es muy importante y
es la razn por la cual, las transformaciones de equilibrio comienzan en los bordes de grano. En
los espacios anormalmente grandes o pequeos de los bordes, tienden a alojarse los tomos de
impurezas y de esa forma reducir las distorsiones de las redes. Por estas caractersticas se los
define como fuente y sumidero de defectos puntuales. Otra caracterstica de los bordes de grano
es que a bajas temperaturas son ms resistentes que los granos, propiedad que se invierte
cuando la temperatura se eleva. Adems, por su desorden inherente, como as tambin porque
las redes de los granos tienen orientaciones diferentes, son obstculos insalvables para el
movimiento de las dislocaciones.

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-Ecuacin de Hall-Petch
La relacin entre el tamao de grano y la tensin de fluencia, est dada por la ecuacin de HallPetch.

Donde y es la tensin de fluencia, o es una constante del material relacionada con la tensin
necesaria para iniciar el movimiento de las dislocaciones (o resistencia de la red cristalina al
movimiento), ky es el coeficiente de endurecimiento (constante para cada material), y d es el
dimetro promedio de los granos. No existen materiales infinitamente fuertes; este modo de
endurecimiento tiene un lmite. Los granos pueden variar aproximadamente entre 100 m
(granos grandes) y 1 m (granos pequeos). Por debajo de este valor, el tamao de las
dislocaciones se aproxima al del grano; en uno de 10 nm slo puede contenerse una o dos
dislocaciones, evitndose el apilamiento. En este caso, la tensin aplicada induce al
deslizamiento de los bordes, resultando en una disminucin de la resistencia del material.

-ndice de tamao de grano


Es un ndice que se ha asignado a 10 cartas normalizadas con granos de diferente tamao
medio de grano preparadas por la American Society of Testing and Materials (ATSM), siendo el
mayor ndice el menor tamao de grano.
Se puede calcular tericamente, segn norma ASTM, mediante el nmero G obtenido de la
expresin:
Nmero de granos / pulg2 a 100X = 2G-1
Donde G es el nmero de tamao de grano de uno a ocho; este mtodo se aplica a metales que
han recristalizado completamente.
Segn el mismo criterio, se considera:
grano grueso cuando G < 5 (dimetro de grano 62 micras)
grano fino cuando G > 7 (dimetro de grano 32 micras)

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-Borde de grano de ngulo pequeo


Es cuando la desalineacin entre granos vecinos es pequeo, normalmente menor a 5. La
desalineacin es provocada por una distribucin de dislocaciones que producen un pequeo
cambio en la orientacin de las redes adyacentes.

-Fallas de apilamiento
Son regiones que presentan una estructura cristalina diferente a la del metal original. Aparecen
en las redes FCC cuando se interrumpe la secuencia ABCABCABC... de apilamiento de planos
compactos. Si el ordenamiento a partir de un cierto plano, pasara a ser ABABABA, esa regin
tendra una estructura HCP. Como los bordes de grano, las fallas de apilamiento son zonas de
desorden atmico, y por lo tanto, acumulan energa.

-Bordes de macla
Cuando los metales se deforman por aplicacin de cargas estticas, la deformacin plstica
procede casi exclusivamente por el movimiento de las dislocaciones. Sin embargo, a medida que
los esfuerzos aplicados son progresivamente dinmicos, y aun predominando el mecanismo de
deslizamiento de las dislocaciones, adquiere creciente importancia el maclado. Tambin existen
maclas por fallas de apilamiento y maclas de recocido.

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Conclusiones Individuales:

lvarez Salazar Alan Said

El programa matter es una herramienta til; necesaria y valiosa; proporciona informacin


necesaria para comprender el comportamiento de los materiales y los procesos utilizados para
su estudio durante el proceso; se debe implementar una estrategia para que este programa
pueda llegar a cada sistema operativo.

Hernndez Vzquez C. Alan

Mediante el software que nos proporcionaron logramos poder interactuar un poco ms con los
distintos tipos de estructuras, conocerlas y observar algunos comportamientos que presentan en
distintas condiciones, sin mencionar las definiciones puntuales que nos asignan.

Gonzlez Aldaco Rafael

En mi opinin esta prctica me ayudo a reforzar los conocimientos aprendidos en teora adems
de que vimos los temas desde otro punto de vista aplicando un software, pero yo opinara que
ese software se debera de actualizar o cambiar, ya que hasta las mismas actividades en
algunas partes son un poco confusas, sin contar que si no sabes ingles te resulta muy difcil
comprender.

Vargas Hernndez Luis Alejandro

Es importante conocer los tipos de estructuras y defectos presentes en los cristales ya que con
este conocimiento podremos darle propiedades especficas a los cristales segn la aplicacin o
uso que se le quiera dar a un material cristalino.

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Bibliografa
http://campodocs.com/articulos-enciclopedicos/article_91614.html
-http://www.uned.es/cristamine/cristal/drx_met.htm
-http://www.upv.es/materiales/Fcm/Fcm04/pfcm4_2_8.html
-http://es.wikipedia.org/wiki/Dislocaci%C3%B3n_%28defecto_cristalino%29
http://www.frro.utn.edu.ar/repositorio/catedras/mecanica/5_anio/metalografia/Defectos_reticulare
s_v2.pdf
-http://www.frro.utn.edu.ar/repositorio/catedras/mecanica/5_anio/metalografia/7Mecanismos_de_endurecimiento_v2.pdf
-http://www.utp.edu.co/~publio17/temas_pdf/defectos_cristales.pdf
-http://www.uclm.es/profesorado/maarranz/Documentos/MaterialesT3b.pdf
-http://www.uam.es/docencia/labvfmat/labvfmat/practicas/practica4/grano.htm
https://books.google.com.mx/books?id=gnfPV1txXiUC&pg=PA89&lpg=PA89&dq=indice+tama%
C3%B1o+de+grano&source=bl&ots=Dwua4IjCl&sig=Su6o_0v7PL4yrlFkW_OQR79saNg&hl=es&sa=X&ei=9YLZVLKVJ87bsASf_YDoAw&v
ed=0CCkQ6AEwAg#v=onepage&q=indice%20tama%C3%B1o%20de%20grano&f=false
-http://materiales.unex.es/miembros/personal/pmirandaold/docencia_sec/PMII/apuntesPlasticidad.pdf

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