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FACULDADE PITAGORAS

ELETRNICA DE POTNCIA 1
Aula 2 DIODOS SEMICONDUTORES DE
POTNCIA
Prof. Claudio Alvares Conceio

ELETRNICA DE POTNCIA

JUNO P N
tomos Trivalentes
Boro
Glio
ndio
ndio

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Portadores

tomos Pentavalentes
Antimnio
Fsforo
Arsnico
Arsnico

ELETRNICA DE POTNCIA

Polarizao

Se nenhum potencial eltrico externo aplicado, ocorre um natural


rearranjo de cargas nas proximidades da juno.
Os portadores negativos do semicondutor N tendem a se
difundirem no semicondutor P, atrados pelos seus portadores
positivos. E vice-versa. Esses portadores opostos se combinam e
formam, em ambos os lados da juno, uma regio com reduo
(depleo) de portadores livres.
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ELETRNICA DE POTNCIA

Polarizao

Se um potencial eltrico externo aplicado na juno conforme


Figura acima, a regio de depleo aumenta e quase no h
corrente no circuito. Nessa condio, o diodo est inversamente
polarizado

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ELETRNICA DE POTNCIA

Polarizao

Se o potencial externo V aplicado no sentido dado na


Figura acima, a regio de depleo diminui e entra em
colapso, permitindo a troca dos portadores de carga de
ambas as partes. O resultado uma considervel corrente I
pelo circuito.
Nessa condio, o diodo est diretamente polarizado, ou
seja, ele conduz.
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ELETRNICA DE POTNCIA

Juno PN Diodo de Potncia

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ELETRNICA DE POTNCIA

Diodo de Potncia
Caractersticas Principais
Alta capacidade de conduo direta
Alta capacidade de bloqueio de tenso reversa
Alta resposta em frequncia

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ELETRNICA DE POTNCIA

Diodos de Potncia
Diodos Genrico
Tempo de recuperao em torno de 25s
Aplicao em baixa frequncia (1kHz)
Corrente variando de 1A a milhares de Ampres
Tenso variando de 50V a 5kV
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ELETRNICA DE POTNCIA

Diodos de Potncia
Diodos de recuperao rpida
Tempo de recuperao em torno de 5s
Aplicao em conversores CC-CC e CA-CC
Corrente variando de 1A a centenas de Ampres
Tenso variando de 50V a 3kV aproximadamente
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ELETRNICA DE POTNCIA

Curva Caracterstica V x I

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Diodos Schottky

VBR < 100V

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Curva Caracterstica V x I
=

-1)

= Corrente atravs do diodo em A


= Corrente de fuga

= Tenso do diodo
n = Coeficiente de emisso ou fator de idealidade
= Tenso trmica, sendo =

onde:

k = Constante de Boltzmann: 1,3806 x

T = Temperatura em kelvin (K = 273 + )

q = Carga do eltron: 1,6022 x coulomb (C)


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Curva Caracterstica V x I
Ex. A queda de tenso direta de um diodo de
potncia VD = 1,2V e ID = 300A. Supondo que n = 2
e VT = 25,8mv, encontrar a corrente de fuga.

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-1)

ELETRNICA DE POTNCIA

Curvas Caracterstica da Recuperao Reversa

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ELETRNICA DE POTNCIA

Equaes da Recuperao Reversa

;
;
Para >> , , ento:

e =

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ELETRNICA DE POTNCIA
Para

Recuperao Reversa
Ex. Considerando que o fabricante de um diodo informou os
valores a seguir:
a) Taxa de queda da corrente = 20 A/s
b)Tempo de recuperao reversa = 5 s
Encontre a corrente de pico reversa sabendo que ta >> tb
(recuperao abrupta).

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Diodos Conectados em Srie

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Diodos Conectados em Srie


Regime Permanente

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Diodos Conectados em Srie


Regime Permanente
= 1 = 2 , :
1
2
1 +
= 2 +

:
1 2
=
2 1

:
2
2
= 1
+ 2

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ELETRNICA DE POTNCIA

Diodos Conectados em Srie


Regime Permanente
Ex: Dois diodos com tenses nominais de 800V e corrente de fuga de 1mA
esto conectados em srie em uma fonte AC cujo o valor de pico de 980V. As
caractersticas reversas mostrado na figura abaixo. Determine:
a) A tenso inversa no diodo.
b) O valor do resistor de compartilhamento de tenso, de tal modo que a
tenso em qualquer diodo no ultrapasse 55% de Vs.
c) A corrente total da fonte e a perda de potncia nos resistores.
= 1 = 2 , :
1 +

1
2
= 2 +

:
=

1 2
2 1

:
2
2
= 1
+ 2

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ELETRNICA DE POTNCIA

Diodos Conectados em Srie


Diviso de tenso sob condies de regime
permanente e transitrio

Circuito
snubber

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ELETRNICA DE POTNCIA

Diodos Conectados em Paralelo

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ELETRNICA DE POTNCIA

Diodos Conectados em Paralelo

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ELETRNICA DE POTNCIA

Diodos Conectados em Paralelo


Ex: A corrente total de dois diodos ligados em paralelo de 50A. Para garantir o
compartilhamento de corrente, dois resistores so ligados em srie. Determine:
a) A resistncia do resistor de compatilamento de corrente, de tal modo que a
corrente que passa atravs de qualquer um dos dois diodos no ultrapasse
55% do valor de I.
b) A perda total de potncia nos resistores
c) A tenso nos terminais da combinao de diodos

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Diodos Conectados em Paralelo

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