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Electrnica de Potencia

Unidad III

SELECCIN DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA

1.

IMPORTANCIA DE UNA CORRECTA SELECCIN

En todo equipo electrnico de control industrial, se cumple el siguiente esquema
de conexiones:
Energa Elctrica de Entrada
(V y A no controlados)

Valor
deseado
EQUIPO ELECTRONICO DE
CONTROL INDUSTRIAL

Valor
medido
Energa Elctrica de Salida
(V A controlados)

ACTUADOR

SISTEMA
CONTROLADO

Figura 3.1

Observamos que el Equipo Electrnico de Control Industrial tiene como seales

de entrada valores de voltaje de diverso nivel de energa.
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Las seales de voltaje de potencia, ingresan directamente a la etapa de

potencia del equipo, mientras que, las seales de voltaje de poca potencia,
ingresan directamente a la etapa de control del mismo.
La Etapa de Potencia del equipo se encuentra conformada por alguno de los
dispositivos electrnicos de potencia (Diodos, Tiristores, Transistores de
Potencia, etc.) estudiados en las unidades anteriores.
La Etapa de Control del equipo se encuentra conformada por dispositivos
electrnicos de poca potencia tales como: diodos Zener, diodos LED, pequeos
diodos rectificadores, transistores de seal, circuitos integrados analgicos y
digitales, transformadores reductores de alimentacin y sincronismo,
transformadores de pulsos, etc.
Por lo tanto se podra dividir al Equipo Electrnico de Control Industrial en dos
etapas:
Etapa de Potencia.
instrumentistas)
Etapa de Control.

(Tambin

denominado

Pre-Actuador

por

los

A continuacin presentamos el siguiente grfico:

EQUIPO ELECTRONICO DE CONTROL INDUSTRIAL

Etapa de Control

Etapa de Potencia

Dispositivos de
pequea seal

Dispositivos de
Potencia

Figura 3.2

Entonces, se concluye que, para efectuar una correcta seleccin de los

Dispositivos de Potencia a comprar e instalar en un equipo electrnico de control
industrial, se necesita conocer los valores de la energa elctrica de entrada
(Voltaje y Corriente),de la energa elctrica de salida (Voltaje y Corriente que
solicita el Actuador) y, el circuito de potencia a implementar dentro de la etapa
de potencia.
De la correcta informacin obtenida, se puede comprar los dispositivos de
potencia sin temor a fallas durante su funcionamiento.

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2.

Electrnica de Potencia

CIRCUITO BSICO
A continuacin estudiaremos diversos circuitos implementados con dispositivos
de potencia. Por lo tanto cualquiera de ellos puede conformar la Etapa de
Potencia de un Equipo Electrnico de Control Industrial.
2.1

PARA DIODOS RECTIFICADORES

El circuito bsico implementado para poder reconocer los valores
principales de voltaje y corriente que soporte el diodo consiste en una
fuente de alimentacin AC y una carga resistiva.

Figura 3.3

Observamos que VS es el valor eficaz de la fuente de alimentacin AC que

alimenta al diodo y que, segn su polaridad determinar el estado de
Bloqueo o Conduccin del diodo.
Cuando VS tiene la polaridad indicada, el diodo se encontrar en estado
de Conduccin permitiendo que la corriente elctrica fluya hacia la carga
R. En dicha carga se obtendr un voltaje DC promedio V0 que servir para
que sta desarrolle su potencia til.
Por lo tanto, se concluye que el flujo de corriente que pasa a travs del
dispositivo de potencia depende prcticamente del valor resistivo de la
carga R.
La frmula a usar para determinar dicho valor de corriente es:
ID=V0/R
Donde ID es la corriente DC que pasa a travs del diodo D1.
Cuando VS tiene la polaridad invertida, el diodo se encontrar en estado
de Bloqueo, no permitiendo flujo de corriente elctrica hacia la carga R.
En dicho caso el diodo soporta el voltaje pico inverso (VIP) de la fuente
de alimentacin.
La frmula para determinar el voltaje pico inverso que soporta el diodo en
dicho circuito es:
VIPDIODO= VS . 2
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2.2

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PARA TIRISTORES
El circuito implementado es el siguiente:

Figura 3.4

Observamos que el circuito es similar al caso anterior,

del Tiristor. Por lo tanto las mismas frmulas anteriores
caso en que el Tiristor conduzca totalmente (corriente
del Tiristor) y cuando se encuentre en Bloqueo (VIP que

2.3

salvo la inclusin
se usarn para el
mxima a travs
soporta).

PARA TRANSISTORES
El circuito implementado es el siguiente:

SEAL DE
CONTROL

Figura 3.5

Donde la carga es R y la fuente de alimentacin es E (voltaje DC).

Observe que la seal de control es una onda cuadrada, necesaria para
que el dispositivo de potencia trabaje en Bloqueo o Conduccin.

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Si la seal de control aplicada al dispositivo de potencia es un valor

suficiente para ponerlo en conduccin, entonces tendremos una corriente
que fluye a travs de R y el dispositivo, cuyo valor esta dado por :
IT=E/R
Donde IT es la corriente que pasa por el transistor.
Si la seal de control es 0, entonces el dispositivo se encuentra en el
estado de Bloqueo, soportando sus terminales de potencia el voltaje E.
Entonces el mximo voltaje que soporta el transistor en estado de
bloqueo para ste circuito es:
Vmx= E.
3.

CONSIDERACIONES DE VOLTAJE Y CORRIENTE

Con los valores de corriente mxima y voltaje mximo soportado por el
dispositivo de potencia, se tienen dos valores importantes que nos servirn para
poder escoger el dispositivo de potencia necesario a usar. Lgicamente,
informacin adicional son la frecuencia a la que trabajar el dispositivo y que
estar limitado por los tiempos de apagado ( t OFF ) y tiempo de encendido ( t ON ) .
Una vez determinados los valores de corriente y voltaje, es necesario aplicar
factores de seguridad.
Factor de seguridad para corriente: 1.3
Factor de seguridad para voltaje: 2.0
La forma de usar dichos factores son:
Corriente mxima del dispositivo a comprar (IDC)= Corriente mxima
calculada x 1.3
Voltaje pico inverso dispositivo a comprar (VIP)= Voltaje Pico Inverso
calculado x 2.0

4.

DETERMINACIN DE SEMICONDUCTOR A USAR

Es necesario conocer los principales fabricantes de dispositivos de potencia,
razn por la cual damos algunos nombres:
RCA
General Electric
SEMIKRON
International Rectifiers
Motorota

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Con los datos conseguidos en la seccin anterior se recurren a los manuales de

cualquiera de los fabricantes recomendados y luego de identificar el tipo de
dispositivo a comprar, se escogen los valores estndares (corriente y voltaje)
inmediato superiores que tienen a la venta, encontrando luego su respectivo
cdigo de dispositivo.
Mencionaremos que cada fabricante tiene su propio cdigo con el cual pueden
identificar a los dispositivos que fabrican.
Luego de encontrado el cdigo, puede ir a solicitar dicho dispositivo al proveedor
de repuestos.

5.

LECTURA DE CATLOGOS DE REPUESTOS

En nuestro medio es un poco difcil conseguir los catlogos de repuestos de cada
fabricante, pero gracias a la ayuda de internet podemos ahora acceder a las
pginas Web de cada uno y buscar en forma fcil toda la informacin necesaria
para escoger el repuesto deseado.
En el caso que no se disponga de acceso a Internet y de los manuales de los
fabricantes arriba indicados, se puede hacer uso de un catlogo universal que
nos permite encontrar los cdigos de reemplazo de todo tipo de dispositivos
electrnicos teniendo como dato los valores de corriente y voltaje hallados. Dicho
catlogo es el muy conocido Manual de Repuestos ECG.
El procedimiento para usar dicho manual es el siguiente:
Disponer de valores de corriente y voltaje hallados segn frmulas y factores
de seguridad.
En el manual ECG, buscar el rubro del dispositivo correspondiente (Diodo,
Tiristor, etc.).
Una vez localizado el tipo de dispositivo, busquen los valores estndares de
voltaje y corriente que se encuentran disponibles. Escoga los valores
estndares inmediatos superiores disponibles.
Luego, tendr Ud. un cdigo de dispositivo que cumple los valores deseados
con el cual podr ir a solicitar a su proveedor de repuestos electrnicos.
Notar tambin que en el manual ECG se puede encontrar informacin adicional
(tON, tOFF, Potencia de disipacin, frecuencia de trabajo, etc.) que sern tiles
para decidirse por tal o cual componente.

6.

PRDIDAS DE POTENCIA EN LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA

Las prdidas de potencia en los dispositivos de potencia se dan slo durante los
tiempos de conmutacin (tON y tOFF) pues en el resto del tiempo se encuentran en
estado de Saturacin en estado de Bloqueo, en los cuales la disipacin de
potencia es despreciable.

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Prdida de Potencia en Saturacin= ITERMINALES PRINCIPALES x VTERMINALES PRINCIPALES

= Imximo x ( 0 V) = 0 Wats.
Prdida de Potencia en Corte= ITERMINALES PRINCIPALES x VTERMINALES PRINCIPALES
= ( 0 A) x Vmximo = 0 Wats.
A continuacin tenemos la figura 3.6 que corresponde al trabajo de un transistor:

Disipacin de potencia
cuando cambia de estado
OFF a ON

Disipacin de potencia
cuando cambia de estado
ON a OFF

Figura 3.6

De la figura 3.6, se deduce que las prdidas de potencia son pulsantes y se

producen durante cada ciclo de trabajo del dispositivo de potencia. Como la
temperatura es una variable lenta, el calor en la pastilla de silicio del dispositivo
tiene efecto acumulativo, pudiendo alcanzar valores extremos que fcilmente
pueden fundir el semiconductor inutilizando el dispositivo.

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7.

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DETERMINACIN DE DISIPADORES DE CALOR

Las prdidas de potencia en los dispositivos de potencia se manifiestan como
calentamiento del mismo, causando su deterioro si dicha cantidad de calor
alcanza temperaturas por encima de lo permitido. Por lo expuesto, se deduce
que todos los dispositivos de potencia deben tener encapsulados con partes
metlicas y factibles de montar en un radiador de calor que permitir proteger al
semiconductor contra excesos de temperatura.
A continuacin tenemos algunas afirmaciones que nos pueden ayudar a tener un
concepto claro sobre dicho problema:
Parte de la potencia generada por cualquier dispositivo semiconductor se
transforma en calor radiado a travs de la envoltura externa.
El cambio en temperatura es el producto de la potencia disipada por la
resistencia trmica: T = PD R . Donde :

T = Cambio de temperatura en un objeto transmisor de calor (unidades 0C)

PD = Potencia disipada por el objeto (unidades Wats)
R = Resistencia trmica del objeto (unidades 0C/W)
Si un semiconductor debe disipar una cierta cantidad de calor, su resistencia
trmica debe hacerse lo menor posible a fin de mantener su elevacin al
mnimo.
El germanio puede tolerar temperaturas de 85 a 1000C y el silicio de 150 a
2000C. En general debe evitarse trabajar el semiconductor a tales
temperaturas.
En un transistor trabajando en la regin activa : PD = I C .VCE .

7.1

CLCULO DE UN RADIADOR TRMICO PARA UN TRANSISTOR

CON ENCAPSULADO TO-220
La ecuacin de disipacin de potencia es: PD(mx)=[Tj(mx) -TA(mx) ]/

R JA

Donde:
PD(mx): es la mxima potencia de disipacin del dispositivo. Dicho dato
lo da el fabricante.
TJ(mx): es la mxima temperatura que soporta la pastilla de silicio. Dato
dado por fabricante.
TA(mx):es la mxima temperatura del medio ambiente donde se
instalar el equipo de potencia.

R JA : es la resistencia trmica total medida desde la pastilla de silicio

hasta el medio ambiente.

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Se tiene :

R JA = R JC + R CS + R SA .

Donde:
R JC : es la resistencia trmica medida desde la pastilla de silicio hasta la
placa metlica de aluminio del encapsulado.
R CS : es la resistencia trmica medida desde la placa metlica hasta el
disipador de aluminio.
R SA : es la resistencia trmica medida desde el disipador de aluminio al
medio ambiente.
Los valores tpicos de disipacin de potencia que pueden manejar
ciertos encapsulados son:
Cpsula
Cpsula
Cpsula
Cpsula

TO-3, aproximadamente 2.8 W .

TO-220, aproximadamente 1.8 W .
TO-202, aproximadamente 1.8 W .
TO-92, aproximadamente 0.6 W .

El trmino R JC se obtiene de los datos del fabricante.

Ejm. Se tiene un transistor de encapsulado TO-220 con los siguientes
datos: TA(mx)=600C, Tj(mx)=1250C, IC(mx)=0.8 A, VCE(mx)=10 V. Determine
Ud. el radiador a usar.
Solucin. Se deduce que el dispositivo disipara una potencia de 10Vx 0.8
A = 8 W.
Por lo tanto debe montarse en un radiador trmico que disipe una
potencia de 8-1.8 = 6.2 W. Del manual se observa que los encapsulados
TO-220 tienen un R JC = 50C/W .
Luego tenemos R JA =(Tj - TA)/PD , entonces R JA =(125-60)/(0.8x10)=
8.130C/W.
Entonces la suma de las resistencias trmicas debe ser igual a 8.13 y
siendo R JC = 50C/W se tiene : R CS + R SA =3.13. Si se emplea grasa
de silicona, que es eficiente conductor trmico, entre el radiador y la
cpsula del regulador, R CS =0.130C/W. Por lo tanto R SA debe
proporcionar los adicionales 30C/W.
Con dicho valor encontrado se busca en los manuales de radiadores
trmicos y se escoge el valor estndar inmediato superior.

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7.2

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RECOMENDACIONES PARA AUMENTAR LA EFECTIVIDAD DEL

RADIADOR
Los materiales ms usados como radiador son el cobre y aluminio.
El cobre tiene una conductibilidad 4 veces mayor que el aluminio pero
su precio es mucho mayor.
Un valor ms alto de emisividad significa una mejor capacidad para
radiar calor.
El emisor con acabado de pintura negra o anodizado negro rada con
mayor eficiencia.
Para el acoplamiento o adaptacin fsica al elemento generador de
calor se busca un material que presente buenas caractersticas de
conduccin trmica y, a la vez una elevada resistencia elctrica: mica,
aluminio anodizado y xido de berilio.
Resistencias trmicas ms bajas la presenta la unin aislante y con
grasa de silicona.
Evitar el montaje de elementos sensibles a la temperatura
(transistores, reguladores, etc.) proximos a componentes que disipan
calor.
Los semiconductores en cpsulas de pequeo tamao que radan calor
deben tener las longitudes de sus terminales de conexin al mnimo y
han de aumentarse al mximo posible las superficies de cobre donde
se conectan , en el circuito impreso.
Asegurarse el ptimo contacto entre el radiador y el dispositivo que
calienta. Use grasa de silicona para una mejor transferencia de calor.
Al utilizar un radiador provisto de aletas, la mxima disipacin de calor
tiene lugar cuando aqullas se hallan en posicin vertical.
Doble, cuando sea necesario, en forma cuidadosa los terminales de los
componentes sensibles a la disipacin de potencia. Las menores
grietas que se produzcan en los mismos reducirn su capacidad de
disipacin de calor.
Cuando el dispositivo deba aislarse elctricamente de su radiador, se
utilizar una lmina aislante de espesor comprendido entre 0.07 y 0.09
mm, dependiendo de la tensin que deba soportar. Aplicar adems
grasa de silicona para compensar el incremento de la resistencia
trmica.

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