Electronica Aplicada 3

Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
Universidad Tecnologica Nacional
Facultad Regional Parana
25 de junio de 2011
Tipos de Ruido y distorsi

on.
Resumen
Ruido: Perturbacion electrica que tiende a interferir con la recepcion normal de la se

nal transmitida.
Ruido blanco: (o termico, o de Johnson-Nyquist) Se genera por la agitacion termica (movimiento
aleatorio) de los portadores de carga en un medio cuya temperatura este arriba de 0K. Sucede con
independencia del voltaje aplicado.
La velocidad de este movimiento aumenta con la temperatura en forma tal que la densidad de potencia de ruido termico producida es proporcional a la resistencia del conductor y a su temperatura
absoluta, de donde proviene el nombre de ruido termico.
Tiene espectro de frecuencia plano (se relaciona con 1/1), sin embargo, resultados de mec
anica
cu
antica indican que las fuentes termales de ruido fsico decaen a cero a frecuencias arbitrariamente
altas.
La potencia de ruido: P (n) = kB T B, voltaje cuadratico medio de ruido: Vn2 = 4kB T RB, y la
corriente cuadr
atica media In2 = 4kB T GB.
La constante de Boltzman es kB = 1,38 1023
Ruido rojo: Es conocido tambien como ruido flicker o ruido browniano en honor a Robert Brown, el
descubridor del movimiento browniano, y como ruido marron (por la traduccion del apellido Brown,
que significa marr
on). No es un ruido muy com
un, pero existente en la naturaleza. El ruido rojo
est
a compuesto principalmente por frecuencias graves y medias y se relaciona con 1/f 2.
Ruido rosa: Ruido aleatorio que posee una densidad espectral de potencia que se relaciona a traves
de 1/f con la frecuencia. El nombre deriva pues es un intermedio entre el ruido blanco y el ruido
rojo o browniano. Aparece solo cuando hay corriente y puede expresarse como i2n (f ) = KI
f . Para
disminuir el ruido 1/f se suele trabajar con corriente de polarizacion muy bajas.
El ruido 1/f se presenta en semiconductores debido a la captura y recombinacion de portadores
debido a variaciones de simetra cristalina por las impurezas, y min
usculas fluctuaciones termicas.
Tambien se presenta ruido 1/f en lo contactos, o resistencias con falta de homogeneidad.
(D)Ruido de disparo: (o ruido shot) Originado por el numero fluctuante de portadores de cargas
que se emiten al azar de catado a anodo.
(T)Ruido de disparo en cada uni
on de un T.
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(T)Ruido termico en la resistencia de esparcido de base.

(T)Ruido de partici
on: Es la fluctuacion estadstica de la proporcion de portadores en un transistor
de dos o mas junturas que parten del emisor y se divide entre colector y base.
(Ant)Proveniente de fuentes externas: Todo cuerpo con temperatura irradia energa y esta puede
ser captada por la antena. Se representa como termico con una resistencia ficticia igual a la de
radiaci
on y temperatura Tant .
(FET)Ruido termico generado en la resistencia de canal.
(FET)Ruido termico de canal acoplado a la compuerta de la capacitancia canal-compuerta.
(FET)Ruido 1/f o rosa por debajo de 100 Hz
(MOSFET)Ruido 1/f o rosa por debajo de 10 kHz
(JFET)Ruido de disparo por la corriente inversa peque
na en la uni
on de compuerta.
Saturacion: Recorta picos y genera armonicas que pueden no ser deseadas.
Voltaje de saturacion Vsat : (BJTs) La excitacion debe permanecer peque
na y que no supere
una tensi
on eficaz Vef f .
En baja frecuencia Vsat coincide con VCEsat . En alta frecuencia NO, ya que esta relacionado
con el tiempo en estado de saturacion requerido para que realmente sature.
Resistencias de saturacion Ron : (FETs). Limita la salida maxima pero no afecta la operaci
on
en la regi
on activa.
Se presenta cuando el voltaje de drenador instantaneo mnimo es igual al producto de la
corriente de drenador por la resistencia de saturacion. min{vd (t)} = VDD Idm R = Idm Ron
Para evitar saturacion, VDD debe ser menor que un Vef f .
Cargas reactivas: Reduce la eficiencia, provocan aumento en la disipacion de energa y pueden
producir la ruptura del secundario del transformador de acople.
Son causadas por desintonia, variacion de la impedancia del filtro de salida con la frecuencia de
operaci
on, la inductancia del transformador y las variaciones de la impedancia de antena.
(IMD) Distorsi
on de intermodulacion: consiste en productos de frecuencias que resultan en arm
onicas cercanas a la frecuencia de la portadora.
Proviene de la incapacidad de un sistema (como un amp.) de comportarse en forma lineal.
Causa: Efectos de cruce por cero.
Causa: Reducci
on de la ganancia ante una corriente elevada.
Causa: Saturacion.
Causa: Variaci
on de la capacidad de juntura (como la de colector) con la tension aplicada
(tensi
on de colector). Esta capacidad variable es inherente del dispositivo y su proceso de
fabricaci
on, pero su efecto es peque
no y se suelen poner capacidades mayores en paralelo para
poder calcular y compensar el efecto.
Medici
on: Se mide con analizador de espectro y se usan dos se
nales de igual amplitud con un
f 2kHz entre si. La medida es la razon entre el producto mas grande de salida con la
amplitud de los tonos. Hasta 30cdB suele ser aceptable.
Distorsi
on de cruce: En configuracion de contrafase o de circuitos complementarios, los BJTs y
FETs no son capaces de cambiar bruscamente de un modo de corte a uno activo. El cambio es
gradual y no-lineal. Este periodo de cambio genera una gran distorsion que es mas notorio con
se
nales de baja amplitud.
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Se puede reducir polarizando las bases y/o compuertas un offset adicional. Sin embargo, demasiada
polarizaci
on se traduce en ganancia excesiva para se
nales de baja amplitud, y la cantidad correcta
se determina en forma experimental.
La raz
on mnima de IMD ocurre con una corriente estable de 1 al 10 % de la de pico de colector.
Cada dispositivo llevara corriente durante poco mas de medio ciclo.
Variaci
on de : Una RE ayuda a eliminar las variaciones de respecto de la corriente, la temperatura y la frecuencia: vE = (iC + iB )RE = (1 + 1/)iC RE iC RE
Retroalimentaci
on puede ayudar a linealizar la caracterstica de entrada de corriente a traves de la
caracterstica de tensi
on de salida. Se puede usar realimentacion de corriente, de tension o acoplado
con trafo.
Ruido Err
atico: Incluye el ruido atmosferico y el ruido espacial, que es consecuencia entre otras
causas de la ionizaci
on y recombinacion de moleculas gaseosas por accion de la radiacion solar,
c
osmica, campos electricos intensos, etc. Afecta principalmente las transmisiones inalambricas.
Ruido producido por el hombre: Comprende la radiacion electromagnetica emitida por artefactos
empleados por el hombre. En general se origina en conmutaciones, chispas o emision voluntaria o
involuntaria de radiofrecuencia. Incluye las perturbaciones ocasionadas por la modificacion de la
carga en sistemas de alimentaci
on y por filtrado insuficiente en las fuentes de corriente continua
que rectifican una corriente alterna. Este ultimo es el clasico zumbido a la frecuencia de linea en
los amplificadores de audio.
Ruido Circuital: Es el ruido introducido por los propios elementos del circuito y se debe a los
fen
omenos fsicos que tienen lugar en ellos. Por ejemplo la agitacion termica de los electrones en las
resistencias (que da origen al ruido termico), las peque
nas variaciones de temperatura con el tiempo,
la naturaleza discreta de las cargas que atraviesan una barrera de potencial en los dispositivos
electr
onicos y la fluctuaci
on de conductancia en los contactos imperfectos.
El ruido electromagnetico puede eliminarse con blindajes metalicos conectados a tierra.
El ruido llamado jitter consiste en fluctuaciones de fase aleatorias de una se
nal. Que se traducen
en variaciones de frecuencia. El PLL puede ser usado como filtro de fase para eliminar este ruido,
siempre que este no provoque el desenganche.
Burst noise: Los semiconductores dopados con metales pesados como el oro exhiben breves rafagas
de ruido de baja frecuencia con cambios de nivel entre dos o mas valores. Cuando este ruido es
amplificado y emitido por altavoces percibe como el ruido que produce la coccion de maz inflado,
raz
on por la cual se lo denomina tambien ruido de fritura (pop-corn noise).
El ruido burst est

a siempre acompa
nado por el ruido 1/f y el ruido shot. La densidad espectral de
KI c
potencia del ruido de r
afaga se aproxima por la expresion i2n (f ) = 1+(
f 2
)
fc
Bibliografa
Herbert L. Krauss, Charles W. Bostian, Frederik H. Raab: Estado solido en ingeniera de radiocomunicaci
on. Editorial Limusa
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Dise
no de radiadores de calor.
Resumen
Pd TJ
JC
TC
CH
TH
HA
TA
La confiabilidad de los transistores decrece al aumentar la temperatura de la union.

La presencia de reactancia en la carga aumentara la disipacion maxima.
El flujo de calor se puede analizar con un circuito termico de la misma manera que se analiza el
flujo de corriente en uno electrico.
La potencia disipada o fuente de calor es analoga a una fuente de corriente.
Las temperaturas son an
alogas a los voltajes y cada elemento en la trayectoria termica tiene una
resistencia termica asociada a el.
En el circuito:
El primer elemento JC es la resistencia termica de union-base.
El segundo elemento CH esta asociada al montaje sobre el disipador.
El tercer elemento HA es el disipador de calor al ambiente, que incluye los principios de
radiaci
on, conveccion y conduccion. La conveccion es por lo com
un, no lineal.
Bibliografa
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Ruido T
ermico
Resumen
La temperatura de un material provoca agitacion en los electrones libres responsables de la conducci
on electrica de un material.
Estos provocan corrientes que idealmente deberan ser estadisticamente nulas, sin embargo se observa una peque
na corriente fluctuante aleatoriamente de media cero llamado ruido termico.
Se puede sustituir una resistencia ruidosa por una fuente
de tension mas una resistencia ideal del mismo valor con
Vn2 = 4kB T RB
O por una fuente de corriente con una resistencia ideal
en paralelo del mismo valor con In2 = 4kBRT B
RT
El ruido termico tiene valor medio nulo, es decir lmT T1 0 in (t)dt = 0
J
La constante de Boltzmann es kB = 1,381 1023 K
En termodin
amica se demuestra que la funcion de autocorrelacion promedio de in (t) es in in ( ) =
| |
k B T e t0
R
t0
que es casi un impulso a medida que t0 0.
La autocorrelaci
on promedio es igual a la antitransformada de la densidad de potencia media:
(
)
2
2

|VT (w)|
|VT (w)|
1
F
limT 0
= vv ( )
v 2 (f ) = limT 2
= 2F vv ( )
T
T
In2 (f )
i2n (f )
=2
donde f0 =
1
2t0
| |
kB T e t0 j2f
4kB T
1
4kB T
1
=
e
d =
R
t0
R 1 + (2f t0 )2
R 1 + ( ff )2
0
que es del orden de 1011 Hz.
Esto establece un limite superior para considerar a este ruido como constante. Esto es, para aplicaciones de extremadamente alta frecuencia donde la temperatura ya no existe en el concepto de la
fsica cu
antica.
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Una tension externa aplicada no modifica la fuente de ruido.

El ruido termico debido a su naturaleza no correlacionada, permite
utilizar el principio de superposicion para calcular el ruido en redes
de resistencias. vo = vo1 + + von
Para resistencias en serie: Vn2 = 4kB T (R1 + R2 )
Ademas, cada vo puede considerarse como la respuesta de un sistema lineal: Vok (w) = Hk (w)Vk (w).
Por lo tanto las densidades de potencia a la salida pueden super2
2
ponerse: Vo2 = |H1 | V12 + + |Hn | Vn2
Teorema de Nyquist: Un dipolo pasivo, formado por resistencias
ruidosas a una misma temperatura T, capacitores e inductancias
cuya funcion impedancia es Z(jw), puede sustituirse por una impedancia ruidosa de igual valor en serie con una fuente de ruido
con densidad espectral de potencia media:
Vn2 = 4kB T <e{Z(j2f )}
De lo anterior se desprende que Un elemento reactivo puro carece
de ruido termico.
Ancho de banda equivalente

Si conectamos una se
nal de ruido blanco vi2 con Sni (f ) = kB T a la entrada de un cuadripolo con
funci
on de transferencia H(w) (por ejemplo un amplificador o un filtro), el valor cuadratico medio
de la salida en
toda la banda de frecuencias
Z es:
Z
Z
2
2
2
2
2
2
vi |H(2f )| df = vi
|H(2f )| df
Sno =
|H(2f )| Sni (f )df
Vo =
0
El ancho de banda equivalente es el ancho de banda de ruido blanco que produce la misma cantidad
de valor cuadr
atico medio que el ruido/dispositivo original. Entonces:
Z
Z
vi2
2
2
Vo2 = vi2
|H(2f )| df = 4kB T RBeq
Beq =
|H(2f )| df
4kB T R 0
0
Z
1
2
Beq =
|H(2f )| df
Hmax 0
| |
Z

Z 0
kB T e t0 j2f
2kB T
=2
e
d =
e t0 ej2f d +
e t0 ej2f d
t0
Rt0
R
Z
0
Z

Z 0
Z
1
1
1
2kB T
2k
T
B
[ t +j2f ]
[ t +j2f ]
[ t +j2f ]
[ t1 j2f ]
e 0
e 0
e 0
e 0
=
d +
d =
d +
d
Rt0
Rt0
0
0
0
In2 (f )
2kB T
=
Rt0
2kB T
=
Rt0
Z
"
1
t0
Z
d +
e
0
2kB T
d =
Rt0

ea
eb
2kB T
1
1
+
=
0
+0
a 0
b 0
Rt0
a
b
#

2kB T
1
1
1
2kB T 1 + j2f t0 + 1 j2f t0
=
+
=
1
R
1 + j2f t0
1 j2f t0
R
(1 + j2f t0 )(1 j2f t0 )
t0 j2f

2kB T
1+1
4kB T
1
4kB T
1
=
=
=
2
2
R
1 + (2f t0 )
R 1 + (2f t0 )
R 1 + ( ff )2
1
+
+ j2f
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Ruido t
ermico
Circuito RC paralelo
Enunciado:
Suponga el circuito RC paralelo de la figura.
Calcular la Densidad espectral de potencia de ruido a la salida.
En la entrada tendremos un ruido termico producido por la resistencia de Sni (f ) = kB T
La funci
on de transferencia del circuito es: H(w) =
1
1+j wwc

1 2
1

La densidad espectral de energa sera: |H(f )| = 1+j 2f =
2 =
|1+j 2f
wc
wc |
2
1
2
1+( 2f
wc )
Entonces la densidad espectral de ruido a la salida, para un sistema lineal e invariante en el tiempo
2
1
como se ha visto en sistemas de comunicaciones, sera: Sno (f ) = |H(f )| Sni (f ) = 1+( 2f
k T
)2 B
wc
Para obtener la potencia total de salida

B[Hz] tal que wc = 2B, integraR para1 un ancho de1 banda
1
1
mos y aplicamos la formula de tabla 0 1+(ax)
(ax)]
2 dt [ a tg
0 = a 2
Z
|H(f )| Sni (f )df = kB T
Sno =
0
df = kB T B
2f 2
2
1 + ( 2B )
Al producto Bn = B 2 se lo denomina ancho de banda equivalente de ruido, que es el ancho de

banda requerido por una resistencia R para entregar la misma potencia de ruido termico a la salida.
Reemplazando B =
wc
2
1
2RC
y dado que Sno =
2
Vno
,
4R
2
calculamos la tension de ruido cuadratico como: Vno
= kB T 2RC
2 4R =
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kB T
C
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Ruido t
ermico
Circuito pasa banda LCR serie
Enunciado:
Suponga el circuito pasa banda RLC de la figura.
Calcular la Densidad espectral de potencia ruido a la salida.
En la entrada tendremos un ruido termico producido por la resistencia de Sni (f ) = kB T
La funci
on de transferencia del circuito es: H(w) =
donde
w02
1
LC
yQ=
w0 L
R
R
1
R+jwL+ jw
c
1

w
1+jQ ww w0
0
f0
B.

1
La densidad espectral de energa sera: |H(f )| =
1+jQ w
2
w0
2

=
w0

2
1

w
1+jQ ww w0
1+Q2
1
w
w0
w0
w
Entonces la densidad espectral de ruido a la salida, para un sistema lineal e invariante en el tiempo
kB T
2
como se ha visto en sistemas de comunicaciones, sera: Sno (f ) = |H(f )| Sni (f ) =
2

1 + Q2 ww0 ww0
kB T
Suponiendo un f 0, la DEP de ruido se puede expresar como: Sno (f ) =
Dado que Sno =
(f f0 )
2
Vno
,
4R
2
calculamos la tension de ruido cuadratico como: Vno
(f ) =
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1+
4
B2
4kB RT
1+
4
B2
(f f0 )
2
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Ruido t
ermico
Circuito RL k RC
Por el metodo de Superposici
on:
Vo
Vo2
R2 +
1
wC
V12
4kB T R1
V22
4kB T R2
Vo2
1
jwC
R1 + jwL

1
R1 + R2 + j wL
R1 + R2 + j wL wC

2
1

R
+
2
R1 + jwL

jwC
+ V22
V12
1
R1 + R2 + j wL
R1 + R2 + j wL wC

2

2
1
V12 R2 + jwC
+ V22 |R1 + jwL|

R1 + R2 + j wL 1 2
wC

1
V12 R22 + (wC)
+ V22 R12 + (wL)2
2

2
1 2
(R1 + R2 ) + wL wC
V1
4kB T

R1 R22 +
1
(wC)2
+ V2
+ R2 R12 + (wL)2

2
1 2
(R1 + R2 ) + wL wC
2

1

wC
Por el metodo de Nyquist:
Vo2
4kB T <e{Z(jw)}

Vo2

1
= 4kB T <e{(R1 + jwL) k R2 +
}
jwC

1
(R1 + jwL) R2 + jwC
}
= 4kB T <e{
1
R1 + R2 + j wL wC
h

i
1
(R1 + jwL) R2 + jwC
R1 + R2 j wL
= 4kB T <e{

1 2
(R1 + R2 )2 + wL wC

1
R1 R22 + (wC)
+ R2 R12 + (wL)2
2
= 4kB T

2
1 2
(R1 + R2 ) + wL wC
1
wC

}
La elecci
on de uno u otro metodo depende del problema.
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Ruido en Diodos de juntura

Resumen
Los diodos y transistores generan ruido shot o ruido shot o de

disparo.
El circuito equivalente b
asico del diodo de juntura incluye una
resistencia serie rS (resistividad del silicio) y una resistencia
shunt en paralelo con una fuente de corriente.
Hay ruido termico en la resistencia rS , por lo que se
incluye un generador de tension con Vn2 = 4kB T rS B.
El ruido flicker y el ruido shot(i2n = 2qI) pueden ser representados con una u
nica fuente de corriente en paralelo
kB T
con una resistencia shunt rd = q(I+I
0)
I
2
In = 2qIB + K B
f
El ruido shot o de disparo o de emisi
on tiene una distribucion esencialmente plana y, por tanto, se
considera ruido blanco. Se origina por la fluctuacion estadstica de los portadores de carga q que se
emiten al azar en una juntura semiconductora cuando circula una corriente I.
qV

La corriente en un diodo de juntura esta dada por: I = I0 e kB T 1
q = 1,6x1019 coulombs
La componente exponencial proviene de los portadores mayoritarios que se difunden de una regi
on
a la otra.
La componente individual proviene de los portadores minoritarios generados termicamente que
siempre est
an presentes.
Al ser de distinto origen, las se
nales de ruido son no correlacionadas y se pueden sumar las densidades
2
2
de potencia de portadores mayoritarios y minoritarios. Ej. Vn2 = Vn1
+ Vn2
+ ....
2
2
Si fueran correlacionados (provienen de la misma fuente): Vn2 = Vn1
+ Vn2
+ 2KVn1 Vn2
qV
Para el ruido shot: i2n = 2qI0 e kB T + 2qI0 = 2q(Idc + 2I0 )

Se puede observar que aun en la ausencia de polarizacion, hay ruido a la salida.
Para grandes polarizaciones inversas es I = I0 y por lo tanto: i2n = 2qI0
Para grandes polarizaciones directas I0 es despreciable quedando: i2n = 2qI
Este modelo no es valido para los diodos que operan en la region de ruptura inversa como los zener,
para estos aparecen otras fuentes de ruidos denominados ruidos microplasticos.
El ruido flicker o 1/f se presenta en semiconductores debido a la captura y recombinaci
on de
portadores debido a variaciones de simetra cristalina por las impurezas, y min
usculas fluctuaciones
termicas.
Tambien se presenta ruido 1/f en lo contactos, o resistencias con falta de homogeneidad.
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Ruido en transistores BJT

Resumen
Enunciado:
Las fuentes de ruido en transistores de union, son

el ruido de disparo en cada uni
on de diodo, el ruido
termico en la resistencia de esparcido de base (lla0
madas rx , rb0 o rbb
), el ruido flicker o ruido 1/f y
un ruido de partici
on.
El ruido de partici
on se origina por la fluctuacion estadstica de la corrientes de colector y base,
debido a como la corriente de emisor se divide en colector y base.
El ruido flicker o ruido 1/f se presenta sobre los transistores y se observa en bajas frecuencias es
apreciable por debajo de los 100 kHz. Se origina principalmente por una recombinacion superficial
de portadores minoritarios en la region de agotamiento del emisor-base. Es la fuente principal de
ruido en amplificadores de CC.
El modelo de la figura se llama modelo de Van der Ziel para un transistor en base com
un.
Las fuentes de ruido se definen como sigue:
2
Ien
= 2qIE B
2
Vbn
= 4kB T rx B
2
Icm
= 2qB[ICO + IC (1 0 )]
donde IE es la corriente de emisor directa, IC es la corriente de colector directa, ICO es la corriente

de colector inversa, rx es la resistencia de esparcido de base y 0 es la ganancia de corriente en
cortocircuito.
Este circuito no considera el ruido 1/f y es valido hasta frecuencias del orden f = f 1 0
Convirtiendo las fuentes de corriente a fuentes de tension, y realizando las siguientes consideraciones
nos queda:
rx << 0 rc
Rs + re << 0 rc
ICO << IC (1 0 )
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donde Rs es la resistencia de fuente que se ha agregado.
2
Vgn
= 4kB T Rs B
2
Ven
= 2kB T re B
re =
kB T
qIE
2
Vcn
=
2kB T 0 rc2 (1 0 )B
re
El u
nico generador de ruido termico es Vbn debido a que la u
nica resistencia fsica que existe en el
modelo es rx . Todos los otros generadores son de ruido de disparo.
Por otro lado, un modelo hbrido PI para un emisor com

un es el siguiente:
2
Ion
= 2q |IC | B
2
0
Iin
= 2q |IB
|B
0
IB
= IB + 2I 0
donde I 0 es la corriente de base en polarizacion inversa.

Este modelo es valido hasta las frecuencias de fT /2 aproximadamente.
Se puede disminuir al mnimo el ruido del transistor, eligiendo una Rs adecuada.
Las siguientes figuras muestran curvas de la figura de ruido en transistores respecto de la frecuencia,
la resistencia vista desde la base Rs = R1 k R2 k Ri y la corriente de polarizacion IC .
El aumento de la figura de ruido en alta frecuencia se debe a que la ganancia disminuye pero el
ruido a la salida no.
La familia de curvas de la ultima figura corresponde a los contornos de NF constante. Es muy u
til
para el dise
no ya que indica cuales son los valores de IC y Rs para determinada cota de NF.
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Ruido.
Ejemplo
Enunciado:
5 Antena
Cable Coaxil
Ti = 50K
SN Ri =
1857,4
L1 = 0,5dB
T e1
Amplificador
Mezclador
T o = 293K
G2 = 30dB
G3 = 16dB
SN Ro 30dB
T e2 = 6K
N F3 = 6dB
BN = 20M Hz
BN = 20M Hz
Encontrar:
1. Temperatura de ruido equivalente total: T eT
2. Potencia de la antena: Pant
Primero convertir todos los valores de decibeles a valores lineales con xcdB = 10 log10 x.
Si no se indica la temperatura a la cual trabaja cada componentes por separado, se asume que est
an
a una temperatura ambiente de T = T0 = 293K.
Calculamos la T eT :
1
1
G1 =
=
= 0,89
L1
1,12
G2 = 30dB = 1000
G3
16dB = 39,81
N F1
= L1 = 1,12
N F3
6dB = 3,98
T e1
(N F1 1)T = 35,16K
T e3
T eT
(N F3 1)T = 873,14K
T e3
T e2
+
= 42,87K
= T e1 +
G1
G1 G2
Calculamos la Pant :
SN Ri
N Fant
SN Ro
SN Ri
N Fant SN Ro
T eT
1+
= 1,8574
Ti
30dB = 1000
Pant
1857,4
Si
= 1857,4
Ni
Si = 1857,4Ni
NI
kB Ti BN = 1,381014
Pant
25,63pW
Note que NO utilizamos la ultima ganancia para el calculo de la temperatura de ruido equivalente.
La constante de Boltzman es kB = 1,38 1023
Bibliografa
UTN-FRP 2011
13
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Ruido.
Examen 28 de julio 2003
Enunciado:
Tx
Coaxil 1
L1
Rep. 1
G1
. . .
Coaxil n
Ln
Rep. n
Gn
Rx
Calcular que cantidad de repetidores N se necesita y la ganancia Ga de los mismos de tal modo que la
atenuaci
on neta del conjunto sea unitaria y la figura de ruido mnima .
Y Gi
=1
FT = min
Li
La distancia entre las ciudades es de l = 150[Km], la atenuacion del coaxil es de A = 10[dB/Km] y la
figura de ruido de cada repetidor es de Frep = 4, 75[dB].
A
dB
km
150km
Frep
4,75dB 2,98
10
Lc = la atenuaci
on del cable coaxial
Fcoax = figura de ruido del cable coaxial
Frep = figura de ruido del repetidor
Fcr = figura de ruido del conjunto coaxilrepetidor
dB 150km
1500
=
dB
km N
N
1500
150
1500
Lc =
10 10N = 10 N
N
Frep 1
Fcoax +
Gcoax
Lc + Lc (Frep 1)
Lc + Lc Frep Lc
Lc Frep
2,98 10
Lc
Fcoax
Fcr
Fcr
10
150
N
1
1
La expresi
on de la figura de ruido total es: FT = Fcr1 + Fcr2
+ FGcr3
+ ...
G1
1 G2
Sabiendo que las ganancias de cada conjunto CR son unitarias y las figuras de ruido iguales, y
derivando e igualando a cero para encontrar el mnimo de la figura de ruido:
150
150
dFT
150
FT = Fcr1 + (Fcr2 1) + (Fcr3 1) + . . .
= 2,98 1 10 n + 2,98n10 n ln 10( 2 ) 1 + 0 = 0
dn
n
= Fcr + (n 1)(Fcr 1)
150
1 150
= 2,98 10 n 2,98 2,3 150 10 n 1 = 0
= Fcr + (n 1)Fcr (n 1)
n
150
150
1028,1
= Fcr + nFcr Fcr n + 1
= 2,98 10 n
10 n = 1
n
FT = nFcr n + 1
150
1028,1
150
= 10 n (2,98
)=1
FT = 2,98n10 n n + 1
n
El primer multiplicando es siempre mayor que cero, por lo que podemos deducir como condicion que
el segundo multiplicando debe ser mayor a cero. (2,98 1028,1
n < 1028,1
n )>0
2,98 = 345
Finalmente probamos con la calculadora para m
ultiples valores, y calculamos la ganancia de cada
150
repetidor con Grep = L1c = 10 n
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14
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Ruido.
Final 07 de diciembre de 1993
Enunciado:
5 Antena
Cable Coaxil
50m
PreAmp
Mezclador
Amp
Demod
Construir estaci
on terrena con SN Ro maxima.
Cable Coaxil:
Cable Coaxil:
1. Att = 12dB/100m
long = 50m
Preamplificadores:
1. L = 6dB = 3,98
G = 0,25
Preamplificadores:
1. G = 10dB
N F = 6dB a 290K
1. G = 10
N F = 3,98 a 290K
2. G = 20dB
N F = 10dB a 390K
2. G = 100
N F = 7,69 a 390K
Mezcladores:
Mezcladores:
1. G = 4dB
N F = 3dB a 290K
1. G = 0,39
N F = 1,99 a 290K
2. G = 2dB
N F = 4dB a 290K
2. G = 0,63
N F = 2,51 a 290K
3. G = 6dB
N F = 8dB a 300K
3. G = 0,25
N F = 6,31 a 300K
Amplificadores:
N F290 = 1 + (N FT 1)
1. G = 25dB
N F = 8dB a 290K
2. G = 30dB
N F = 8dB a 290K
T0
= 6,133 a 290K
T
Amplificadores:
1. G = 316,22
2. G = 1000
N F = 6,31 a 290K
N F = 6,31 a 290K
Si no se indica la temperatura a la cual trabaja cada componentes por separado, se asume que est
an
a una temperatura ambiente de T = T0 = 290K. Caso contrario se convierte usando las formulas :
T e = T (N FT 1)
N F290 = 1 + (N FT 1)
T0
T
Lo que buscamos es el valor mnimo a la figura de ruido:

SN Ri
SN Romax
N FT
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= N FT SN Ro
1
= SN Ri
N FT min
N Fpreamp 1
N Fmezc 1
N Famp 1
= N Fcoax +
+
+
Gcoax
Gcoax Gpreamp
Gcoax Gpreamp Gmezc
15
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Paso 1: Inspecci
on
Podemos ver que los amplificadores solo se diferencia en su ganancia, por lo que el segundo es la mejor
opci
on:
G = 1000
N F = 6,31 a 290K
De los mezcladores podemos observar que la ultima opcion, tiene la menor ganancia y una figura
de ruido mucho mayor, y sabemos que la SN Ro es inversamente proporcional a esta, por lo que la
descartamos.
Paso 2: Calculo
Nos quedan entonces dos opciones para preamplificador y dos opciones para mezclador.
P reamp 1, M ezc 1
N FT = 21,74
P reamp 1, M ezc 2
N FT = 19,87
De aqu podemos ver que la segunda opcion del Mezclador es la mejor.

Nos queda una sola combinaci
on para analizar:
P reamp 2, M ezc 2
N FT = 31,13
Por tanto se observa que el primer preamplificador es la mejor opcion.

Ademas, se ve que una diferencia del doble de ganancia no compensa el doble de figura de ruido.
El resultado final es: P reAmp1 ,M ezc2 y Amp2
Bibliografa
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Ruido.
Final 20 de febrero de 2008
Enunciado:
En un punto Q especifico de un amplificador de RF, tiene una figura de ruido de N F = 5dB con una
fuente de Rs = 50. Sabiendo que el ancho de banda de ruido es BN = 360kHz:
1. Determinar la temperatura de ruido de la entrada del amplificador.
2. Suponiendo que la impedancia de entrada del amplificador es resistiva, Ri = 75 y que la fuente
de se
nal entrega Vi = 4V a la entrada del amplificador. La fuente se encuentra a Ti = 340K.
Encontrar la relaci
on se
nal a ruido de entrada y salida.
Punto 1
Como no se especifica la temperatura a la que funciona el amplificador, se supone T0 = 290K.
NF
Te =
10
N F cdB
10
= 3,162
T (N F 1) = 290(3,162 1) = 626,98
Punto 2
Calculamos la potencia de entrada de la se
nal. Si =
El ruido termico de la resistencia serie Rs es: V niRs
Vi2
4Ri
= 53,33f W
= 4kB Ti Rs BN = 548,729nV
Debido a que la entrada se encuentra desacoplada, el ruido termico de la resistencia de entrada Ri

i
= 329,238nV
se calcula: V niRi = V niRs RsR+Ri
El ruido en la entrada es entonces: Ni =
V ni2Ri
4Ri
= 361atoW
Luego, la relaci
on se
nal y ruido de entrada es: SN Ri =
Y la de salida: SN Ro =
SN Ri
NF
Si
Ni
= 84,52 = 19,27dB
= 26,73 = 14,27dB
Bibliografa
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25 de junio de 2011
Ruido.
Examen 24 de septiembre de 2004
Enunciado:
En un punto Q especifico de un amplificador de RF, tiene una figura de ruido de N F = 5dB con una
fuente de Rs = 150. Sabiendo que el ancho de banda de ruido es BN = 200kHz:
1. Determinar la temperatura de ruido de la entrada del amplificador.
2. Suponiendo que la impedancia de entrada del amplificador es resistiva, Ri = 50 y que la fuente
de se
nal entrega Vi = 2V a la entrada del amplificador. La fuente se encuentra a Ti = 360K.
Encontrar la relaci
on se
nal a ruido de entrada y salida.
Punto 1
Como no se especifica la temperatura a la que funciona el amplificador, se supone T0 = 290K.
NF
10
N F cdB
10
= 3,162
T e = T (N F 1) = 290(3,162 1) = 627,061
Punto 2
Calculamos la potencia de entrada de la se
nal. Si =
Vi2
4Ri
El ruido termico de la resistencia serie Rs es:V niRs =
= 20f W
4kB Ti Rs BN = 729nV
Debido a que la entrada se encuentra desacoplada, el ruido termico de la resistencia de entrada Ri

i
= 182,236nV
se calcula: V niRi = V niRs RsR+Ri
El ruido en la entrada es entonces: Ni =
V ni2Ri
4Ri
= 166atoW
Luego, la relaci
on se
nal y ruido de entrada es: SN Ri =
Y la de salida: SN Ro =
SN Ri
NF
Si
Ni
= 120,48 = 20,8dB
= 38,1 = 15,8dB
Bibliografa
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Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Cristales resonadores
Resumen
Calculo analtico de Z(jw) = R(jw) + jX(jw)
Del circuito equivalente obtenemos la ecuacion de la impedancia:
Z(s)
[Rs + sLs +
1
1
]k
sCs
sCp
sCs Rs + s2 Cs Ls + 1
1
]k
sCs
sCp
2
Cs Ls +1 1
[ sCs Rs +s
] sCp
sCs
2
Cs Ls +1
]+
[ sCs Rs +s
sCs
1
sCp
Cs Ls +1
[ sCs Rs +s
]
sCs
1
sCs
2
Cs Ls +1
1 sC
sCs [ sCs Rs +s
] + sC
p
sC
sCs Rs + s2 Cs Ls + 1
s2 Cp Cs Rs + s3 Cp Cs Ls + sCp + sCs
1 + jwCs Rs + (jw)2 Cs Ls
jw(Cp + Cs ) + (jw)2 Cp Cs Rs + (jw)3 Cp Cs Ls
(1 w2 Cs Ls ) + j(wCs Rs )
[w2 Cp Cs Rs ] + j[w(Cp + Cs ) w3 Cp Cs Ls ]
Z(jw)
La resistencia serie Rs es siempre muy peque

na en relacion a la parte reactiva (Rs X) y su
influencia es entonces despreciable, por lo que podemos hacer la aproximacion: Rs 0 que simplifica
mucho la expresi
on:
(1 w2 Cs Ls )
Z(jw) =
j[w(Cp + Cs ) w3 Cp Cs Ls ]
De esta expresi
on definimos la frecuencia de resonancia serie como aquella a la cual la impedancia se
hace cero. Por lo tanto :
(1 ws2 Cs Ls )
= 0
j[ws (Cp + Cs ) ws3 Cp Cs Ls ]
1 ws2 Cs Ls
ws2 Cs Ls
ws
1
Cs Ls
Mientras que la frecuencia de resonancia paralela es aquella a la cual la impedancia tiende a infinito,
por lo tanto igualamos el denominador a cero.
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(1 wp2 Cs Ls )
j[wp (Cp + Cs ) wp3 Cp Cs Ls ]
wp (Cp + Cs ) wp3 Cp Cs Ls
wp2 Cp Cs Ls
(Cp + Cs )
wp2
wp

Cp + Cs
1
1
1
=
+
Cp Cs Ls
Ls Cp
Cs
s

1
1
1
+
Ls Cp
Cs
Por otro lado, las formulas de ws y wp relacionan tres parametros. Necesitamos una tercera relaci
on
para poder resolver el sistema y encontrar los valores. Para ello asumimos que podemos medir la impedancia de un cristal real con un instrumento, de manera que Z es conocida, y esta es puramente reactiva,
o su parte real despreciable:
Z
XZ
= j
=
=
=
=
(1 w2 Cs Ls )
[w(Cp + Cs ) w3 Cp Cs Ls ]
1 w2 Cs Ls
w(Cp + Cs ) w3 Cp Cs Ls
1
w2
ws2
w(Cp + Cs )[1
w2
ws2
w(Cp + Cs )[
w2
2
wp
w3 Cp Cs Ls
w(Cp +Cs ) ]
w2
ws2
w(Cp + Cs )[1
w2
2]
wp
ws2 wp2
w2 ws2
1 wp2
=
w(Cp + Cs )[w2 wp2 ] ws2 1

1] ws2 wp2
w2 ws2
Cs Ls (Cp + Cs )
2
2
w(Cp + Cs )[w wp ] 1
Cp Cs Ls
1 w2 ws2
wCp w2 wp2
2

1
w ws2
=
wXZ w2 wp2
=
Cp
De aqu obtenemos entonces las siguientes relaciones:

r
1
ws =
Ls Cs
s
s
1 1
1
Cs
wp =
[
+
] = ws [1 +
]
Ls Cp
Cs
Cp
Cs =
Ls =
1
ws2 Ls
1
Cp (wp2 ws2 )
2

1
w ws2
Cp =
wXZ w2 wp2
Finalmente, la selectividad del cristal es el factor:w L

s s
Qc =
Rs
donde Rs = Zs medido con el respectivo instrumento.
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Ejemplo de Final
Enunciado:
Un cristal tiene una Z(jw) = j11000 en una frecuencia f = 498,66kHz. Su
frecuencia de resonancia serie es fs = 2924210Hz y la impedancia en resonancia serie fue de Zs = 15. La resonancia paralelo es de fp = 2926930Hz.
Calcular :
Cp , Cs , Ls , Rs , Q
Z(jw) = j11000
f = 498,66kHz
fs = 2924210Hz
Zs = 15
fp = 2926930kHz
Cp =
1
wXZ
ws = 2fs

2
w 2 ws
w2 wp2
wp = 2fp
Ls =
Q=
1
Cp (wp2 ws2 )
2fs Ls
Rs
Cs =
1
ws2 Ls
Rs = Zs = 15
Tenemos la frecuencia serie y la frecuencia de operacion, entonces calculamos Cp , y con este valor con
este valor podemos calcular Ls y luego Cs :
Cp = 29pF
Ls = 0,0549Hy
Cs = 0,054pF
Q = 67246,47
Un cristal no oscila ... resuena.

En cualquier oscilador el cristal se pone en reemplazo de parte del circuito tanque LC, normalmente
del componente que define la frecuencia de resonancia como el inductor Lt.
En el oscilador entonces tendr
a impedancia inductiva tal que ZC = jwLC
Oscila debido al efecto piezoelectrico. Una deformacion mecanica genera un campo electrico, y el
campo electrico genera una deformacion.
El efecto depende de las dimensiones fsicas de un cristal, particularmente su grosor, donde y c
omo
se cort
o. Estas propiedades determinan las frecuencias de resonancia serie (cuando ZC = 0) y
paralelo (cuando ZC ).
Dependiendo del punto en el que se excite entre Ws y Wp (siendo ws wp), puede comportarse en
forma inductiva o capacitiva.
Basta pensar en la curva de impedancia del cristal. Si Z > 0 (impedancia positiva) se comporta
como inductor y si Z < 0, como capacitor ya que ZC = j wC1 C .
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Final 29 de febrero de 2008
Enunciado:
Un cristal tiene una Z(jw) = j253221 en una frecuencia f = 500Hz. Su
frecuencia de resonancia serie es fs = 299741Hz y la impedancia en resonancia
serie fue de Zs = 45. La resonancia paralelo es de fp = 300213Hz. Calcular
:
Cp , Cs , Ls , Rs , Q
Z(jw) = j253221
f = 500Hz
fs = 299741Hz
Zs = 45
fp = 300213Hz
Resoluci
on
Cp =
1
wXZ
w2 ws2
w2 wp2

Ls =
1
Cp (wp2 ws2 )
Cs =
1
ws2 Ls
Rs = Zs
Q=
2fs Ls
Rs
Tenemos la frecuencia serie y la frecuencia de operacion, entonces calculamos Cp .

Cp = 1,253nF
Con este valor podemos calcular Ls y luego Cs :
Ls = 71,388mHy
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Cs = 3,95pF
Q = 2978
f = 472Hz
22
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Osciladores LC - Esquema General

Resumen
Este circuito Colpitts es de Emisor Com

un.
Los ejercicios de practica son Base Com
un y
ganancia de corriente y se ve en otro apartado
con otro circuito equivalente.
Agrupamos ro y Z2 como Z20 = ro k Z2
Z20
v10 = gm v1
Z1
Z1 + Z20 + Z3
v10
Z20
= gm Z1
v1
Z1 + Z20 + Z3
gm Z1
ro Z2
=
Z2
(r
+ Z2 )
Z1 + (rro+Z
+
Z
o
3
)
o
=
=
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gm Z1 ro Z2
Z1 (ro + Z2 ) + ro Z2 + Z3 (ro + Z2 )
gm ro Z1 Z2
ro (Z1 + Z2 + Z3 ) + Z2 (Z1 + Z3 )
Si hacemos que las impedancias sean componentes reactivos puros, entonces: Zk = jXk
v10
gm ro X1 X2
=
v1
X2 (X1 + X3 ) + jro (X1 + X2 + X3 )
Para que oscile, este cociente debe ser real a
la frecuencia de oscilacion y mayor que uno:
X1 + X2 + X3
X2
= X1 + X3
v10
gm ro X1 X2
gm ro X1 X2
=
=
>1
v1
X2 (X2 ) + jro (0)
X22
gm ro X1
>1
X2
23
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Por lo tanto, para que esto se cumpla:

Si gm > 0 (emisor com
un) y X1 y X2 son del mismo signo, y X3 de signo diferente debido a
la relaci
on X1 + X2 + X3 = 0
Si gm < 0 (base com
un) y X1 y X2 son de distinto signo, y X3 puede ser de cualquier signo.
Entonces siempre hay dos capacitivas y una inductiva (Colpitts) o viceversa (Hartley).
Osciladores reales requieren tambien de una red de polarizacion.
Los transistores tienen capacidades parasitas en su junturas que son convenientes reducir para poder
aumentar la estabilidad en frecuencia, ya que estas ademas varan con la temperatura o condiciones
de polarizaci
on.
Entonces los valores que efectivamente tienen efecto en sobre la frecuencia de alimentacion son para
el Colpitts: C10 = C1 + Cbe y C20 = C2 + Cce
Para que el efecto de Cbe y Cce sea despreciable, C1 C2 debe ser grandes, y como X1 +X2 +X3 = 0,
entonces el inductor deber
a ser muy peque
no.
Ocurre aveces que es demasiado peque
na, por lo que no hay valores comerciales. Esto se puede
arreglar agregando un capacitor serie C3 . De esta forma se obtiene una reactancia inductiva muy
peque
na de un inductor no tan peque
no.
Debido a que X3 = XL3 + XC3 0, resulta que XC3 debe ser aproximadamente igual al XL3 de
forma que esten casi en resonancia, actuando como filtro para las distorsiones.
Bibliografa
Federico Miyara: Osciladores Senoidales. Segunda Edicion. A
no 2004
UTN-FRP 2011
24
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25 de junio de 2011
Osciladores - Esquema General

Amplitud de oscilaci
on
Resumen
La amplitud de oscilaci
on queda limitada por la no-linealidad mas proxima al punto de trabajo del
circuito.
La ganancia del amplificador es mayor al tener carga mas debil en continua.

Las fuentes de alimentaci
on no tienen impedancia de salida tan baja en alta frecuencia que en
continua, por lo que la corriente oscilante producira cadas de tension oscilantes en la alimentaci
on.
Las oscilaciones en la fuente de alimentacion produce radiacion electromagnetica, ya que act
ua como
antena, que altera el funcionamiento del resto de los circuitos.
Seg
un como se haya elegido el punto de trabajo del circuito (VCEQ e ICQ ), la amplitud quedara
determinada por el corte o la saturacion.
Si en vez de una resistencia Rc se utiliza un choque, debido a que este almacena corriente y la libera
en el ciclo puesto, y que la tension en esta es la derivada de la corriente vL = L didtL , esta podra tener
tension negativa cuando la corriente es decreciente. Y la tension sobre el colector puede ser mayor
que VCC .
Si hay saturacion, sera siempre del transistor y no de la fuente.
UTN-FRP 2011
25
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UTN-FRP 2011
Analicemos este circuito con choque.

iC
(i1 + i2 )
iC
ICQ + I sin wt = ICQ + ic
vS
VSO + vs VCC + vs
Luego, estudiando el circuito en alterna queda la

inductancia del choque en paralelo con la R y podemos hallar vs .
vs = ic Z = ic R k jwL = ic |R k jwL| ej
jwRL
j(wRL)(R jwL)
= ic
= ic
R + jwL
R2 w2 L2
2
2
2
jwR L + w RL
= ic
R 2 + w 2 L2
2 2

w RL + jwR2 L j tan1 wR2 L
e
w2 RL2
= ic
R2 + w2 L2
p
(w2 RL2 )2 + (wR2 L)2 j tan1 R
wL
= ic
e
R 2 + w 2 L2
p
w2 L2 R2 (w2 L2 + R2 ) j tan1 R
wL
= ic
e
R2 + w2 L2
1 R
wLR
ej tan wL
= ic
2
2
2
R +w L
wRL
vs = iCmax sin(wt + )
2
R + w2 L2
La condicion para que el circuito no entre en

corte es que iCmin = ICQ iCmax > 0
Cuando ic (t) = ICQ el transistor comienza a
cortarse. En ese caso:
wRL
sin(wt + )
vs = ICQ
2
R + w2 L2
Para maximizar la amplitud de salida conviene que el transistor limite por saturacion en
vez de por corte.
La tension maxima sobre el transistor es cuando hay tension mnima sobre la carga.
La tension mnima alcanzada por vs debe ser
menor que la de saturacion: vSmin < VCEsat
vSmin
vSmin
= VCC ICQ |R k jwL|

wRL
= VCC ICQ
< VCEsat
2
R + w 2 L2
VCC VCEsat
ICQ >
|R k jwL|
Entonces la forma de onda resultante para

cuando la saturacion se produce antes que el
corte es la siguiente:
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no 2004
UTN-FRP 2011
26
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Estabilidad del Oscilador

Resumen
Estabilidad en frecuencia:
Se produce debido a los polos propios del amplificador, a capacidades par
asitas que introducen defasajes adicionales, derivas termicas,
efectos de dispersi
on, etc.
La condici
on de Barkhausen dice que:
a(jw)(jw) = 1
La condici
on sobre la frecuencia de oscilacion
es: arg(a(jw)(jw)) = 180
El argumento de un producto, es la suma de
los argumentos: arg(a(jw)) + arg((jw)) =
180
Si se produce una variaci
on arg(a), o mas
genericamente se deber
a producir una variaci
on arg() igual y opuesta de manera
que compense la fase de 180 . De manera que:
arg() =
Por otro lado, la fase de es dependiente
de la frecuencia, por lo tanto, una variacion
arg() lleva un cambio en la frecuencia de
oscilaci
on w0 .

arg()
arg()
SF =
=
w0
w
La derivada SF se denomina factor de estabilidad en frecuencia absoluto.

Cuanto mas alto sea este valor, menos variara
la frecuencia.
El factor de estabilidad en frecuencia relativo
es:
w0

w0 =
arg()
w
SF R = w0 SF =
w0
Calculo simplificado de SF R :
Si = A + jB, entonces arg() = tan1
Derivando:
0
B AA B
A2 +B 2
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tan1
B
A

w0
arg()
= w0
w0
w w0
B
A
1
B 0 AA0 B
2
A2
1+( B
A)
Para cumplir la condicion de oscilaci

on de
real, B debe ser cero, por lo que: w

arg() =
B0 A
B0
A2 = A
0
Finalmente: SF R = w0 BA
27
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UTN-FRP 2011
Estabilidad en amplitud:
Las causas est

an asociadas con la saturacion
y la variaci
on de par
ametros.
El oscilador se mantiene estable debido a la
resistencia din
amica negativa que disminuye
la ganancia al aumentar la amplitud.
Este proceso requiere que para conocer el punto de estabilidad se llegue a la saturacion en
determinados periodos de tiempo, agregando
un alto contenido arm
onico.
El circuito propuesto muestrea la salida de

amplitud con un rectificador con filtrado suficiente para que pueda despreciarse el ripple
y que maneje alg
un dispostivo conectado a la
red de oscilacion, como un FET actuando como resistencia variable.
La constante de tiempo es = (Ra + Rb )C
Suponiendo que << 1/f0 , tenemos que la
b
vomax
tension de regulacion es vr RaR+R
b
Se utiliza un circuito realimentado adicional.

La amplitud de salida debe ser aquella que
haga que la ganancia de lazo sea 1 y por
tanto se tengan los polos exactamente sobre
el eje imaginario.
La forma de salida debe ser senoidal con un
alto grado de pureza.
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Electr
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25 de junio de 2011
Oscilador Sintonizado por Colector

Resumen
El circuito tanque tiende a comportarse como

cortocircuito a la frecuencia de oscilacion.
Y1 = VI11 Es la admitancia vista del primario

del transformador.
La resistencia de entrada al transistor r se

incluye ya que provoca un defasaje.
Debe hallarse considerando las ecuaciones del

transformador ideal:
di1
di2
v1 = L 1
+M
dt
dt
di1
di2
v2 = M
+ L2
dt
dt
V1 = L1 sI1 + MsI2
La condici
on de oscilaci
on surge de plantear
2
el cociente: v
1
v1
I1
IC
I1
V1
Cs +
= gm Vi
= gm Vi
s
I1
V1
V2
1
Cs VI11
+1
I2
1

Cs L1 s
M2 s 2
Ri +sL2
M
I1
2
1 + sL
Ri
V2
V2
Vi
V2
+1
V2 (1 + s
gm M s
Cs [L1 s(Ri + sL2 ) M 2 s2 ] + Ri + sL2
gm M w
=
L2 w + (M 2 L1 L2 )Cw3 + jRi [L1 Cw2 1]
En la frecuencia de oscilaci
on, este cociente
debe ser real y mayor que uno. Por lo tanto:
L1 Cw02 1 = 0
w0 =
L2
)
Ri
V2
I2
V1
= MsI1 + L2 sI2 = I2 Ri
V2
=
Ri
V2
= M sI1 sL2
Ri
= M sI1
= s
M
I1
2
1 + sL
Ri
V2
M
=
= s
I1
R
Ri + sL2
i

M2 s2
=
L1 s
I1
Ri + sL2
1
L1 C
Podemos realizar la siguiente simplificacion para hacer M 2 L1 L2 = 0 :
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29
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L1 = Kn21
L2 = Kn22
M = Kn1 n2
Con esto el cociente queda:
V2
gm Ri M w0
gm Ri M
=
=
1
V1
L2 w0
L2
O lo que es lo mismo:
V2
n1
= gm Ri
1
V1
n2
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Oscilador por Rotaci

on de Fase
Resumen
Se utiliza un elemento activo inversor a, y una cascada de celulas RC que producen rotaciones de
fase que juntas como m
aximo llegan a 270 .
Pero estas celular producen un defasaje de 180 a alguna frecuencia de que sera de resonancia debido
al Critero de Barkhausen.
La salida se obtiene de la salida del elemento activo.
Vi0
Vi0
= aH1 H2 H3
Vi
Vi
H = H1 = H2 = H3
VR
R
sCR
=
=
=
1
V1
sCR + 1
R + sC
0
Vi
sCR
sCR
sCR
= a
Vi
sCR + 1 sCR + 1 sCR + 1
(sCR)3
= a
(sCR + 1)3
(sCR)3
= a
3
(sCR) + 3(sCR)2 + 3sCR + 1
(jwCR)3
(jwCR)3 + 3(jwCR)2 + 3jwCR + 1
j(wCR)3
a
j(wCR)3 3(wCR)2 + j3wCR + 1
j(wCR)3
j
a
[1 3(wCR)2 ] + j[3wCR (wCR)3 ] j
(wCR)3
a
j[1 3(wCR)2 ] [3wCR (wCR)3 ]
(wCR)3
a
(wCR)3 3wCR + j[1 3(wCR)2 ]
= a
=
=
=
=
NO DA LO MISMO QUE EN EL LIBRO Miyara.

Por mallas no me dio lo mismo.
Considerando todo como una u
nica Z =
1
sC

kR +
1
sC

kR +
1
sC

k R tampoco da lo mismo.
Un PDF de autora Lucelly Reyes llamado Oscilador por rotaci

on de fase con un subtitulo Electr
onica y microelectr
onica para cientficos. Lo resuelve por mallas y le da muy similar.
Seg
un el libro Miyara es :
Vi0
a(wCR)3
=
Vi
(wCR)3 5wCR j[6(wCR)2 1]
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31
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UTN-FRP 2011
Para que el circuito oscile debe ser real y mayor que uno, entonces:
1
6(w0 CR)2 1 = 0
w0 =
6RC
A esa frecuencia el cociente sera:
1
CR)2
a( 6RC
a 16
a
Vi0
a(w0 CR)3
=
=
=
=
1
1
Vi
w0 CR[(w0 CR)2 5]
29
5
[( 6RC CR)2 5]
6
El circuito oscilara si esta ganancia es mayor que 1, es decir si a > 29

Por lo tanto sera un amplificador inversor con ganancia mayor a 29.
Factor de estabilidad de frecuencia relativa:

6(wRC)2 1
arg() = tan1
(wRC)3 5(wRC)

1
B 0 A A0 B

arg
=

2

w
A2
1 + (B
w0 ,B=0
A)
SF R =
12
= 1,0135 1
6[ 61 5]
w0 ,B=0
SF R
12RC(wRC)
= w0
(wRC)3 5wRC
1
12RC(wRC)
=
6RC (wRC)3 5wRC
12
=
6[(wRC)2 5]
Este resultado significa que una variacion de fase

de 1[rad] produce una variacion relativa de 100 %
en la frecuencia, o equivalente, una variaci
on de
1 produce cerca del 2 % de variacion de frecuencia.
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Oscilador por Puente de Wien

Resumen
Su estabilidad en frecuencia es pobre, haciendolo inviable para aplicaciones de precision.
Se sustituye la red de rotaci
on de fase por el
Puente de Wien.
De la figura se observa que la salida es la diferencia de dos tensiones de dos divisores. Uno
dependiente de la frecuencia y el otro no.
1
R4 sC
V2
Vi
= a
= a
Z4
=a
Z3 + Z4
R3 +
1
R4 + sC
1
sC3
1
R4 sC
V1
R2
=a
Vi
R1 + R2
1
R4 + sC
sR4 C3
s2 R3 C3 R4 C4 + s(R3 C3 + R4 C4 + R4 C3 ) + 1
Vi0
V2 V1
=
=a
Vi
Vi
R2
sR4 C3
2
s R3 C3 R4 C4 + s(R3 C3 + R4 C4 + R4 C3 ) + 1 R1 + R2
Reemplazamos s = jw
Vi0
V2 V1
=
=a
Vi
Vi
jwR4 C3
j
R2
jw(R3 C3 + R4 C4 + R4 C3 ) w2 R3 C3 R4 C4 + 1 j
R1 + R2
Vi0
V2 V1
=
=a
Vi
Vi
R2
wR4 C3
2
w(R3 C3 + R4 C4 + R4 C3 ) j[w R3 C3 R4 C4 + 1] R1 + R2
Para que oscile, este cociente debe ser real y mayor que uno.
w2 R3 C3 R4 C4 + 1 = 0
Vi0
=a
Vi
UTN-FRP 2011
w0 =
1
1
1
= =
R3 C3 R4 C4

R4 C 3
R2
R4 C 3
R2
=a
+ + R4 C3
R1 + R2
2R3 C3 + R4 C3
R1 + R2

R4
R2
1
2R3 + R4
R1 + R2
a
33
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Inestabilidad debido a los polos del amplificador:

Lugar de races del oscilador ideal.
Y lugar de races del oscilador con 3 polos agregados
por el amplificador, uno de ellos dominante y dos de
alta frecuencia.
Si la ganancia en continua del amplificador es lo
suficientemente grande, se tendr
an dos modos naturales de oscilaci
on. Por lo cual, la salida sera
vo = A1 ea1 t sin w1 t + A2 ea2 t sin w2 t.
Cuando se alcance la saturacion las amplitudes se
acomodaran en dos senoidales.
La amplitud de la senoidal de alta frecuencia suele
ser mas peque
na.
La magnitud relativa de la oscilacion parasita es
mayor cuando la principal pasa por cero.
Factor de estabilidad de frecuencia relativa:
(s)
Vi0
=a
Vi
arg (jw)
w
arg
w
R2
sR4 C3
s2 2 + s(2 + R4 C3 ) + 1 R1 + R2
!
R1
1 2 w2 + j(2 R
)
w
2
1 2 w2 + j3 w

A + jB
arg
w
A + jD
Por condici
on de oscilaci
on, para que el interior sea real, A = 0, que se reemplazara despues de derivar.
arg (jw) =
arg (A + jB)
arg (A + jD)
w
w
w
0
0

B A BA0
D A DA0
=
arg
arg
w
A2 + B 2
w
A2 + D 2
arg (jw)
w
SF R
A0
A0
+
B
D
2 2 w0
2 2 w0
=
+
R1
3 w0
(2 R2 ) w0
!
1
1
= 2
R1
3
2 R2
!
1
1
= w0 2
1
3
2 R
R
=
UTN-FRP 2011
1
1
2 R
R2
Se puede concluir que mientras mas proximo sea el

valor de R1 a 2R2 , mayor sera el valor de SF R
MAGICA
ALERTA DEDUCCION
pagina 29, formula 90 del Miyara.
2
SF R a
9
De esto se concluye que la estabilidad en frecuencia
del oscilador, esta limitada solamente por la ganancia finita a del amplificador empleado.
34
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Puente de Wien controlado con FET para estabilidad en amplitud:

Para que el FET funcione en su zona de resistencia controlada por VGS , su tension VDS
debe ser baja, tipicamente menor que 1V, para lo cual:
R2
vomax << 1V
R1 + R2
Como consecuencia, a la entrada del amplificador habr
a una tension baja, y la ganancia
de la parte inversora del operacional debe ser
alta.
Recordando la condici
on de oscilacion, y al ser
a >> 1, podemos aproximar:
R20
R4
2R3 + R4
R1 + R20
1
0
a
R20
R4
>
2R3 + R4
R1 + R20
donde R20 = R2 k rDS
El capacitor C 0 es aveces necesario para estabilizar el lazo de control de ganancia.
Entonces, una soluci
on para la condicion de
oscilaci
on es disminuir ambos terminos haciendo R4 << 2R3 , y: R20 << R1
Calculo de la amplitud de oscilaci

on:
FALTA PASAR Leer del apunte Miyara, pagina 40
UTN-FRP 2011
A medida que la tension comienza a aumentar, la tension VGS se hace mas negativa ya
que el rectificador toma los semiciclos negativos. Aumentando as la rDS , con lo cual el
valor efectivo de R20 aumenta.
Entonces los polos descienden hacia estar sobre el eje imaginario, en la cual se alcanza la
primer igualdad.
La curva de entrada-salida es ahora una funcion recta, casi perfectamente lineal cuya pendiente va variando lentamente seg
un la amplitud variable de la salida.
El peque
no ripple a la salida del rectificador provoca una leve variacion de rDS que se
transmite a la resistencia R20
Cuanto mayor sea la constante de tiempo, mayor sera la variacion, pero tambien sera mayor
el tiempo requerido para que alcance el valor
deseado.
35
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Puente de Wien controlado:
Controlado por termistores:

Sustituyendo R1 o R2 por resistencias variables con la temperatura.
Al aumentar la amplitud de salida aumenta la
corriente, por lo tanto aumenta la disipacion
de potencia y la disipaci
on de temperatura.
La variaci
on de la resistencia puede ser positiva (como en cualquier resistencia, reemplazando R2 ) o negativa (como en un termistor
semiconductor, reemplazando R1 ).
Requieren de una corriente relativamente alta para lograr una variaci
on apreciable de las
resistencias. Esto puede solucionarse con un
seguidor de emisor a la salida.
Controlado por elementos no-lineales:

Reemplazar R1 por un elemento no lineal.
Como las ventajas del Oscilador Puente de
Wien se presentan con ganancia alta, se utiliza
normalmente con operacionales, cuya saturacion es muy brusca. El uso de elementos con
alinealidad mas gradual, mejora la forma de
onda, reduciendo la ganancia en forma suave.
La inestabilidad se apenas la necesaria para
que el oscilador pase de inestabilidad a estable, ya que se elije R10 de modo que cuando los diodos conducen, la resistencia efectiva
R100 = R1 k R10 hace que no se cumpla la condicion de oscilacion.
Cuando los diodos no conducen, la resistencia
efectiva es R100 = R1 y se elije de forma que
cumpla siempre la condicion de oscilaci
on.
La alinealidad es suave ya que los diodos no
comienzan a conducir repentinamente si no en
forma gradual.
Bibliografa
no 2004
UTN-FRP 2011
36
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Oscilador Pierce a Cristal

Resumen
Es un tipo Colpitts donde se reemplaza
el inductor por un cristal piezoelectrico.
Dado que la frecuencia de oscilacion deber
a ser tal que se cumpla X1 + X2 + X3 = 0,
y debido a que el inductor se comporta inductivamente solo entre las frecuencias ws y
wp que son aproximadamente iguales, podemos entender que la frecuencia de oscilacion
sera altamente determinada por la impedancia ZC del cristal.
1
1
+
= ZC (w0 )
w0 C1
w0 C2
1
ws < w0 < wp
w0 =
LC
La frecuencia exacta de oscilacion sera cuando

la impedancia capacitiva se iguala a la inductiva:
X(w0 ) =
A la frecuencia de oscilacion, el cristal

tendr
a impedancia inductiva (LC ).
Bibliografa
Luego se contin
ua con los mismos pasos vistos
para los circuitos anteriores.
v0
Hallar vgs
hacer la parte imaginaria igual a
gs
cero y despejar w0 .
Federico Miyara: Osciladores Senoidales.

Segunda Edicion. A
no 2004
Herbert L. Krauss, Charles W. Bostian, Frederik H. Raab: Estado solido en ingeniera
de radiocomunicaci
v0
Hallar gm para cuando vgs

1, sabiendo que
gs
para casos practicos se puede considerar yf s =
gm + j0.
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37
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Oscilador Hartley a Cristal

Resumen
Es un tipo Hartley donde se reemplaza uno
de sus inductores por un cristal piezoelectrico,
y el otro por un circuito sintonizado (tanque
LC) funcionando inductivamente.
El circuito tanque brinda reactancia inductiva
a la frecuencia del cristal.
El circuito tanque tambien filtra las componentes arm
onicas debidas a la saturacion del
FET.
La inductancia variable se realiza por medio
de un n
ucleo de ferrite enrroscable a profundidad variable.
La capacidad que se usa es la capacidad
par
asita del transistor.
Bibliografa
no 2004
UTN-FRP 2011
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Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Oscilador Colpitts Generalizado

Resumen
Vi0
Vi
Z
Vi0
Vi
= gm Z2 k [Z3 + Z1 ]
1
R
1
=
1
sC
sC R + sC
R
=
sCR + 1
R1
R2
k [sL3 +
]
= gm
sC2 R2 + 1
sC1 R1 + 1
R1 + s2 C1 R1 L3 + sL3
R2
k[
]
= gm
sC2 R2 + 1
sC1 R1 + 1
= Rk
=
=
=
La resistencia R1 agrupa las resistencias de

entrada y de polarizacion.
VER: Este desarrollo puede estar mal, pero ser coincidente. Debera ser: Vi0 =
Z1
gm Vi Z2 Z1 +Z
2 +Z3
R2
R1 +s2 C1 R1 L3 +sL3
]
sC2 R2 +1 [
sC1 R1 +1
gm R
2 C R L +sL
R
+s
2
1
1 1 3
3
]
sC2 R2 +1 + [
sC1 R1 +1
R1 + s2 C1 R1 L3 + sL3
1
R2
[
]
R1 +s2 C1 R1 L3 +sL3 sC R + 1
sC1 R1 + 1
+[
] 2 2
sC1 R1 +1
R2 [R1 + s2 C1 R1 L3 + sL3 ]
gm
R2 (sC1 R1 + 1) + [(R1 + s2 C1 R1 L3 + sL3 )(sC2 R2 + 1)]
s2 C1 R1 R2 L3 + sR2 L3 + R1 R2
gm
sC1 R1 R2 + R2 + sC2 R2 R1 + R1 + s3 C1 R1 L3 C2 R2 + s2 C1 R1 L3 + s2 C2 R2 L3 + sL3
s2 C1 R1 R2 L3 + sR2 L3 + R1 R2
gm 3
s [C1 R1 L3 C2 R2 ] + s2 [C1 R1 L3 + C2 R2 L3 ] + s[C1 R1 R2 + C2 R2 R1 + L3 ] + [R2 + R1 ]
s2 C1 R1 R2 L3 + sR2 L3 + R1 R2
gm 3
s [C1 R1 L3 C2 R2 ] + s2 L3 [C1 R1 + C2 R2 ] + s[L3 + R1 R2 (C1 + C2 )] + R2 + R1
= gm
=
La resistencia R2 agrupa las resistencias de

carga y salida de cualquier implementacion.
R2
sC2 R2 +1
Se puede simplificar el numerador sabiendo que las impedancias de R1 y de R2 son de mucho mayor
magnitud que sL3 o que sC1 1 y sC1 2 . Entonces R1 >> w01C1 y R2 >> w01C2
Vi0
gm R1 R2
= 3
Vi
s [C1 R1 L3 C2 R2 ] + s2 L3 [C1 R1 + C2 R2 ] + s[L3 + R1 R2 (C1 + C2 )] + R2 + R1
Los terminos con exponente impar, seran los imaginarios. Reemplazamos s = jw0 e igualamos a
cero para hacer el cociente real:
s3 [C1 R1 L3 C2 R2 ] + s[L3 + R1 R2 (C1 + C2 )] jw0 [L3 + R1 R2 (C1 + C2 ) w02 (C1 R1 L3 C2 R2 )] = 0
s
s
L3 + R1 R2 (C1 + C2 )
1
(C1 + C2 )
w0 =
=
+
C1 R1 L3 C2 R2
C1 R1 C2 R2
C1 L3 C2
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39
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Continuando con la simplificaci

on mencionada:
s
(C1 + C2 )
1
w0 =
=p
C1 L3 C2
L[C1 k C2 ]
Vi0
(jw0 )
Vi
=
=
=
=
=
=
gm
gm R1 R2
R2 + R1 w02 L3 [C1 R1 + C2 R2 ]
gm R1 R2
R2 + R1
(C1 +C2 )
C1 L3 C2 L3 [C1 R1
Realizando un cambio de variable x =

el resultado anterior graficamos:
1
x
+
gm
xR2
R1
C2
C1
en
+ C2 R2 ]
gm R1 R2
2)
2)
R2 + R1 [R1 (C1C+C
+ R2 (C1C+C
]
2
1
gm R1 R2
C2
1
R2 + R1 [R1 C
C2 + R1 + R2 C1 + R2 ]
gm R1 R2
C2
1
R1 C
C2 + R2 C1
gm
1 C1
1 C2
R2 C2 + R1 C1
1 C1
1 C2
+
R2 C2
R1 C 1
El rango de valores de x =
produzca la oscilacion, es:
x2 R2 + R1
xR2 R1
x2 R2 + R1
2
x R2 gm xR2 R1 + R1
C2
C1
para que se
gm
gm xR2 R1
Usando la resolvente para esta inecuaci

on
cuadratica obtenemos:
1
x1 x x2 gm R1
gm R2
Todos los valores de este intervalo hace que el circuito oscile.
Se prefieren los valores limites ya que dan ganancia mas proxima a 1.
Conviene utilizar el extremo que proporcione mayor Q, que produce un pico de resonancia mas
agudo, ya que as sera mayor la estabilidad en frecuencia.
Bibliografa
no 2004
UTN-FRP 2011
40
Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
VCO a VARICAP
Resumen
El comportamiento de los diodos Varicap depende de la formaci

on en la zona de la union.
Tension Maxima = Capacidad mnima

Tension mnima = Capacidad Maxima
Las capas P y N est

an separadas por esta
uni
on llamada zona de empobrecimiento D
desprovista de cargas electricas, por lo que se
comporta como un aislante (dielectrico).
Se polarizan inversamente. Tension positiva
sobre el catado.
Los valores de capacidad van de 1 a 500 pF
Al aumentar la tension inversa aplicada aumenta el grosor de la uni
on D y por tanto la
capacidad.
df0
df0 dCV
KV CO =
=
dV
dCV dV
Cs 0,7 Vs
=
8 L[CT (0,7 V )]3/2
f0 =
2 LCT
CT = COSC + CV

CV = Cs
0,7 Vs
0,7 V
n
donde Cs es la capacidad del varicap a una

polarizaci
on Vs ,
V es la tension aplicada en polarizacion inversa,
y n = 1/2 si la juntura del diodo es abrupta
o n = 1/3 si es gradual.
UTN-FRP 2011
41
Jacobi Diego Matas
df0
dCV
=
=
=
=
=
UTN-FRP 2011

1
2 LCT
i
1
d h p
LC
2
T
(2 LCT )2 dCV
i
d hp
f02 2
LCT
dCV
1
d
f02 2 (LCT )1/2
[LCT ]
2
dCV
2
L
f02
LCT 2
d
dCV
dCV
dV
= 2 2 Lf03
KV CO =
=
=
=
=
=
n
0,7 Vs
0,7 V
d
n
Cs (0,7 Vs )n
[0,7 V ]
dV
n1
Cs (0,7 Vs )n (n) [0,7 V ]
(1)
n

0,7 Vs
1
[0,7 V ]
nCs
0,7 V
nCV
0,7 V
d
Cs
dV
df0 dCV
nCV
(0,7 Vs )n
nCV
1
1
nC
= 2 2 Lf03
= 2 2 L
=
L
s
3/2
dCV dV
0,7 V
(0,7 V )n+1
(2 LCT )3 (0,7 V )
4L3/2 C
T
Para n = 1/2:
KV CO
Cs 0,7 Vs
0,7 Vs
1
=
= LCs
3/2
3/2
8 L[CT (0,7 V )]3/2
8L LCT (0,7 V )
El signo negativo indica que al incrementar la tension de error, se reducira la frecuencia de salida.
Las redes Rf Cf proveen de filtros para la alimentacion que tienen alta impedancia a la frecuencia
de operaci
on.
El gate a tierra presenta mayor estabilidad en frecuencia.
La red de control de frecuencia consiste en dos parte. Una es controlada por la tension de error del
PLL, o ajuste fino, mientras que la otra se utiliza para llevar la frecuencia libre del VCO al rango
de captura.
Para el estudio se desconecta la influencia del segundo varicap.
Bibliografa
Fuentes varias en Internet
Resumen de fuente desconocida
UTN-FRP 2011
42
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
VCXO con VARICAP

Resumen
Los VCXO no son ampliamente utilizados en
sintetizadores debido a que no puede ser sintonizado sobre una amplia gama de frecuencias.
Su gran estabilidad es su ventaja.
El cristal se pone en lugar del inductor, funcionando a una frecuencia intermedia.
A la frecuencia w0 el cristal es supuesto de tener una impedancia inductiva y una peque
na
componente resistiva.
El varicap se conecta en serie con el cristal
para variar la frecuencia de operacion.
Una alta impedancia debe conectarse entre la
entrada de tension de sintonia y el varicap, de
modo que no afecta la polarizacion del circuito. Se puede usar una resistencia grande, o un
choque.

n
0,7 Vs
CV = Cs
0,7 V
Para hacer oscilar en un sobretono del cristal,
se coloca un filtro paralelo RC en el colector
sintonizado a una frecuencia impar del cristal.
Una carga muy grande puede hacer que el cristal se caliente, generando mayor desgaste en
el tiempo y haciendo que la frecuencia baje
ligeramente.
Bibliografa
Fuentes varias en Internet
UTN-FRP 2011
43
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
VCXO con VARICAPs

Espalda con Espalda
Resumen
El cristal se comporta inductivamente a una
frecuencia entre ws y wp .
El transformador y la capacidad variable se
pueden ajustar de forma que la impedancia
vista por el circuito sea inductiva o capacitiva,
pudiendo variar as la frecuencia de oscilacion.
El circuito de capacidad variable consiste en
2 varicaps espalda con espalda, 2 capacitores
de acople, 2 capacitores de acople que aslan la
continua y limitan la variaci
on de los varicaps.
A muy alta frecuencias las R se reemplazan
por choques. Los varicaps quedan desconectados de la continua y de la tierra. Estos quedan
en serie con la impedancia inductiva del cristal
y el primario del transformador.
gm Vi Z1 VI11
I1 =
Z1 + sLC + sCV1 /2 + VI11
V1
= L1 sI1 + MsI2
V2
= MsI1 + L2 sI2 = I2
= sCq V2
I2
Vi0 = V2
= M sI1 s2 L2 Cq V2 =
=
1
sCq
sM
I1
[1 + s2 L2 Cq ]
gm Vi Z1 VI11
sM
[1 + s2 L2 Cq ] Z1 + sLC + sC 1 /2 +
V
V1
I1
L1 s+s3 (L1 L2 Cq M 2 Cq )
1+s2 L2 Cq
L1 s+s3 (L1 L2 Cq M 2 Cq )
sCV /2 +
1+s2 L2 Cq
gm Vi Z1
sM
2
[1 + s L2 Cq ] Z1 + sLC + 1
V1
I1
0
= L1 s + M s
= M sI1 + L2 sI2 + I2
I2
I1
Para la condici
on de oscilaci
on terminamos por evaluar:

Vi0
>1
Vi w0
V1
I1
= L1 s
=
1
sCq
sM
s2 M Cq
=
1 + s2 L2 Cq
sL2 + sC1 q
Luego continuamos por separar los terminos impares de s y

reemplazar s = jw0 , despejando la frecuencia de resonancia w0 .
UTN-FRP 2011
I2
I1
s3 M 2 Cq
1 + s2 L2 Cq
L1 s + s3 (L1 L2 Cq M 2 Cq )
1 + s2 L2 Cq
44
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
no de un oscilador Colpitts.
Resumen
Enunciado:
Encontrar:
Re , re , RE , R1 , R2 , Rp , C1 , C2 , Cf , CC , CB , PT
PL = 30mW
RL = 4000
fo = 3,5M Hz
Lt = 1,5H
Qc = 160
= 50
Co = 4pF
VCC = 20V
Red de alterna
Procedimiento de dise
no practico para cargas de alta resistencia.
Para que inicien las oscilaciones, la ganancia debe ser mayor que min . Pero con los transistores
modernos es difcil no encontrar uno que cumpla estas caractersticas siempre que la frecuencia de
operaci
on sea fo = f2T y que la Rt > 1000.
Por otro lado la eficiencia del oscilador colpitts es de 25 %, entonces debemos elegir un transistor
que disipe al menos cuatro veces la potencia que se desea.
PT = 4PL = 120mW
fT = 2fo = 7M hz
El inductor RFC es un choque de RF que evita que RE disipe potencia en regimen de alterna. Por
ello este inductor es tan grande como se pueda.
RF C
Los capacitores CB y CC se comportan como cortocircuito en RF. El primero manda la base a tierra,
y el segundo es un capacitor de acoplamiento de baja impedancia que evita corrientes continuas en
la carga. Por tanto, son valores grandes.
CB = CC = 3,3nF
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45
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
La resistencia Re debe hacerse lo suficientemente grande (Re 100) para eliminar la inductancia
de entrada del transistor, y as reducir la dependencia de la frecuencia de operacion respecto de los
par
ametros del transistor a costo de una perdida de potencia en RF. Elegimos:
Re = 50
La inductancia Lt se puede calcular, dar como dato o simplemente elegir, ya que usualmente resulta
en valores tan peque
nos que no existen tantos valores comerciales para seleccionar. Por esa raz
on, si
debe se elegida se suele elegir Lt = 1,2H, acompa
nado de un Q = 50. Pero no es este caso. Aqu:
Lt = 1,5H
Qc = 160
El capacitor Ct es la capacitancia total del circuito tanque (el de realimentacion), que esta relacionado con Lt por:
1
Ct = 2 = 1,378nF
w0 Lt
Ct = Co + Cs + Cf
El capacitor Cf es un capacitor de ajuste que se coloca en el circuito tanque para variar la frecuencia
de operaci
on. Por tanto se debe elegir en el rango de un capacitor variable comercial:
Cf = 10pF [2 a 20pF ]
Co es la capacitancia de salida del transistor Co Cob en el circuito equivalente de alterna, que
queda en paralelo con la salida. Suele estimarse de unos pocos picofaradios.
La capacidad Cs no es mas que el paralelo de C1 y C2 . Con esta se calculan luego los valores de
ambos.
Cs = Ct Co Cf = 1,378 0,004 0,01 = 1,364nF
Cs = C1 k C2 =
C1 C2
C1 + C2
El transistor en un oscilador Colpitts en base com

un se comporta como una fuente de corriente
paralelo. Entonces la combinaci
on de las resistencias en paralelo del circuito equivalente es Ro =
Rp k N 2 Ri k RL , en donde Ri = Re + rc .
Para que exista una m
axima transferencia de energa, la RL debe estar acoplada a la salida del
circuito paralelo del oscilador, por tanto, RL = Rp k N 2 Ri , lo que implica que:
Ro = RL k RL =
RL
= 2000
2
Luego la potencia m
axima entregada a la carga es:
PLmax =
2
ICQ
RL
8
y la potencia suministrada por la fuente:

2
2
Pdc = ICQ
Ro = ICQ
RL
2
lo que recordando, nos da una eficiencia de

=
UTN-FRP 2011
2
ICQ
RL
PLmax
2
2
1
=
= = = 25 %
2
Pdc
8
ICQ RL
8
4
46
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
De la PLmax , que es un par

ametro de dise
no, podemos despejar ICQ :
r
8PL
ICQ =
= 7,74mA
RL
La resistencia serie rc de la bobina Lt es importante en la operacion del circuito y se la incluye
definiendo una resistencia paralelo Rp = Q2c rc . Por otro lado si este dato no es dado como en este
ejercicio, la rc se puede estimar con:
rc
1
= 3,23
40ICQ
Teniendo la resistencia serie rc del bobinado y la selectividad deseada Qc , se puede calcular la

resistencia paralelo equivalente:
Rp = Q2c rc = 12,8k
Ri = Re + rc = 50 + 3,23 = 53,23
El Qc determina a Rp , que junto con Ri determinaran ahora a N . El Qc debe ademas medirse

directamente del inductor que se va a usar.
El N es el an
alogo de raz
on de vueltas de un transformador pero en el divisor capacitivo de C1 y
C2 . Y queda dado por:
s
RL Rp
N=
= 10,45
Ri (Rp RL )
Observese que Rp debe ser mayor que RL .
Finalmente, los valores de Cs y N determinan a C1 y C2 .
C1 =
N Cs
= 1,51nF
N 1
C2 = N Cs = 14,33nF
Para facilitar el ajuste del circuito, C1 se constituye a menudo como un capacitor variable.
En este procedimiento se han supuesto una operacion lineal del transistor, y voltajes y corrientes
sinusoidales. Se ignoraron ademas muchos parametros del transistor. Sin embargo, el procedimiento dar
an
oscilaciones que funcionan.
Red de polarizaci
on
Los datos que tenemos son:
VCC = 20V
ICQ = 7,74mA
RL = 4000
Re = 50
Y las inc
ognitas:
RE , VCBQ , VBQ , VBB , Rb , R1 , R2
Planteamos las ecuaciones de las mayas en continua:
VBB = IBQ Rb + VBEQ + ICQ (Re + RE )
VCC
UTN-FRP 2011
= ICQ rc + VCEQ + ICQ (Re + RE )
47
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
La RE solo es valida en el an
alisis de continua ya que esta precedida por un choque de RF que la
desconecta del an
alisis de alterna. Hallamos esta resistencia despejando el valor de la segunda malla
y considerando a rc despreciable:
VCC VCEQ
Re
RE =
ICQ
VCC (VCBQ + 0,7)
=
Re
ICQ
RL
VCBQ = ICQ Ro = ICQ
= 15,5V
2
RE = 441
La resistencia de base del circuito equivalente de Thevenin Rb = R1 k R2 puede aproximarse por:
Rb
Re + RE
= 2455
10
La tensi
on de base equivalente de Thevenin es entonces:
VBB =
ICQ
Rb
Rb + 0,7 + ICQ (Re + RE ) = ICQ (
+ Re + RE ) + 0,7 = 4,886V
Utilizando divisor resistivo en el circuito de base llegamos a las expresiones de R1 y R2 :

VBB = VCC
R2
R1 + R2
VBB
R2
R1 k R2
Rb
=
=
=
VCC
R1 + R2
R1
R1
VCC
= 10k
VBB
1
= 3248
R2 = Rb
1 VVBB
CC
R1 = Rb
La potencia total suministrada puede calcularse entonces con:

Pdc = VCBQ ICQ = 0,11997W 120mW
Bibliografa
UTN-FRP 2011
48
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
Ejemplo de alg
un final
Enunciado:
Dise
ne un oscilador Colpitts que entregue 30mW a una carga
de 4k en 3,5M hz. El oscilador usara una bobina de 1,5Hy
con un Qc = 160 y un transistor con = 50 y Co = 4pF . Debe
operar con una alimentaci
on VCC = 20V . Especificar todos
los resistores y capacitores, determinando las tasas mnimas
de potencia y frecuencia.
PL = 30mW
RL = 4000
fo = 3,5M Hz
Lt = 1,5H
Qc = 160
= 50
Co = 4pF
VCC = 20V
Red de alterna
Realizamos el calculo para Rt > 1000
Potencia disipada por el transistor: PT = 4PL = 120mW
Frecuencia soportada por el transistor: fT = 2fo = 7M hz
Elegimos: RF C
Elegimos: CB = CC = 3,3nF
Elegimos: Re = 50
La inductancia esta dada: Lt = 1,5Hy y su Qc = 160
Calculamos la capacidad de circ. tanque: Ct =
1
w02 Lt
= 1,378nF
Elegimos Cf como: Cf = 10pF [2 a 20pF ]

El Co esta dado: Co = 4pF
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Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Calculamos Cs = Ct Co Cf = 1,364nF
axima transferencia de energa:
Ro =
RL
= 2000
2
Luego la potencia m
PLmax =
Despejamos: ICQ =
8PL
RL
2
ICQ
RL
8
= 7,74mA
La resistencia serie de la bobina es rc
1
40ICQ
= 3,23
Calculamos la resistencia paralelo equivalente: Rp = Q2c rc = 12,8k

La resistencia de entrada equivalente: Ri = Re + rc = 53,23
q
R Rp
= 10,45
Y con estos calculamos la raz
on de vueltas : N = Ri (RLp R
L)
N Cs
= 1,51nF
N 1
C1 =
C2 = N Cs = 14,33nF
Se han supuesto una operaci

on lineal del transistor, y voltajes y corrientes sinusoidales. Se ignoraron
ademas muchos par
ametros del transistor. Sin embargo, el procedimiento dara oscilaciones que funcionan.
Red de polarizaci
on
VBB
= IBQ Rb + VBEQ + ICQ (Re + RE )
VCC
= ICQ rc + VCEQ + ICQ (Re + RE )
Calculamos: VCBQ = ICQ R2L = 15,5V

Calculamos: RE =
VCC VCEQ
ICQ
Re =
VCC (VCBQ +0,7)

ICQ
Re = 441
E
= 2455
La Rb puede aproximarse por: Rb Re +R
10
La VBB es entonces: VBB =
ICQ
Rb
+ 0,7 + ICQ (Re + RE ) = ICQ ( Rb + Re + RE ) + 0,7 = 4,886V
Calculamos R1 y R2 con las formulas:

R1 = Rb
VCC
= 10k
VBB
R2 = Rb
1
1
VBB
VCC
= 3248
Calculamos: Pdc = VCBQ ICQ = 0,11997W 120mW
Bibliografa
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Electr
onica Aplicada 3
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Dise
Ejemplo de alg
un final
Enunciado:
Encontrar:
Re , re , RE , R1 , R2 , Rp , C1 , C2 , Cf , CC , CB , PT
PL = 100mW
RL = 2000
fo = 8M Hz
Lt = 5Hy
Qc = 260
= 150
Co = 4pF
VCC = 24V
Red de alterna
Realizamos el calculo para Rt > 1000
Elegimos: RF C
Elegimos: Re = 100
La inductancia esta dada: Lt = 5Hy y su Qc = 260
1
w02 Lt
= 79,16pF

UTN-FRP 2011
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Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Calculamos Cs = Ct Co Cf = 65,16pF
Ro =
RL
= 1000
2
Luego la potencia m
PLmax =
Despejamos: ICQ =
8PL
RL
2
ICQ
RL
8
= 20mA
1
40ICQ
= 1,25
Calculamos la resistencia paralelo equivalente: Rp = Q2c rc = 84,5k

q
R Rp
= 4,498
L)
C1 =
N Cs
= 83,78pF
N 1
C2 = N Cs = 293,09pF

ademas muchos par
Red de polarizaci
on
VBB
IBQ Rb + VBEQ + ICQ (Re + RE )
VCC
ICQ Rp + VCEQ + ICQ (Re + RE )
Calculamos: VCBQ = ICQ R2L = 20V

Calculamos: RE =
VCC VCEQ
ICQ
Re =
VCC (VCBQ +0,7)

ICQ
Re = 265
E
= 5475
10
ICQ
Rb
+ 0,7 + ICQ (Re + RE ) = ICQ ( Rb + Re + RE ) + 0,7 = 8,73V

R1 = Rb
VCC
= 15k
VBB
R2 = Rb
1
1
VBB
VCC
= 8605
Bibliografa
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Jacobi Diego Matas
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Electr
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25 de junio de 2011
Dise
Ejemplo 5.5.1 del Krauss
Enunciado:
Dise
de 5371 en 10M hz. Debe operar con una alimentacion de
17V . Especificar todos los resistores y capacitores, determinando las tasas mnimas de potencia y frecuencia.
PL = 15mW
RL = 5371
fo = 10M Hz
VCC = 17V
Este procedimiento se obtiene del ejemplo del libro y se trato
de desarrollar mas prolijamente, pero esta basado en muchas
suposiciones y estimaciones de origen emprico.
Red de alterna
Realzamos el calculo para Rt > 1000
Elegimos un transistor 2N3866
Elegimos: Re = 44
Calculamos estimativamente la inductancia primero debido a que es el elemento mas difcil de
obtener comercialmente a estos valores.
Lt =
Ro
= 855nHy
50wo
Lt = 1,2Hy
Con un medidor de R-X encontramos que el inductor tiene un Qc = 150

UTN-FRP 2011
53
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
1
w02 Lt
= 211pF

Elegimos: Co = 4pF
Calculamos Cs = Ct Co Cf = 197pF
Ro =
RL
= 2686
2
Luego la potencia m
PLmax =
Despejamos: ICQ =
8PL
RL
2
ICQ
RL
8
= 4,7mA
1
40ICQ
= 5,3
Calculamos la resistencia paralelo equivalente: Rp = Q2c rc = 119250

q
R Rp
= 14,4
L)
C1 =
N Cs
= 218pF
N 1
C2 = N Cs = 2923pF

ademas muchos par
Red de polarizaci
on
Elegimos RE = 700.
Suponemos un = 50.
Suponemos una corriente de drenaje en R2 de 1mA.
La R1 es entonces 12k y la R2 = 3,7k.
VBB
IBQ Rb + VBEQ + ICQ (Re + RE )
VCC
Bibliografa
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54
Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
Final 19 de julio de 2002
Enunciado:
Dise
de 3,3k en 20M hz. El oscilador usara una bobina de 2,7Hy
con un Qc = 120 y un transistor con = 70 y Co = 2pF .
Debe operar con una alimentaci
on de 35V . Especificar todos
los resistores y capacitores, determinando las tasas mnimas
de potencia y frecuencia.
PL = 250mW
Qc = 120
RL = 3300
= 70
fo = 20M Hz
Co = 2pF
Lt = 2,7Hy
VCC = 35V
Red de alterna
Realzamos el calculo para Rt > 1000
Elegimos: RF C
Elegimos: Re = 50
La inductancia esta dada: Lt = 2,7Hy y su Qc = 120
1
w02 Lt
= 23,45pF

Calculamos Cs = Ct Co Cf = 11,45pF
axima transferencia de energa: Ro =
Luego la potencia m
axima entregada a la carga es: PLmax =
UTN-FRP 2011
RL
2
= 1650
2
ICQ
RL
55
Jacobi Diego Matas
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Despejamos: ICQ =
8PL
RL
= 24,6mA
Este ejercicio es algo particular. Si nos conformamos con este valor de ICQ , la RE dara negativa.
Para que esto no ocurra, a partir de la primer malla encontramos RE y despejamos la condici
on:
ICQ VCC 0,725
= 14,27mA
RL
Re +
Con este valor de corriente y recalculando la R de carga optima, la RE sera nula.

Eligiendo este valor deberemos realizar una adaptacion de impedancias para llevar la RL a una
Rmin = I 28PL = 9821 de forma de poder entregar la potencia requerida.
CQmax
Calculamos la adaptaci
on por transformador a la salida con relacion de vueltas M
Rmin
RL
1,725, que redondeamos a M = 2, entonces R = M RL = 13,2k

q
Finalmente recalculamos el valor final de ICQ = 8PRL = 12,3mA
1
40ICQ
= 2
Calculamos la resistencia paralelo equivalente: Rp = Q2c rc = 29268

La resistencia de entrada equivalente: Ri = Re + rc = 52
q
R Rp
= 8,457
L)
C1 =
N Cs
= 12,986pF
N 1
C2 = N Cs = 96,83pF

ademas muchos par
Red de polarizaci
on
VBB = IBQ Rb + VBEQ + ICQ (Re + RE )
VCC
Calculamos: VCBQ = ICQ R2 = 81,18V
HACER: Me va a dar la RE negativa !!

Calculamos: VCEQ = VCBQ + 0,7 = xxxV
De la segunda despejamos RE =
VCC VCEQ
ICQ
Re
Calculamos: RE = xxx
E
= xxx
10
ICQ
Rb
+ 0,7 + ICQ (Re + RE ) = ICQ ( Rb + Re + RE ) + 0,7 = xxxV

R1 = Rb
VCC
= xxxk
VBB
R2 = Rb
1
1
VBB
VCC
= xxx
Bibliografa
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Electr
onica Aplicada 3
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Condici
on de oscilaci
on de un
oscilador Colpitts.
Resumen
Enunciado:
Encontrar la RLmin necesaria para que comiencen las oscilaciones en transistores con ganancia de lazo citados en un
oscilador Colpitts:
CB = CC = 3,3F
R1 = 12k
R2 = 3,7k
Rp = 11,3k
1. 1 = 0,98
2. 2 = 0,99
3. 3 = 0,999
4. 4 = 1,0
Re = 44
RL = 5371
rc = 5,3
Lt = 1,2H
C1 = 218pF
C2 = 2842pF
Cf = 2,2pF
Resoluci
on
Comenzaremos este ejercicio de atr
as para adelante.
Partiendo de la formula 5.18 del Krauss pagina 149:
Si el circuito se encuentra optimizado para que la frecuencia de oscilacion dependa solamente del
circuito tanque LC, entonces la condici
on simplificada para que principien las oscilaciones es:
min
C2
1
Ri
(1 +
)
+
2
R
C1
1+ C
t
C1
Calculamos los valores incluidos en la expresion:

A = (1 +
C2
) = 14,036
C1
Ri = Re + rc = 49,3
Rt = RL k Rp
Y avanzamos despejando RL en funcion de sabiendo que este es el dato.
UTN-FRP 2011
57
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
1
A
RL k Rp
RL Rp
RL + Rp
RL Rp
RL (Rp
A2 R i
)
A 1
RL
RL
Ri
1
C2
+
(1 +
)
2
R
C1
1+ C
t
C1
Ri
1
+
A
A RL k Rp
Ri
A
RL k Rp
Ri
A
A1
A2 R i
A 1
A2 R i
(RL + Rp )
A 1
A2 R i
Rp
A 1
1
A2 R i
Rp
A2 Ri
A 1 (Rp A1
)
A2 Ri Rp
Rp (A 1) A2 Ri
Luego con este resultado reemplazamos los valores:
1 = 0,98
RLmin = 816,47
2 = 0,99
RLmin = 806,95
3 = 0,999
RLmin = 798,56
4 = 1,0
RLmin = 797,64
Calculo analtico de min

La formula de min es imposible de recordar, por lo que se debe realizar el calculo completo.
El analisis comienza del circuito equivalente en alterna del oscilador Colpitts.
Realizamos el estudio por las ecuaciones de nodos:

1
+ s(C1 + C2 )
sC1
IS
= Ri
1
0
R1i sC1
+
s(C
+
Co + Cf ) +
1
Ri
Haciendo gi =
1
Ri

1
sLt
Vi
Vo
resolviendo para Vo :

gi + s(C1 + C2 ) IS
gi sC1
0
IS (gi sC1 )
Vo =
=
(s)
(s)
UTN-FRP 2011
58
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Observamos que la salida tiende a infinito cuando el determinante tiende a cero. Si esto sucede,
un simple ruido termico de entrada comenzara las oscilaciones, y el sistema luego no requerir
a de
entrada. Puede demostrarse que cuando (s) = 0, los polos del sistemas se encuentran situados
sobre el eje jw.
Resolviendo el determinante, y agrupando respecto de la variable s:
(s) = gi + s(Lt gt gi + Co ) + s2 (Lt gi Cb + Lt gt Ca ) Lt C1 gi + s3 (Lt Ca Cb Lt C12 ) = 0
siendo:
Ca = C1 + C2
Cb = C1 + Co + Cf
La condici
on limite para el establecimiento de las oscilaciones permanente es cuando las races se
encuentran sobre el eje jw, es decir, cuando s = jw
(jw) = gi + jw(Lt gt gi + Ca ) w2 [(Lt gi Cb + Lt gt Ca ) Lt C1 gi ] jw3 (Lt Ca Cb Lt C12 ) = 0
Tanto la parte real como imaginaria deben ser cero:
<e{(jw)} = gi w2 [(Lt gi Cb + Lt gt Ca ) Lt C1 gi ] = 0
=m{(jw)} = (Lt gt gi + Ca ) w2 (Lt Ca Cb Lt C12 ) = 0
Se puede observar que en la segunda expresion solo tenemos la variable w y podemos despejarla
independientemente de . Para esta frecuencia debemos hallar un que anule tambien la parte
real. Esta es entonces la frecuencia de resonancia wo .
(Lt gt gi + Ca ) wo2 (Lt Ca Cb Lt C12 )
wo2 (Lt Ca Cb
wo2
=
=
=
=
=
=
wo2
Lt C12 )
(Lt gt gi + Ca )
(Lt gt gi + Ca )
(Lt Ca Cb Lt C12 )
Lt gt gi + C1 + C2
Lt [Ca Cb C12 ]
gt gi +
1
Lt (C1
+ C2 )
(C1 + C2 )(C1 + Co + Cf ) C12

gt gi +
1
Lt (C1
+ C2 )
(C1 + C2 )(Co + Cf ) + C1 C2
1
gt gi
Lt (C1 + C2 )
+
(C1 + C2 )(Co + Cf ) + C1 C2
(C1 + C2 )(Co + Cf ) + C1 C2
1
(C1 + C2 )
+
Rt Ri [(C1 + C2 )(Co + Cf ) + C1 C2 ] Lt [(C1 + C2 )(Co + Cf ) + C1 C2 ]
1
1
+
C2
Rt Ri [(C1 + C2 )(Co + Cf ) + C1 C2 ] Lt [(Co + Cf ) + (CC1+C
]
1
2)
|
{z
} |
{z
}
debido al transistor
debido al circ. tanque LC
El primer termino se debe a la influencia de los parametros del transistor y de la carga, mientras
que el segundo se debe a los par
ametros del circuito tanque LC. Esto se observa en la presencia del
inductor Lt en el segundo termino.
UTN-FRP 2011
59
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Para el circuito tanque domine la operacion del oscilador, el segundo termino debe ser mucho mayor
que el primero. Entonces:
1
Lt [(Co + Cf ) +
Lt [(Co + Cf ) +
C1 C2
(C1 +C2 ) ]
1
Rt Ri [(C1 + C2 )(Co + Cf ) + C1 C2 ]
C1 C2
] Rt Ri [(C1 + C2 )(Co + Cf ) + C1 C2 ]
(C1 + C2 )
C1 C2
Rt Ri (C1 + C2 )[(Co + Cf ) +
]
(C1 + C2 )
Lt Rt Ri (C1 + C2 )
wo2
1
Lt [(Co + Cf ) +
C1 C2
(C1 +C2 ) ]
Luego continuamos despejando respecto de w y sustituyendo wo2 .

gi w2 [(Lt gi Cb + Lt gt Ca ) Lt C1 gi ]
w2 Lt C1 gi
w2 (Lt gi Cb + Lt gt Ca ) gi
w2 Lt C1 gi
w2 Lt gi Cb + w2 Lt gt Ca gi
w2 Lt gi Cb
w2 Lt gt Ca
gi
=
+ 2
2
2
w Lt C1 gi
w Lt C1 gi
w Lt C1 gi
Cb
gt (C1 + C2 )
1
=
+
2
C1
C1 gi
w Lt C1
C1 + Co + Cf
Ri (C1 + C2 )
1
=
+
2
C1
Rt
C1
w Lt C1
Co + Cf
Ri
C2
1
= 1+
+
(1 +
) 2
C1
Rt
C1
w Lt C1
1+
Co + Cf
Ri
C2
+
(1 +
)
C1
Rt
C1
1
1
Lt C1
C C
Lt [(Co +Cf )+ (C 1+C2 ) ]
1
1+
1+
=
=
=
Lt [(Co + Cf ) +
Co + Cf
Ri
C2
+
(1 +
)
C1
Rt
C1
Lt C1
Co + Cf
Ri
C2
(Co + Cf )
+
(1 +
)
C1
Rt
C1
C1
C2
C2
Ri
(1 +
)
1+
Rt
C1
(C1 + C2 )
Ri
C2
C1 + C2 C2
(1 +
)+
Rt
C1
(C1 + C2 )
Ri
C2
C1
(1 +
)+
Rt
C1
(C1 + C2 )
=
C1 C2
(C1 +C2 ) ]
C1 C2
(C1 +C2 )
C1
Ri
C2
1
(1 +
)+
2
Rt
C1
(1 + C
C1 )
Bibliografa
UTN-FRP 2011
60
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
PLL: Orden
Resumen
La ganancia de lazo abierto es:

K

G(s) = K F (s) KVsCO = os = K F (s)
s
F (s)
KV CO
s
la
La ganancia en lazo cerrado es:

H(s) =
G(s)
1+G(s)
KF (s)
s+KF (s)
En lazo abierto, desconectando la entrada del VCO, tendremos una diferencia de frecuencias a la
salida del detector de fase de f = fs ff , donde ff es la frecuencia de oscilacion libre del VCO.
A la salida del detector de fase aparecera armonicos y productos de intermodulacion superpuestas
a esta frecuencia f que ser
an filtrados luego.
Al aproximar la frecuencia del VCO a fs y disminuir f , la salida oscilante desaparece y queda
solamente presente una tension de continua. En ese momento cerramos el lazo.
Con el lazo cerrado, cualquier corrimiento de frecuencia se compensa automaticamente con la tension
de error.
El VCO tiene una salida de frecuencia con una tension de entrada, por lo tanto su funci
on de
rad/s
fV CO (V )
transferencia es KV CO = V = 2kV CO = 2
V
As mismo la frecuencia es la derivada de la variacion de la fase, entonces:
KV CO
s
Las races de H(s) son los polos de la funcion del sistema y definen el comportamiento transitorio.
Si se reduce el ancho de banda del filtro se incrementa su respuesta en el tiempo esto ayuda a
mantener el estado fijo cuando se producen perdidas momentaneas de se
nal.
PLL de primer orden (sin filtro) caso ideal

Describe el comportamiento un filtro pasabajos de fase:
K
F (s) = 1
G(s) =
s
Se usa para eliminar el ruido de fase.
El error de fase es entonces: e(s) = s o = s
s KF (s)
s+KF (s)
H(s) =
= s
1
K
=
s
s+K
1+ K
s+KF (s)KF (s)

s+KF (s)
ss
s+KF (s)
Para mantener el error de fase peque

no se debe incrementar K pero tambien incrementara el ruido.
Para una entrada escal
on de fase s =
s s
ess (t ) = lms0 s s+K
=0
se obtiene:
Para una entrada rampade fase (tambien escalon de frecuencia) s =

ess (t ) =
s s2
lms0 s s+K
s2
w
s
se obtiene:
Esto significa que ante un escal

on de frecuencia a la entrada habra un error de fase a la salida de
magnitud proporcional al cambio de frecuencia.
UTN-FRP 2011
61
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Puede demostrarse que para una rampa de frecuencia s =
s3
w
s2 ,
el error de fase resulta infinito.
Si el error de fase es demasiado grande, no se puede asumir la linealidad para el caso del detector
de fase senoidal, y entonces: ess = arcsin e0ss
PLL de 2 orden
El filtro no es nulo. Es una red de atraso-adelanto pasiva:
1 + 2 s
F (s) =
1 = (R1 + R2 )C
1 + 1 s
2 = R2 C
La funci
on de transferencia, queda entonces de segundo orden:

K 21 (s + 12 )
swn 2 wKn + wn2
H(s) = 2
=
s2 + 2wn s + wn2
s + 11 (1 + K2 )s + K2
El error de fase es:
e(s) =
s2
s(1 + 1 s)s
+ (1 + K2 )s + K

on de fase: ess = 0
Para una entrada rampa de fase: ess =
w
K
Para una entrada rampa de frecuencia: ess =
PLL de 2 orden de integraci

on perfecta
Los otros sistemas no son perfectos ya que requieren un cierto error en la fase para su funcionamiento.
Un PLL ideal requiere de un filtro ideal con integrador perfecto F (s) =
implementar.
s+a
s
que no se puede
El filtro que se usa entonces es un filtro

#con amplificador operacional amplificador inversor:
" activo
1
1 + 2 s
2 s + 2
F (s) =
=
1 = R1 C
2 = R2 C
1 s
1
s
La funci
on de transferencia, queda entonces de segundo orden:
R2
(s + 12 )
K R2 (s + 1 )
KR
o
wn2 + 2wn s
1
G(s) = R1 2 2
H(s) =
=
= 2
KR2
2
s
s
s2 + 2wn s + wn2
s + (K R
R1 )s + R1 2
El error de fase es:
e(s) =
s2
s2 s
R2
2
K R1 s + K2 R
R1

on de fase: ess = 0
Para una entrada rampa de fase: ess = 0
Para una entrada rampa de frecuencia: ess =
2 R2 dw
dt
KR2
Bibliografa
Centro de estudiantes 2002-2003 - S.A.M.E. Electr
onica Aplicada III - Capitulo N 5: Lazos de
enclavamiento de fase (PLL). Sintetizadores de frecuencia
UTN-FRP 2011
62
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
PLL: Caso ideal y caso real

Resumen
La ganancia de lazo abierto es:

Vo
G (s) = K F (s)Ka =
= KF (s)
s
F (s)
la
La ganancia en lazo cerrado es:

H(s) =
G(s)
1+G(s)
1+
KF (s)
KF (s)
KV CO
s
1
KV CO 1+ K
KV CO
s
s
V CO KF (s)
En este caso estudiamos el PLL con la salida de tension. Proporcional a la diferencia de frecuencias.

Vo
1 Vo
1
1
=
Expresamos la funci
on de transferencia respecto de ws : H(s) = w

s
s s = KV CO 1+
s
lc
lc
KV CO KF (s)
Con el lazo cerrado, cualquier corrimiento de frecuencia se compensa automaticamente con la tension
de error.
El VCO tiene una salida de frecuencia con una tension de entrada, por lo tanto su funci
on de
fV CO (V )
transferencia es KV CO = rad/s
=
2k
=
2
V
CO
V
V
As mismo la frecuencia es la derivada de la variacion de la fase, entonces:
KV CO
s
Caso ideal (sin filtro F (s) = 1)

Suponemos una entrada escal
on de frecuencia: ws =
La respuesta sera: Vd = H(s) w
s =
w 1
1
KV CO s 1+ K s
V CO K
w
s
A
s
B
s
1+ a
Que expresado en el tiempo resulta en: vd (t) = Au(t) + Beat u(t) donde A =
w
KV CO
y B = Kw
V CO
Finalmente: vd (t) = Vd [1 eat ] u(t)

Suponiendo ahora una entrada cuya frecuencia varia
senoidalmente alrededor de una frecuencia central:
ws = w0 + wmax sin wm t
wm es la frecuencia a la cual varia la frecuencia de la se
nal de entrada.
La salida sera esta misma, retardada por el argumento = arg[H(s)] y modificada la magnitud de
la variaci
on en |H(s)|:
w0
wmax
vo (t) =
+
|H(s)| sin(wm t + )
KV CO
KV CO
En este caso: |H(s)| =
UTN-FRP 2011
1
q
wm
)2
V CO KD A
1+( K
y arg[H(s)] = tan1
wm
KV CO KD A
63
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Caso real (PLL orden 2)

F (s) =
H(s) =
Vo
ws
=
lc
1
KV CO 1+ K
1
1 + RCs
1
s
V CO K
(1+RCs)
La funcion de transferencia sera de segundo orden:

H(s) =
Donde: wn =
1
KV CO 1 +
wRC KV CO K y =
1
KV CO K s +
1
1
2
RC
KV CO K
s2
1
1
KV CO 1 + 2 ws +
n
s2
2
wn
wRC
KV CO K
wn determina el ancho de banda resultante para el PLL.

wRC debe ser peque
no para filtrar la frecuencia wi + wV CO 2wi
Como es sabido de sistemas de control, un sistema de segundo orden, tendra una respuesta subamortiguada, crticamente amortiguada o sobre amortiguada dependiendo del valor de .
Bibliografa
Federico Miyara: Lazos de fijaci
on de Fase (PLL). Segunda Edicion. A
no 2004
UTN-FRP 2011
64
Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
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PLL: Enganche y Captura

Resumen
Como no es posible construir un detector
de fase que entregue directamente una
tension proporcional a la diferencia de
fase, usaremos un multiplicador acompa
nado de un filtro pasabajos. Llamado
detector de fase multiplicativo.
Suponiendo entradas senoidales: v1 (t) = V1 sin(w1 t)
F (s)
KV CO
s
v2 (t) = V2 sin(w2 t)
La multiplicaci
on conduce a: v3 (t) = Lv1 v2 = K V12V2 [cos(w1 w2 )t sin(w1 + w2 )t]
La componente de alta frecuencia (w1 + w2 ) se elimina con el filtro pasabajos.
La diferencia (w1 w2 )t es precisamente la diferencia de fase de las se
nales de entrada , de modo
que v3 = K V12V2 cos
La funci
on coseno es bastante lineal en las proximidades de /2, por lo que es posible aproximar a
v3 = K V12V2 ( 2 ) = K ( 2 )
Esta aproximaci
on no es valida si la diferencia de fase es grande.
Usando una compuerta XOR se obtiene una respuesta diferente. La salida es v3 = Ksg(v1 )sg(v2 ),
donde sg() es la funci
on signo.
Integrando v3 sobre un periodo ([0, ]) calculamos el valor medio de salida.

Z

1 T
K( )
2
V3med =
v3 (t)dt =
= K
= KD

T 0
2
2
Para diferencias de fase cercanas a o a 0, el comparador de fase exhibe un comportamiento alineal
y tiende a saturarse. La realimentacion se interrumpe, las frecuencias dejan de ser iguales y entonces
la fase salta peri
odicamente entre valores positivos y negativos tendiendo a un promedio nulo. Se
dice que el PLL esta desenganchado.
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Rango de enganche
El rango de enganche es el limite de variacion de (wi wf ) que puede tener un PLL que esta
enganchado. Donde wf es la frecuencia libre del VCO.
Se determina por el limite del VCO para producir frecuencia o porque el detector de fase y amplificador no pueden suministrar la tension requerida de entrada al VCO.
La constante del VCO es: KV CO =
maxima dif erencia de f recuencia

maxima tension de control
|wi wf |
Vd
Con las salidas del detector de fase calculadas obtenemos las siguientes relaciones:
Para un detector multiplicativo:
Para un detector tipo XOR:
|wi wf |
KV CO
|wi wf |
KV CO
KD A
2 KD A
|wi wf | KD AKV CO
|wi wf |
2 KD AKV CO
Rango de captura
El rango de captura es mas restrictivo.
Partiendo de una situaci
on de desenganche, indica la maxima diferencia de frecuencia (wi wf )
para que se produzca el enganche.
Cuando la diferencia (wi wf ) es demasiado grande, la salida oscilante del detector de fase v3 =
KD cos(wi wf )t puede caer fuera de la banda de paso del filtro pasabajos.
En la salida del filtro pasabajos se tiene: v3 = KD A |F [j(wi wf )]| cos[(wi wf )t + ]
Para que se produzca el enganche, la tension aplicada a la entrada del VCO debe ser menor que el
m
aximo.
Para un detector multiplicativo: |wi wf | KD AKV CO |F [j(wi wf )]|
Para un detector tipo XOR: |wi wf |
2 KD AKV CO
|F [j(wi wf )]|
Debido a la atenuaci
on del filtro, el rango de captura es menor que el rango de enganche.
Para un filtro sencillo, la desigualdad es facil de resolver.
Entre medio del rango de enganche y captura, es posible encontrar al PLL enganchado o oscilando
a frecuencia libre, dependiendo del estado anterior.
Extensi
on del rango de captura
Se usa un conversor frecuencia-tension de lazo abierto que se
elige de modo que su constante sea aproximadamente la reciproca de la constante KV CO .
Entonces el detector de fase tendra un rango mas amplio de
variaci
on de la tension de salida.
Rechazo a ruido
El ruido llamado jitter consiste en fluctuaciones de fase aleatorias. Que se traducen en variaciones de frecuencia.
El PLL puede ser usado como filtro de fase para eliminar este
ruido, siempre que este no provoque el desenganche.
Bibliografa
Federico Miyara: Lazos de fijaci
on de Fase (PLL). Segunda Edicion. A
no 2004
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PLL: Filtro de ruido de fase (Jitter)

Resumen
Filtros de ruido Jitter
El ruido de fase es un corrimiento no deseado de la fase de alguna se
nal presente en el PLL.
El sistema tambien se comporta como un filtro pasabajos con respecto al ruido de fase.
Un ejemplo se da en las grabaciones en medios digitales (CD, DAT,MD) donde la velocidad de
reproducci
on tiene habitualmente variaciones debidas a fenomenos electromecanicos, por ejemplo,
vibraciones, ruido o ripple en la alimentacion de los motores, etc.
Componentes mayores a fc (frecuencia de corte que se determina a B3dB ) son atenuadas por el lazo
dB
con una pendiente de 6 octava
.
Tambien puede engancharse a una frecuencia a pesar de que existan otras frecuencias simult
aneamente. El PLL tendr
a una acci
on selectiva, enganchandose solo a la frecuencia que se encuentre
dentro de su rango de captura.
PLL de primer orden (sin filtro)

De la funci
on de transferencia se obtiene el ancho de banda: H(s) =
K KV CO y B3dB =
K
s+K
K KV CO
[Hz]
2
Puede demostrarse que el ancho de banda equivalente de ruido es Bn =
1
s
1+ K
donde K =
K KV CO
4
PLL de 2 orden
De la funci
on de transferencia se obtiene el
ancho de banda:

K 21 (s + 12 )
swn 2 wKn + wn2
H(s) = 2
=
s2 + 2wn s + wn2
s + 1 (1 + K2 )s + K
1
donde 1 = (R1 + R2 )C, 2 = R2 C y wn es la

frecuencia natural de resonancia.
Calculando el bode:
s
|H(jw)| =
1 + (wR2 C)2
=
1 + [wC(R2 + R1 )]2
1 + ( ww1 )2
1 + [ ww2 ]2
H (w) = tan1 (w2 ) tan1 (w1 )
UTN-FRP 2011
67
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UTN-FRP 2011
Otros
El PLL permite obtener una se
nal de frecuencia m
ultiplo de la frecuencia de entrada con un divisor
de frecuencia a la salida del VCO.
El divisor de frecuencia se implementa normalmente con un circuito logico basado en un contador.
Existen muchos modelos, inclusive algunos cuya cuenta maxima es programable.
Los PLL se usan tambien como demoduladores. Los analogicos requieren que el VCO sea muy lineal.
Bibliografa
Centro de estudiantes 2002-2003 - S.A.M.E. Electr
onica Aplicada III - Capitulo N 5: Lazos de
enclavamiento de fase (PLL). Sintetizadores de frecuencia
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Electr
onica Aplicada 3
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Dise
no de un PLL.
Resumen Teora
El lazo se mantiene a una frecuencia fija, es decir, la frecuencia del VCO esta sintonizada con la de
la entrada fo = fs . Entonces la diferencia entre ambas es un voltaje proporcional a la diferencia de
fase d = s o .
Este voltaje Ve depende del tipo de PLL y suele ser sinusoidal, triangular o diente de sierra respecto
de la diferencia de fase d .
Ve = 0 cuando:
emax =
emax =
si Ve es sinusoidal.
si Ve es triangular.
emax = si Ve es diente de sierra.

El voltaje de salida m
aximo para cada uno es:
Vemax = A sin(e )
Vemax =
Vemax =
2
Ae
2
Ae
Con estos dos valores se obtiene el factor de ganancia del detector de fase Kd =
Ve V
e [ rad ].
Cuando Ve es senoidal, puede pensarse que esta relacion es no lineal, pero los PLL se dise
nan para
valores peque
nos de d en los cuales sin(d ) d .
El VCO tiene una frecuencia de funcionamiento fija ff y una componente variable controlada por
una tensi
on de entrada Vd . La frecuencia de salida del VCO se puede expresar como fo = ff + ko Vd .
Donde ko es la constante del VCO, y tiene magnitud en [ Hz
V ].
Tambien conocida como Ko = 2ko [rad/s/V ].
Por otro lado, la variaci
on en el tiempo de la diferencia de fase detectada genera una componente
de frecuencia que corresponde a la diferencia de frecuencia de entrada respecto de la del VCO:
do (t)
= w = Ko Vd
dt
UTN-FRP 2011
69
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
De aqu se deduce que cuando el bucle no esta en estado fijo (como el detector de fase), el Vd
o
. Esto se aplica por ejemplo para
responde a la diferencia de frecuencia de sintonia Vd = fsKf
o
multiplicadores de frecuencia.
Finalmente la ganancia del bucle en circuito cerrado tiene una ganancia Kv = Kdet Kamp Kvco =
Kd Ka Ko = Vee VVde Vdw = ew .
Con este valor tambien se define el parametro del rango de sosten, que es el rango de frecuencias
en el cual el VCO puede recuperar el sincronismo.
Para Ve senoidal, el rango de sosten ocurre cuando e se aproxima a 2 .
Para Ve triangular y diente de sierra, que tienen caractersticas lineales, el rango de sosten se
obtiene con wH = Kv emax , donde emax es para el triangular y .
La funci
on de transferencia del detector de fase seria:
H(s) =
o
Kv F (s)
=
s
s + Kv F (s)
Bibliografa
UTN-FRP 2011
70
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
no de un PLL
en detector de fase.
Ejemplo
Enunciado:
Dise
nar un PLL con los siguientes elementos:
Un detector de fase tipo triangular con tension
de salida m
axima de Vemax = 300[mV ]. Y un
VCO con frecuencia de corrida libre de ff =
100[M hz] y una fo = (100 + 15Vd )[M hz]
1. El bucle se va a dise
nar para tener un rango sosten de wH = 5[M hz]. Determinar los valores de
Kv , Kd , Ko , Ka .
2. Si el bucle contiene un filtro pasa bajos de primer orden con R = 1[k]. Cual es el valor de C
necesario para tener un ancho de banda a 3[dB] de B = 0,1[M hz] en el filtro RC ?
3. Si fs = 99[M hz], encontrar los valores de Vd , Ve y e .
Resoluci
on
La frecuencia de salida del VCO esta dada por: fo = f f + ko Vd = 100 + 15Vd [M hz]
De aqu podemos despejar el valor de ko = 15 106 [Hz/V ]
Como sabemos que el detector de fase es de tipo triangular, entonces sabemos que: emax =
Este dato, junto con Vemax nos da la constante Kd =
Vemax
emax
La ganancia de bucle de ciclo cerrado es: Kv = Kd Ka Ko =

Luego la ganancia del amplificador es: Ka =
Kv
Kd Ko
= 0,19
V e V d w
e Ve Vd
wH
emax
fH
= 2 emax
= 20 106
= 1,11
Para el calculo del filtro de primer orden pasabajos RC, observamos que la funcion de transferencia
1
a 3 dB tiene una respuesta en frecuencia F (s) = 1+sRC
donde = RC, y C es la incognita que
queremos encontrar.
Si vemos bien ademas, la frecuencia de corte del filtro, fc =
1
entonces coincide con el ancho de banda: B = RC
= 0,1 106 .
UTN-FRP 2011
que como es un filtro pasabajos,
71
Jacobi Diego Matas
De aqu podemos despejar C =
UTN-FRP 2011
1
BR
= 10 109 .
Dado que la frecuencia de salida del VCO debe compararse con la de entrada fs , estas deben ser
de la misma frecuencia, por lo que fs = fo = ff + ko Vd .
De esta anterior despejamos la tension requerida en la entrada del VCO para compensar la frecuencia
f f
de salida: Vd = sko f = 0,066V
Si proyectamos este valor a la entrada del amplificador tenemos: Ve =
e =
Ve
Kd
Vd
Ka
= 0,06V
= 0,315[rad]
Bibliografa
UTN-FRP 2011
72
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
no de un PLL
en detector de fase.
Examen 13 de diciembre de 2006
Enunciado:
Dise
nar un PLL con los siguientes elementos:
Un detector de fase tipo triangular con tension
de salida m
axima de Vemax = 314[mV ]. Y un
VCO con frecuencia de corrida libre de ff =
120[M hz] y una fo = (120 + 5Vd )[M hz]
1. El bucle se va a dise
nar para tener un rango sosten de wH = 5[M hz]. Determinar los valores de
Kv , Kd , Ko , Ka .
2. Si el bucle contiene un filtro pasa bajos de primer orden con R = 1[k]. Cual es el valor de C
necesario para tener un ancho de banda a 3[dB] de B = 0,1[M hz] en el filtro RC ?
3. Si fs = 122[M hz], encontrar los valores de Vd , Ve y e .
Resoluci
on
La frecuencia de salida del VCO esta dada por: fo = f f + ko Vd = 120 + 5Vd [M hz]
De aqu podemos despejar el valor de ko = 5 106 [Hz/V ]
Como sabemos que el detector de fase es de tipo triangular, entonces sabemos que: emax =
Este dato, junto con Vemax nos da la constante Kd =
Vemax
emax
= 0,2
La ganancia de bucle con corriente continua es: Kv = Kd Ka Ko =

2 107
Luego la ganancia del amplificador es: Ka =
Kv
Kd Ko
V e V d w
e Ve Vd
wH
emax
fH
= 2 emax
=
= 3,185
Para el calculo del filtro de primer orden pasabajos RC, observamos que la funcion de transferencia
1
a 3 dB tiene una respuesta en frecuencia F (s) = 1+sRC
donde = RC, y C es la incognita que
queremos encontrar.
Si vemos bien ademas, la frecuencia de corte del filtro, fc =
1
entonces coincide con el ancho de banda: B = RC
= 0,1 106 .
UTN-FRP 2011
que como es un filtro pasabajos,
73
Jacobi Diego Matas
De aqu podemos despejar C =
UTN-FRP 2011
1
BR
= 10 109 .
Dado que la frecuencia de salida del VCO debe compararse con la de entrada fs , estas deben ser
de la misma frecuencia, por lo que fs = fo = ff + ko Vd .
De esta anterior despejamos la tension requerida en la entrada del VCO para compensar la frecuencia
f f
de salida: Vd = sko f = 1,6
e =
Ve
Kd
Vd
Ka
= 0,502
= 2,513[rad]
Bibliografa
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Electr
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25 de junio de 2011
Dise
no de un PLL
en multiplicador de frecuencia.
Ejemplo
Enunciado:
Un PLL utiliza un divisor de frecuencia entre el VCO y el
detector de fase, de tal manera que el VCO opera en fo = 10fs .
La frecuencia libre del VCO es ff = 10[M hz]. Si fs = 1[M hz],
el e en el detector de fase es cero.
Supongase ahora que la fs varia una cantidad f que conduce
a un e = 0,1[rad].
Cual es el cambio de fase o a la salida del VCO ?
Kd = 0,5[
V
]
rad
Ka = 10
Ko = 107 [
rad/s
]
V
Resoluci
on
El VCO opera a una frecuencia fija (ff = 10M hz) igual a la deseada de fo = 10fs = 10M hz. Pero
se tiene una variaci
on de f .
La diferencia de fase detectada es e = 0,1[rad], la diferencia de fase a la salida del VCO sera:
o = ne = 10 0,1 = 1[rad].
La tensi
on de entrada al VCO ante una variacion f de la entrada es Vd =
fo ff
ko

0,1[rad].
f
ko Ka
10+f 10
ko
y e =
f
ko
f
ko Ka Kd
Sabemos que Ko = 2ko , entonces: ko = 1,6[M hz/V ].

Despejando obtenemos que f = ko e Ka Kd = 0,8[M hz]
Bibliografa
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Electr
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25 de junio de 2011
Dise
no de un PLL
Examen 29 de octubre de 2004
Enunciado:
Un PLL utiliza un divisor de frecuencia entre el VCO y el
detector de fase, de tal manera que el VCO opera en fo =
17fs . La frecuencia libre del VCO es ff = 12,547[M hz]. Si
fs = 11[M hz], el e en el detector de fase es cero.
Supongase ahora que la fs varia una cantidad f que conduce
a un e = 0,125[rad].
Cual es el cambio de fase o a la salida del VCO ?
Kd = 0,5[
V
]
rad
Ka = 10
Ko = 107 [
rad/s
]
V
Resoluci
on
El VCO opera a una frecuencia fija (ff = 12,547M hz) inferior a la deseada de fo = 17fs = 187M hz.
En un instante la frecuencia de entrada varia una f .
La diferencia de fase detectada es e = 0,125[rad], la diferencia de fase a la salida del VCO sera:
o = ne = 17 0,125 = 1,25[rad].
La tensi
on de entrada al VCO ante una variacion f de la entrada es Vd =
fo ff
ko

0,125[rad].
f
ko Ka
10+f 10
ko
y e =
f
ko
f
ko Ka Kd

Despejando obtenemos que f = ko e Ka Kd = 1[M hz]
Bibliografa
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Electr
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25 de junio de 2011
Dise
no de un PLL
Ejemplo 6.7 del Krauss
Enunciado:
Un bucle PLL se dise
na para proporcionar una salida de VCO
fija a una referencia de oscilador de cristal con fs = 100[kHz].
La frecuencia de salida del VCO fo = nfs debe estar en el
rango de 2 a 3 [Mhz]. Se usara un divisor programable con un
n que vaya de 20 a 30. La frecuencia de corrida libre del VCO
se elige ff = 2,5[M hz]. Los c
alculos se haran para una razon
de divisor n = 20, correspondiente a fo = 2[M hz].
En la practica, los factores de ganancia de las componentes del
bucle se encuentran de los datos de catalogos o por pruebas
de laboratorio. Se supondr
a que Kd = 0,5[V /rad], Ka = 10 y
Ko = 107 [rad/s/V ]. Se supone que el VCO tiene una caracteristica fo = ff + ko Vd .
Resoluci
on
El VCO opera a una frecuencia fija (ff = 2,5M hz) por igual o por encima a la deseada de fo =
2M hz, y se la reduce a esta por medio de un divisor de frecuencia (contador) a la salida del VCO.
La divisi
on de frecuencia entre n divide tambien la fase entre n. El angulo de fase de salida es
entonces: n = no , por lo que la ganancia de bucle incluye ahora un termino adicional Kn = n1 , tal
que Kv = Kd Ka Ko Kn =
0,5 10 107
20
= 2,5 106 .
Para n = 20 la entrada del VCO debe esta dada por: Vd =
fo ff
ko
2,02,5
1,6

Ve
Kd = 0,0625[rad].
= 0,3125V .
Vd
Ka
= 0,03125V y e =
Este ultimo valor e es el corrimiento de fase que hay respecto del valor que tendra cuando Ve = 0,
es decir, cuando el VCO opera a su frecuencia fija ff .
En el otro lado del divisor de frecuencia, la diferencia de fase es n = 1,25[rad].
Para el calculo del filtro de atraso-adelanto pasabajos RRC, observamos que la funcion de transfe1+2 s
rencia a 3 dB tiene una respuesta en frecuencia F (s) = 1+(
donde 1 = R1 C y 2 = R2 C, y C
1 +2 )s
son las inc
ognitas que queremos encontrar y que definen a wn y que gobiernan el comportamiento
transitorio del bucle.
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77
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
De estas consideraciones podemos elegir wn = 104 [rad/s] y = 0,8.

De teora de control,
la funci
on de transferencia de un filtro de atraso-adelanto, tiene la frecuencia
q
Kv
natural wn = 1 +2 , y el factor de amortiguamiento = w2n (2 + K1v ), y wL 2wn , donde
w L =
Kv 2
1 +2 .
De wn =
Kv
1 +2
obtenemos: 1 + 2 =
Reemplazando en wL =
Kv 2
1 +2
Kv
2
wn
= 0,025[s]
= Kv wn , obtenemos: 2 =
2
wn
= 1,596 104 [s].
Con esto tambien, 1 = 0,025 2 0,025[s]

Ahora elegimos arbitrariamente C = 0,5F
y obtenemos los valores de R1 =
1
C
= 50k y R2 =
2
C
= 319.
Bibliografa
UTN-FRP 2011
78
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Detector de fase senoidal.

Resumen
A traves de los transformadores se aslan los circuitos de VCO y fuente de RF.

Los transformadores est
an dispuestos de tal forma que se producen 2 tensiones diferenciales desfasadas 90 . E3 = E1 + E22 y E4 = E1 E22
Se utilizan las impedancias R1 C1 y R2 C2 para contener estas tensiones de salida.
Estas est
an compensadas, y si se conecta una impedancia de carga muy peque
na puede descompensarlo.
La diferencia entre E3 y E4 es la tension de error continua Ve .
Si las se
nales de entrada tienen una diferencia de fase , las tensiones internas E1 y E2 tendran una
diferencia de fase 90 , donde 0 < < 90 .
Si = 0, entonces: |E3 | = |E4 | y Ve = 0
s
|E3 | =
s
2

2
E2
E2
E2
2
|E1 | + 2 |E1 | cos( + ) = |E1 | + + |E1 | |E2 | sin()
2
2
2
2
2
s
2
2

E2
E2
E2
2

|E4 | = |E1 | + 2 |E1 | cos( ) = |E1 | + |E1 | |E2 | sin()
2
2
2
2
2
La tension de salida de continua es

q
q
2
2
2
2
Ve = |E3 | |E4 | = |E1 | + E22 + |E1 | |E2 | sin() |E1 | + E22 |E1 | |E2 | sin()
Cuando |E3 | = |E4 | la salida se simplifica:
q
q

5
5
Ve = E1
+
sin()
sin()
4
4
El inconveniente de este detector es que Ve depende mucho del nivel de las tensiones de entrada de
RF.
Lo que se hace, es hacer E2 mucho mas grande que E1 , as las variaciones de E1 son despreciables
y las de E2 son filtradas por los pares RC.
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Detector de fase digital.

Comparador de fase de muestra y retencion.
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Mezclador con un Diodo

Resumen
vD
iD
vRF + vLO
vD

I0 e VT 1
I0 e VT
I0 e
vD
vRF +vLO
VT
vRF
vLO
VT
e VeTx = 1 + x +
=
I0 eseries:
Usando el expansi
on en
x2
2!
x3
3!
+ ...

2
3
2
3
1 vRF
1 vRF
vLO
1 vLO
1 vLO
vRF
iD = I0 1 +
+
+
+
.
.
.
1
+
+
+
+
.
.
.
VT
2! VT2
3! VT3
VT
2! VT2
3! VT3
Del termino (iD ). =
fLO )t
I0
v v
VT2 RF LO
I0
filtramos y obtenemos la salida deseada: vIF = R 2V
2 cos 2(fRF
T
Es evidente que sin filtrado, la salida de este mezclador tiene todas las armonicas m
ultiplos de fRF
y de fLO , perdiendo potencia en cada una de ellas y generando ruido en etapas posteriores.
Debido al alto contenido arm
onico, la figura de ruido es muy alta.
El u
nico aislamiento en el circuito de la figura es de RF.
Bibliografa
Martin Martnez Silva y Susana Ruiz Palacios: Modulo 5: Mezcladores, Sntesis de frecuencia y
control de ganancia
Angel de la Torre: Sistemas de radiocomunicacion - TSTC - UGR
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Electr
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Mezclador a Diodo Balanceado

Resumen
iD1
I0 e
iD2
I0 e
vRF
VT
vLO
VT
vRF
VT
vLO
VT
= iD1 iD2
vLO
vRF vLO
io = I0 e VT e VT e VT
Utilizando la sustituci
on trigonometrica: sinh(x) =
io
io = I0 e
Y, con el expansi
on en series: sinh(x) = x +
vRF
VT
x3
3!
ex ex
2
vLO
)
VT
+ ...
2 sinh(
x5
5!

2
3
3
vRF
1 vRF
vLO
1 vRF
1 vLO
iD = I0 1 +
+
+
.
.
.
+
.
.
.
+
+
VT
2! VT2
3! VT3
VT
3! VT3
Observamos que fLO no tiene armonicas pares.
Del termino (io ). =
I0
v v
VT2 RF LO
filtramos y obtenemos la salida deseada.
Un menor numero de arm

onicas es un mezclador mas eficiente ya que disipa menos potencia.
Bibliografa
control de ganancia
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Electr
onica Aplicada 3
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Doble
Resumen
vD1
vRF +vLO
VT
vD2
vRF vLO
VT
vD3
vRF vLO
VT
vD4
vRF +vLO
vD1
vRF + vLO
iD1
I0 e VT = I0 e
vD2
vRF vLO
iD2
I0 e VT = I0 e
vD3
vRF vLO
iD3
I0 e VT = I0 e
vD4
vRF + vLO
= I0 e
= I0 e
vRF
VT
vRF
VT
= I0 e
vLO
VT
vRF
VT
vLO
VT
vRF
vLO
VT
vLO
VT
iD4 I0 e VT = I0 e
= I0 e VT e VT
Suponiendo que el extremo derecho de la carga se conecta a masa y la corriente viene del lado
izquierdo, seguimos la orientaci
on de los diodos en conduccion directa.
La corriente de salida es:

io = iD1 iD2 + iD3 iD4 = I0 e
vRF
VT
vLO
VT
I0 e
vRF
VT
vLO
VT
+ I0 e
vRF
VT
vLO
VT
I0 e
vRF
VT
vLO
VT

vRF
vRF vLO
vLO
vRF
vLO
io = I0 e VT e VT
e VT e VT
= 4I0 sinh
sinh
VT
VT
3
Usando el expansi
on en series: sinh(x) = x + x3! + x5! + . . .

3
3
1 vRF
vLO
1 vLO
vRF
+
+ ...
+
+ ...
io = 4I0
VT
3! VT3
VT
3! VT3
Del termino (iD ). =
4I0
v v
VT2 RF LO
NO hay arm
onicas pares de fRF y de fLO .
La amplitud de salida es 4 veces mayor.
El aislamiento es completo, tanto para RF, como para LO y IF.
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EXPLICACION
Bibliografa
control de ganancia
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84
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Electr
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25 de junio de 2011

Resumen
vo
R1
vi
R1 + R2
Para que vLO controle la conduccion de los diodos, se debe asegurar vLO >> vRF .
Cuando vLO > 0 se tiene Vc = Vd = 0V y la
salida en cortocircuito.
Cuando vLO < 0 los diodos estan en inversa.
No aparecen arm
onicas pares de LO a la salida.
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Bibliografa
UTN-FRP 2011
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Mezclador con un BJT

Resumen
Similar al mezclador con un solo diodo, pero la
corriente es amplificada en el colector y filtrada
por el circuito RLC.
vIF = R
I0
VRF VLO cos 2(fRF fLO )t
2VT2
La juntura base-emisor se comporta de la misma manera que un diodo.

vbe
vRF + vLO
iB
I0 e VT
vbe
= I0 e
= I0 e
iC
vRF +vLO
VT
vRF
VT
vLO
VT
= iB
Usando el expansi
on en series: ex = 1 + x +
x2
2!
x3
3!
+ ...

2
3
2
3
1 vRF
vLO
1 vLO
vRF
1 vRF
1 vLO
iC = I0 1 +
+
+
.
.
.
1
+
+
+
.
.
.
+
+
VT
2! VT2
3! VT3
VT
2! VT2
3! VT3
Del termino (iC ). =
I0
v v
VT2 RF LO
Bibliografa
control de ganancia
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Mezclador a BJT Balanceado

Resumen
Tambien se denomina Multiplicador con par
acoplado por emisor.
La juntura base-emisor de Q3 se comporta de
la misma manera que un diodo.
vbe3
vLO
iC3
iB3
iC3
I0 e
vbe3
VT
vLO
I 0 e VT

2
3
1 vLO
vLO
1 vLO
I0 1 +
+
+ ...
+
VT
2! VT2
3! VT3
La salida es vIF = R(iC2 iC1 )
Ademas sabemos que iC3 = iE1 + iE2 iC1 + iC2 que despejando: iC2 = iC3 iC1
Por otro lado, la tension de entrada es: vRF = vbe1 vbe2
v

v v

vbe1
vbe2
vbe2
vbe2
vbe2
be1
be1
be2
+1
iC1 + iC2 = I0 e VT + e VT = I0 e VT e VT e VT + 1 = I0 e VT e VT
vRF

iC3 = iC2 e VT + 1
vRF

iC3 = iC1 e VT + 1
vIF = R(iC2 iC1 ) = RiC3

e
vRF
VT
vRF
VT
3
iC1 =
+1
iC2 =
= RiC3
+1
iC3
e
vRF
VT
vRF
VT
iC3
e
e
+1
vRF
VT
vRF
VT
+1
1
+1

= RiC3 tanh
vRF
2VT
17x
Usando el expansi
on en series: tanh(x) = x x3 + 2x
15 315 + . . .

2
3
3
5
vRF
vLO
1 vLO
1 vLO
1 vRF
2 vRF
vIF = RiC3 tanh
= R I0 1 +
+
+
+
.
.
.
x
.
.
.
2VT
VT
2! VT2
3! VT3
3 23 VT3
15 25 VT5
Bibliografa
control de ganancia
Wikipedia: http://en.wikipedia.org/wiki/Hyperbolic_function
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88
Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Mezclador con un FET

Resumen
La juntura gate-surtidor es diferente a la juntura de un transistor o diodo.

vgs
iD
iIF
iD
VGSQ + vRF + vLO

2

vgs
IDSS 1
Vp
2

VGSQ + vRF + vLO
= IDSS 1
Vp
= R iD

2
1
1 2 (VGSQ + vRF + vLO ) + 2 (VGSQ + vRF + vLO )2
Vp
Vp
1
2
2
)
1 2 (VGSQ + vRF + vLO ) + 2 ((VGSQ + vRF )2 + 2(VGSQ + vRF )vLO + vLO
Vp
Vp
= IDSS
= IDSS

IDSS
2
2
2
Vp2 2VGSQ + 2vRF + 2vLO + VGSQ
+ 2VGSQ vRF + vRF
+ 2VGSQ vLO + 2vRF vLO + vLO
2
Vp
gm
gm 2
gm 2
= IDQ + gm vRF + gm vLO +
vRF vLO +
v +
v
Vp
2Vp RF
2Vp LO
Donde gm es la transconductancia en el punto

de trabajo, y se define por:

diD
2IDSS
VGSQ
gm =
=
1
+
dvgs Q
Vp
Vp
Se observa claramente que los FETs tienen respuesta cuadratica, es decir, que los u
nicos armonicos
generados son fLO fRF , un aporte de continua y primer armonico par de LO y RF.
Por esa raz
on tienen mejor performance respecto de espurias que uno BJT.
La corriente de drenador iD tiene un exponente bastante aproximado a una ley cuadrada.
IDSS es la corriente de saturacion cuando VGS = 0 y VDS = Vp .
Vp es la tension de corte o Pinchoff , es el valor de VGS cuando ID = 0.
La mnima tension de VDS deber
a ser mayor que la Vp .
En corte o saturacion, el FET no tiene ley cuadratica.
La mejor polarizaci
on para obtener ley cuadratica es : VGSpol =
UTN-FRP 2011
Vpmin
2
89
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Un dato u
til conociendo la respuesta temporal del mezclador, es calcular la admitancia de transferencia directa yf s , donde yf s = gm + j 0.
Entonces, se podr
a hallar la respuesta del sistema con iD (t) = gm (t) VRF cos(wRF t).

did
vGS
gm = dv
=
g
1
donde gmo = 2IVDSS

mo
Vp
gs
p
Y la transconductancia de conversion gc se define como el cociente: gc =
IIF
VRF
Mezclador a FET Balanceado Simple

El circuito de la figura utiliza dos
FETs en contrafase para dividir potencia y balancear el efecto de RF.
io
vgs1
= vRF + vLO
vgs2
= vRF + vLO
2

vgs1
= IDSS 1
Vp
2

vRF + vLO
= IDSS 1
Vp

2
vgs2
= IDSS 1
Vp
2

vRF + vLO
= IDSS 1
Vp
iD1
iD2
io
= iD1 iD2

2
2

vRF + vLO
vRF + vLO
= IDSS 1
IDSS 1
Vp
Vp

2
1
1
2
2
2
= IDSS 12
(vRF + vLO ) + 2 (vRF + vLO ) 12
(vRF + vLO ) + 2 (vRF + vLO )
Vp
Vp
Vp
Vp

2
2
1
1
2
2
2
2
= IDSS 1
(vRF + vLO ) + 2 (vRF + vLO ) 1 +
(vRF + vLO ) 2 (vRF + vLO )
Vp
Vp
Vp
Vp

2
1
2
2
= IDSS
(vRF + vLO vRF vLO ) + 2 (vRF + vLO ) (vRF + vLO )
Vp
Vp

4
1
2
2
2
2
= IDSS vRF + 2 vRF
+ 2vRF vLO + vLO
vRF
2vRF vLO + vLO
Vp
Vp

4
4
= IDSS vRF + 2 vRF vLO
Vp
Vp
Se observa que LO no aparece a la salida y que no hay frecuencias m
ultiplos.
Cabe destacar que no se considero la tension de continua de polarizacion VGSQ .
Bibliografa
control de ganancia
UTN-FRP 2011
90
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Mezcladores a FET
Resumen
La gr
afica es una forma aproximada para seleccionar el valor de Rs , la cual establece la
polarizaci
on anterior.
Un dato u
til conociendo la respuesta temporal del mezclador, es calcular la admitancia de transferencia directa yf s , donde yf s =
gm + j 0.
Entonces, se podr
a hallar la respuesta del sistema con iD (t) = gm (t) VRF cos(wRF t).
gm =
did
dvgs

= gmo 1
vGS
Vp
donde gmo = 2IVDSS

p
Sea vGS = VGS + VLO cos(wLO t), la polarizacion mas el voltaje del oscilador local.

VLO cos(wLO t)
Reemplazamos en la anterior quedando: gm = gmo 1 VGS +VLOVpcos(wLO t) = gmQ gVmo
p

siendo gmQ = gmo 1 VVGS
el cual es el punto gm para la polarizacion Q.
p
Vp tiene un valor negativo por lo que podemos reescribir gm = gmQ +
gmo
|Vp | VLO
cos(wLO t)
Si se a
nade una se
nal de RF con VRF << VLO , la salida sera:
iD (t) = gm (t) VRF cos(wRF t) = gmQ VRF cos(wRF t) +
gmo
|Vp | VLO
cos(wLO t)VRF cos(wRF t)
Y la transconductancia de conversion gc se define como el cociente: gc =

Si el punto Q se elige en el punto medio de la curva, tal que gc =
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IIF
VRF
gmo VLO
2|Vp |
gmQ VLO
|Vp |
91
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
En un circuito practico la curva de

gm puede ser no lineal, y la VLO
puede ser lo suficientemente grande
para hacer que el dispositivo entre
en corte y saturacion.
Aun as, la salida sera peri
odica y
lleno de arm
onicas, por lo que todava sera posible filtrar la componente deseada.
En el siguiente circuito de modulador de doble balance, los

FETs act
uan como conmutadores
controlados por la se
nal de LO.
LO origina inversiones de fase de
RF en el puerto IF.
Si la se
nal LO hace que el punto a
sea positivo, los Q1 y Q2 se encienden, y c queda conectado a f y d a
e.
Se realiza el mismo an
alisis circuital
que en el circuito a diodos.
iD1
io
vgs1
vLO
vgs2
vLO
vgs3
vLO
vgs4
vLO
io
(iD2 iD1 ) + (iD3 iD4 )
iD2
iD3
iD4
gmo
vLO vRF
|Vp |
gmo
= gm2 (t) (vRF ) = gmQ vRF
vLO vRF
|Vp |
gmo
vLO vRF
= gm3 (t) vRF = gmQ vRF
|Vp |
gmo
= gm4 (t) (vRF ) = gmQ vRF +
vLO vRF
|Vp |
= gm1 (t) vRF = gmQ vRF +
gmo
gmo
gmo
gmo
vLO vRF (gmQ vRF +
vLO vRF ) + gmQ vRF
vLO vRF (gmQ vRF +
vLO vRF )
|Vp |
|Vp |
|Vp |
|Vp |
gmo
gmo
gmo
gmo
= gmQ vRF
vLO vRF gmQ vRF
vLO vRF ) + gmQ vRF
vLO vRF + gmQ vRF
vLO vRF
|Vp |
|Vp |
|Vp |
|Vp |
gmo
gmo
gmo
gmo
=
vLO vRF
vLO vRF )
vLO vRF
vLO vRF
|Vp |
|Vp |
|Vp |
|Vp |
gmo
= 4
vLO vRF
|Vp |
= gmQ vRF
NO aparece RF ni LO a la salida, ni m
ultiplos de estos.
Bibliografa
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92
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Mezcladores a MOSFET
Resumen
La operaci
on con MOSFET de compuerta u
nica es esencialmente la misma que la del JFET.
Tiene una capacitancia de transferencia inversa Crss mas baja que el FET. Por lo com
un Crss <
0,1pF que beneficia a la estabilidad en frecuencia.
Tiene una admitancia de transferencia directa yf s mas alta.
Se usan los de compuerta doble inyectando RF y LO por compuertas separadas reduciendo as la
interacci
on en los mezcladores de terminacion u
nica.
El de compuerta dual es particularmente u
til en VHF.
El segundo Gate se puede usar como puerto del oscilador local, o como control de ganancia autom
atico.
UTN-FRP 2011
93
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Bibliografa
no 2004
UTN-FRP 2011
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Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Mezcladores.
Ejemplo
Enunciado:
Encontrar la salida del mezclador cuando la entrada
es:
Mezclador
avi2
SSB
x(t)
SSB = aVm2 + aVc2 + aVm Vc cos[(wm wc )t]
Vc cos(wc t + )
x(t)
avi2 (t)
x(t)
a[SSB + Vc cos(wc t + )]2
x(t)
a[aVm2 + aVc2 + aVm Vc cos[(wm wc )t] + Vc cos(wc t + )]2
x(t)
a[aVm2 + aVc2 + aVm Vc cos[(wm wc )t]]2 + a[Vc cos(wc t + )]2 +

2a[aVm2 + aVc2 + aVm Vc cos[(wm wc )t]][Vc cos(wc t + )]
x(t)
a2 K 2 +
2a2 KVm Vc cos[(wm wc )t] +
a2 Vm2 Vc2 cos2 [(wm wc )t] +
aVc2 cos2 (wc t + ] +
2a2 Vc K cos(wc t + ) +
2a2 Vm Vc2 cos[(wm wc )t] cos(wc t + )
x(t)
x(t)
a2 K 2 +
cos2 (A) = 1+cos(2A)
2a2 KVm Vc cos[(wm wc )t] +
2
cos(A) cos(B) = cos(A+B)+cos(AB)
2 2 2 1 + cos[2(wm wc )t]
2
+
a Vm Vc
2
1 + cos(2wc t + 2)
aVc2
+
2
2a2 Vc K cos(wc t + ) +
cos[(wm wc )t + (wc t + )] + cos[(wm wc )t (wc t + )]
2a2 Vm Vc2
2
2 2 2
2
a
V
V
aV
m c
a2 K 2 +
+ c +
2
2
2
2a KVm Vc cos[(wm wc )t] +
a2 Vm2 Vc2
cos[2(wm wc )t] +
2
aVc2
cos(2wc t + 2) +
2
La salida del mezclador debe ser filtrada a la fre2a2 Vc K cos(wc t + ) +
2
2
cuencia diferencia, esta es:
a V V cos[w t + ] +
2
UTN-FRP 2011
m c
Vm Vc2
cos[(wm 2wc )t ]
2a2 KVm Vc cos[(wm wc )t]
95
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Mezcladores.
Ejemplo
Enunciado:
cos(w0 t)
Modulador
avi2
(fc , f )
Multiplicador
(fo , fo ) x(t)
x 12
Vm cos(wm t)
Calcule la variaci
on de frecuencia a la salida fo , el indice de modulacion mf y la constante de
proporci
on de modulaci
on Kf .
fc = 5M hz
fo
FF M (t)
mf
Kf
UTN-FRP 2011
Vm = 1V
fm = 1kHz
f = 10kHz
12f = 120kHz
= A cos[wc t + mf sin(wm t)]

f
10kHz
=
= 10
=
fm
1kHz
f
10kHz
kHz
=
=
= 10
Vm
1V
V
96
Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
no de un amplificador lineal de
potencia Clase A.
Final 03 de Agosto de 1994
Enunciado:
Se requiere dise
nar un amplificador de potencia en clase A que
entregue a un carga RL = 50 una potencia de Po = 25W a
una frecuencia de f = 2M hz. La fuente de alimentacion es de
VCC = 28V .
La potencia de salida m
axima que el amplificador clase A es capaz de entregar, ocurre bajo condiciones de m
axima excursi
on simetrica. Esto es cuando el punto Q de polarizacion se sit
ua de forma
que la excursi
on en alterna sea m
axima e igual para los picos positivos y negativos.
En la m
axima excursi
on simetrica Vom = VCC y Iom = ICQ .
axima que se puede entregar sobre la carga es, por lo tanto:
Po =
2
Vom
V2
282
= 7,84W
= CC =
2RL
2RL
2 50
Esta potencia es muy inferior a la potencia deseada de Po = 25W .

Para entregar una mayor potencia es necesario aumentar la amplitud Vom o reducir la resistencia
de la carga RL vista por el amplificador.
Esto se hace conectando un transformador con relacion de vueltas N = m
entre la carga y la salida
n
del amplificador, que eleve la tension a un mnimo de Vom = 2Ro Po = 2 50 25 = 50V a partir
de la fuente de VCC .
Sin embargo, los valores m
aximos reales de tension y corriente que se pueden entregar deben ser
ligeramente menor que los ideales debido a los efectos de saturacion. Por lo tanto del lado primario
del transformador elegimos Vom1 = 25V , en lugar de VCC .
Para dise
nar el transformador nos valemos de la relacion de transformacion:
m
Vprim
Isec
Vom1
Vom1
25
N=
=
=
N=
=
=
= 0,5
n
Vsec
Iprim
Vom2
50
2RL Po
Ademas, podemos obtener la reflexion de RL a R como:
R = Rprim =
UTN-FRP 2011
Vprim
N Vsec
Vsec
= 1
= N2
= N 2 Rsec = N 2 RL = 0,52 50 = 12,5
Iprim
I
I
sec
N sec
97
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Luego calculamos la corriente y las potencias de entrada y salida.

Iom2 =
Vom2
50V
=
= 1A
R
50
Po =
1
1 Vom2
Iom2 Vom2 =
Vom2 = 25W
2
2 R
Esta corriente se refleja a traves del transformador como Iom1 =
1
N Iom2
1
0,5 1
= 2A
Nuevamente, para m
axima excursion simetrica: Idc = ICQ = Iom1 .
Con esto, la potencia m
axima de entrada se calcula como: Pi = VCC Idc = VCC Iomprim = 28 2 =
56W . Note que usamos VCC para este calculo.
La eficiencia es entonces: =
Po
Pi
25
56
= 0,4464 <
1
2
La potencia disipada en el transistor es la diferencia Pd = Po Pi
El circuito sintonizado paralelo, no es una parte absolutamente necesaria de un amplificador clase

A, sin embargo se incluye para eliminar las alinealidades del transistor y evitar que las corriente
arm
onicas alcancen la carga.
El circuito LC paralelo se sintoniza con:
XL = XC =
RL
Q
w0 L =
1
RL
=
w0 C
Q
El Q es el factor de merito que es la razon de reactancia a resistencia de una bobina. Elegimos este
valor en Q = 5 dado que es un valor razonable para amplificadores clase A.
C=
Qt
= 31,83nF
w0 R
L=
1
= 199nHy
w02 C
La reactancia de la RFC debe ser por lo menos XLRF C = w0 L 10R

9,947Hy, para minimizar su efecto en el circuito.
De manera similar para XCb =
1
w0 C
R
10
Cb
10
w0 R
LRF C
10R
w0
= 6,36nF .
Bibliografa
UTN-FRP 2011
98
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
potencia Clase B.
Final 17 de marzo de 1993
Enunciado:
Se requiere dise
nar un amplificador
de potencia en clase B que entregue a
una carga RL = 50 una potencia de
Po = 100W a una frecuencia de f =
2M hz. La fuente de alimentaci
on es
de VCC = 28V .
Un amplificador Clase B funciona de manera similar al de Clase A. Salvando algunas diferencias:

Cada transistor se excita u
nicamente durante medio ciclo defasados 180 (contrafase) entre si.
Cuando un transistor se encuentra en la zona activa, el otro se encuentra en corte.
Cuando el voltaje de colector es el mas alto, la corriente de colector es cero ya que idealmente
llega al borde de saturacion.
Durante un medio ciclo solo una mitad del devanado primario lleva corriente. Durante este
medio ciclo el circuito es equivalente al clase A, exceptuando la polarizacion del punto Q
(ICQ = 0).
No hay m
axima excursi
on simetrica, solo maxima excursion, y esta es idealmente Vom = VCC .
Para evitar los efectos de saturacion Vom VCC
Tenemos si o si un transformador y una relacion de transformacion como incognita.
La resistencia reflejada desde el transformador es: R = N 2 RL .
En la m
axima excursi
on (Vom = VCC ), la potencia de salida maxima que se puede entregar sobre
la carga es:
V2
V2
Po = om CC
2R
2R
q
Para encontrar N = RRL debemos despejar R de la formula de Po :
R
2
VCC
= 3,92
2Po
Entonces la relaci
on de transformacion es N
3,92
50
= 0,28
Tomamos un valor inferior para mantener un margen contra los efectos de saturacion: N 0,25 =
y recalculamos R = N 2 RL = 3,125.
UTN-FRP 2011
1
4
99
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
El voltaje de salida pico es Vom =
2RPo =
La corriente de salida pico es: Iom =
Vom
R
2 3,125 100 = 25V
28V
3,125
= 8A
Para m
axima excursi
on durante medio periodo: Idc =
2
Iom
= 5,09A

axima de entrada se calcula como: Pi = VCC Idc =
142,6W
Po
Pi
100
142,6
= 0,7012 <
La potencia disipada en cada transistor es Pd =
2
VCC
2 R
2
VCC Iom
= 28 5,09 =
= 25,41W y se da cuando Vcm =
2
VCC
Elegimos Q = 5 dado que es un valor razonable para amplificadores clase B.

Usando un circuito resonantes paralelo, y teniendo en cuenta que este se encuentra a la salida del
transformador, calculamos sus valores con XL = XC = RQL :
Co =
Qt
5
=
= 7958pF
w0 RL
2 2000000 50
Lo =
1
w02 Co
= 0,795Hy
Bibliografa
UTN-FRP 2011
100
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
potencia Clase A.
Enunciado:
Se requiere dise
nar un amplificador de potencia en clase A que
entregue a un carga RL = 50 una potencia de Po = 1W a
una frecuencia de f = 10M hz. La fuente de alimentacion es de
CC = 12V .
En la m
axima excursi
on simetrica
Vom = VCC y Iom = ICQ .
axima que se puede entregar sobre la carga es:
Po =
2
Vom
V2
122
= 1,44W
= CC =
2RL
2RL
2 50
Esta potencia es mayor a la potencia deseada de Po = 1W .
El voltaje de salida pico es Vom = 2Ro Po = 2 50 1 = 10V

La corriente de salida pico es: Iom =
Vom
R
12V
50
= 200mA
Nuevamente, para m
axima excursion simetrica: Idc = ICQ = Iom .
axima de entrada se calcula como: Pi = VCC Idc = VCC Iom = 12 0,2 = 2,4W .
Po
Pi
1
2,4
= 0,417 <
1
2
La potencia disipada en el transistor es la diferencia Pd = Po Pi = 1,4W

Elegimos Q = 5 dado que es un valor razonable para amplificadores clase A.
Los valores de Co y Lo se calculan con XL = XC =
Co =
RL
Q :
Qt
5
=
= 1592pF
w0 R
2 10000000 50
Lo =
1
w02 Co
= 0,159Hy
La reactancia XLRF C debe ser por lo menos 10R, entonces: LRF C 8Hy
De manera similar, la reactancia XCb debe ser mayor que
R
10 ,
entonces: Cb 3200pF
Bibliografa
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101
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
potencia Clase B.
Enunciado:
Se requiere dise
nar un amplificador
de potencia en clase B que entregue
a una carga RL = 50 una potencia de Po = 25W sin redes de acoplamiento sintonizadas. La fuente de
alimentaci
on de corriente continua es
de VCC = 28V .
En este ejercicio el filtro (Lo y Co ) no existe.
A partir de la funci
on de la potencia de salida maxima para maxima excursion (Vom = VCC ),
2
VCC
despejamos R 2Po = 15,7
q
Entonces la relaci
on de transformacion es N RRL = 0,56
Tomamos un valor inferior para mantener un margen contra los efectos de saturacion: N 0,5 =
2
VCC
y recalculamos R = N 2 RL = 12,5 y POmax =
2R
El voltaje de salida pico para Po requerido es Vom1
1
2
= 31,36W
= 2RPo = 2 12,5 25 = 25V
La corriente de salida pico para Po requerido es: Iom1 =
Vo
R
Para la excursi
on de Vo req. durante medio periodo: Idc =
Para m
axima excursi
on durante medio periodo: Idcmax =
25V
12,5
2
Iom1
2
Iom
= 2A
2 Vom1
R
2 VCC
R
= 1,27A
= 1,426A
La potencia de entrada para un Po de salida es: Pi = VCC Idc = 28 1,27 = 35,6W

Mientras que la potencia m
axima de entrada es: PImax = VCC Idcmax = 28 1,426 = 39,93W
La eficiencia para un Po es entonces: =
Y la m
axima: max =
POmax
PImax
31,36
39,93
Po
Pi
25
35,6
= 0,785
La potencia disipada en cada transistor es Pd =
= 0,702 <
4
2
VCC
2 R
= 6,35W y se da cuando Vcm =
2
VCC
Los transistores deben soportar voltajes pico de VCC + Vom1 = 28 + 25V = 53V y corrientes pico
de Iom = 2A.
UTN-FRP 2011
102
Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
potencia Clase B con FET.
Ejemplo
Enunciado:
Suponer que Vdd puede variar en su
vida u
til de 24 a 28V . Dise
nar un
amplificador de potencia clase B para una frecuencia de f = 27M hz
que entregue 16W a una carga de
RL = 50, dentro de este rango total
de alimentaci
on. Usar FETs con una
Ron = 2,5 y especificar la ejecuci
on
con ambos modos extremos de VDD .
Los FETs presentan algunas peque
nas diferencias:
Poseen una resistencia de saturacion Ron en vez de un voltaje de saturacion.
El ejercicio se realiza para ambos valores limite de VDD :
P ara VDD = 24V
P ara VDD = 28V

En la m
axima excursi
on (Vom = VDD ), la potencia de salida maxima que se puede entregar sobre
2
2
Vom
VDD
la carga es: Po = 2R 2R
Despejamos
R
2
VDD
= 18
2Po
Entonces la relaci
on de transformacion es:
r
R
N
= 0,6
RL
2
VDD
= 24,5
2Po
r
N
R
= 0,7
RL
Tomamos un valor inferior fijo para ambos niveles de VDD , ya que podemos variar este nivel pero no
podremos variar la relaci
on de vueltas una vez realizado el circuito. El valor de N debe ser inferior
al ideal para mantener un margen contra los efectos de saturacion. Recalculamos tambien el valor
de R y el de potencia de salida Po
1
N 0,5 =
R = N 2 RL = 12,5
2
UTN-FRP 2011
103
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Para evitar que el dispositivo sature reemplazamos todas las ocurrencias de VDD por Vef f , excepto
para Pi :
R
R
Vef f =
Vef f =
VDD = 20V
VDD = 23,33V
R + Ron
R + Ron
axima es entonces:
Po =
2
Vef
f
= 16W
2R
La corriente de salida pico es:

Vef f
Iom =
= 1,6A
R
Para m
axima excursi
on durante medio periodo:
2
Idc = Iom = 1,02A
2
Vef
f
= 21,77W
2R
Po =
Iom =
Vef f
= 1,86A
R
Idc =
2
Iom = 1,18A

axima de entrada y la eficiencia se calculan como:
Pi = VDD Idc = 24,44W
Po
= 0,6547 <
Pi
4
Po
= 0,6544 <
Pi
4
La potencia disipada en cada transistor es:

Pd =
2
1 Vef
f
= 3,24W
2 R
Pd =
2
1 Vef
f
= 4,49W
2 R
En el segundo caso, el dise

no esta sobre dimensionado y tiene una eficiencia muy por debajo de su
potencial como amplificador clase B.
Se usa un circuito resonantes paralelo a la salida del transformador identico para ambos casos,
calculamos sus valores con XL = XC = RQL :
Qt
1
Co =
= 589,41pF
Lo = 2
= 58,946mHy
w 0 RL
w0 Co
La tensi
on y corrientes picos de drenador:
Vdmax = 2Vef f = 40V
Vdmax = 2Vef f = 46,66V
Idmax = Iom = 1,6A
Idmax = Iom = 1,86A
Bibliografa
UTN-FRP 2011
104
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
potencia Clase B con FET.
Examen 30 de junio de 2008
Enunciado:
Suponer que Vdd puede variar en su vida u
til de 28
a 32V . Dise
nar un amplificador de potencia clase
B para una frecuencia de f = 48M hz que entregue
20W a una carga de RL = 100, dentro de este
rango total de alimentaci
on. Usar FETs con una
Ron = 2,3 y especificar la ejecuci
on con ambos
modos extremos de VDD . Si necesita un transformador, usar alguna de las siguientes relaciones 0,3,
0,4, 0,5 o 0,6.
Los FETs presentan algunas peque
nas diferencias:
Poseen una resistencia de saturacion Ron en vez de un voltaje de saturacion.
El ejercicio se realiza para ambos valores limite de VDD :
P ara VDD = 28V
P ara VDD = 32V

En la m
axima excursi
on (Vom = VDD ), la potencia de salida maxima que se puede entregar sobre
2
2
Vom
VDD
la carga es: Po = 2R
2R
Despejamos
R
2
VDD
= 19,6
2Po
Entonces la relaci
on de transformacion es:
r
R
N
= 0,4427
RL
2
VDD
= 25,6
2Po
r
N
R
= 0,506
RL
Tomamos un valor inferior fijo para ambos niveles de VDD , ya que podemos variar este nivel pero no
podremos variar la relaci
on de vueltas una vez realizado el circuito. El valor de N debe ser inferior
al ideal para mantener un margen contra los efectos de saturacion. Recalculamos tambien el valor
de R y el de potencia de salida Po
2
R = N 2 RL = 16
N 0,4 =
5
Para evitar que el dispositivo sature reemplazamos todas las ocurrencias de VDD por Vef f , excepto
para Pi :
R
R
Vef f =
VDD = 24,48V
Vef f =
VDD = 27,98V
R + Ron
R + Ron
UTN-FRP 2011
105
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
axima es entonces:
Po =
2
Vef
f
= 18,73W
2R
Po =
La corriente de salida pico es:

Vef f
Iom =
= 1,53A
R
2
Vef
f
= 24,46W
2R
Iom =
Para m
axima excursi
on durante medio periodo:
2
Idc = Iom = 0,974A
Idc =
Vef f
= 1,75A
R
2
Iom = 1,114A

axima de entrada y la eficiencia se calculan como:
=
Po
= 0,6867 < = 0,7854

Pi
4

=
Po
= 0,6862 < = 0,7854

Pi
4
La potencia disipada en cada transistor es:

Pd =
2
1 Vef
f
= 3,795W
2 R
Pd =
2
1 Vef
f
= 4,957W
2 R
En el segundo caso, el dise

no esta sobre dimensionado y tiene una eficiencia muy por debajo de su
potencial como amplificador clase B.
Se usa un circuito resonantes paralelo a la salida del transformador identico para ambos casos,
calculamos sus valores con XL = XC = RQL :
Qt
1
Co =
= 165,8pF
Lo = 2
= 66,3mHy
w 0 RL
w0 Co
La tensi
on y corrientes picos de drenador:
Idmax = Iom = 1,53A
Idmax = Iom = 1,75A
Se observa que no se cumple el requerimiento de potencia para todo el rango de VCC , por lo que
debemos recalcular para un valor de N = 0,3, o bien usarlo en un rango de
R + Ron p
2RPo = 28,94 < VCC < 32V
R
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onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
no de un amplificador de
potencia sintonizado Clase C.
Enunciado:
Dise
ne un amplificador de potencia clase C para entregar una potencia Po = 25[W ] a una carga de
RL = 50[] con una eficiencia del = 85 % (Sin considerar los efectos de saturacion). La operacion se
har
a en f = 50[M hz] y la fuente de tension sera de VCC = 12[V ].
Los Clase C tienen las siguientes particularidades:

Su comportamiento se define por conducir en un ciclo y[rad] <
ciclo de RF.
2.
Menos de la mitad de medio
Su angulo de conducci
on es 2y[rad].

IDQ
La relacion entre Vom (salida) y IDD (entrada) es no-lineal, ya que y = cos1 IDD
es no
lineal y es funci
on de IDD . Por ello se lo utiliza en aplicaciones donde no hay variacion en la
amplitud de la se
nal.
La eficiencia es mayor que en clase B debido a su menor angulo de conduccion, pudiendo
100 % para un y 0, pero tambien la Pmax 0.
La saturacion se evita usando Vef f = VCC Vsat en lugar de VCC , exceptuando para Pi .
axima que se puede entregar sobre la carga es: Po =
Despejamos la resistencia R: R
2
VDD
2Po
2
Vom
2R
2
VDD
2R
= 2,88
La red acopladora PI convierte la RL en R, por lo que usaremos el valor de R para los calculos.
El angulo de conducci
on y se obtiene con el dato de eficiencia necesitado, a partir de la gr
afica
2ysin 2y
trazando
una
recta
en
=
0,85
(o bien mediante resoluci
on numerica) de max = 4(sin
yy cos y)
intersectando la curva y obteniendo el valor de y = 73,5 = 1,282[rad]
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107
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UTN-FRP 2011
Conocemos el valor de tensi

on pico de salida Vom ya que es el mismo de la fuente VDD , por lo que
de ahi despejamos IDD
Vom =
IDD R
(2y sin 2y) = VDD
2
La corriente de polarizaci
on es entonces:

IDQ
y = cos1
IDD
IDD =
2VDD
1
= 12,97A
R 2y sin 2y
IDQ = IDD cos y = 3,70A
La corriente de dispositivo m
axima es: iDmax = IDD IDQ = 9,27A
El voltaje de dispositivo m
aximo es: vDmax = 2VDD = 24V
La capacidad de salida de potencia: Pmax =
Esto podemos verificar con Pmax =
2y sin 2y
= 0,1124
8(1 cos y)
Po
= 0,1124
vDmax iDmax
El filtro PI se calcula como dos filtros L. Asignamos las impedancias de entrada y salida ZI1 = R y
ZI2 = RL y elegimos una resistencia intermedia inferior a ambas (Rx = 1). Esta es la resistencia
virtual que situamos entre los dos filtros L. Entonces las formulas quedan:
Adaptaci
on de impedancias tipo L Zi > Zo
Adaptaci
on tipo L invertido Zi < Zo
p
p
ZI22 Z22
Rx2 Z22
Z1 =
ZI1 (ZI1 ZI2 ) = Rx (Rx RL )
=
Z1 =
Z
Z2
ZI21 Z12
R2 Z12
p 2
p
Z2 =
= x
Z2 =
ZI2 (ZI2 ZI1 ) = Rx (Rx R)
Z1
Z1
Para el primer filtro de izquierda a derecha:
p
p
Z2 =
Rx (Rx R) = 1(1 2,88) = j1,3711 = jwL1
Z1 =
2
Rx
Z22
Z2
1 (j1,3711)
(j1,3711)
1+1,88
j1,3711
1
j 1,3711
2,88
1
j0,476
1
jwC1
L1 = 4,36nHy
C1 = 1,5151nF
Las impedancias Z2 del primer filtro L y Z1 del segundo estan en serie, por lo que convenientemente
debemos conservar el mismo tipo de elemento (inductor).
Para el segundo filtro:
p
p
Z1 =
Rx (Rx RL ) = 1(1 50) = j7 = jwL2
Z2 =
2
Rx
Z12
Z1
1+49
j7
1
7
j 50
1
j0,14
1
jwC2
L2 = 22,28nHy
C2 = 445,6pF
El inductor en el medio del filtro PI es: L = L1 + L2 = 26,64nHy

1,591Hy, para minimizar su efecto en el circuito.
1
w0 C
R
10
Cb
10
w0 R
LRF C
10R
w0
= 636pF .
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Electr
onica Aplicada 3
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Dise
Examen 30 de junio de 2008
Enunciado:
Dise
ne un amplificador de potencia clase C para entregar una potencia de Po = 50[W ] a una carga de
RL = 55[] con una eficiencia del = 85 % (Sin
considerar los efectos de saturacion). La operacion
se har
a en f = 60[M hz] y la fuente de tension sera
de VCC = 12[V ].
La resistencia R que se debe obtener mediante una red acopladora PI con un: R
2
VDD
2Po
= 1,44
afica
2ysin 2y
trazando
una
recta
en
=
0,85
yy cos y)

2VDD
1
R
2ysin 2y
La corriente de excitaci
on es IDD =
= 26,325A
on es entonces: IDQ = IDD cos y = 7,697A
2y sin 2y
= 0,112
8(1 cos y)
Po
= 0,112
vDmax iDmax
Para el filtro PI, elegimos la resistencia intermedia: Rx = 1.

p
Z2 =
Rx (Rx R) = j0,6633 = jwL1
Z1 =
2
Rx
Z22
Z2
1
j0,46
1
jwC1
L1 = 1,7595nHy
C1 = 1,222nF
L2 = 19,492nHy
C2 = 354pF

Z1 =
Z2 =
p
Rx (Rx RL ) = j7,348 = jwL2
2
Rx
Z12
Z1
1
j0,1336
1
jwC2

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38,197nHy, para minimizar su efecto en el circuito.
1
w0 C
R
10
Cb
10
w0 R
LRF C
10R
w0
= 18,421nF .
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Dise
Examen 13 de diciembre de 2006
Enunciado:
Dise
ne un amplificador de potencia clase C para entregar una potencia de Po = 40[W ] a una carga de
RL = 50[] con una eficiencia del = 80 % (Sin
considerar los efectos de saturacion). La operacion
se har
a en f = 50[M hz] y la fuente de tension sera de VCC = 12[V ]. Considerar que la escala de la
gr
afica van de a 5 y de ser necesario utilizar una red
adaptadora PI.
La resistencia R que se debe obtener mediante una red acopladora PI con un: R
2
VDD
2Po
= 1,8
afica
2ysin 2y
trazando
una
recta
en
=
0,8
yy cos y)

La corriente de excitaci
on es IDD =
2VDD
1
R
2ysin 2y
= 14,995A
on es entonces: IDQ = IDD cos y = 1,307A
2y sin 2y
= 0,122
8(1 cos y)
Po
= 0,122
vDmax iDmax
Para el filtro PI, elegimos la resistencia intermedia: Rx = 1.

p
Z2 =
Rx (Rx R) = j0,8944 = jwL1
Z1 =
2
Rx
Z22
Z2
1
j0,497
1
jwC1
L1 = 2,847nHy
C1 = 1,58nF

Z1 =
Z2 =
p
Rx (Rx RL ) = j7 = jwL2
2
Rx
Z12
Z1
1
j0,14
1
jwC2
L2 = 22,3nHy
C2 = 445,6pF

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111
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011

57,296nHy, para minimizar su efecto en el circuito.
1
w0 C
R
10
Cb
10
w0 R
LRF C
10R
w0
= 17,684nF .
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Dise
potencia de alta eficiencia Clase D
Complementario.
Ejemplo
Enunciado:
Dise
nar un amplificador de potencia
clase D que entregue una potencia
Po = 100W a una carga de RL = 50
operando a una frecuencia de f =
1,8M hz. La fuente es de VCC = 48V .
Los transistores utilizados tienen las
siguientes especificaciones:
Vsat = 1V
V = 0,7V
= 20
La transformaci
on de impedancias va a efectuarse mediante el circuito sintonizado de salida.
Para usar las funciones establecidas para el clase D, debemos suponer un ciclo de operacion de 50 %.
Hay dos formas de entregar la potencia requerida: Disminuir la resistencia con un adaptador de
impedancia o aumentar la tensi
on de fuente.
Como aqu VCC esta especificado, haremos la adaptacion de impedancia de la carga.
El voltaje de saturacion afectan de formas diferentes seg
un el tipo de clase D.
Para el acoplado con transformador: Vef f = VCC Vsat
Para la configuraci
on complementaria: Vef f = VCC 2Vsat
Para FET: Vef f = VDD RonR+R
Para el de conmutaci
on de corriente el Ron queda en la trayectoria de Idc , por lo que queda:
dc
Vef f = VDD RdcR+R
,
donde Rdc = 8 R2
on
El voltaje eficaz es: Vef f = VCC 2Vsat = 46V
Despejamos la resistencia: R =
2
2 Vef f
2
Po
2
Vom
2R
2
2 Vef f
2 R
= 4,28
Calculamos la corriente de entrada en corriente continua, la cual es el promedio de la corriente que

V f
circula por el transistor: Idc = 22 ef
R = 2,17A
La potencia de entrada (sin usar Vef f ) es : Pi = Idc VCC = 104,34W
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113
Jacobi Diego Matas
La eficiencia: =
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Po
Pi
= 0,9583
La corriente pico es :Icm = Idc = 6,81A

La tensi
on pico es: Vom =
2
Vef f
= 29,28V
Para el calculo del filtro de salida, hallamos Q =

Lo =
RL
R
QR
= 1,97Hy
wo
= 3,42, pero redondeamos a Q = 5.
Co =
1
= 3,98nF
wo2 Lo
Notar que estas definiciones son para el filtro de salida en serie y no en paralelo.
La corriente de base pico es :Ibm =
Icm
La tensi
on de colector pico es :vcm =
= 0,3405A
8
Idc R
= 23,65V
2
Psmax = Cs Vef
f fmax = 1,083W
La potencia de la excitaci
on es: PDR =
2
V Ibm
= 0,1517W
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
Complementario.
Enunciado:
Dise
Po = 25W a una carga de RL = 50.
Considere los transistores utilizados
como ideales.
La transformaci
on de impedancias va
a efectuarse mediante el circuito sintonizado de salida.
on de fuente.
Como aqu VCC NO esta especificado, calcularemos la tension de fuente a la cual se le puede entregar
la potencia requerida a la carga, y R = RL .
No se calculara la Vef f ya que los transistores se consideran conmutadores ideales.
q
Despejamos la tensi
on de fuente: VCC = 22 Po R = 78,5V
2
Vom
2R
2
2 VCC
2 R
Calculamos la corriente de entrada en corriente continua, la cual es el promedio de la corriente que

circula por el transistor: Idc = 22 VCC
R = 0,318A
La eficiencia: =
Po
Pi
24,963
25
La corriente pico es :Icm = Idc = 1A

La tensi
on pico es: Vom =
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2
VCC
= 49,97V
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25 de junio de 2011
Dise
Complementario con FET.
Ejemplo
Enunciado:
Dise
Po = 5W a una carga de RL =
50 operando a una frecuencia de
f = 27M hz. Los transistores utilizados tienen las siguientes especificaciones:
Ron = 2,5
gm = 0,1mv
Si es necesario la transformaci
on de impedancias va a efectuarse mediante el circuito sintonizado de
salida.
on de fuente.
Como aqu VCC NO esta especificado, NO haremos la adaptacion de impedancia de la carga y
calcularemos el valor de la fuente de alimentacion que puede entregar la potencia requerida a la
carga.
q
2
La tensi
on eficaz: Vef f = 2 Po R = 35,124V
2
2 Vef f
2 R
+R
Ademas, de Vef f = VDD RonR+R obtenemos VDD = Vef f Ron
= 36,88V
Ron
Calculamos la corriente de entrada en corriente continua: Idc =
2 Vef f
2 R
= 142,352mA

La eficiencia: =
Po
Pi
= 0,95
La corriente pico es :Icm = Idc = 447,212mA

La tensi
on pico es: Vom =
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2
Vef f
= 22,36V
117
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Para el calculo del filtro de salida, elegimos Q = 5 con XL = XC = QRL .

Lo =
QR
= 1,47Hy
wo
Co =
1
wo2 Lo
= 23,58pF
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Dise
de conmutaci
on de voltaje.
Ejemplo
Enunciado:
Dise
clase D en conmutaci
on de voltaje que
entregue una potencia Po = 150W
a una carga de RL = 50 operando
a una frecuencia de entre 2 f
30M hz. La fuente de alimentaci
on es
VCC < 28V . Los transistores utilizados tienen las siguientes especificaciones:
Vsat = 1V
V = 1V
Cs = 100pF
= 15
Si es necesario la transformaci
on de impedancias se realiza mediante transformador.
Los clase D de conmutaci
on de tension son identicos a los amplificadores clase B salvando que el
filtro de salida es uno serie en este caso.
on de fuente.
Como aqu VCC NO esta especificado, pero SI limitado, fijaremos el valor de la fuente en VCC = 24V
y calcularemos la R = N 2 RL necesaria.
La tensi
on eficaz: Vef f = VCC Vsat = 23V
N 2 RL
2
8 Vef f
2
donde R =
2
8 Vef
f
= 2,8586
2 Po
q
R
La raz
on de vueltas del transformador es: N =
RL = 0,239 0,2 entonces recalculamos R =
Despejando la resistencia R =
N 2 RL = 2
8 Vef f
= 9,32A
2 R
La potencia de entrada (sin usar Vef f ) es : Pi = Idc VCC = 223,68W que da una eficiencia muy por
debajo del potencial del clase D de = 0,67.
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119
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Manteniendo fijo el N en 0,2 volvemos aqvariar la tension de alimentacion despejando esta de la

2
formula de la potencia de salida: Vef f = 8 Po R = 19,238V
Elegimos entonces aproximando un VCC = 20V y por lo tanto Vef f = 19V .
8 Vef f
= 7,7A
2 R
La potencia de entrada (sin usar Vef f ) es : Pi = Idc VCC = 154W

La eficiencia: =
Po
Pi
= 0,974 que es un resultado mucho mas satisfactorio.
La corriente de colector pico es :Icm =

La tensi
on pico es :Vom =
R
4
Idc N
2 Idc
= 12A
= 98V
La tensi
8
Idc R
= 39,22V
2
Psmax = Cs Vef
f fmax = 1,083W
Icm
= 0,8A
on es: PDR =
2
V Ibm
= 0,41W
Para el calculo del filtro de salida, elegimos Q = 5 y f = 28M hz y calculamos con XL = XC =

QRL
Lo =
QRL
= 1,42Hy
w
Co =
1
= 227pF
w2 Lo
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de conmutaci
on de voltaje.
Final 19 de julio de 2002
Enunciado:
Dise
clase D que entregue Po = 35W a una
carga de RL = 75. La operaci
on sera en cualquier frecuencia dentro de
la banda de 2 < f < 50M hz para
comunicaciones marinas en SSB. Utilizar un voltaje de alimentaci
on menor de 30V y dispositivos de 30V con
Vsat = 1V , V = 1V , Cs = 100pF y
= 23.
on de fuente.
Como aqu VCC NO esta especificado, pero SI limitado, fijaremos el valor de la fuente en VCC = 30V
y calcularemos la R = N 2 RL necesaria.
La tensi
on eficaz: Vef f = VCC Vsat = 29V
N 2 RL
Despejando la resistencia R =
2
8 Vef f
2 R
donde R =
2
8 Vef
f
= 19,47
2 Po
La raz
on de vueltas del transformador es: N =
R
RL
= 0,5095 0,5 entonces recalculamos R =
N RL = 18,75
8 Vef f
= 1,2537A
2 R
La potencia de entrada (sin usar Vef f ) es : Pi = Idc VCC = 37,6W cuya eficiencia resulta de = 0,93.
Sin embargo, todava podemos adaptar la tension de la fuente para obtener un mejor resultado de
eficiencia.
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121
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Manteniendo fijo N = 0,5 volvemos

q a variar la tension de alimentacion despejando esta de la formula
de la potencia de salida: Vef f =
2
8 Po R
= 28,45V
Entonces La mayor eficiencia la obtendremos con un VCC = 29,45V .

8 Vef f
= 1,23A
2 R

La eficiencia: =
Vef f
VCC
Po
Pi
= 0,966 que es un resultado mas satisfactorio y mas cercano al limite max =
La corriente de colector pico es :Icm =

La tensi
on pico es :Vom =
4
R
Idc N
2 Idc
= 1,932A
= 58,728V
La tensi
8
Idc R
= 58,728V
2
Psmax = Cs Vef
f fmax = 4,047W
Icm
on es: PDR =
= 0,084A
2
V Ibm
= 0,05347W
Para el calculo del filtro de salida, elegimos Q = 5 y f = 48M hz y calculamos con XL = XC =

QRL :
Lo =
QRL
= 1,2434Hy
w
Co =
1
= 8,84pF
w2 Lo
Bibliografa
UTN-FRP 2011
122
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
de conmutaci
on de corriente.
Enunciado:
Dise
clase D en conmutaci
on de corriente
que entregue una potencia Po = 10W
a una carga de RL = 50. Suponer
que VCC 12V , N = 0,5 y R = 12,5.
Los transistores utilizados se consideran ideales.
Los de conmutaci
on de corriente tienen un filtro de salida paralelo.
Los de conmutaci
on de corriente tienen un inductor RFC conectado al punto medio del transformador en vez de un capacitor que impulsa una corriente constante Idc . Cualquiera de los dispositivos
que este operando recibe la totalidad de corriente de entrada c.c. generandose corrientes de colector
de onda cuadrada, cuyos niveles son 0 e Idc .
on de fuente.
Como aqu VCC NO esta especificado, pero SI limitado, deberemos hallarlo. En este ejercicio tenemos
la facilidad de que tenemos N y R como datos. Entonces:
La resistencia que ve la fuente de alimentacion si el amplificador es ideal es: Rdc =
8
2 R
= 10,132
dc
La tensi
on eficaz: Vef f = VCC RdcR+R
sin embargo no la usamos ya que los transistores son ideales,
on
por lo tanto Vef f = VCC
N 2 RL
r
2
Despejando la tensi
on Vef f = VCC =
Po R = 10,1V
8
UTN-FRP 2011
2
8 Vef f
2 R
donde R =
123
Jacobi Diego Matas
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2 Vef f
= 1,0A
8 R
En un clase D de conmutaci
on de corriente, la corriente de colector pico es la misma que la corriente
de continua: Icm = Idc
La potencia de entrada (sin usar Vef f ) es: Pi = Idc VCC = 10,1W
La eficiencia: =
Po
Pi
= 0,99
La tensi
on pico es: vCmax = VCC = 31,7V
Para el calculo del filtro de salida, elegimos Q = 5 y como no hay especificacion de frecuencia
sabremos solamente las reactancias de cada una, calculando con XL = XC = RQL = 10:
Bibliografa
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124
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
potencia de alta eficiencia Clase E.
Enunciado:
Dise
ne un amplificador clase E
optimo para entregar una potencia Po = 25[W ] a una carga de RL = 50[]. La operaci
on se har
a en f = 52[M hz]
y la fuente de tensi
on sera de
VCC = 12[V ]. El transistor tiene un Vsat = 1V .
Los Clase E tienen las siguientes particularidades:
Un solo transistor trabaja como conmutador conectado a una red de carga pasiva.
La red de carga pasiva es un circuito sintonizado serie Lo Co y un acoplamiento de carga
opcional.
Una capacidad C1 inherente del transistor y una C2 agregada para despreciar la variaci
on de
C1 .
La carga del capacitor de derivacion C = C1 k C2 determina la forma de onda de salida.
Si el circuito usa FETs, la tensi
on eficaz es: Vef f =
R
R+1,365Ron
Si el circuito usa BJTs, la tensi

on eficaz es: Vef f = VDD Vsat = 11V
Despejamos la resistencia: R =
2
Vef
2
f
1 + 2 /4 R
2
Vef
2
f
= 2,79
1 + 2 /4 Po
Una red acopladora convierte la RL en R, por lo que usaremos el valor de R para los calculos.
2
Vef f
= 2,27A
2
1 + /4 R
aximo es Vom = 1,074Vef f = 11,814V
aximo es: vCmax = 3,56Vef f = 39,16V
axima es: iCmax = 2,86Idc = 6,49A
La potencia de entrada es Pi = VCC Idc = 27,24W
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125
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
La eficiencia: =
Po
Pi
= 0,9177
En clase E se debe calcular el B (susceptancia de la capacitancia de derivacion C a la frecuencia de

nadida por el filtro de acoplamiento, de
operaci
on B = wC = X1C ) y X (la componente reactiva a
forma que la etapa de salida es R + jX y la primer armonica v1 queda aplicada a esta impedancia).
Cuando el Q de salida es muy alto, tanto que Q , podemos usar las formulas aproximadas
B = 0,1836
y X = 1,152R, pero normalmente no es el caso y para Q finito se usan las formulas
R
empricas:
0,1836
B=
R
0,81Q
1+ 2
Q +4

X=
1,110Q
R
Q 0,67
Eligiendo un Q = 5 obtenemos B = 0,075 y X = 3,576

De aqu y sabiendo que B = wC = 0,075 despejamos C = 229pF
Para el calculo del filtro de salida: XL = XC = QRL
Lo =
QRL
wo
Co =
1
1
=
= 12,24pF
L
w
QR
wo2 QR
o
L
wo
Luego, la reactancia de Lo sera XLo = wLo = X + XCo = X +

Lo = 776nHy
1
wCo
= 253,576 que da un
La RFC deber
a tener una impedancia de al menos 10R, por lo que sera: LRF C
10R
wo
= 116nHy
Finalmente para la red acopladora de impedancia hacemos un filtro PI y elegimos la resistencia

intermedia: Rx = 1.
p
Rx (Rx R) = j1,3379 = jwL1
Z2 =
Z1 =
2
Rx
Z22
Z2
1
j0,7474
1
jwC1
L1 = 4,095nHy
C1 = 2,2876nF

Z1 =
Z2 =
p
Rx (Rx RL ) = j7 = jwL2
2
Rx
Z12
Z1
1
j0,14
1
jwC2
L2 = 21,4247nHy
C2 = 428,49pF
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126
Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
Examen 20 de febrero de 2008
Enunciado:
Dise
nar un amplificador clase E
optimo para la banda de aficionados en = 6[m]. Se requiere entregar una potencia Po =
70[W ] en una carga de RL =
50[] a partir de una fuente de
VCC = 12[V ], pudiendo usar un
acoplamiento de salida. El transistor tiene un Vsat = 1V y el
filtro un Q = 15. De tener que
usar un transformador usar uno
exacto hasta 2 decimales. Algunas formulas:
Po =
2
0,577Vef
f
R
Vom = 1,074Vef f
1,11Q
R
Q 0,67
XC =
Otras formulas son:
Idc = 0,577
Vef f
R
Vcm = 3,56Vef f
La frecuencia de operaci
on es: f =
Icm = 2,86Idc
300000000
6
B=
0,1836
R

1+
0,81Q
Q2 4
= 50M hz

on eficaz es: Vef f = VDD Vsat = 11V
De la potencia de salida despejamos la resistencia: R = 0,577
2
Vef
f
= 0,931
Po
Un transformador de acople convierte la RL en R, su relacion de vueltas es N =

aproximamos a dos decimales siendo N = 0,13
R
RL
= 0,136 que
Recalculamos la resistencia R = N 2 RL = 0,845

Recalculamos la potencia de salida maxima: Po = 0,577
2
Vef
f
R
= 82,624W
Calculamos la corriente de entrada en corriente continua: Idc = 0,577
Vef f
= 7,511A
R
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127
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011

La eficiencia: =
Po
Pi
= 0,91667
El B (susceptancia de la capacitancia de derivacion C) es B =

C=
B
w
0,1836
R
1+
0,81Q
Q2 +4
= 0,2288
= 728pF
El X (componente reactiva a
nadida por el filtro de acoplamiento) es X =
1,110Q
Q0,67 R
= 0,9818

Lo =
QR
wo
Co =
1
1
=
= 251pF
w
QR
wo2 QR
o
wo

Lo = 43,47nHy
1
wCo
= 0,9818 + 12,675 que da un
La RFC deber
10R
wo
= 26,9nHy
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Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
Examen 23 de mayo de 2008
Enunciado:
Dise
nar un amplificador clase E
optimo para la banda de aficionados en = 12[m]. Se requiere entregar una potencia Po =
60[W ] en una carga de RL =
75[] a partir de una fuente de
VCC = 12[V ], pudiendo usar un
acoplamiento de salida. El transistor tiene un Vsat = 0,75V . De
tener que usar un transformador usar uno exacto hasta 2 decimales. Algunas formulas:
Po =
2
0,577Vef
f
R
Vom = 1,074Vef f
XC =
1,11Q
R
Q 0,67
Otras formulas son:
Idc = 0,577
Vef f
R
Vcm = 3,56Vef f
La frecuencia de operaci
on es: f =
Icm = 2,86Idc
300000000
B=
0,1836
R

1+
0,81Q
Q2 4
= 25M hz

on eficaz es: Vef f = VDD Vsat = 11,25V
De la potencia de salida despejamos la resistencia: R = 0,577
2
Vef
f
= 1,217
Po
Un transformador de acople convierte la RL en R, su relacion de vueltas es N =

que aproximamos a dos decimales siendo N = 0,12
R
RL
= 0,1274
Recalculamos la resistencia R = N 2 RL = 1,08

Recalculamos la potencia de salida maxima: Po = 0,577
2
Vef
f
R
= 67,617W
Calculamos la corriente de entrada en corriente continua: Idc = 0,577
Vef f
= 5,686A
R
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129
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011

La eficiencia: =
Po
Pi
= 0,991
El B (susceptancia de la capacitancia de derivacion C) es B =

C=
B
w
0,1836
R
1+
0,81Q
Q2 +4
= 0,159
= 1nF
El X (componente reactiva a
nadida por el filtro de acoplamiento) es X =
1,110Q
Q0,67 R
= 1,414

Lo =
QR
wo
Co =
1
1
=
= 348,7pF
w
QR
wo2 QR
o
wo

Lo = 125,23nHy
1
wCo
= 1,414 + 18,257 que da un
La RFC deber
10R
wo
= 77,48nHy
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UTN-FRP 2011
130
Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
potencia de alta eficiencia Clase F
con FET.
Examen 29 de febrero de 2008
Enunciado:
Realizar un amplificador clase F usado en un transmisor para faro de rescate en f = 121,5M hz. Usar un FET
con Ron = 15 y gm = 10[mho]. El
voltaje de alimentaci
on no deber
a exceder los 9V de la batera. La resistencia de carga es RL = 50.
Los Clase F tienen las siguientes particularidades:
Son similares a los clase B funcionando como fuente de corriente pero con una red de carga
que resuena en una o mas frecuencias armonicas.
Los amplificadores manejan una forma de onda que tiende mas a ser cuadrada pero sin saturar.
El resonador de tercera armonica, agrega la cantidad justa de esta que aplana la forma de
onda del colector, dando una eficiencia mas alta.
Calculamos Vef f =
R
R+2Ron VDD
= 5,625V
aximo es Vom = 89 Vef f = 6,328V
En clase F la tensi
on Vom > VCC , por lo que para el calculo de potencia solo usamos Vom :. Entonces:
2
Vom
Po = 2R = 0,4W
Ademas, en este ejercicio no tenemos un requerimiento de potencia para calcular. Si lo tuvieramos
deberamos hallar la resistencia R que cumple con esto y realizar la adaptacion de impedancias. O
bien hallar la tensi
on de fuente que debemos suministrar.
La corriente de salida m
axima es: Iom =
Vom
R
= 0,127A
La corriente de drenador m
axima es: Idm = 2Iom = 0,253A
La corriente de entrada en corriente continua: Idc =
Idm
= 0,081A
La potencia de entrada: Pi = VDD Idc = 0,725W

Y la eficiencia es entonces: =
Po
Pi
Vom
4 VDD
= 0,55223
<
9
8 4
= 0,884
La eficiencia es mucho menor a lo ideal debido a la alta resistencia de saturacion del FET.
UTN-FRP 2011
131
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
La tensi
on y corriente pico de drenador son: idmax = Idc = 0,253 y vdmax = Vef f = 5,625
Y luego la potencia disipada m
axima por el transistor es: Pmax =
Po
idmax vdmax
Para el filtro de salida elegimos un Q = 15 y calculamos: XL = XC =

Co =
Qt
= 392,975pF
w0 RL
Lo =
= 0,281
RL
Q
1
= 4,366nHy
w02 Co
Con la misma XL = XC = QRL , calculamos L3 y C3 sabiendo que la frecuencia es 3w0

C3 =
1
= 582f F
3w0 Qt RL
L3 =
1
32 w02 C3
= 327,5nHy
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132
Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Dise
potencia de alta eficiencia Clase F
con FET.
Examen 29 de octubre de 2004
Enunciado:
Realizar un amplificador clase F usado en un transmisor para faro de
rescate en f = 135,74M hz. Usar
un FET con Ron = 8 y gm =
17,5[mho]. El voltaje de alimentaci
on no deber
a exceder los 12V de
la batera. La resistencia de carga es
RL = 50.
Los Clase F tienen las siguientes particularidades:
Son similares a los clase B funcionando como fuente de corriente pero con una red de carga
que resuena en una o mas frecuencias armonicas.
Los amplificadores manejan una forma de onda que tiende mas a ser cuadrada pero sin saturar.
El resonador de tercera armonica, agrega la cantidad justa de esta que aplana la forma de
onda del colector, dando una eficiencia mas alta.
Calculamos Vef f =
R
R+2Ron VDD
= 9,23V
aximo es Vom = 89 Vef f = 10,3846V
En clase F la tensi
on Vom > VCC , por lo que para el calculo de potencia solo usamos Vom :. Entonces:
2
Vom
Po = 2R = 1,0784W
Ademas, en este ejercicio no tenemos un requerimiento de potencia para calcular. Si lo tuvieramos
deberamos hallar la resistencia R que cumple con esto y realizar la adaptacion de impedancias. O
bien hallar la tensi
on de fuente que debemos suministrar.
La corriente de salida m
axima es: Iom =
Vom
R
= 0,2077A
La corriente de drenador m
axima es: Idm = 2Iom = 0,4154A
La corriente de entrada en corriente continua: Idc =
Idm
= 0,1322A
La potencia de entrada: Pi = VDD Idc = 1,5867W

Y la eficiencia es entonces: =
Po
Pi
Vom
4 VDD
= 0,679671
<
9
8 4
= 0,884
La eficiencia es mucho menor a lo ideal debido a la alta resistencia de saturacion del FET.
UTN-FRP 2011
133
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
La tensi
on y corriente pico de drenador son: idmax = Idc = 0,4153A y vdmax = Vef f = 9,2308V
Y luego la potencia disipada m
axima por el transistor es: Pmax =
Po
idmax vdmax
Como resonador de arm

onicas construimos una linea de transmision de
Para el filtro de salida elegimos un Q = 15 con XL = XC =
Co =
Qt
= 117,25pF
w0 RL
Lo =
= 0,2813
1 c
4f
= 0,5525m
RL
Q
1
= 11,725nHy
w02 Co
Con la misma XL = XC = QRL , calculamos L3 y C3 sabiendo que la frecuencia es 3w0

C3 =
1
= 521f F
3w0 Qt RL
L3 =
1
= 293,2nHy
32 w02 C3
Bibliografa
UTN-FRP 2011
134
Jacobi Diego Matas
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Electr
onica Aplicada 3
25 de junio de 2011
Tipos de Amplificadores.
Resumen
El filtro paralelo de salida Lo Co es sintonizado en la frecuencia fundamental, y tiene impedancia

nula para todas las dem
as frecuencias, por lo que se comporta como un cortocircuito a tierra para
los arm
onicos a frecuencias distintas de la fundamental.
De esta forma, la corriente sobre la carga es siempre senoidal a la frecuencia fundamental, y la
tension vo = io RL = Vom sin
Esta tensi
on vo se refleja a la tension de colector o drenador del transistor. Y con la corriente
instant
anea que por este circule seg
un el regimen de conduccion del circuito, representara el consumo
real del transistor.
Un filtro serie hace que vo difiera de vc ya que tiene los elementos en serie.
Se usa en los amplificadores conmutados para que la tension de la carga no este en paralelo directo
con la tensi
on de colector del transistor, ya que este esta repleto de armonicas que deben ser
eliminadas antes de la carga.
Exceptuando si la amplificaci
on es de corriente (clase D conmuI) y no de tension. En tal caso, la
corriente esta llena de arm
onicas y el filtro debe ser paralelo.
En el filtro serie, el Co evita que cualquier componente de alterna aparezca a la salida.
Debe tener un muy alto Q, y con impedancia muy alta para las frecuencias armonicas (atenuandolas
todas) e impedancia nula para la frecuencia fundamental.
El capacitor Cb manda a tierra cualquier componente de alterna de la fuente.
D, E, F, G, H y S:
Se emplean los dispositivos activos como conmutadores en lugar de como fuentes de corriente. Un
conmutador ideal tiene cero voltaje y cero corriente en todo tiempo, lo que lleva a una reducci
on
de potencia de entrada y por tanto un aumento de eficiencia.
La eficiencia aumentada proviene de estas tecnicas que reducen el promedio del producto voltajecorriente del colector(disipaci
on de potencia).
Los clase F, G y H usa tecnicas como resonadores armonicos, m
ultiples voltajes de alimentaci
on,
etc.
Para los circuitos en contrafase:
Cuando el Q2 esta operando coloca una tension a la salida (VCC si es saturado) que se refleja al
n
n
secundario multiplicando por m
(m
VCC ).
Cuando el Q1 se activa el Q2 se desactiva y se utiliza la otra mitad del trafo con una corriente en
n
n
el secundario inversa a la anterior m
( m
VCC ).
La resistencia vista desde los dispositivos activos es R = N 2 RL
Cuando el voltaje de la base de un transistor alcanza un V 0,7V , la base del otro tendra en su
base 0,7V .
UTN-FRP 2011
135
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Clase A - Terminaci
on u
nica
Clase B - Contrafase
Muy similar al Clase D pero sin conmutacion.
Clase C - Fuente de corriente

El circuito es muy similar al clase A pero cambia el regimen de conduccion, y que se suele usar
FET. BJT tambien es posible pero tendra inductor del filtro muy peque
no.
A un clase C se lo define por conducir en un ciclo de menos de la mitad de periodo 2y[rad] < /2.
Se lo excita con una se
nal alternada a la cual se le resta una ICQ .
La relaci
Vom (salida) y IDD (entrada) es no-lineal. Ya que Vom es funcion de y[rad] =
on entre

ICQ
1
cos
IDD que es una funci
on no-lineal respecto de IDD .
Se usa en aplicaciones donde no hay variacion de la amplitud de la se
nal y donde puedan usarse
redes acopladoras.
La eficiencia varia con el angulo de conduccion al igual que la capacidad de entregar potencia.
Clase C - Saturacion
Se lo excita con bastante intensidad para que el transistor sature.
En saturacion se comporta como fuente de tension variando el voltaje de la fuente.
Se utiliza en AM variando la VDD , pero si esta es muy alta, puede sacar al dispositivo de la
saturacion. Para entender esto pensar en el punto Q y la zona de saturacion.
El FET saturado se lo representa como una Ron
Clase C - Modo Mixto

El circuito es diferente a los otros clase C y usa BJT con filtro serie a la salida con muy alto Q, y
se representa la capacidad inherente del transistor en paralelo con la salida.
El filtro serie hace que vo difiera de vc ya que tiene los elementos en serie.
En corte no circula corriente por el transistor is = 0 mientras que en saturacion la tensi
on de
colector es m
axima vC = Vsat .
La resistencia de polarizaci
on RBB es opcional.
UTN-FRP 2011
136
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Clase D - Conmutaci
on de voltaje - Complementarios
Es un conmutador de dos polos en sintonia complementaria con un circuito de salida serie sintonizado.
Se supone una operaci
on en un ciclo de 50 % para realizar los calculos.
Clase D - Conmutaci
on de voltaje - Contrafase(con trafo)
Se pueden usar trafos de banda ancha con derivacion central para el acople de salida.
Circuito similar al clase B pero con el filtro de salida serie en vez de paralelo.
El voltaje en el secundario es tambien una onda cuadrada vC =
n
m VCC s(t)
Las corrientes de colector son medias sinusoides.

La Ron de saturacion queda en serie con la R de carga a la salida haciendose un divisor resistivo.
Se usa tambien para modulaci
on de AM ya que la tension de salida es directamente proporcional
al voltaje de alimentaci
on.
Clase D - Conmutaci
on de corriente - Contrafase(con trafo)
El inductor RFC en la linea de entrada fuerza una corriente constante Idc y un voltaje en el punto
medio del transformados de 2 VCC debido a que no hay cada de tension en el inductor. Fijando la
tensi
on de colector en VCC .
Los dispositivos que esten operando producen una corriente conmutada de la totalidad de Idc ,
gener
andose i(t) = m
n Idc s(t).
La salida sintonizada paralelo puentea las armonicas de corriente a tierra.
Solo la componente de corriente fundamental produce un voltaje a la salida senoidal, que se refleja
n
Vom = 8 Idc R
al primario como dos voltajes de media sinusoide con pico de vCmax = 2 m
La Ron de saturacion queda en serie con la RFC, en consecuencia queda en serie con una Rdc =
vista por la fuente de alimentaci
on.
8
2 R
Clase E - Terminaci
on u
nica
Se caracteriza por que la forma de onda de salida es la del cargado del capacitor paralelo Cs . Esta
se se hace cero cuando el transistor satura y puentea a masa.
La potencia de salida depende de la capacidad de Cs y del voltaje en ella antes de la descarga ya
que es el u
nico mecanismo de perdida.
La operaci
on optima seria que el capacitor ya este descargado en el instante que el capacitor se
encienda. Esto se logra usando formulas empricas.
Circuito similar al clase A o C, pero con un filtro serie de salida (debido a ser de conmutaci
on) y
un capacitor en paralelo a la capacidad intrnseca del transistor.
UTN-FRP 2011
137
Jacobi Diego Matas
UTN-FRP 2011
Clase F o poliarm
onico - Terminaci
on u
nica
Se caracteriza por una red de carga que resuena en una o mas armonicas as como en la portadora.
Estas arm
onicas se observan sobre el voltaje de colector haciendo la onda mas aplanada. Dando
una eficiencia mas elevada.
Solo la tercera arm
onica cosenoidal es influyente y debe realizarse con amplitud y fase correctos.
Produce la misma onda de corriente que un solo transistor del clase B, es decir, un periodo de
conducci
on de .
El transistor act
ua como fuente de corriente o fuente de corriente saturante.
Una linea de transmisi
on /4 puede reemplazar un numero infinito de resonadores.
Clase S - Complementarios
Se caracteriza por ser excitado por un tren de pulsos(PWM) que luego es filtrado hacia la carga
por un pasa bajos que deja pasar la componente de continua o promedio de voltaje.
La variaci
on controlada del ancho del pulso origina que la salida vare para dar lugar a la forma de
onda deseada.
Este promediado producir
a una tension maxima inferior a la mitad del pico maximo del pulso.
Los diodos proveen un camino para la corriente negativa.
Un modulador clase S puede hacerse con un solo transistor ya que requiere solo corriente de salida.
Los dispositivos activos, no experimentan nunca voltaje y corriente no nulos simultaneamente, por
lo que son idealmente 100 % eficientes.
Bibliografa
UTN-FRP 2011
138

Electronica Aplicada 3

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Electronica Aplicada 3

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Jacobi Diego Matas

Tipos de Ruido y distorsi

Ruido: Perturbacion electrica que tiende a interferir con la recepcion normal de la se

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(T)Ruido termico en la resistencia de esparcido de base.

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El ruido burst est

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La confiabilidad de los transistores decrece al aumentar la temperatura de la union.

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que es casi un impulso a medida que t0 0.

que es del orden de 1011 Hz.

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Una tension externa aplicada no modifica la fuente de ruido.

Ancho de banda equivalente

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Para obtener la potencia total de salida

|H(f )| Sni (f )df = kB T

Al producto Bn = B 2 se lo denomina ancho de banda equivalente de ruido, que es el ancho de

y dado que Sno =

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Suponiendo un f 0, la DEP de ruido se puede expresar como: Sno (f ) =

Dado que Sno =

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Por el metodo de Nyquist:

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Ruido en Diodos de juntura

Los diodos y transistores generan ruido shot o ruido shot o de

Para el ruido shot: i2n = 2qI0 e kB T + 2qI0 = 2q(Idc + 2I0 )

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Ruido en transistores BJT

Las fuentes de ruido en transistores de union, son

donde IE es la corriente de emisor directa, IC es la corriente de colector directa, ICO es la corriente

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donde Rs es la resistencia de fuente que se ha agregado.

Por otro lado, un modelo hbrido PI para un emisor com

donde I 0 es la corriente de base en polarizacion inversa.

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Lo que buscamos es el valor mnimo a la figura de ruido:

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De aqu podemos ver que la segunda opcion del Mezclador es la mejor.

Por tanto se observa que el primer preamplificador es la mejor opcion.

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Debido a que la entrada se encuentra desacoplada, el ruido termico de la resistencia de entrada Ri

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El ruido termico de la resistencia serie Rs es:V niRs =

Debido a que la entrada se encuentra desacoplada, el ruido termico de la resistencia de entrada Ri

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La resistencia serie Rs es siempre muy peque

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w(Cp + Cs )[w2 wp2 ] ws2 1

De aqu obtenemos entonces las siguientes relaciones:

Finalmente, la selectividad del cristal es el factor:w L

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Un cristal no oscila ... resuena.

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Tenemos la frecuencia serie y la frecuencia de operacion, entonces calculamos Cp .

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Osciladores LC - Esquema General

Este circuito Colpitts es de Emisor Com

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