Puesta A Tierra

PRINCIPALES VARIABLES QUE JUEGAN PAPEL EN EL DISEO
DE LAS PUESTAS A TIERRA.
- SEGURIDAD A PERSONAS
BUEN DESEMPEO
(SEGN SU FUNCION)
CARACTERISTICAS DEL SISTEMA:
- CORRIENTE DE FALLA - TIERRA
- SEGURIDAD A EQUIPOS
- REFERENCIA DE POTENCIAL
- EMC
RESISTIVIDAD
LIMITACIONES FISICAS (DIMENSIONES DEL AREA)

- SEGURIDAD A PERSONAS Y EQUIPOS

EVITAR DIFERENCIAS DE TENSION PELIGROSAS
(Tensiones de Toque y Paso)
Limitar Tensiones
Por medio de una Rpat pequea

Topologa del Sistema a Disear


-EFECTOS FISIOLOGICOS:
(RANGOS TOLERABLES)
-1 FRECUENCIA:
-2 MAGNITUD
-3 DURACION

-EFECTOS FISIOLOGICOS:
(RANGOS TOLERABLES)
PERCEPCION , CONTRACCION MUSCULAR, INCONSCIENCIA, FIBRILACION CARDIACA
BLOQUEO NERVIOSO Y QUEMADURAS
Corriente (mA)
15
20
30
100
500
1000
Tiempo para
fibrilacin (seg)
120
60
35
3
0.1
0.03
FORMULACION EMPIRICA
k
IC =
ts
Donde:
Ic: Mxima Corriente RMS (A)
ts: Tiempo de Duracin Corriente (seg)
k: Constante de Energa con 99.5%
de probabilidad de ser soportada

-Modelo Circuital del Cuerpo Humano, para anlisis:
Rc = 1000
RPie =
4b
RM Pies =
2 d pies
b = 0.08 m (radio eq. Pie)

d = 1 m (distancia entre pies)
= Resistividad primer estrato (-m)
-1 VOLTAJE DE PASO
-2 VOLTAJE DE TOQUE
RCA = RC + 2( R pie RM pie )
1
RT = RC + ( R pie + RM pie )
2

Si existe Piedra picada en la S/E u otro material entre pies - suelo
-1 VOLTAJE DE PASO
-2 VOLTAJE DE TOQUE
RPs = 6.0 * C s (hs , K ) s
R2 Pp = 1.5 C s (hs , K ) s
hs = profundidad de la capa de piedra picada (m)

K = Factor de reflexin = (-s)/(+s);
= resistividad capa inferior (-m)

s = resistividad piedra picada (-m)
1
Kn
1 + 2
Cs =
2
0.96
n =1
2nhs
1+
0.08
EPaso 70Kg = (1000 + 6 Cs( hs , K ) S )
0.157
ts
Etoque 70Kg = (1000 + 1.5 CS ( hS , K ) S )
0.157
tS

Definicin de ts (duracin de la corriente de Falla Tierra):
1.- Sistemas de Transmisin RADIALES:
ts
I Falla1
I Falla2
Interruptor
Malla
Corriente total a tierra = Ifalla (con las consideraciones

de distribucin de corriente)
Tiempo ts = Tiempo asociado a la proteccin de respaldo
2.- Sistemas de Transmisin en ANILLO:

ts1
I Falla1
I Falla2 ts2
I FallaT1,2
Malla
Corriente total a tierra : Para

t < ts1 IFallaT1
Para ts1 < t < ts2 IFallaT2
Para ts2 < t
0
Peor Condicin = IFallaT1
Tiempo tseq = Tiempo equivalente por energa, para IFallaT1
ts eq = ts1 + (
IFallaT 1
)2 (ts2 ts1)
IFallaT 1 + IFallaT 2
ESTUDIO DE LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS DEL

SUELO (RESISTIVIDAD)
-Uno de los parmetros que mayor influencia tiene en lo que respecta el diseo de
Sistemas de Puesta a Tierra, es la Resistividad. Esta caracterstica define la facililidad o
dificultad que posee el suelo para conducir corrientes, ante un campo elctrico aplicado.
-Los suelos como tal son malos conductores; sin embargo, cuando se habla de grandes
volmenes de tierra la situacin cambia.
Esto se realiza basndose en principios electroqumicos, los cuales dependen de:
* Volumen de los poros del material que compone el terreno.
* Disposicin y distribucin de los poros.
* Porcin de los poros relleno con agua.
* Conductividad primaria: la del agua que entra en los poros.
* Conductividad secundaria: la adquirida por disolucin del material y que depende del
estancamiento

Tipo de Terreno
Granulometra
Estratografa
Factores que Influyen
en la Resistividad:
Compactacin
Humedad del suelo (estaciones)
Temperatura
Salinidad
Otros..

Tipo de Terreno
Tipo de terreno
Valores Tpicos de la
resistividad (-m)
Terrenos vegetales hmedos
10 50
Arcillas, gravas, limos
20 60
Arenas arcillosas
80 200
Fangos, turbas
150 300
Arenas
250 500
Suelos pedregosos (poca

vegetacin)
300 400
Rocas
1000 10.000

Granulometra:
Se relaciona con el tamao del grano que compone
predominantemente el suelo y sus caractersticas
higroscpicas (absorcin) y de retencin de agua.
El efecto general de sta en la resistividad, es:
Grado de unin (Compactacin)- Forma de cristales
Tamao del grano
Volumen grano
Resistividad

Estratografa:
El suelo puede por diversas razones, variar su composicin y
estructura a lo largo del mismo, lo cual implica cambios
transversales y longitudinales de la resistividad, en un mismo
volumen de inters. (Anisotropa o grado de desorden)
Variacin Vertical
Variacin Horizontal

Compactacin:
El grado de compactacin altera el valor de resistividad, debido al
grado de unin de los granos
-Relacin directa al almacenamiento de agua y
-Relacin inversa a intersticios de aire
(-m)
Compactacin (Kg/cm2)

Humedad:
El grado de humedad, tiene una incidencia muy IMPORTANTE
en lo que respecta al valor y a la estabilidad de la resistividad
La humedad vara segn la geografa, de forma considerable a lo

largo del ao, por lo que el diseo de un SPAT, debe considerar el
peor escenario.

Temperatura:
La temperatura ambiente o en el entorno electrodo de PAT
suelo, tiene una influencia directa en lo que respecta a la
resistividad y a la resistencia de contacto.
Variables importantes: Congelamiento

Evaporacin (superficial y de contacto)

Salinidad:
El contenido de sales produce una menor resistividad
intergranular, lo cual permite circular corrientes con mayor
facilidad y adems, la sal (NACl) es un material que absorbe con
facilidad la humedad (hogroscpico) al igual que el cemento y el
carbn vegetal.
(-m)
Sales (% Volumen)

Otros factores del suelo que tienen una repercusin directa en
lo que respecta al diseo de SPAT:
Permitividad ( )
Tiene repercusin directa en el comportamiento transitorio.
Factor de Ionizacin (particular de cada tipo de suelo)
Implica la ionizacin de suelo (Efecto corona) por la
aplicacin de una alta intensidad de campo elctrico)
PH
Influye significativamente en la vida til del SPAT por
corrosin
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
MEDICION DE RESISTIVIDAD: (DIVERSOS METODOS)
Resistividad Aparente (Mtodo de Wenner) Simtrico:
I
V3 =
(1 / 2 a - 1 / a)
2
I
V23 = V2 V3 =
2a
V23
= 2a
= 2aR
I
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Anlisis de las mediciones (a vs d)
UNIFORME
a
BIESTRATO
a
MULTIESTRATO
a
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Monoestrato:
En Caso de Terreno Uniforme, el valor de la resistividad,
Es obtenido directamente de la medicin (a)
Biestrato:
En este caso, debido a la interaccin entre los dos estratos,
la forma de obtener la caracterizacin matemtica, es a partir
de la siguiente formulacin matemtica, que se obtiene de
suponer que los electrodos auxiliares son semiesferas:
n=
Kn
Kn
a = 1 [1 + 4 [
]]
2 1/ 2
2 1/ 2
(4 + (2 n h / a) )
n=1 (1 + (2 n h / a) )
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Donde:
1 = Resistividad primer estrato (-m)
K = Factor de Reflexion (2-1)/(2+1)
n = Nmero de imgenes del modelo
Solucin: Aplicando mtodo de optimizacin para ajuste de curva
Por Ejemplo
Mnimos Cuadrados
m
Funcin Objetivo:
Min
2
(
m)
i =1
Sujeto a: 1, 2 y h > 0
Incgnitas del modelo
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Modelo Multiestratificado
La funcin cambia en virtud de que existen p estratos
Donde:
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Esta funcin es muy inestable matemticamente, ya que no es fcil obtener una solucin
nica. La funcin posee (si se aplican tcnicas de Minimizacin por puntos interiores),
Mltiples mnimos locales.
Para obtener los mejores resultados, no se deja p, como variable libre, sino que se impone
como dato de entrada; es decir, se especifica la cantidad de estratos que se desea considerar
en el modelo.
El procedimiento matemtico es idntico al del caso Biestrato, pero con una funcin
a evaluar mucho ms compleja.
m
Funcin Objetivo:
Min
( a - m)
i =1
Sujeto a: 1, 2,..p y h1, h2,..hp-1 > 0
Incgnitas del modelo
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Ejemplo :
Mediciones de Campo
a(m)
a(m)
a (-m)
1.5
20.7
13.2
11.2
9.40
10
7.20
16
6.9
25
7.8
32
8.8
40
9.7
50
10.5
Premisas bsicas para el diseo de un sistema de puesta a tierra.

Importancia del sitio (S/Es, Telecom, BT)
* Uso Principal:
RPATobjetivo
* Limitaciones de Espacio (Problemas para lograr RPATobjetivo)
Equipos Principales (Por Operacin)
* Conexiones a equipos
Equipos Principales (Por Seguridad)
(Ubicacin y Caractersticas)
Bonding (Equipos de Proteccin Control)

* Consideraciones Especiales (Arreglos No Convencionales)
Premisas bsicas para el diseo de un sistema de puesta a tierra.

Uso
RPATobjetivo ()
Suebestacin Elctrica Mayor

(Vn > 69 kV)
<1
Suebestacin Elctrica Media

(Vn > 34.5 kV)
<2
Suebestacin Elctrica Menor

(Vn < 34.5 kV)
< 3-5
Torres de Transmisin
10 20
Sistemas de Proteccin Contra Rayos
< 10
Sistemas BT (CEN)
< 25
Telecomunicaciones
<5
Hospitales
<5
Modelacin Digital de Sistemas de Puesta a Tierra

Deduccin de las variables de Inters para un electrodo Sencillo
(Semiesfera)
Planteamiento, desde el punto de Vista Electrosttico:
J=E
Donde:
J - Densidad de corriente.
- Conductividad de la tierra.
E - Intensidad del campo elctrico.
Adems:
1
=
Donde:
- Resistividad de la tierra.
Adicionalmente,
du
E=
dx
J=
1 du
dx
E
J=

(Semiesfera)
Para una superficie cualquiera S que encierre al electrodo:
J dS =
Como
1 du
dx
I = J dS
I=
du
dS
dx
La cantidad de lneas de Flujo que atraviesan la superficie S, es
N = E dS =
du
dS
dx
4Q
Sustituyendo:
4Q
I=
Dado que
U
R=
I
U=
Q
C
R=
4C

(Semiesfera)
Para una esfera:
R=
4r
Como la resistencia es inversamente proporcional al rea para un electrodo
semiesfrico se tiene que:
RPAT =
2 r
Desde el punto de vista de potenciales:
I
dU
=
dx 2 x 2
U=
x =
Potencial Absoluto
del Electrodo
I
I
I 1
Uo
=
dx =
2
2 r
x=r
2 x
2 x

Distribucin de Potencial en una semiesfera
En p.u. de Uo
UX
Ux/Uo
100%
I
50%
1
0.8
0.6
2r
0.4
0.2
Fig. 7.15.1.-Distribucin de la tensin con la distancia en un

electrodo semiesfrico.
Ejemplo:
= 10 -m y r = 0.5 m
r 2r
3r
RPAT = 3.2
Uo = 320 V
Si If = 100 A
Uo - U(x=1m) = 213 V
5r

Similarmente, para un electrodo Vertical:
L
C=
4L
ln
d
Donde:
L - Longitud del electrodo bajo tierra.
d - Dimetro del electrodo.
Por lo que:
R=
4L
ln
d
2L
Fig. 7.9.1.- Electrodo vertical de varilla en forma de pica.
Todo esto es para un suelo homogneo (uniforme)

Efecto del Dimetro y de la Profundidad
R ( )
800
700
600
500
400
Efecto Electrodos en Paralelo
300
100
0
25
50
75
100
125
150
L (cm.)
Fig. 7.9.2.- Dependencia de la resistencia de puesta a tierra de un
electrodo vertical de varilla de su dimetro y de su longitud
l i
d
i
d
d l f i
% de la resistencia de un electrodo
d = 1 cm.
d = 2 cm.
d = 4 cm.
200
75
70
Dos electrodos de:

L=3m
d = 15,9 mm
65
60
55
50
45
40
10
15
20
25
30
Espaciamiento en metros
Fig. 7.9.4.- Efecto del espaciamiento entre electrodos sobre
la resistencia.

Electrodos Horizontales:
R=
4L
ln
16 L2
dh
h
h2
2+
2
L 4 L
Donde:
h = profundidad (m)
2L = Longitud (m)
d = Dimetro (m)
Es mucho ms complejo, ya que hay interaccin con el aire que no puede

despreciarse
14
Ancho (mm) Profund. (m)
Resistencia en
12
25
0,5
10
100
0,5
100
2,0
6
4
2
0
0
50
100
150
200
Longitud en metros
250
300
Fig. 7.11.1.- Resistencia de puesta a tierra de electrodos de cinta

horizontales.

En General, las geometras para arreglos electrdicos en Sistemas de Puesta
a Tierra, son mucho ms complejos, por lo que se deben buscar metodologas
ms complejas que permitan establecer con buena precisin los diseos,
y garantizar decisiones ptimas desde el punto de vista Tcnico-Econmico.
IEEE Std 80
Metodologas
Mtodos Electromagnticos
Simplificados
(Imgenes de Maxwell)
Mtodos Electromagnticos
Complejos (FEM)
Para Suelos
Biestratos
Para Suelos
Multiestratos

IEEE Std 80
El standard recomienda un procedimiento simplificado para establecer
el control de potenciales de toque y paso, para una malla de puesta a
tierra cuadrada, estimando de forma simplificada el tamao de la cuadricula
de cada retcula de la malla.
Procedimiento:
1.- Estimar la Corriente Total de Falla a Tierra que va a circular por la malla,
en funcin de la RPATobjetivo.
2.- Establecer en funcin de la corriente y de los tiempos de actuacin de las
protecciones, las tensiones mximas permitidas de toque y paso.
3.- Establecer las dimensiones de la retcula, en funcin de las variables fsicas
del lugar y en funcin de las limitaciones impuestas en 2.4.- Estimar el valor terico de la resistencia de Puesta a Tierra, basados en las
simplificaciones de la formulacin de Shwarz.

IEEE Std 80
4.- Establecer los correctivos para ajustar la Rpat calculada con la Rpatobjetivo.
El procedimiento sugiere comenzar con la siguiente comparacin:
Si GPR < Etoque(tolerable)
No hace falta disear Malla para control

de potenciales, solo hace falta garantizar
RPATobjetivo.
GPR (Ground Potential Rise) = ItFalla * Rpat(objetivo)

Siempre se comienzan las iteraciones para el ajuste de la retcula (paso 3), con la
tensin de toque, por ser la ms crtica.

IEEE Std 80
Tensin de Toque mxima dentro de una retcula:
E malla
I
= Km Ki
L
Donde:.
L - Longitud total de los conductores de la malla.
I - Corriente a tierra
K i = 0.65 + 0.172 n
Km
j= n 2 j 3
2
1
S
1
+ ln
ln
=
2 16 h d
2 j + 2
j
=
3
S - Espaciamiento entre los conductores paralelos y adyacentes.

d - Dimetro de los conductores,.
n - Nmero de conductores en la malla en una direccin
(cuadrada).

IEEE Std 80
O tambin se plantea lo siguiente:
S2
8
1
( S + 2h )2 h Kii
+
))
+
( ln
ln(
Km =
2
8Sd
4d K h (2n 1)
16 h d
Con:
Kii = 1
Si hay jabalinas en las esquinas.
1
Kii =
( 2n )2 / n
Si no hay jabalinas en las esquinas.
K h = 1+ h / ho
ho =1 m (profundidad de referencia)
h = Profundidad de la malla (m).

IEEE Std 80
Existen Correcciones si existen jabalinas en las esquinas:
(ya que estas tienen una mayor densidad de corriente)
Emalla
I
= K m Ki
Lc + 1.15Lr
Donde:
Lc: Longitud de Conductor Horizontal
Lr: Longitud del Total de Jabalinas
Si existen Jabalinas, pero no estn en las esquinas, o son pocas:
Emalla
I
= K m Ki
Lc + Lr
Si la malla es rectangular (manteniendo que la retcula es cuadrada):
n = na nb
Adems aplica a mallas en L con na, nb, nc y nd (ANEXOS)

IEEE Std 80
Tensin de Paso mxima en las esquinas de la malla:
E paso
I
= K s Ki
L
Donde:
Ks =
1 1
1
1
( +
+ (1 0.5n 2 ))
2h S + h S
1 1
1
1
Ks = ( +
+ W)
2h S + h S
Con
W=
1 1 1
1
+ + .. +
2 3 4
n 1
Si 0.25 < h < 2.5 m
Si h < 0.25 m

IEEE Std 80
Estimacin de la Resistencia Terica del arreglo (Frmula de Shwarz):
Donde:
2
R1 R2 R12
Rg =
R1 + R2 2R12
Con:
R1 = resistencia de los conductores de la malla

R2 = resistencia de todo el conjunto de jabalinas
R12 = resistencia mutua entre el grupo de conductores
y el conjunto de jabalinas.
1 2l1
l1
R1 = ln + K 1
K 2
A
l1 h'
a
R2 =
2n l 2
8l 2
ln
d 2
l
1 + 2 K 1 2 n 1
A
a 2l1
l1
R12 = ln + K 1
K 2 + 1
l
l
A
1 2

1
= Resistividad del suelo encontrada para los conductores enterrados a la

profundidad h en -m.
resistividad aparente como la vista por una jabalina en -m
espesor de la capa superior del suelo en m
resistividad del suelo a partir de la profundidad H en -m.
l1
longitud de los conductores enterrados en m
l2
promedio de la longitud de las jabalinas en m
para conductores enterrados a la profundidad h, o a 0.5 d1

conductores a h = 0 (sobre la superficie de la tierra)
rea cubierta por la malla de dimensiones a* b en m2
nmero de jabalinas colocadas dentro del rea A
K1K2
constantes relacionadas a la geometra del sistema
d1
d2
profundidad de enterramiento de la malla
dimetro de los conductores de la malla en m

dimetro de las jabalinas en m
para

1 a + a2 + b2
ab
K1 =
(1.84) ln
2
b
a
1 b + a2 + b2
+ ln
b
a
2
2
+
a
b
(
a
b
)
2
2
+
+
a +b
2 2
3b 2 3a 2
3a b
2
b
b
2
ln a + a +
+ a 2 + b
2 1 2
+
+
4
(
a
b
)
(
a
b
)
2
ln

K 2 = ln
+ 2K1
2
b
2 b
b
ab
b
2
+ a +
2
2
2
Si la malla es cuadrada, a = b
Si no:
a: ancho de la malla
b: largo de la malla
Adems:
a =
l 2 ( 1 2 )
2 ( H h) + 1 (l 2 + h H )

Mtodo de las Imgenes de Maxwell:
En forma general, el problema puede plantearse de la siguiente manera:
El potencial en cualquier punto M (r,z), dada
Una inyeccin I en (0,zs), es:
M
o=
mz
]
]Jo(mr )dm
Jo(m
(mr
)e)dm
o =[Ao(m)e mz[Ao
4 1 0 4 1 0
Para z > 0
1=
[
e
4 1
I
m z zs
+ A1(m)e mz + B1(m)e mz Jo(mr )dm
Para 0 > z > h

2=
[A2(m)e
4 1
I
mz
Para z < h
+ B 2(m)e mz Jo(mr )dm

Jo, corresponde a la funcin de Bessel del primer tipo de orden cero.
Ai y Bi, son constantes que dependen de las condiciones frontera.
Las condiciones frontera, pueden plantearse de la siguiente forma:
o (r,0) = 1 (r,0)
1
o
o
(r,0)
(r,0) = 1
z
z
1 (r,-h) = 2 (r,-h)
1
2
1
(r,-h)
(r,-h) = 2
z
z

Con esas expresiones, se puede llegar en funcin de infinitas imgenes, a
las siguientes ecuaciones que describen el comportamiento del potencial
para cada segmento del arreglo electrdico a considerar:
CASO 1: Potencial en el primer estrato, producto de una inyeccin de corriente
en el primer estrato.
en el segundo estrato.
CASO 4: Potencial en el segundo estrato, producto de una inyeccin de corriente

1 i j du 1
1
1
1
1
n 1
=
+
+
+
+
+
dV j
k
r'
4 l
r
r
'
n =1
0 j
0j
nj rnj r ' nj + rnj +

2 i j du
1
1
n 1
+ k
+
dVJ =
(1 k ) +
4 l
r0 j r '0 j
r 'nj r 'nj +

1
1i j du
1
1
n 1
+k
+
dV j =
(1 + k ) +
4 l
r
r
'
r
r
'
n =1
0 j
0j
nj +
nj +

2i j du 1
1
n 1
2 1
dV j =
+ (1 k )
+ k

r'
4 l r0 j r0 j
r
'
nj +
0 j n =1

Donde:
ij : corriente en el diferencial de conductor
du : diferencial de longitud
1 : Resistividad primer estrato (-m)
2 : Resistividad segundo estrato (-m)
k : Factor de reflexin = (2-1)/(2+1)
n : Nmero de imgenes
Segn el eje de coordenadas propuesto:
r0 j = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + ( z j z 0 )
2
r ' 0 j = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + ( z j + z 0 )
2
1
2 2
1
2 2
rnj + = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + [2nh + ( z j z 0 )]
r ' nj + = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + [2nh + ( z j + z 0 )]
2
rnj = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + [2nh ( z j + z 0 )]
2
rnj = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + [2nh ( z j z 0 )]
2
1
2 2
1
2 2
1
2 2
1
2 2
Donde:
h : Profundidad Primer estrato
n : Nmero de la imagen
(xj,yj,zj): Posicin inyeccin
de corriente.
(xo,yo,zo): Posicin punto de
inters.

Dado que un segmento puede tener cualquier direccin en (x,y,z), no
necesariamente paralela a dichos ejes, se debe plantear un cambio de
coordenadas, que permita establecer la componente de cada segmento
respecto a los ejes (x,y,z).
Sistema xyz
Sistema uvw
Descripcin
(xs,ys,zs)
(us,vs,ws)
Inicial
(xp,yp,zp)
(up,vp,wp)
final

Con:
v s = v p = ws = w p = 0
zs = z p = e
El eje u v w debe ser seleccionado, siempre de tal manera que
us = 0
Se puede establecer que las coordenadas x,y,z estn relacionadas a las coordenadas
u, v, w por las siguientes ecuaciones:
x = u cos( ) v sen( ) + x s
y = u sen( ) + v cos( ) + y s
z = w + zs
zs = z p = e

Al evaluar y sustituir todas las variables anteriores, se obtiene las siguientes
expresiones:
u p = ( x p x s ) cos( ) + ( y p y s ) sen( )
u 0 = ( x0 x s ) cos( ) + ( y 0 y s ) sen( )
v0 = ( y 0 y s ) cos( ) ( x0 x s ) sen( )
w0 = z 0 z s

Desarrollo de una Herramienta Computacional:
- Amigable y fcil
- Interactiva
AUTOCAD - VISUAL BASIC - FORTRAN

Validacin de Resultados:
P erfil de P otenc ial
1300
1200
P otenc ial(V oltios )
1100
1000
Direc c in x = -6 m etros
900
800
700
600
-15
-10
-5
0
Y (m etros )
10
15

Para Terrenos Multiestratificados:
En forma General, se tiene:
Estrato j, donde se inyecta corriente (I):
En el estrato k, donde no se inyecta

Corriente:

Por lo complejo del planteamiento, se simplifica, obteniendo nicamente la
expresin del potencial en el primer estrato, dada la inyeccin de corriente
en cualquiera de los p estratos modelados:
Donde:
m es una variable muda de integracin. Mmax, debe ser lo suficientemente

grande como para no cometer un excesivo error en la expresin.

Adems:

Mtodos Electromagnticos NO-Simplificados: (FEM)
Capacitancia:
Caso Electrosttico:
D.ds E.ds
C=
E.dl
L
Energa Almacenada
1
W = CU 2
2
R=
E.dl
L
E.ds
S
Finalmente:
U 2
Ri =
2 W
E.dl
L
RC =
Donde:
U: GPR
: Conductividad del terreno

Caso: Multiestratificado 2D
Una Jabalina de 8
Distribucin de Potencial
Perfil de Potencial

Caso: Multiestratificado 3D
Perfil de Potencial
Distribucin de Potencial
Campo Elctrico

Observaciones Mtodo de Elementos Finitos
Mediante este tipo de simulacin digital, pueden modelarse muchas ms variables:
a.- Obstculos (tuberas enterradas)
b.- Cualquier tipo de estratificacin del suelo (vertical u horizontal)
c.- Simulacin de Fundaciones y otros objetos metlicos embebidos en concreto.
d.- Eventos de cualquier frecuencia
Restricciones:
Nmero mximo de elementos a simular (costo)

Complejidad Geomtrica
Definicin de las condiciones de borde

Modelacin de Sistemas de Puesta a Tierra, para Diseo y Simulacin ante
Eventos de Alta Frecuencia
Tipo de Eventos :
1.- Descargas atmosfricas
2.- Circulacin de Seales de Alta Frecuencia (Telecomunicaciones)

Arreglos Electrdicos Sencillos:
Parmetros Concentrados (Modelo Rdemberg)
C=
r *l
*10 9 < F >
18 * ln (2l / a )
L = 2l * * ln(2l / a ) *10 7 < H >

Parmetros Concentrados (Fenmeno de Ionizacin):
Campo Elctrico Crtico para

Producir ionizacin (kV/m):
1
E CRITICO = 241
Sabiendo:
J = Icrit / As
E=r*J
Ecrit = r * Icrit/As
0.215

Por lo que:
Icrit =
241 (1/ ) 0.215 As
Modelo Equivalente:
Rt =
Ro
I
1+
Icrit
Ve
Se comporta como un modelo

Circuital de un Supresor de S/T

Relacion Rt/Ro para diferentes Ro
1.10
1.00
0.90
0.80
Rt/Ro
0.70
0.60
1000-4kA
0.50
1000-8kA
0.40
3000-4kA
0.30
3000-8kA
0.20
5000-4kA
0.10
5000-8kA
0.00
0
20
40
60
80
100
120
140 160 180

Ro (ohm )
200
220
240
260
280
Respuesta en rgimen transitorio de los electrodos de puesta a tierra

en funcin de la resistividad y la magnitud de la corriente drenada
300
320

Electrodos Largos (tv < longitud equivalente para onda viajera)
Parmetros Distribuidos: (Modelo Sunde)
Modelo Circuital

c
r= 2
a
</m>
g=
o
2l
L=
1 <H/m>
ln
2
2ha
2
2l
1
ln
2ha
C=
<1/(/m)>
2 o r
2l
1
ln
2ha
<F/m>
Donde:
L: longitud del electrodo (m)
h: Profundidad (m)
a: Dimetro del conductor utilizado (m)
c: Resistividad del material conductor utilizado (Ohm/m)

Ionizacin:
En cuanto al comortamiento, se
tiene lo mismo que para el caso
de electrodos concentrados.
La modelacin circuital, puede
realizarse, variando el parmetro
G (Conductancia), con el voltaje
aplicado = G(V)

Caso Ejemplo (Modelacin en ATP)
T ensi n y C o r r ient e en la jab alina
Im pedancia Transitoria en la Jabalina
1 6 000
100
90
1 4 000
80
1 2 000
70
1 0000
60
Voltaje
50
Corriente
8 000
40
6 000
30
4 000
20
10
2 000
5,5
6,5
7
<useg >
7,5
8,5
5,1
5,6
6,1
6,6
7,1
7,6
<useg >
Durante los primeros instantes, la impedancia tiende a ser Zonda y luego

Decae al valor de la impedancia de baja frecuencia.
Parmetros importantes de controlar (para una buena respuesta):
1.- Impedancia de onda (o de choque) inicial (Arreglo Electrdico)
2.- Constante de tiempo

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b = 0.08 m (radio eq. Pie)

RCA = RC + 2( R pie RM pie )

- SEGURIDAD A PERSONAS Y EQUIPOS

RPs = 6.0 * C s (hs , K ) s

hs = profundidad de la capa de piedra picada (m)

= resistividad capa inferior (-m)

EPaso 70Kg = (1000 + 6 Cs( hs , K ) S )

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