El Transistor de Juntura Bipolar (BJT)

J,I. Huircn, R.A. Carrillo

Universidad de La Frontera
December 9, 2011
Abstract
El Transistor de Juntura Bipolar (BJT) es un dispositivo activo de
tres terminales, Base, Colector y Emisor, cuya corriente se debe a la combinacin de portadores e y h+ . El dispositivo es bsicamente una fuente
de corriente controlada por corriente. Para su funcionamiento requiere un
circuito de polarizacin externo. Tiene tres zonas de trabajo, activa, corte
y saturacin.

Introduction

Desde su invencin a nes de los 40, el transistor como elemento activo de

los sistemas electrnicos siempre ha estado presente, primero como elemento
discreto y luego como parte de un circuito integrado (IC). Es un dispositivo
ampliamente utilizado en control electrnico, amplicacin y en prcticamente
toda las aplicaciones de la electrnica. El objetivo de este documento es revisar
los aspectos bsicos, sin adentrarse ms que lo suciente en la fsica de los
semiconductores, con el n de establecer las relaciones de corriente y voltaje en
el dispositivo.

2
2.1

El transistor de juntura bipolar (BJT)

Caractersticas generales

El BJT es de naturaleza bipolar, pues la corriente producida es debido al aporte

de los portadores negativos (e , electrones) y positivos (h + , hoyos). Consiste en
dos junturas p-n y posee tres terminales los que son llamados Emisor (E), Base
(B) y Colector (C). El BJT puede ser tipo npn o pnp, su estructura y smbolo
se muestra en la Fig. 1, la echa indica la direccin normal de la corriente y
dene la polaridad de la tensin base-emisor. No es un dispositivo simtrico,
pues intercambiando el emisor por el colector se obtienen resultados distintos.

Emisor

Colector

Emisor

Colector

Base

Base

(a)

(b)

Figure 1: Smbolos del transistor. (a) npn. (b) pnp.

2.2

Funcionamiento

Sea el BJT npn de la Fig. 1a, ste considera una regin n de volumen intermedio de alto dopamiento (gran cantidad de e ), una regin p muy delgada de
pequeo volumen de bajo dopamiento (poca cantidad h+ ), y una regin n de
gran volumen de dopamiento intermedio.
Para establecer su funcionamiento primero se polariza slo la juntura BE,
dejando el colector abierto. La juntura est polarizada directa, luego se produce
un ujo de e desde el emisor a la base, pero tambin uirn h + en menor
cantidad desde la base al emisor.
IE

n
e-

n
IC

h+

h+

E
B

IB

eIB
+

+
VBE

VCB
(a)

(b)

Figure 2: (a) Colector abierto. (b) Emisor abierto.

La corriente IE se produce por la suma de los e mayoritarios y h + mayoritarios inyectados por el emisor y la base respectivamente. La corriente entre la
base y el emisor ser IE . Dado que la base es muy delgada, no soporta grandes
corrientes.
Polarizando solamente la juntura CB, dejando el emisor abierto, la juntura

pn est polarizada inversa, luego slo existe movimiento de portadores h + ninoritarios del colector y los e minoritarios de la base, produciendo una corriente
inversa de saturacin llamada ICBO , entre C y B.
n

e-

e-

h+

I nE e-

IE

I CB0

h+

e-

I nE
InE (1- )

I pB

IC

IB

+
VCB

VBE

VCB

VBE

(a)

(b)

Figure 3: (a) Polarizacin completa. (b) Corrientes

Al polarizar de acuerdo a la Fig. 3a, los e mayoritarios inyectados por el

emisor atraviesan la base llegando al colector, un pequeo porcentaje se recombina en la base con los h + mayoritarios aportados por sta. As, la corriente por
el emisor debido a los e mayoritarios ser InE , pero la corriente en el colector
debido a estos portadores ser InE ; donde es un nmero menor que 1, dado
que parte de los e se recombinan en la base.
As, la corriente del emisor IE , ser funcin de la corriente producida por los
portadores mayoritarios e y la corriente debida a los portadores mayoritarios
h+ inyectados por la base.
IE = IpB + InE

(1)

La corriente que se desva a la base ser (1

)InE = InR ; luego la corriente
en la base ser la corriente de los portadores mayoritarios h+ de la base mas la
corriente InR menos la corriente ICBO como se muestra en la Fig. 3b.
IB = IpB + InR

ICBO

(2)

Finalmente, la corriente por el colector IC ser la proveniente del emisor ms

la corriente de saturacin inversa ICBO .
IC = InE + ICBO

(3)

Considerando despreciable el efecto de ICBO , se tiene

IB
IC

= IpB + (1
=
InE
3

)InE

(4)
(5)

Luego (1) se reemplaza IpB en (4) obtenindose la clsica ecuacin

IB = IE

IC

(6)

Por otro lado dado que IC = InE ; reemplazando (1)

IC = InE =

(IE

IpB )

Considerando que la corriente IpB debido a h+ generada por la base es mucho

menor que InE ; entonces se llega a
IC = IE
Donde

2.3

(7)

es la ganancia de corriente en base comn.

Modos de Trabajo

Dependiendo de la condicin de polarizacin (directa o inversa) de cada una

de las junturas, se tienen distintos modos de operacin. En el modo activo, el
BJT opera como amplicador. Los modos corte y saturacin permiten usar el
transistor como interruptor.
Table 1: Zonas de trabajo del BJT.
Modo
Corte
Activo
Saturacin

pnp
JEB
Inv
Dir
Dir

JCB
Inv
Inv
Dir

npn
JBE
Inv
Dir
Dir

JBC
Inv
Inv
Dir

Para el trabajo en zona activa, la alimentacin debe ser de acuerdo a la

Fig. 4. La juntura base-emisor debe encontrarse polarizada en sentido directo;
en cambio la juntura base-colector debe polarizarse en forma inversa. Cuando
se cumplen simultneamente ambas condiciones, el BJT se encuentra en zona
activa. As para un transistor npn, VBE > 0; luego VEB > 0 para un transistor
pnp.
En zona activa, la corriente del colector est dada por
ic = Is e

vBE
VT

(8)

Donde Is es la corriente de saturacin inversa. Luego, la corriente de base

se expresa como
iB =

iC

(9)

Donde es una constante propia del transistor, la cual vara entre 100 y 200
para algunos casos, pero puede llegar a valores muy elevados (o bajos 40 y 50),
4

CB

EB

BC

BE

(b)

(a)

Figure 4: Polarizacin del Transistor. (a) npn. (b) pnp.

y recibe el nombre de ganancia de corriente de emisor comn. De acuerdo a

(6), se tiene
iE = iC + iB
+1

iC ; lo que se puede expresar como iC = iE . Donde es

Luego iE =
llamada la ganancia corriente en base comn y su valor es muy cercano a 1
(0.99 para = 100).

2.4

Representacin grca de las caractersticas del BJT

Como iC vara de acuerdo a (8), se construye la curva de entrada iB vBE ,

o la curva iC vBE , pues slo diere en una constante de acuerdo a (9). La
caracterstica de salida se expresa a travs de una curva iC vCE . Dicha curva
muestra como vara la corriente de colector para distintos valores de la corriente
de base. Cada curva indicada es debido a un valor de iB en particular.
i
B

iC

[uA]

[mA]
I
B3
IB
2
I
B1

ICQ

I
BQ

V
BE

vBE

[V]

=IBQ

CE

[V]

(b)

(a)

Figure 5: (a) Caracterstica de entrada iB

iC vCE :

vBE . (b) Caracterstica de salida

De acuerdo a la Fig.5, cuando el transistor est operando, se establece un

voltaje en la juntura BE llamado VBE(ON ) , ste permite establecer una corriente
en la base llamada IBQ : Debido a la caracteristica de amplicacin, la corriente
de colector ser ICQ = IBQ . El voltaje vCE en la zona activa ser mayor que
cero pero menor que la fuente de alimentacin que se use para tal efecto.
5

iC

[mA]

Zona
D de P mxima

IB5

Regin de Saturacin

IB4
IB3
IB2
IB1

Regin de Corte

VCE (Sat)

vCE

[V]

Figure 6: Zonas de funcionamiento del BJT.

En la Fig. 6 se pueden identicar las tres zonas de funcionamiento, luego

se tiene la zona de corte, para la cual se cumple que iB = 0, esto implica una
corriente de colector iC = 0, dicha zona se encuentra en la parte inferior del
cuadrante. En la zona de saturacin, donde en el BJT npn, la juntura BE est
polarizada directa y la juntura BC tambin, esto produce un incremento de la
corriente, lo que lleva a una disminucin del voltaje colector emisor, sta ser
la zona a la izquierda en el primer cuadrante. En trminos ideales vCE 0; sin
embargo, en terminos prcticos es establece que el transistor estar en saturacin
para un valor del voltaje colector emisor menor a VCE(Sat) , donde este valor se
establece en 0.2[V ].
En la zona derecha se tiene la curva de mxima disipacin de potencia del
dispositivo, si el transistor traspasa la zona de mxima disipacin, ste se destruye. El punto de operacin deber ubicarse entre las zonas indicadas.

2.5

Conguraciones bsicas con el BJT

Dado que el BJT es un dispositivo de 3 terminales, existen tres posibilidades

diferentes para referirse al comn (referencia comn de los potenciales) del circuito, base comn, emisor comn y colector comun.
i
i
B
v

+
v

+
BE_

(a)

iE

CE

B
+
BC _

_
v
CE
+

(b)

E
_

BE

+
CB

(c)

Figure 7: Conguraciones del BJT. (a) Emisor comn. (b) Colector comn. (c)
Base comn.
Cada una de las conguraciones bsicas tendr distintas curvas de salida.

2.6

Caractersticas principales del BJT

La iE , ser siempre mayor a la iC :
Por medio de una pequea tensin directa en JBE, se logran controlar
grandes por el colector.
iB es bastante pequea ( A) en cambio, iE y iC son del orden de los mA.
iE desfasa a iC en 180o .

Polarizacin Bsica

Sea el circuito de la Fig. 8a. Se analiza para tres valores distintos de RB , lo

que permite establecer sus zonas de trabajo. Para el ejemplo se plantean la en
la base del transistor y luego una malla que pasa por el colector, de esta forma
se tiene las siguientes ecuaciones.
10[V]

RC
470
RB
10[K ]
i
B

RB
10[K ]

iC

470

+
+
v

+
BE_

10[V]

i
B

CE

BE _

iC

CE

+
10[V]

(a)

(b)

Figure 8: Polarizacin del BJT.

10 [V ] = iB 10 [K ] + vBE
10 [V ] = iC 470 [ ] + vCE
Considerando que VBE(ON ) = 0:7 [V ] y
iB =

(10)
(11)

= 100; se tiene que

10 [V ] 0:7 [V ]
= 930 [ A]
10 [K ]

Luego, como iC = 100iB = 93 [mA] ;

vCE = 10 [V ]

93 [mA] 470 [ ] =

33 [V ]

De lo que se concluye que el transistor est en zona de saturacin.

Cambiando el RB por 680 [K ], se tiene

iB

iC
vCE

=
=

10 [V ] 0:7 [V ]
= 13:67 [ A]
680 [K ]
100iB = 1:367 [mA]
10 [V ] 1:367 [mA] 470 [ ] = 9:36[V ]

Casi se encuentra en corte, pues iB

0:

Finalmente, para un valor de RB = 100 [K ], es factible tener el transistor

en zona activa.

iB

iC

=
=

vCE

10 [V ] 0:7 [V ]
= 93 [ A]
100 [K ]
100iB = 9:3 [mA]
10 [V ] 9:3 [mA] 470 [ ] = 5:63[V ]

Conclusiones

El BJT puede ser tipo npn y pnp, se comporta como una fuente de corriente
controlada por corriente. Tiene tres zonas de trabajo, zona activa donde se
cumple que iC = iB y el transistor amplica; corte, en la cual iC = 0 e
iB = 0, el transistor est "desconectado" y nalmente la zona de saturacin,
donde el transistor tiene un vCE
VCE(sat) o vCE
0, considerado como un
"cortocircuito" entre los terminales de salida. El anlisis inicial consistir en
establecer el punto de operacin del transistor, para lo cual se requiere contar
con un circuito externo de polarizacin.

References
[1] Savant, C, Roden, M., Carpenter, G. 1992, Diseo Electrnico.Circuitos y
Sistemas. Addison-Wesley Iberoamericana.
[2] Schilling, D., Belove, . 1993. Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados.
Mc Graw- Hill
[3] Sedra, A. Smith, K, 1998. Microelectronics Circuits. Oxford Press.