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Eletrnica

e
Instrumentao

AULA 02
Eletrnica e instrumentao

Responda para classificar o material:


(C) Condutores, (S) Semicondutores e (I) Isolantes,

MATERIAIS:
CONDUTORES
SEMICONDUTORES
ISOLANTES

Eletrnica e instrumentao

Responda para classificar o material:


(C) Condutores, (S) Semicondutores e (I) Isolantes,

Eletrnica e instrumentao

(C) Ouro;
(C) Mercrio;
( I ) Madeira ;
(C) Cobre;
( I ) Teflon;
( S) Carbono;
(C) Titnio;

) Borracha;
) Silicio;
) Alumnio ;
) Porcelana;
) Nilon;
) Germnio;
) Vidro;

Eletrnica e instrumentao

( I ) Borracha;
( S ) Silicio;
(C) Alumnio ;
( I ) Porcelana;
( I ) Nilon;
( S) Germnio;
( I ) Vidro;

(
(
(
(
(
(
(

(
(
(
(
(
(
(

) Ouro;
) Mercrio;
) Madeira ;
) Cobre;
) Teflon;
) Carbono;
) Titnio;

Isolantes, Semicondutores e Metais

Condutor um excelente condutor


de eletricidade (Metal);
Semicondutor possui condutividade
entre os dois extremos acima.
Isolante um condutor
eletricidade muito pobre;
Eletrnica e instrumentao

de

Isolantes, Semicondutores e Metais

Introduo
Materiais quanto
condutividade eltrica:
Metais (condutores)
Semicondutores
Isolantes
Faixa de condutividade:
10-18 -1m-1 (quartzo,
poliestireno) a 108 -1m-1
(prata, cobre).

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Isolantes, Semicondutores e Metais

Material Condutor
Um material caracterizado condutor pelo
fato de os eltrons de valncia (ultima
camada) estarem fracamente ligados em
seus tomos, podendo ser facilmente
deslocados do mesmo, ao ser aplicada uma
DDP, produzindo assim o que chamamos de
corrente eltrica no material.

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Isolantes, Semicondutores e Metais

Material Isolante

Isolantes, Semicondutores e Metais

Exemplos de aplicaes:
Condutores: transmisso de energia,
instalao predial, motores,
transformadores, polarizao de circuitos,
transmisso de sinais (dentro de um
circuito, entre circuitos e sistemas, longas
distncias, etc).

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Isolantes, Semicondutores e Metais

Exemplos de aplicaes:

J um material Isolante
por sua vez,
apresentam os eltrons de valncia
fortemente ligados em seus tomos, sendo
tambm conhecidos como dieltricos e
possuem altos valores de resistncia eltrica,
no permitindo o fluxo das cargas eltricas
de um ponto ao outro.

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Isolantes: isolao entre condutores,


capacitores, fibras pticas, proteo de
superfcies de dispositivos, mostradores
tipo cristal lquido, etc

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Isolantes, Semicondutores e Metais

Material Semicondutor
Os
materiais
semicondutores
representam um meio termo entre os
condutores e isolantes, possuindo um
nvel de condutividade entre os
extremos destes.

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Isolantes, Semicondutores e Metais

Exemplos de aplicaes:
Semicondutores: dispositivos eletrnicos,
optoeletrnicos, sensores e atuadores, etc.

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Semicondutores

MATERIAIS

O material bsico utilizado na construo


de dispositivos eletrnicos semicondutores,
em estado natural, no um bom condutor,
nem um bom isolante.

SEMICONDUTORES

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Silcio e o Germnio

O silcio e o germnio so
muito utilizados na construo
de dispositivos eletrnicos.
O silcio e o mais utilizado,
devido as suas caractersticas
serem
melhores
em
comparao ao germnio e
tambm
por
ser
mais
abundante na face da terra.

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Temperatura, Luz e Impurezas

Em comparao com os metais e os


isolantes, as propriedades eltricas dos
semicondutores so afetadas por
variao de temperatura, exposio a
luz e acrscimos de impurezas.

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MODELOS ATMICOS DE BOHR

O tomo - constitudo por partculas


elementares, as mais importantes para o
nosso estudo so os eltrons, os prtons e
os nutrons.
Camada de Valncia
- A ltima
camada eletrnica (nvel energtico)
chamada camada de valncia. O silcio
e o germnio so tomos tetravalentes,
pois possuem quatro eltrons na camada
de valncia.
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MATERIAIS SEMICONDUTORES
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Camada de Valncia

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Semicondutor Intrnseco Puro


Tanto o silcio (Si) quanto o germnio (Ge) se
estabilizam quando passam a ter 8 eltrons na
camada de valncia.

O silcio e o germnio so tomos tetravalentes,


pois possuem quatro eltrons na camada de
valncia.
O potencial necessrio para tornar livre qualquer
um dos eltrons de valncia menor que o
necessrio para remover qualquer outro da
estrutura.
Os eltrons de valncia podem absorver energia
externa suficiente para se tornarem eltrons livres.
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Semicondutor Intrnseco Puro

Como tudo na natureza tende a estabilidade e


equilbrio, quando vrios tomos de silcio ou
germnio so colocados juntos, eles formam uma
estrutura cristalina onde compartilham seus eltrons
da camada de valncia com os tomos vizinhos,
atravs de uma ligao covalente, onde forma
um Cristal Semicondutor.

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Semicondutor Intrnseco Puro

ligao covalente

Cristal Semicondutor de Silcio.


Dessa forma, cada tomo passa
a ter 8 eltrons na ultima camada.
Nenhum eltron sobra ou falta, pois
todos
se
pertencem
em
compartilhamento de dois a dois.
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Semicondutor Extrnseco

Corrente em Semicondutores
Em um semicondutor intrnseco, tanto eltrons quanto
lacunas contribuem para o fluxo de corrente.
Eltrons livres de sua posio fixa no reticulado:
movem-se na banda de conduo.
Eltrons na banda de valncia:
movem-se ocupando posies
disponveis
no
reticulado,
preenchendo os vazios deixados
pelos eltrons livres - Conduo
de lacunas migrando ao longo
do material no sentido oposto ao
movimento do eltron livre.
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Material extrnseco - Um material semicondutor


que tenha sido submetido a um processo de
dopagem por impurezas e chamado de material
extrnseco.

Dopagem - A adio de certos tomos estranhos


aos tomos de silcio ou germnio, chamados de
tomos de impurezas, pode alterar a estrutura de
camadas (bandas) de energia de forma
suficiente mudar as propriedades eltricas dos
materiais intrnsecos.

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Semicondutor Extrnseco (Dopado Impuro)


Impurezas so materiais com tomos trivalentes
ou pentavalentes, isto : com 3 ou 5 eltrons na
camada de valncia.

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Semicondutor Extrnseco (Dopado Impuro)


Impurezas pentavalentes: antimnio, arsnico,
fsforo produzem semicondutores do tipo N,
por contriburem com eltrons extras (impurezas
doadoras).
Impurezas trivalentes: bro, alumnio, ndio, glio
produzem semicondutores do tipo P, por
produzirem lacunas ou deficincia de eltrons
(impurezas aceitadoras).
N

Esses materiais
tipo N e tipo P.

ficam

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caracterizados

como:

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MATERIAL DOPADO TIPO N

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MATERIAL DOPADO TIPO N

Nesse tipo de dopagem que consiste na


utilizao de elementos contendo 5 eltrons na
camada de valncia, o quinto eltron, fica
desassociado de qualquer ligao. Esse eltron
pode tornar-se livre mais facilmente que
qualquer outro, podendo nessas condies
vagar pelo cristal.
Como temos 1 eltron a mais, diz-se que esse
semicondutor est DOPADO NEGATIVAMENTE.
O material tipo N resultante, eletricamente
neutro.
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A introduo de tomos
pentavalentes (como o
Arsnio) num semicondutor
puro (intrnseco) faz com que
apaream eltrons livres no
seu interior.

Electro
livre do
Arsnio

Como esses tomos


fornecem (doam) eltrons ao
cristal semicondutor eles
recebem o nome de
impurezas doadoras ou
tomos doadores.
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MATERIAL DOPADO TIPO P

MATERIAL DOPADO TIPO P

O material tipo P formado pela dopagem do


semicondutor intrnseco por tomos trivalentes
como o boro, glio e ndio.
H agora um nmero insuficiente de eltrons
para completar as ligaes covalentes. A falta
dessa ligao chamada de lacuna ou
(buraco).
Como falta 1 eltron, diz-se que esse
semicondutor est DOPADO POSITIVAMENTE.
O material tipo P resultante eletricamente
neutro.
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Portadores minoritrios e maioritrios em


MATERIAIS DOPADOS: TIPO P e TIPO N

A introduo de tomos
trivalentes (como o ndio)
num semicondutor puro
(intrnseco) faz com que
apaream lacunas livres
no seu interior. Como esses
tomos recebem (ou
aceitam eltrons) so
denominados impurezas
aceitadoras ou tomos
aceitadores.

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Estrutura de bandas de energia

Num semicondutor extrnseco do tipo N


Os eltrons esto em maioria designando-se por
portadores maioritrios da corrente eltrica.

Banda de
conduo

As lacunas (que so a ausncia de eltrons), por sua vez,


esto em minoria e designam-se por portadores minoritrios
da corrente elctrica.

Banda de
conduo

Eltrons
livres
Banda
proibida

Num semicondutor extrnseco do tipo P


Lacunas

As lacunas esto em maioria designando-se por


portadores maioritrios da corrente eltrica.
Os eltrons, por sua vez, esto em minoria e designam-se
por portadores minoritrios da corrente eltrica.
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Juno

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P N e Recombinao

Banda de
Valncia

Banda de
Valncia

isolante
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Juno

semicondutor

condutor

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P N e Recombinao

Uma juno P-N formada pela unio de dois


semicondutores, um tipo P e outro N.

Uma juno P-N formada pela unio de dois


semicondutores, um tipo P e outro N.

Temos assim, do lado P muitas Lacunas, ou falta


de eltrons, enquanto que no lado N ns temos
sobras de eltrons, muitos eltrons livres.

Temos assim, do lado P muitas Lacunas, ou falta


de eltrons, enquanto que no lado N ns temos
sobras de eltrons, muitos eltrons livres.

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Juno

P N e Recombinao

Juno

As cargas livres movimentam-se prximo juno.

P N e Recombinao

formado um campo eltrico que impede este


movimento.

As lacunas do lado P iro atrair assim os eltrons


livres que esto no lado N
Dessa forma ocorre um Recombinao, mas
somente na regio prxima das duas camadas
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Juno

Tipo N

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P N e Recombinao

Juno

Dessa Recombinao, no teremos nem lacunas


e nem eltrons livres, s o campo eltrico.

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P N e Recombinao

Formar uma rea chamada Camada de


Depleo ou Barreira de Potencial, pois todos os
tomos estaro estveis:

xn

Tipo N

Tipo P

xp

Tipo P

xn

Tipo N

xp

Tipo P

Dessa forma temos a Formao do diodo.


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Juno

Eletrnica e instrumentao

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P N e Recombinao

Juno

Um potencial externo aplicado ao diodo ir somarse ou subtrair-se ao potencial intrnseco da juno.

P N e Recombinao

Largura da regio de depleo:


N

40

V
V

Polarizao direta
Vbi - V

Polarizao reversa
Vbi + V

41

Reversa
W > W0

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Sem polarizao
W = W0

Direta
W < W0

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Juno

P N e Recombinao

Retificao de corrente pela juno P-N:


Polarizao reversa largura da depleo
aumenta. Fluxo de corrente zero.
Polarizao direta para um potencial V
suficientemente alto, a largura da depleo
zero. Neste caso, eltrons no lado N so
injetados no lado P, enquanto que buracos
so injetados do lado P para o N Fluxo de
corrente diferente de zero. Ocorre
recombinao em ambos os lados da
juno.

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DIODOS
SEMICONDUTORES
Retificadores
Ateno:
Material da Aula 03
Leve impresso para a Sala
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Simbologia:

RETIFICAO - PRINCPIOS BSICOS


O diodo semicondutor um
componente no linear que permite
passagem de corrente num sentido e
impede a passagem de corrente no
sentido contrrio.

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Simbologia:
Tipos de Diodos Semicondutores

Existem vrios tipos de diodos, cada um


construdo para um tipo especfico de
aplicao:
Diodos retificadores
Diodos retificadores de avalanche
Diodos de referncia de tenso, ou Zener
Diodos de capacitncia varivel
Diodos tipo Schottky

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Eletrnica e instrumentao

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Curva caracterstica do diodo - Si e Ge

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Curva caracterstica do diodo - Silicio

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Circuitos com Diodos

Circuitos com Diodos

O Diodo conduz a corrente eltrica


a partir do momento que a tenso
no diodo VD superior a 0.7V, antes
disso, ele se comporta como uma
chave aberta, no conduzindo.

Portanto, se o Diodo receber uma tenso VD de 0V


no conduzir.
Se o Diodo receber uma tenso VD de 0,6V tambm
no conduzir.
E se o Diodo receber uma tenso VD de 0,8V, a partir
da ele conduzir, pois VD superior a 0.7V,

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Circuitos com Diodos

Portanto, se o Diodo receber uma tenso VD de 0V


no conduzir.
Se o Diodo receber uma tenso VD de 0,6V tambm
no conduzir.
E se o Diodo receber uma tenso VD de 0,8V, a partir
da ele conduzir, pois VD superior a 0.7V,
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Eletrnica e instrumentao

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Circuitos com Diodos

Fazendo uma anlise neste circuito, e atribuindo ao Diodo tenso


VD de 0,6V tambm no conduzir, a corrente em R ser Zero 0A.
Veja o porque: Sendo E=0.6V e VD = 0.7V
E = VD + VR
VR = E VD
VR = 0.6V - 0.7V
VR = 0V (ele se comporta como uma chave aberta, no conduzindo).
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Circuitos com Diodos

Circuitos com Diodos

Fazendo outra anlise neste circuito, e atribuindo fonte Geradora


Sendo E=24V e sendo a tenso VD de 0,7V, Qual ser a corrente em
R?
E = VD + VR

Eletrnica e instrumentao

Fazendo outra anlise neste circuito, e atribuindo fonte Geradora


Sendo E=24V e sendo a tenso VD de 0,7V, Qual ser a corrente em
R?
E = VD + VR
VR = E VD
VR = 24 - 0.7
VR = 17V (Agora ele estar conduzindo uma tenso V de 17V em R).
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Exerccio:

Exerccio:

1) Para o circuito abaixo, determine VD, VR, ID e IR.


Considere uma fonte E de 8.0 volts.

1) Para o circuito abaixo, determine VD, VR, ID e IR.


Considere uma fonte E de 8.0 volts.

VD = 0,7V
E = VD + VR

VD =
E = VD + VR

Para Calcular a Corrente do diodo

ID = IR -> Circuito em Srie


IR = VR
IR = 7.3
IR = 3.32 mA

VR = E VD
VR = 8 - 0.7
VR = 7,3V

Eletrnica e instrumentao

Eletrnica e instrumentao

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58

Exerccio:

Exerccio:

1) Para o circuito abaixo, determine VD, VR, ID e IR.


Considere uma fonte E de 8.0 volts.

2) Para o circuito abaixo, determine VD, VR, ID e IR.


Considere uma fonte E de 0,5 volts.

VD = 0,7V
E = VD + VR

VD =
Para Calcular a Corrente do diodo

ID = IR -> Circuito em Srie


IR = 7.3
IR = 3.32 mA
IR = VR

VR = E VD
VR = 8 - 0.7
VR = 7,3V
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..

2.2K

R
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E = VD + VR

..

2.2K
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10

Exerccio:
2) Para o circuito abaixo, determine VD, VR, ID e IR.
Considere uma fonte E de 0,5 volts.

REVISO LEI DE OHM


Visando facilitar futuros clculos,
vamos fazer uma rpida reviso
sobre a to importante Lei de Ohm,
para a eletrnica e eltrica em geral.

VD =
E = VD + VR

Resposta: Analisando o Circuito, nota-se que a barreira de


tenso do diodo de 0.7V e como a fonte de 0.5V, no
haver conduo de corrente ou Tenso.
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Exerccios - LEI DE OHM


1) Reviso: Preencha a tabela abaixo, realizando os clculos
corretos de modo a preencher as lacunas
V

80 V

2A

8mV

10 mA

220V

50 Ohm

110V

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5 Ohm
4A

6 Ohm

15A

3 Ohm

360V

60 Ohm

150V

1 KOhm

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RETIFICAO - PRINCPIOS BSICOS

RETIFICAO - PRINCPIOS BSICOS

Retificar encerra a idia de


converter uma tenso alternada em
tenso contnua.

No processo de retificao deve-se


levar em conta as caractersticas de
chaveamento eletrnico do diodo,
ou seja, conduz corrente em apenas
um sentido (quando diretamente
polarizado).

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11

Senide em Corrente Alternada

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RETIFICAO DE ONDA
Tomemos como exemplo o circuito a
seguir, destinado a retificar uma
tenso alternada.

Eletrnica e instrumentao

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Deduz-se ento que durante o


semiciclo positivo o diodo estar
polarizado diretamente, atuando
como uma chave eletrnica
fechada e durante o semiciclo
negativo, por estar reversamente
polarizado atuar como uma chave
eletrnica aberta, conforme mostra
os circuitos equivalentes a seguir.
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71

Como sabemos a corrente alternada


tem a propriedade de mudar de
polaridade periodicamente, segundo
uma determinada frequncia.

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68

RETIFICAO DE ONDA
A tenso a ser retificada de 40Vrms, ou
40Vef.

Eletrnica e instrumentao

70

Semiciclo Positivo

Eletrnica e instrumentao

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12

Como o diodo comporta-se como


uma chave eletrnica fechada,
somente circular corrente pela carga
durante o semiciclo positivo.
Logo, aparecer na carga a tenso
correspondente ao semiciclo positivo.

Eletrnica e instrumentao

73

Como o diodo comporta-se como


uma chave eletrnica aberta, no
circular corrente pela carga.
Logo, no aparecer nenhuma
corrente na carga.

Eletrnica e instrumentao

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Ao se ligar nos extremos da carga


um osciloscpio, ser visualizada
uma tenso cuja forma de onda
mostrada na figura abaixo.

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Semiciclo Negativo

Eletrnica e instrumentao

74

Desta forma, circular corrente na


carga somente durante os semiciclos
positivos, caracterizando assim a
retificao de onda.

Eletrnica e instrumentao

76

A tenso na carga contnua


pulsante e o valor medido dessa
tenso denominado valor
retificado mdio (Vm ou Vdc).

Eletrnica e instrumentao

78

13

Esse valor retificado mdio (Vm ou Vdc),


que pode ser calculado pela frmula:

Esse valor retificado mdio (Vm ou Vdc),


que pode ser calculado pela frmula:
onde:
Vp = valor de pico da tenso ou valor mximo da
tenso (Vmax)
Vm = Vdc = valor retificado mdio
VD = queda de tenso direta no diodo (0,55 a 0,7V)
0,318 = constante =
Pi = 3,14

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79

Podemos calcular o valor mdio


retificado para o diodo ideal pela
frmula:

Eletrnica e instrumentao

80

Podemos calcular o valor de pico Vp


ou valor mximo Vmax da tenso pela
frmula:

( para VD = 0, p/ o diodo ideal)

Valor de pico Vp = valor mximo Vmax

(Neste caso no consideramos os 0,7V, pois


no diodo ideal no h queda de tenso)

assim como

Eletrnica e instrumentao

81

TENSO DE TRABALHO DO DIODO


Na retificao de onda a tenso
de trabalho do diodo a prpria
tenso de pico da tenso a ser
retificada, na condio de
polarizao reversa,

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83

valor rms Vrms = valor eficaz Vef


Eletrnica e instrumentao

82

TENSO DE TRABALHO DO DIODO


A tenso de trabalho do diodo normalmente
definida como tenso inversa de pico (TIP)

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84

14

TENSO DE TRABALHO DO DIODO


Conforme ilustra a figura abaixo.

Como o diodo est reversamente


polarizado, comporta-se como uma
chave aberta e nos seus extremos estar
presente o valor de pico da tenso a ser
retificada, que no caso :
40 . 1,41 = 56,4V.
Como no circula corrente pelo circuito,
a tenso nos extremos de R ser zero.

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CAPACIDADE DE CORRENTE DIRETA


Deve ser pelo menos igual a corrente
mdia atravs do mesmo.

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E X E R C C I O

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CORRENTE DE PICO ATRAVS DO


DIODO (Ip)
Deve ser menor do que a corrente
de pico especificada pelo
fabricante.

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Um retificador de onda deve retificar


uma tenso de 40Vrms para alimentar
uma carga de 500 Ohm.
Determine:
a) valor mximo da tenso (Vp ou Vmax)
b) valor retificado mdio na carga;
c) corrente na carga;
d) valor mximo da tenso na carga.

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89

Eletrnica e instrumentao

90

15

Soluo:
a)1. devemos calcular o valor
mximo da tenso (Vp ou Vmax):

Soluo:
b) Calculando o valor retificado
mdio na carga: (escolha o mtodo)

Vp = Vrms . 1,41

Eletrnica e instrumentao

91

Soluo:
c) a corrente na carga ser a
corrente mdia:

Eletrnica e instrumentao

92

Soluo:
d) o valor mximo da tenso na
carga:
VMax. = Vp - VD

Eletrnica e instrumentao

93

Eletrnica e instrumentao

94

Continua...

Eletrnica e instrumentao

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16