Unidad1 Desbloqueado

UNIDAD N1 SISTEMAS de RADIO CIRCUITOS SINTONIZADOS (R-12)
INTRODUCCIN
Un enlace de radio, establece un vnculo o puente entre dos puntos distantes, esto
permite enlazarlos a fin de poder trasladar a travs de este medio la informacin deseada.
El elemento de transmisin es una onda electromagntica de alta frecuencia
(radiofrecuencia), a esta onda es la llama portadora, porque lleva o transporta la informacin
(modulante). Esta informacin tiene distintos orgenes, y de acuerdo a ellos ser el tipo de
modulacin a utilizar y el lugar que esta informacin ocupar en el espectro de radiofrecuencia.
Algunas seales tpicas a transmitir son las vocales (Telefona, msica, cuadros
de televisin, datos, etc.), transmitir una de estas seales no es lo mismo que transmitir otra, ya
que sus anchos de banda son diferentes. En el caso de seales de telefona, estas deben ser
inteligibles, es decir, conservar el tono y el timbre. El ancho de banda de un canal de telefona
para redes de buena calidad va de 0,3 KHz - 3,4 KHz y uno de calidad inferior va de 0,3 KHz - 3
KHz. Las normas para equipos de comunicacin existentes indican el valor del ancho de banda
(B.W.) que deber ocupar la seal que se desea transmitir.
Otro ejemplo de informacin que se puede transmitir es: datos provenientes de
computadoras, la que depender de la velocidad de transmisin deseada, tambin se pueden
trasmitir cuadros de televisin, los que pueden emitirse en distintas bandas, por ejemplo los
canales del 2 al 6 se transmiten por debajo de los 88 MHz y los canales del 7 al 13 estn por
encima de los 174 MHz.
Modulacin : Es la modificacin de algn parmetro de la portadora de RF por medio de la
informacin que se desea transmitir.
Sistemas de Modulacin: Existen diversas formas mediante las cuales se puede modular la
informacin a transmitir. Mencionaremos algunas de estas que pueden ser usadas
individualmente o combinada en sistemas ms complejos:
Modulacin de amplitud (AM).
Modulacin en banda lateral nica (BLU).
Modulacin angular la que se divide en :
- modulacin en frecuencia (FM)
- modulacin en fase (PM)
Modulacin Digital.
A su vez la FM o la PM puede ser modulada en Banda Ancha o en Banda Angosta.
Una caracterstica fundamental de la onda electromagntica a transmitir es su propagacin y la
dependencia de esta con la frecuencia. En base a estas dos caractersticas se proyectan enlaces a
distintas distancia.
Espectro: Este trmino hace referencia a como se divide en bandas el universo de frecuencias,
esto se puede ver en la siguiente tabla:
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ELECTRNICA APLICADA III
Banda
Denominacin
frec. mnima
frec. mxima
ELF
Extremely Low Frequency
3 kHz
100 km
VLF
Very Low Frequency
3 kHZ
30kHz
100 km
10 km
LF
Low Frequency
30 kHz
300 kHz
10 km
1 km
MF
Medium Frequency
300 kHz
3 MHz
1 km
100 m
HF
High Frequency
3 MHz
30 MHz
100 m
10 m
VHF
Very High Frequency
30 MHz
300 MHz
10 m
1m
UHF
Ultra High Frequency
300 MHz
3 GHz
1m
10 cm
SHF
Super High Frequency
3 GHz
30 GHz
10 cm
1 cm
EHF
Extremely High Frequency
30 Ghz
300 GHz
1 cm
1 mm
mxima
mnima
En la banda de HF la propagacin de la seal se produce a travs de dos

componentes: una terrestre y otra area que viaja a la ionosfera, en esta por rebote la seal
regresa a la tierra (rebote Ionosferico) recorriendo cientos o miles de Km.
Una caracterstica de tipo de enlaces radica en que segn sea la frecuencia de
operacin ser el alcance de la seal, por ejemplo con 3 Mhz se pueden establecer enlaces entre
100 km. y 150 km., con frecuencias de 6 Mhz. se pueden alcanzar aproximadamente hasta 600
Km. y con frecuencias de 20 Mhz. hasta 10.000 15.000 Km. A partr de 30 Mhz ya no se
producen rebotes ionosfericos, la onda electromagntica atraviesa la ionosfera, quedando nada
ms que la componente terrestre disponible para efectuar comunicaciones en la superficie
terrestre.
Al implementar un sistema de comunicaciones, se debe establecer la confiabilidad en
la comunicacin requerida, esta es la probabilidad real de comunicacin en la banda deseada. La
banda de VHF y frecuencias ms altas se utilizan para enlaces visuales, esto es por encima de los
30 Mhz donde no existe rebote ionosferico, las distancias que se pueden cubrir son de 30 a 50
km. aproximadamente, esto depender por supuesto del tipo de antenas con las que se realice el
enlace, de la altura de la misma, de las caractersticas del terreno entre ellas, de la curvatura de la
tierra, de la frecuencia de operacin, etc.
Transmisor: Genera la onda de radiofrecuencia que se desea transmitir. Esta seal se hace
llegar al irradiante o antena la que entrega la energa recibida al medio, para esto el medio le
presenta una determinada resistencia de carga. Normalmente el dipolo de 1/2
presenta al
alimentador una impedancia de aproximadamente 75 Ohms. Para que la antena funcione
correctamente deber estar en resonancia lo que significa que se deber tener adaptacin de
impedancia entre la antena y el medio, obtenindose la mxima transferencia de energa.
La ganancia de una antena se miden respecto de una antena de referencia llamada
isotrpica. El tamao de la antena es directamente proporcional a la longitud de onda, siendo la
ganancia directamente proporcional a la cantidad de elementos, obteniendos un haz mas
direccional con un menor lobulo de irradiacin. Por esto cuanto menor es la frecuencia mayor
es la longitud de onda, esto hace mayor el tamao de la antena, por lo que no se pueden obtener
grandes ganancias. A mayores frecuencias el tamao de la antena disminuye por lo que se pueden
UTN FRM -
construir antenas de gran ganancia, un dato ilustrativo es por ejemplo que se puede obtener 10 dB
de ganancia en el receptor, utilizando una antena que tenga 10 dB de ganancia, esto equivale a
aumentar la potencia de salida del transmisor en 10.
Esto nos da una idea del por que se pueden transmitir seales en alta frecuencia a
grandes distancias (seales satelitales) con poca potencia (por ejemplo 5 W), La razn de esto es
la gran ganancia de las antenas utilizadas.
Otro punto a tener en cuenta es la prdida en el alimentador de la antena utilizado, los
cables coaxiales presentan una determinada prdida que depende de las caractersticas del este y
muy especialmente de la frecuencia., por ejemplo el cable coaxial RG-58 (6 mm de dimetro), el
que con una frecuencia de 100 Mhz. cada 100 m de longitud pierde aproximadamente 10 dB. Otros
ejemplos son el RG-213, el que en 400 Mhz pierde de 12 o 13 dB por cada 100 m. Tambin se
dispone de cables coaxiales de bajas perdidas, por ejemplo el de 1/2 de dimetro o ms, con
dielctico de FOAM el que a 400 Mhz. cada 100 m pueden presentar una perdida de 5 a 6 dB o
menos segn el tipo.
SISTEMAS DE MODULACIN:
Modulacin de Amplitud:
se modula la amplitud de la onda de salida con la seal de
informacin til que se desea transmitir. En este sistema es muy fcil recuperar la informacin
(demodulacin). Por esta razn los receptores son baratos y de buena calidad. Las seales de AM
ocupan un espacio en el espectro relativamente grande, dependiendo este de la seal modulaste y
del tipo de servicio. El rendimiento del espectro no es muy bueno, por esto se lo utiliza solamente
en radiodifusin, esto se ve en la fig. N 1-1.
Seal modulada en amplitud

Fig. N 1 - 1
Toda seal modulada en amplitud (AM) espectralmente est compuesta de la siguiente manera:
BLI
Portadora
Fig. N 1 - 2
UTN FRM -
BLS
Modulacin Angular: recordemos que se divide en frecuencia modulada y en fase modulada. Las
seales de FM, por ejemplo en telefona ocupan un BW mucho mayor que la seal de AM, por
ejemplo en FM banda angosta el BW es de 15 Khz, en BLU es de 3 Khz y en AM es de 6 Khz.
Al ocupar un BW grande, la modulacin en FM se utiliza en alta frecuencia (30 Mhz o
ms). El hecho de que en FM el BW sea grande es una gran ventaja porque se transmite la seal
con gran calidad. En FM se mejora tambin la relacin seal ruido.
En la fig. N 1-3 se observa la forma tpica de una onda modulada angularmente. Como
puede observarse la amplitud de la portadora se mantiene constante y para distintos valores de
tiempo la frecuencia de la portadora vara, trasladando de esta forma la informacin til. Cuando se
modula en FM obtiene una seal de buena calidad, bajo ruido, pero de alcance reducido.
Seal modulada angularmente

Fig. N 1 - 3
Por un canal analgico de puede transmitir una seal digital, para esto se la debe
convertr para poder ser aplicada al medio de transmisin, una forma es generar con la seal digital
un tono de frecuencia variable ( FSK ) en este caso el uno lgico genera un tono de una frecuencia
y el cero lgico de otra frecuencia., esto se puede ver en la siguiente figura:
Fig. N 1 4
UTN FRM -
RUIDO ELCTRICO.
Cualquiera que haya observado imgenes borrosas producidas por una seal de
televisin dbil o que haya escuchado una estacin de radio distante con un fondo de chasquidos de
esttica, conoce los ruidos electrnicos. El ruido siempre est presente en los sistemas de
comunicacin y fundamentalmente se agrega a la seal en el medio de comunicacin, aunque en
condiciones normales de operacin no se percibe, en virtud de que los niveles de seal son ms
altos que los de ruido. Sin embargo cuando el nivel del ruido se hace comparable con los de la seal
til, de nada sirve que se amplifique la seal, pues en este caso amplificaremos tanto el ruido como
la seal deseada. Adems al ruido indicado se le agraga el ruido generado por el propio receptor.
Para simplificar el anlisis matemtico se supondr que la seal deseada es senoidal o
un grupo de sinusoides que contienen la informacin deseada. A esta seal suele llamrsela
determinstica. El ruido se define como una perturbacin elctrica que tiende a interferir con la
recepcin normal de la seal transmitida y se pueden producir por seales determinsticas
procedentes de fuentes indeseables, y adems las fluctuaciones aleatorias de voltajes y corrientes
originadas por fenmenos fsicos.
La finalidad del diseo de sistemas de comunicacin es conservar la relacin de potencia
de seal promedio (o pico) a la de ruido promedio, tan alta que el ruido no afecte la operacin del
sistema.
Esto se puede lograr de varias formas:
a) por el uso de transmisores poderosos y antenas de alta ganancia para obtener seales fuertes
en el receptor.
b) circuitos amplificadores y mezcladores diseados tal suerte que introduzcan una cantidad
mnima de ruido adicional al procesar las seales.
c) utilizar modelos de modulacin o codificacin que faciliten la separacin de seales y ruidos.
Podra agregarse una cuarta opcin que consiste en eliminar (suprimir) el ruido en su
origen con filtros, derivaciones o rediseo.
Una de las caractersticas del ruido es su naturaleza no determinstica, es decir no se
puede predecir una forma de onda exacta del ruido. Solo es posible obtener un valor del mismo en
trminos de valor promedio, pico, promedio rectificado, o corrientes o voltajes rms verdaderos
realizando mediciones con instrumentos adecuados. El voltaje rms o la corriente, se puede usar
para medir la potencia de ruido promedio entregada a una carga resistiva, y se demuestra que
depende del espectro de la fuente de ruido y de la respuesta en frecuencia del instrumento de
medida. La caracterizacin del ruido en el dominio de la frecuencia se puede dar mediante una
curva de densidad espectral de potencia y sus unidades son (W/Hz).
Ruido Trmico en Resistores y Redes
Este tipo de ruido se debe al movimiento aleatorio de portadores de carga en un medio
conductor, cuya temperatura est arriba del cero absoluto. La velocidad de este movimiento
aumenta con la temperatura en forma tal, que la densidad de potencia de ruido trmico producida es
proporcional a la resistencia del conductor y a su temperatura absoluta, de donde proviene el
nombre de ruido trmico. Se le llama tambin ruido blanco, pues se ha demostrado terica y
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experimentalmente que tiene un espectro uniforme hasta frecuencias del orden de 1013 Hz (del
mismo modo que la luz blanca est compuesta de todos los colores del espectro visible).
Un resistor metlico se puede representar por un circuito equivalente como el que se
muestra en la figura N 1-5
Fig. N 1 5
El voltaje y corriente cuadrtico medio, estn dados por las siguientes ecuaciones:
2
V n = 4kTRB
2
I n = 4kTGB
en donde G=1/R es la conductancia, T la temperatura absoluta del resistor, k es la constante de

Boltzmann y B es el ancho de banda en Hz dentro del cual se observa el ruido. En bajas frecuencias
los resistores prcticos exhiben tambin ruido por exceso de corriente.
Como la potencia de ruido que se transmite por un circuito es proporcional al ancho de
banda del circuito, nunca se debe utilizar un ancho de banda mayor que el necesario para
transmitir la seal deseada, si se pretende tener una relacin seal /ruido mxima.
Ejemplo:
Calcular el voltaje de ruido cuadrtico medio producido en un resistor de 100K en un
ancho de banda de 1 Mhz a una temperatura T=293 K.
4kT = 1,62. 10-20
V2n = 1,62. 10-20.105 .106 = 16,2. 10-10 volts2
El voltaje de ruido rms es: Vn = 40,3
Si este resistor estuviera en el circuito de entrada de un voltmetro electrnico con un

ancho de banda de 1 Mhz, ninguna cantidad de ganancia desarrollada en el voltmetro lo capacitara
para medir con exactitud seales bajo 1 mV.
Los circuitos que posean ms de una resistencia se pueden analizar reducindolos a una
resistencia equivalente (Thvenin) y haciendo los clculos como se indic. Cuando hacemos esto
estamos combinando los voltajes de ruido cuadrtico medios de los mismos resistores para obtener
el voltaje de ruido cuadrtico medio neto. Esto es consistente con el principio estadstico de que si
dos o ms procesos estadsticos se combinan, se obtiene el valor cuadrtico medio de la resultante
sumando el valor cuadrtico medio de cada proceso. Resumiendo: El voltaje cuadrtico medio de
UTN FRM -
ruido de un grupo de resistores conectados en serie es la suma de los voltajes de ruido cuadrticos
medio de cada resistor.
Ruido en Antenas Receptoras.
La resistencia medida en las terminales de una antena es del orden de 70 Ohms
(dipolo de media onda) hasta 300 Ohms (dipolo plegado). Este valor de resistencia es
bsicamente la resistencia de radiacin, a la cual se le entrega la potencia que deber irradiar
la antena. La "resistencia hmica", formada por las resistencias de los conductores de la antena,
por lo comn es despreciable en comparacin con la resistencia de radiacin. Una antena
receptora exhibe ruido en sus terminales a causa de dos fuentes:
1- el ruido trmico generado en su resistencia hmica (generalmente despreciable)
2- el ruido proveniente de fuentes externas (cualquier cuerpo con temperatura mayor que 0 K
radia energa).
El ruido recibido se representa como si fuera trmico generado en una resistencia
ficticia igual a la resistencia de radiacin a una temperatura TA, que toma en cuenta el ruido
realmente medido. A esta temperatura se le llama Temperatura de Ruido de la Antena.
RUIDO EN DIODOS, TRANSISTORES y FETs.
Ruido en diodos.
En estos el ruido generado depende de diversos factores, tales como la temperatura,
el punto de operacin, de los terminales de entrada y salida, etc. En los diodos, al ruido generado
se lo llama Ruido de Disparo, este se origina en el hecho de que los portadores de carga se
emiten al azar desde la regin emisora, variando su numero constantemente. La distribucin
espectral de potencia de este ruido es plana, por lo que se lo trata como ruido trmico. Este ruido
se evala mediante la corriente de ruido cuadrtica media, representada por un generador de
corriente, cuyo valor se expresa mediante la siguiente expresin:
2qI DC B
donde q es la carga del electrn , I DC es la corriente del diodo en amperes y B es el ancho de

banda en Hz, dentro del cual se mide el ruido. Este modelo no es vlido para diodos que operan
en la regin de ruptura inversa o de avalancha, donde se genera un ruido impulsivo de gran
amplitud, llamado ruido de microplasma. Este ruido es importante en la construccin de
generadores de ruido a diodo.
Ruido en transistores bipolares.
Las fuentes de ruido en transistores de unin son: el ruido de disparo en cada unin
de diodo y el ruido trmico en la resistencia de difusin de base rb o rbb . Como la corriente de
emisor se divide entre el colector y la base, la ruta seguida por cada portador de carga se
selecciona al azar y resulta una fluctuacin estadstica en las corrientes de colector y base. A esto
se le denomina ruido de particin. Otro ruido, llamado ruido 1/f, ruido de fluctuacin o ruido de
exceso, se observa en bajas frecuencias y es la fuente principal de ruido en amplificadores de c.c.
UTN FRM -
El ruido de fluctuacin se origina principalmente por una recombinacin superficial de

portadores minoritarios en la regin de agotamiento del emisor-base.
Ruido en FETs.
Los JFETs y MOSFETs exhiben ruido de varias fuentes, esto es:
1 - Ruido trmico generado en la resistencia de canal.
2 - Ruido trmico de canal acoplado a la compuerta a travs de la capacitancia canal-compuerta.
3 - Ruido 1/f , que tiene importancia abajo de 100 Hz en FETs o de 10 KHz en los MOSFETs.
Adems, los JFETs presentan ruido de disparo en virtud de la corriente inversa pequea en la
unin de compuerta.
Definiciones de Terminologa de ruido.
Se usan varios trminos para definir y comparar las cantidades relativas de ruidos
producido en los sistemas elctricos. Las siguientes definiciones y comentarios, sustentan las
bases para comprender la nomenclatura de las especificaciones de los fabricantes y calcular el
efecto global del ruido en un sistema.
Relacin seal a ruido (SNR).
En un ancho de banda especificado, la relacin seal a ruido se define como la razn
entre la potencia de seal y la potencia de ruido en un puerto.
SNR
P
P
S
N
V
V
2
s
2
n
donde Vs y Vn son los voltajes medios de seal y de ruido cuadrticos respectivamente.

Expresado en decibeles es:
SNR(dB)
10 log
P
P
Mientras mayor sea la SNR, menor ser la "corrupcin" de la seal por el ruido. El
valor mnimo permisible de la SNR depende de la aplicacin. Algunos valores mnimos
aproximados son los siguientes: 10 dB en la entrada del detector para un receptor de AM, 12 dB
en la entrada del detector de FM y 40 dB en la entrada del detector de un aparato de televisin.
En la mayora de los sistemas, el ruido de salida amplificado se debe principalmente a:
1 - el ruido que acompaa a la seal de entrada al receptor.
2 - el que aportan las dos primeras etapas tales como las del amplificador RF y la etapa
mezcladora del receptor.
Cifra de ruido.
El comportamiento con el ruido se mide con la cifra de ruido. Este mide la
degradacin de la SNR de un cuadripolo entre los puertos de entrada y los de salida. La cifra de
ruido se define dentro de un ancho de banda especificado como:
UTN FRM -
NF
SNR entrada
SNR salida
Psi / Pni
Pso / Pno
Pno
G a Pni
Pne
G a Pni
como es Pno = Ga Pni + Pne, donde Pne es la potencia de ruido de salida generada
internamente en la etapa, la figura de ruido se podr expresar por:
Pne
NF 1
Ga Pni
El valor de NF se expresa a menudo en dB por la relacin:
NF (dB) = 10 log NF
Para una red libre de ruido, las SNR de entrada y salida sern iguales y ser NF = 1.
Los circuitos prcticos tienen siempre cifras de ruido mayores que stas. NF vara con la
frecuencia por ser Psi /Pso = 1/Ga(f), y Ga(f) depende de la frecuencia. Adems, la potencia de
entrada de la fuente de seal es funcin de la temperatura. Con el objeto de obtener un valor
normal para la NF, se considera como temperatura de la fuente normal al valor de 290 K.
CONSIDERACIONES SOBRE EL RUIDO DE LOS AMPLIFICADORES.
Para calcular la NF o Te de un sistema que tenga una o ms etapas, es necesario
conocer los siguientes parmetros:
1 - el ruido procedente de la fuente de seal,
2 - el ancho de banda B equivalente de ruido,
3 - el ruido trmico generado en varias resistencias del circuito,
4 - el ruido generado dentro de los dispositivos de estado slido.
El ruido producido en diodos y transistores se puede predecir mediante circuitos
equivalentes. Sin embargo el ruido producido en transistores depende del punto Q, de la frecuencia
y de los parmetros del transistor, son tantas las variables que deben tenerse presentes, que tales
predicciones se realizan mejor con programas de anlisis por computadora.
Los fabricantes de transistores dan, por lo general, informacin de catlogo acerca de la
cifra de ruido de mancha o cifra de ruido promedio para diversas condiciones de operacin. La
cifra de ruido depende de la corriente de colector, de la resistencia de fuente y estas variaciones
deben tomarse en cuenta en el diseo del amplificador, cuando es importante un funcionamiento de
bajo ruido.
Como la variacin de la cifra de ruido con la frecuencia es casi plana dentro del rango
de operacin til del transistor, debe tenerse cuidado al relacionar una resistencia de fuente que
minimice la cifra de ruido para una corriente de colector dada. El amplificador se puede disear con
redes de acoplamiento adecuadas, de tal forma que el resistor vea esta resistencia de fuente a la
frecuencia de operacin. Desafortunadamente el valor de la resistencia de fuente que da la ganancia
mxima, no coincide con el que minimiza la cifra de ruido. As un amplificador diseado para dar
la cifra de ruido mnima, tendr una ganancia menor que la posible con los transistores
seleccionados. Por lo general, se reduce la ganancia de su mximo valor en solo unos pocos dB,
cuando se cumplen las condiciones de cifra de ruido mnima, y esta reduccin se puede compensar
en una etapa siguiente de alta ganancia.
UTN FRM -
10
CIRCUITOS SINTONIZADOS
Los circuitos sintonizados y gran cantidad de filtros se construyen utilizando
elementos inductivos y capacitivos, los que deben tener en cuenta las inductancias y capacidades
parsitas distribuidas que aparecen en los circuitos electrnicos.
Estos
componentes
adems de presentar una determinada reactancia a la circulacin de la corriente alterna, producen
un corrimiento de fase entre la corriente y la tensin en el circuito. En el caso de un capacitor este
provoca un adelanto de la corriente de 90 respecto de la tensin, si se agrega un resistor, el
ngulo de desfasaje estar entre 0 y 90.
La impedancia o admitancia de un circuito RLC es una funcin complicada de la
frecuencia y normalmente tiene una componente resistiva (real) y una reactiva (imaginaria). Para
algunos circuitos, la parte reactiva se anula en una o ms frecuencias; esta condicin
(impedancia y admitancia reales puras) se denomina resonancia y la frecuencia (o frecuencias) a
la que ocurre, se llama Frecuencia de Resonancia. Un circuito resonante es el que tiene una o
ms frecuencias de resonancia, tales circuitos se usan mucho en sistemas de comunicaciones
para separar las seales deseadas de las indeseadas. Adems, los circuitos resonantes tienen
propiedades importantes de transformacin de impedancias y por ejemplo, se pueden disear
para que la fuente externa de alta impedancia transfiera la mxima potencia a la carga de baja
resistencia a travs del circuito resonante.
El rango de frecuencia dentro del cual el circuito es aproximadamente resonante, es
el ancho de banda til del circuito, aunque en este contexto la definicin precisa de ancho de
banda depende de la definicin de " aproximadamente resonante" o de qu tan grande puede
tolerarse una componente reactiva de la impedancia. Como la impedancia de la mayora de los
circuitos resonantes pasa por un pico mnimo o mximo agudo en resonancia, el ancho de banda
o selectividad en frecuencia de tales circuitos, se define a menudo en trminos del ancho de este
pico o ranura. El ancho de banda se relaciona frecuentemente con un parmetro llamado Q
(factor de calidad) del circuito, el cual se define posteriormente.
El ancho de banda, el factor de calidad, la frecuencia de resonancia, la impedancia
resonante y las propiedades de transformacin de impedancias de un circuito, son importantes en
el diseo de amplificadores y osciladores de RF.
Resonancia Serie
La figura 2.1 muestra un circuito serie excitado para una fuente de voltaje. La
resistencia R combina el resistor de carga y cualquier resistencia en serie presente en el inductor
y en la fuente, la impedancia de entrada del circuito se puede expresar mediante:
Z( j )
UTN FRM -
V
I
j( L
1
)
C
jX (2.1)
11
+ Vr +
+
L
V
C
Vl
-
- Vc +
Fig. N 1 -6
La fig. 1.7 muestra cmo se comporta esta impedancia cuando vara la frecuencia f.
El lugar geomtrico en el plano de la impedancia es una recta paralela al eje imaginario y pasa
por el punto.
Z = R + j0
En resonancia. En este punto, | Z | toma valor mnimo. La ecuacin (2.1) muestra
que la resonancia ocurre si:
L-1/ C=0v
esto es, una frecuencia resonante
o
2 fo
1 rad
(
) (2.2)
LC seg
S se vara la frecuencia de la fuente mientras el voltaje V se mantiene constante, la

corriente alcanza un valor mximo Imax =V/R en resonancia.
Fig. N 1-7
UTN FRM -
12
El comportamiento de la admitancia de este circuito es tambin de inters y puede

obtenerse invirtiendo (2.1), para obtener el lugar geomtrico en el plano de la admitancia
mostrado en la figura 1.8. Pueden tambin construirse las grficas de repuesta en frecuencia de
| Z |, y X, como se ilustra en la figura 1.9. Adems de la frecuencia de resonancia fo, son
importantes otras dos frecuencias, indicadas como f1 y f2 en las figuras 2.2, 2.3, y 2.4, f1 y
f2, la magnitud de la reactancia es igual a resistencia (|X| = R); la impedancia tiene el valor
|Z| = 2 R, y el ngulo de fase
45. Consecuentemente, la corriente I = Imax / [2]1/2 y la
potencia disipada en el resistor es la mitad de la potencia en la frecuencia de resonancia. Se ha
convenido que las frecuencias f1 y f2 definen al ancho de banda B de potencia mitad del
circuito.
B = f2 - f1 [Hz] (2.3)
Fig. N 1-8
Fig. N 1 9
UTN FRM -
13
Como se estableci antes, un parmetro que se usa comnmente para denotar la

selectividad de un circuito, es el Factor de Calidad Q, que se defini originalmente como la
razn de la reactancia a la resistencia de una bobina. La definicin general del Q de cualquier
circuito en resonancia es:
Q =[2 energa instantnea mxima almacenada en el circuito] / [energa disipada por ciclo]
(2.4)
El clculo del numerador de (2.4) puede ser difcil para un circuito que tenga varios
inductores o capacitores. Sin embargo, para un circuito RLC en serie, es fcil demostrar que el Q
del circuito se obtiene:
Q=
oL
(2.5)
R
Por sustitucin de (2.2) y (2.5) en (2.1), la ecuacin para la impedancia se puede

poner en la forma:
w w0
Z ( jw ) R[1 jQ (
)]
(2.6)
w0
w
y puede demostrarse que:
f
f0
Q= 0
(2.7)
f2 - f1
Como nota final, se debe sealar que, en resonancia, el voltaje Vc que soporta el
capacitor, es Q veces el voltajes aplicado V.
Resonancia Paralelo
La figura 1.10 muestra un circuito en el que L, C, Rt =1/Gt estn conectados en
paralelo1. La resonancia paralelo tiene lugar cuando el voltaje de entrada y la corriente estn en
fase. El Qt del circuito paralelo est dado por
Qt
C
Gt
Rt
(2.8)
y la admitancia de entrada es
1
) Gt [1 jQ t ( w w0 )]
(2.9)
wL
w0 w
La ecuacin (2.9) tiene la misma forma que la (2.1) y (2.6) para el circuito serie,
excepto que los parmetros de impedancia se sustituyen por los admitancia, por lo que, con un
intercambio similar de variables, las figuras 1.7 y 1.9 se aplican al circuito paralelo RLC.
Adems de las anteriores, las siguientes ecuaciones son tiles.
Y ( jw )
Gt
j (wc
1El
subndice t persiste para la resistencia terminal en resonancia. Rt se denomina

"resonancia de tanque" y Qt concordar con la ecuacin (2.4).
UTN FRM -

2 f0
w0
B
f0
Qt
14
(rad/seg) (2.10)
LC
1
(Hz)
(2.12)
2 CRt
Tambin en resonancia se puede demostrar que | Ic | = Qt | I |. Las grficas de |Z ( j )|

y f, para diversos valores de Q, se muestran en la figura siguiente:
Fig. N 1 -10
Fig. N 1-11
Resonancia Paralelo con Resistencia Carga en Serie
El circuito de la figura 1.10 no siempre es real, esto se debe a que en este una vez
calculado C, L y Q para una resistencia de entrada (R1) y salida (R2) dadas, no se puede
modificar ningn parmetro. A este resonador se lo puede modificar para por ejemplo poder
seleccionar el ancho de banda B o la relacin de transformacin R1/R2 en forma independiente.
Para esto en muchas aplicaciones de circuitos resonantes paralelos, la carga, a la que finalmente
se destina la potencia, puede estar en serie con el inductor o con el capacitor. Las ecuaciones de
diseo y el comportamiento en frecuencia de estos circuitos difieren de los de la figura 1.10.
UTN FRM -
15
Resistencia en la rama inductiva: RL // C:

En el circuito de la figura siguiente, la resistencia puede tomar en cuenta la propia de
la bobina y la carga. La admitancia de entrada del circuito es:
R
Y( jw )
[wC 2 wL 2 ] (2.13)
2
2
R ( wL)
R ( wl )
En resonancia, I y V estn en fase y el trmino de suceptancia debe desaparecer. La
frecuencia de resonancia se encuentra igualando a cero la suceptancia:
1
R2
w0 (
) (rad/seg) (2.14)
LC L2
Fig. N 1-12
La sustitucin de este valor en (2.13) da la impedancia de resonancia como:
1
L
Z ( jw )
Rt
(2.15)
Y( jw )
RC
Si se define el Qt del circuito en resonancia como:
Qt
L
R
0
(2.16)
L
2
= R Qt + 1
(2.17)
CR
Para poder efectuar el diseo de una red de este tipo, se dispone de una tabla que
resume la ecuaciones mas importantes. para efectuar el calculo podemos utilizar las frmulas
exactas o si el Qt es mayor que 10 las frmulas aproximadas, en este caso el error cometido es
despreciable. La tabla 2.2.1 resume las frmulas exactas y las aproximadas. Los datos necesarios
para efectuar el diseo, son: 1 - frecuencia de resonancia, 2 - Ancho de Banda, 3 - Resistencia de
carga R, con estos datos y las ecuaciones de la tabla 221 se puede encontrar los valores de C y L.
y se define a la Rt del circuito como: Rt =
L
Rt
C
R
Fig. N 1-13
UTN FRM -
16
Tabla 2.2.1
CANTIDAD
EXPRESIN EXACTA
1
R2
- 2
LC
L
Qt
Rt
1/2
UNIDADES
rad / seg
Q
L
= t =
RC
0 C
1
LC
1
0 CR
= 0 L /R = 0 CRt
EXPRESIN APROXIMADA
Qt > 10
ohm
Q 2t R =
L Qt
= R Q 2t + 1
hertz
f
1
R
=
= 0
2 C R t 2 L Qt
Resistencia en la rama capacitiva: RC // L

Este circuito se muestra en la figura siguiente y es utilizado muy frecuentemente.
la resistencia de la bobina es pequea frente a la resistencia R, las ecuaciones de diseo
establecen en forma similar a las de la seccin anterior. Por ello, las frmulas de diseos
resumen en la tabla 2.2.2. La seccin siguiente muestra como puede tomarse en cuenta
resistencia de bobina si es necesario.
Fig. N 1-14
UTN FRM -
Si
se
se
la
17
Tabla 2.2.2 Frmulas de diseo para el circuito resonante RC//L

CANTIDAD
Qt
Rt
EXPRESIN EXACTA
1
LC - R 2 C2
1/2
UNIDADES
rad / seg
Rt
1
=
0 CR
0 L
EXPRESIN APROXIMADA
Qt > 10
1
LC
L
= 0 LQ t =
CR
= R Q 2t + 1
=
Qt
0 C
ohm
Q 2t R =
hertz
f0
1
=
Q t 2 CR t
Efectos de resistencias de fuentes y de bobinas

Una fuente de corriente en paralelo con resistencia finita Rs, al excitar un circuito
resonante paralelo, produce un valor que afecta el Q global y el ancho de banda del circuito. En
la figura siguiente, por ejemplo, el circuito RC//L, que ofrece una impedancia Rt entre los
terminales a-b en resonancia, se excita con una fuente de impedancia Rs. La fuente de corriente
ideal ve la impedancia Rt// Rs; el Q efectivo y el ancho de banda se determinan por esta
resistencia equivalente en paralelo. Por ejemplo si Rs = Rt, el Q disminuir su valor y el ancho
de banda se duplicar, en comparacin con los valores dados en la tabla 2.2.2.
Fig. N 1-15
UTN FRM -
18
Si ambas ramas L y C tienen resistencias en serie, como muestra la figura 1.16a, el

anlisis exacto del circuito resulta complicado. Empero, si el Q de rama se definen como:
QL
rc
Qc
1
0 CR c
y si ambos QL, QC > 10, el circuito equivalente vlido en la proximidad de resonancia, es el de

la figura 1.16 b. La impedancia de resonancia vista por la fuente ideal entre los terminales a-b
es:
Rt = QL2 rc // QC2 Rc
Conversin Paralelo a Serie Para Circuitos RL Y RC
En la siguiente exposicin sobre circuitos derivados, es conveniente reemplazar los
circuitos paralelos RC o RL por sus series equivalentes, y viceversa. Los valores equivalentes de
R y C L, con frecuencia son parmetros dependientes; por lo tanto son tiles principalmente en
la cercana de la frecuencia de resonancia para circuitos de banda estrecha. Las tablas 2.5.1 y
2.5.2 proporcionan frmulas para conversin entre circuitos equivalentes paralelos y en serie.
En estas tablas se define un nuevo parmetro
Qp = Rp / Xp
Para la combinacin paralela de R y C R y L. Este parmetro es til en el diseo de circuitos
resonantes derivados, especialmente si Qp puede escogerse > 10, de modo que las frmulas
aproximadas sean aplicables.
Fig. N 1-16
UTN FRM -

TABLA 2.5.1 Frmulas de conversin paralelo serie para redes RC
Fig. N 1-17
1
Cp
Xp =
DEFINIR:
Qp =
XS =
DEFINIR:
Rp
QS =
Xp
1
CS
XS
RS
EQUIVALENTE PARALELO DE LA RED

EQUIVALENTE SERIE DE LA RED
SERIE
PARALELO
FRMULAS EXACTAS
R PE = R S 1 + Q S2
X PE = X S
C PE = C S
R SE =
Q S2 + 1
Q S2
RP
1 + Q 2P
X SE = X P
Q 2P
Q 2P + 1
CSE = C P
Q 2P + 1
Q 2P
2
S
Q
Q S2 + 1
FRMULAS APROXIMADAS
SI Qs > 10
UTN FRM -
R PE
X PE
R S Q S2
XS
C PE
CS
SI Qp >10
R SE
X SE
CSE
RP
Q 2P
XP
CP
19
20
TABLA 2.5.2 Frmulas de conversin paralelo serie para redes RL
Fig. N 1-18
Xp =
DEFINIR:
Qp =
LP
XS =
DEFINIR:
Rp
QS =
Xp
LS
XS
RS
EQUIVALENTE PARALELO DE LA RED

EQUIVALENTE SERIE DE LA RED
SERIE
PARALELO
FRMULAS EXACTAS
R PE = R S 1 + Q S2
X PE = X S
L PE = LS
R SE =
Q S2 + 1
Q S2
Q S2 + 1
Q S2
RP
1 + Q 2P
X SE = X P
Q 2P
Q 2P + 1
LSE = L P
Q 2P
Q 2P + 1
FRMULAS APROXIMADAS
SI Qs > 10
R PE
X PE
R S Q S2
XS
L PE
LS
SI Qp >10
R SE
X SE
LSE
RP
Q 2P
XP
LP
Circuitos Resonantes con Derivacin

El circuito de la figura 1.12 carece de flexibilidad, pues el ancho de banda del
circuito y el Qt quedan fijos una vez especificado los valores de Rt y R. Para ganar cierto grado
adicional de libertad, de tal suerte que el ancho de banda y la razn de impedancias puedan
escogerse independientemente, se requiere un elemento de circuito adicional. Una forma de
UTN FRM -
21
hacer esto es dividir la rama inductiva o la capacitiva en dos componentes en serie, con la carga
de baja resistencia a travs de una de ellas, como se muestra en las figuras 1.19a y 1.19b.
Tambin puede conectarse una derivacin a una bobina continua, se muestra en la
figura 1.21. Los circuitos con derivacin se usan profusamente en osciladores y amplificadores
de alta frecuencia y de banda estrecha.
Aunque el circuito resonante con derivacin proporciona flexibilidad, su diseo se
hace ms complicado.
Fig. N 1-19
Circuito de capacitor con derivacin
se supondr que Qt > 10
El circuito de capacitor de la figura 1.19a se usa frecuentemente en los osciladores
Colpitts. Se disea para valores especficos de R2 y Rt; de frecuencia de resonancia f0 y de ancho
de banda B. Los valores de L, C1 y C2 se tienen que calcular. La prdida de la bobina no se
considera en el diseo. Se toma en cuenta reflejando la resistencia de bobina rc como una
resistencia equivalente paralelo igual a QL2 rc a travs del puerto Rt.
Con la conversin paralelo a serie de la tabla 2.5.1, se obtiene el circuito de la figura
1.19b. La capacitancia C es igual a:
C =
C1 C se
C1 + Cse
(2.18)
Para este circuito, la especificacin de f0 y B fija el valor de Qt:
Qt
f0
B
(2.19)
De la tabla 2.2.2 se encuentra la relacin exacta entre Rt y Rse como:

Rt
R se =
(2.20)
2
Qt + 1
UTN FRM -
22
que muestra que el valor de Rse lo determinan Rt y Qt. De la tabla 2.5.1, usando
Qp = C2 R2
De donde
Rse =
(2.21)
R2
Q + 1
(2.22)
2
p
Como Qp debe ser > 0, es claro de (2.20) que el valor de R2 no puede ser menor que
el de Rse. Conviene recordar que cuando una resistencia est en paralelo con un capacitor o un
inductor, la serie de resistencia resultante, es siempre menor que el valor original.
Al igualar (2.20) con (2.22), se encuentra el valor de Qp en trminos de los
parmetros de diseo:
Qp
R2
Q + 1
- 1
Rt
1/2
2
t
(2.23)
Adems, la propiedad de transformar impedancia del circuito en resonancia equivale

a la de un transformador ideal con razn de vueltas N o razn de impedancia N2, como se
muestra en la figura 1.19c. El uso de (2.23) da otra expresin para Qp:
Rt
= N2
R2
Qp =
(2.24)
Q 2t + 1
- 1
N2
1/ 2
(2.25)
Ya que Qt > 10, como se supuso inicialmente para obtener Qt a partir de f0 y B

especificados, (2.25) puede simplificarse a
Qp
Q 2t
- 1
N2
1/2
(2.26)
o bien para Qt / N = 10, lo que implica que Qp > 10,

Qt
Qp
(2.27)
N
Esta ltima relacin es til para realizar una verificacin rpida y ver si se usa el
diseo exacto para Qp < 10, o la aproximacin ms sencilla para Qp > 10.
Circuito de inductor con derivacin
Con el supuesto de que Qt > 10 y el uso de las relaciones de las tablas 2.2.1 y 2.5.2,
un desarrollo paralelo al precedente conduce a las frmulas dadas en la tabla 2.6.2, para el
circuito de inductor con derivacin de la figura 1.20a.
UTN FRM -
23
Fig. N 1-20
TABLA 2.6.2 Frmulas de diseo para circuitos con inductor derivado
Para Qt
(1) C
f0 / B > 10
1
(2) L
2 BRt
1
w02 C
(3) Qt
f0
B
(4) N
(R )
t
1
2
R2
(5)
Qt
N
Frmulas aproximadas Qp > 10
Frmulas para Qp < 10
Qt
N
L
(7) L2 =
N
(8) L1 = N - 1 L2 = L - L2
Q 2t + 1
(6) Q p =
-1
N2
(6) Q p =
(7) L2 =
(8) Lse =
Qp
1/2
R2
0 Qp
L2 Q 2p
Q 2p + 1
(9) L1 = L - Lse
Bobina derivada con inductancia mutua

El circuito de bobina con derivacin se muestra en la figura 1.21, se usa a menudo en
circuitos de amplificador. Se utiliza una bobina nica, con la posicin del contacto (punto b),
escogida para transformar R2 en Rt. Si la bobina se devana sobre un ncleo de ferrita, de tal
manera que el coeficiente de acoplamiento k sea casi la unidad, se comporta como un
transformador ideal y los resultados son predecibles casi de inmediato. Con bobina de ncleo de
aire, el coeficiente de acoplamiento es pequeo y la aproximacin por transformador ideal no es
vlida en todos los casos, hacindose necesario un anlisis ms elaborado para determinar la
posicin de contacto de derivacin.
UTN FRM -
24
Fig. N 1-21
Sean La y Lb las autoinductancias de las dos partes de la bobina; M la inductancia
mutua y k el coeficiente de acoplamiento. La inductancia total de la bobina est dada por
L = La + Lb + 2M
(2.28)
Con acoplamiento unidad (k=1), la razn de transformacin de impedancia del

transformador est dada por
Rt
V12
L2
=
=
(2.29)
2
2
R2
V2OC
Lb + M
donde V2OC es el voltaje en circuito abierto (sin carga) desde el contacto a tierra, una cantidad
fcilmente de medir. La admitancia de entrada de este transformador aparece como
Yi
Gi
1
Rt
jBi
j
0
(2.30)
a la frecuencia de operacin f0, donde la admitancia del capacitor C (mostrado con lnea punteada
en figura 2.13) sintoniza el circuito para resonancia; es decir:
1
(2.31)
0L
El Qt y el ancho de banda del circuito estn dados por
Bc
Qt
Bi
Gt
CR t
Rt
0L
(2.32)
f0
(2.33)
Qt
Con bobinas de ncleo de aire, que se utilizan en rangos de frecuencias ms altas, el
coeficiente de acoplamiento puede ser del orden de 0,1 y no es vlida la solucin sencilla dada
antes. Sin embargo, como se demostrar, si Rt / 0 L = Qt 10, y R2 > 0L, el circuito se
comporta an como un transformador ideal en la frecuencia de resonancia y la posicin del
contacto, puede determinarse a partir de mediciones de voltaje en circuito abierto, como en
(2.29).
Se ha obtenido la solucin general del problema, exenta de las aproximaciones antes
mencionadas, expresada en trminos de parmetros de bobina fciles de medir (inductancia total
L, coeficiente de acoplamiento k y porcentaje de vueltas total en el punto de derivacin). El
B=
UTN FRM -
25
anlisis se aplica tanto a circuitos de banda ancha como de estrecha, pues no est restringido a un
Qt alto y se ajusta a cualquier razn deseada 0L / R2.
Un anlisis de mallas del transformador cargado de la figura anterior (con el
capacitor omitido) da la siguiente expresin para la admitancia de entrada:
R2 w0 L0
(2.34)
Yi Gi jBi
2
w [LLb ( Lb M ) 2 ] jwLR2
Si se separan las partes real e imaginaria y se hace Rt = Ri = 1/Gi , se obtiene, despus
de una manipulacin considerable:
Lb M 2
L
Rt [(
) 2 ( wL ) 2 ( Lb
) ] (2.35)
Lb M
R2
Lb M
L
y
2
Bi
1
L
w Lb [ Lb
(L
(L
w [ Lb
M )2
L
M )2
R2
(2.36)
R2
L
Las expresiones anteriores no son an tiles, pues la forma en que vara Lb al
desplazarse la toma a lo largo de la bobina, no se conoce para k<1. (La forma en que k vara con
la posicin de la toma tampoco se conoce, pero se supone que k es constante en la siguiente
derivacin). Si los valores de La y Lb se relacionan por un factor a, tal que
La = a Lb
(2.37)
los parmetros L y Lb + M se pueden presentar en trminos de Lb, k y a. As,

1
Lb =
(2.38)
1 + a + 2k a
Lb
1
=
(2.39)
Lb + M
1 + k a
Lb + M
V
1 + k a
1
=
= 2OC =
L
V1
N
1 + a + 2k a
(2.40)
donde N puede identificarse como la razn de vueltas de u transformador ideal (acoplamiento

unidad) o la razn de voltaje en circuito abierto. La sustitucin de (2.38) a (2.40) en (2.36) y
(2.35) y la introduccin de la variable
K =
1
1
N
1 + k a
permite obtener las soluciones siguientes:

Rt
R2 [ N 2
( wL )K ]
UTN FRM -
R2
(2.41)
Bi
wL
R2
1
wL
K
1 K a N2
wL
R2
K
N
26
1
E
wL
(2.43)
Si el coeficiente de acoplamiento es la unidad, puede demostrarse que K = 0, Rt = N2

R2 y que Bi =-1 / L. As, el factor E en (2.43) representa el factor por el que Bi se aparta del
valor ideal.
Las expresiones (2.42) y (2.43) son exactas. Por consiguiente, para k<1, es til
expresar la razn de transformacin de impedancias real en forma tal, que se muestre el
alejamiento respecto al comportamiento de un transformador ideal. La desviacin respecto a la
unidad del factor D entre corchetes en (2.44) exhibe este alejamiento:
Rt
R2
wL
R2
K2
N2
N 2D
(2.44)
Las figuras 1.22 a 1.24 muestran la variacin de Rt / R2 vs. la posicin 1 / N de la

derivacin para diversos valores de K y de L / R2. Obsrvese que 1 / N representa la parte
fraccionaria del nmero total de vueltas incluido entre el contacto y tierra. En las figuras 1.25 y
1.26 se muestra el efecto de la posicin del contacto sobre los factores D y E de (2.44) y (2.43)
para k = 0,1. Las figuras 1.27 a 1.30 Ilustran las mismas cantidades para k = 0,25 y 0,5,
respectivamente. Mediante estas curvas, es posible determinar la razn de transformacin
correcta y la suceptancia (capacitiva) de sintona para una posicin dada del contacto.
La observacin de estas figuras muestra que mientras L / R2 < 1, el alejamiento del
caso acoplado en unidad es despreciable. De este modo. Los clculos con estas curvas son
necesarios slo para circuitos de banda ancha, en los cuales Qt es bajo o en los que L / R2
excede la unidad.
UTN FRM -
Fig. N 1-22 Rt /R2 y la posicin (1/N) para k=0,1
UTN FRM -
27
Fig. N 1-25 Grficas de D y posicin de la derivacin (1/N) para k=0,1
UTN FRM -
28
Fig. N 1-26 Grficas de E y posicin de la derivacin (1/N) para k=0,1
UTN FRM -
29
UTN FRM -
30
31
Transformador de Sintona nica

Un circuito de transformador con un slo lado sintonizado, como se muestra en la
figura siguiente, otorga una forma alternativa de obtener adaptacin de impedancias y puede
tambin proporcionar aislamiento entre los circuitos de entrada y salida ( para corriente continua
), introduciendo si se desea una inversin de fase. El procedimiento de diseo debe dar los
valores de inductancia de primario y de secundario (L1 y L2), de inductancia mutua (M), de
coeficiente de acoplamiento (k), y de capacitancia de sintona que satisfaga los valores
especficos de Rt, R2, f0 y B.
Fig. N 1-31
Mediante la deduccin del circuito equivalente adecuado para la transformacin,
como se ilustra en la figura 1.32, puede representarse el transformador sintonizado simple por su
equivalente que se muestra en la figura 1.33, el que tiene la forma de la figura 2.7. El
transformador con carga de secundario R2, mostrado en la figura 1.32a, se pude representar por el
circuito de la figura 1.32b, que tiene las mismas corrientes de mallas I1 e I2. La impedancia de
entrada de cualquiera de ellos est dada por:
UTN FRM -
32
2
wM
V1
(2.45)
Z ( jw ) jwL1
I1
R2 jwL2
Es evidente de esta ecuacin que si la inductancia mutua se multiplica por un factor
y la impedancia de secundario por 2, no cambiarn la impedancia de entrada y la corriente de
primario. No obstante, el circuito equivalente tiene ahora los valores mostrados en la figura 1.32c
y sta puede simplificarse a la forma mostrada en la 1.32d, si se escoge el valor de tal que sea
=M / L2, de tal manera que la inductancia 2 L2 - M = 0. Los valores de circuito en la figura
1.32d se muestra en trminos del coeficiente de acoplamiento definido por
k =
M
L1 L 2
(2.46)
La combinacin paralelo de Rp y Lp puede convertirse a su equivalente serie de la

tabla 2.5.2, con el Qp definido a la frecuencia de resonancia del sistema como:
M 2
R2
Rp
L2
R2
(2.47)
Qp
2
w0 L p
w0 K L1 w0 L2
Las frmulas de conversin exactas dan
2
R SE =
LSE =
UTN FRM -
Rp
Q 2p + 1
k 2 L1 Q 2p
Q 2p + 1
M
R2
L2
Q 2p + 1
(2.48)
(2.49)
33
Fig. N 1-32
Si se combinan LSE con la inductancia (1 - k2) L1 de la figura 1.32d, la inductancia
total se hace
L t = L1
Q 2p + 1 - k 2
Q 2p + 1
(2.50)
Como se muestra en el circuito equivalente final de la figura 1.32e. De esta manera,

el circuito de la figura 1.31 se ha convertido en el de la figura 1.33, para el que se aplican las
frmulas aproximadas de la tabla 2.2.1 si Qt > 10. A partir de los valores especificados de Rt, R2,
f0 y B. de 2.46, 2.47, y 2.48, se obtiene:
M = k L1 L2
L2 =
L1 = L t
(2.51)
R2
0 Qp
(2.52)
Q 2p + 1
Q 2p + 1 - k 2
(2.53)
Fig. N 1-33
Ninguna de estas cantidades puede calcularse sin escoger arbitrariamente el valor de
Qp o de k. Mediante reagrupacin en las ecuaciones anteriores, se puede demostrar que
UTN FRM -
Qt =
k2 =
Q 2p + 1 - k 2
34
(2.54)
Qp k2
Qp + 1
(2.55)
Qp Qt + 1
y que
Qp = Qt
k2
+
2
k4
k2 - 1
+
4
Q 2t
1/2
(2.56)
La ltima ecuacin muestra que si k se hace lo suficientemente pequeo, el valor de

Qp se hace complejo. De esta manera, existe un lmite inferior para el valor realizable de k con
uno especificado de Qt. Tomando derivadas, los valores mnimos permisibles de k y el valor
correspondiente de Qp se encuentran como
Q p k min
1
Qt
Q 2t + 1
1/2
-1
(2.57)
y
k min =
2
Qt
Q 2t + 1
1/2
- 1
(2.58)
En la figura 1.34 se traza la grfica de kmin y Qp(kmin) y el de Qt. El diseador de

circuitos puede escoger arbitrariamente a Qp, pero est entonces obligado a usar el valor de k
que resulta de la ecuacin (2.55). En transformadores de RF no siempre es posible obtener
valores altos del coeficiente de acoplamiento; por lo tanto, la informacin que da la figura 1.34 es
til, pues da un lmite inferior para k que se puede usar con un Qt especificado. La figura 1.35
muestra valores correspondientes de Qp y k para varios valores de Qt tomados de (2.55). Las
restricciones de diseo que impone este mtodo son: (1) Qt > 10 de tal suerte se aplique las
relaciones aproximadas de la tabla 2.2.1; (2) Qp debe escogerse de tal manera que 0 < Qp < Qt ; y
(3) kmin < k < 1.
UTN FRM -
35
Fig. N 1-34
Fig. N 1-35
Diseo simplificado para Qp > 10
Si son aceptables los valores altos de k que resultan, las ecuaciones de diseo
pueden simplificarse con el supuesto de que Qp > 10. Las relaciones se hacen:
UTN FRM -

2
w0 M
Rs
(2.59)
R2
Ls
K 2 L1
(2.60)
Lt
L1
(2.61)
K2
Rt
N
L2
Qp
(2.62)
Qt
R2
L1
M
Lt
M
R2
w0 Q p
APENDICE 1:
Transformador de Doble Sintona
UTN FRM -
(2.63)
(2.64)
(2.65)
36
37
Los transformadores con circuitos sintonizados en el primario y en el secundario,

como se muestra en la figura 1.36, se han usado extensamente en etapas de FI de receptores, pues
permiten ms flexibilidad en el ajuste de la forma de la curva de selectividad. Aunque ahora est
siendo sustituidos por filtros de cermica, de cristal y de onda acstica superficial, los
transformadores de doble sintona se usan an donde deban acoplarse diferentes niveles de
impedancias y en discriminadores de FM.
En la figura 1.36 el transistor de excitacin o FET se representa por una fuente de
corriente en paralelo con una resistencia Rs que incluye tambin las prdidas en Lp. En forma
similar, RL incluye la resistencia de entrada de la etapa siguiente y la resistencia de prdida en Ls.
Para un anlisis simplificado, se haran las suposiciones siguientes:
1 - los circuitos primarios y secundarios son idnticos, de tal suerte que Rs = RL = R, Cs = Cp = C
y Ls = Lp = L
2 - el Q de estos circuitos es mayor que 10, por lo que se aplican las aproximaciones de alto Q
3 - la banda de frecuencia de inters, en su totalidad, es pequea comparada con la frecuencia de
resonancia fo, de tal manera que la fuente de voltaje equivalente a la de Thvenin, que aparece en
la figura 1.36b se puede considerar constante, y el voltaje que atraviesa la carga secundaria,
como proporcional a la corriente en el secundario.
Fig. N 1-36
Con estas suposiciones, se puede derivar el circuito de figura 1.36b del de la 1.36a,
la inductancia mutua est dada por
M = k Lp LS
(2.66)
donde k es el coeficiente de acoplamiento. Las ecuaciones de mallas para el circuito son:
V
O
UTN FRM -
R j XL XC
jwM
jwM
x
R j XL XC
I1
I2
(2.67)
38
y las soluciones para I1 e I2 son:

jwMV
I2
R j XL XC
(2.68)
(2.69)
wM
V R j XL XC
I1
R j XL XC
wM
La impedancia vista por la fuente de voltaje es:

2
Z IN
V
I
wM
j XL XC
R
En resonancia XL =
L = XC = 1 /
XL XC
0
X L X C wM
R
(2.70)
XL XC
C, y:
2
Z IN
w0 M
(2.71)
Para transferencia mxima de potencia en resonancia, R = (0M)2 / R, el circuito Q

(2.72)
en resonancia, se define como:
0 M =R
Q=
(2.73)
con (2.66) y (2.72), se puede demostrar que el coeficiente de acoplamiento para la condicin de
mxima transferencia de potencia ( llamado acoplamiento crtico ) es
k c = Q -1
(2.74)
Para k < kc, la curva de Av vs. Frecuencia, tiene un pico nico en la frecuencia de
resonancia, con amplitud mxima para k = kc; para k > kc, la curva de repuesta tiene dos picos.
Este funcionamiento se ilustra en la figura 2.31, en la que se supone la ganancia de voltaje
proporcional a I2.
Para el caso de sobreacoplamiento (k > kc) la razn de ganancia pico a la de
valle en f0 est dada aproximadamente por
A vm
1
= 0,5 kQ +
A vo
kQ
(2.75)
y se controla por la eleccin de k y Q. El ancho de banda del circuito se define a menudo como
B = f2 - f1, donde f1 y f2 son las frecuencias a las que la ganancia baja hasta Avo, como se muestra
en la figura. Otras frecuencias de inters son aquellas en las que ocurren picos de ganancia, a
saber, fa y fb. Puede demostrarse que:
UTN FRM -
f b - fa = k 2 Q 2 - 1
f2 - f1 =
1/ 2
2 f b - fa
39
(2.76)
(2.77)
Como alternativa al transformador de doble sintona se pueden usar dos etapas

amplificadoras de sintona nica en cascada, sintonizadas a las frecuencias fa y fb
respectivamente. Debe notarse que si van a acoplarse impedancias desiguales a los dos lados del
circuito, se puede sacar una derivacin de la bobina del primario, del secundario o de ambos,
como se vio anteriormente.
Fig. N 1-37
UTN FRM -

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