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El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en
electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
LA LEY DE SHOCKLEY
El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el de Shockley (en honor a
William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la
intensidad de corriente y la
Donde:
silicio).
El trmino VD = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden
de 26 m V a temperatura ambiente (300 K 27 C).
Cuando un diodo P-N se conecta en forma directa a una batera este deja pasar la
corriente, esta intensidad de corriente (I,) aumenta conforme aumenta el voltaje aplicado
por la batera (V), pero si conectamos la batera en forma inversa este deja pasar una
corriente inversa (Iinv) que es muy pequea.