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CBPF Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas

Notas de Aula

TCNICAS DE DETECO
Prof. Laudo Barbosa

ndice

Notas Preliminares
NP1 Unidade de energia eV. Equivalncia massa-energia

3
3

NP2 Seo de choque, probabilidade de interao e livre caminho mdio 4


NP3 Valores de constantes fsicas usadas no texto

Introduo

I - Processos de Interao entre Partculas e Matria

10

1.1 Frmula de Bethe-Bloch para partculas pesadas com carga eltrica

10

1.2 Caso de partculas leves com carga eltrica: eltrons e psitrons

16

1.3 Perda de energia por radiao

18

1.4 Caso dos ftons

22

1.4.1 Espalhamento Thomson

22

1.4.2 Efeito fotoeltrico

23

1.4.3 Efeito Compton

24

1.4.4 Produo de pares

25

1.4.5 Coeficiente de absoro

26

1.5 Interaes de nutrons


II - Detetores a Gs

27
29

2.1 Princpio de funcionamento e modos de operao

30

2.2 Geometria e campo eletrosttico

33

2.3 Formao do sinal eltrico

35

2.4 Detetor sensvel a posio

38

2.5 Contador multifilar

39

2.6 Escolha do gs

40

2.7 Limitaes dos detetores a gs

40

III - Cintiladores e Tubos Fotomultiplicadores

42

3.1 Forma do sinal luminoso num cintilador

42

3.2 Classes de cintiladores

44

3.2.1 Cintiladores orgnicos

44

3.2.2 Lquidos e plsticos

46

3.2.3 Cristais inorgnicos

46

3.2.4 Gases e vidros

47

3.3 Discriminao por forma de pulso

48

3.4 Limitaes dos cintiladores

48

3.5 Tubos fotomultiplicadores

49

3.5.1 Microchannel plates


IV - Detetores a Semicondutor

51
53

4.1 Estrutura eletrnica dos semicondutores

53

4.2 Semicondutor intrnseco, dopado e juno

54

4.3 Caractersticas do detetor a semicondutor

57

4.3.1 CCDs
4.4 Limitaes
Referncias

58
59
60

Notas Preliminares

NP1 Unidade de energia eV. Equivalncia massa-energia

Um eltron-Volt (eV) definido como a energia adquirida por um eltron


quando percorre a distncia de 1 metro submetido a uma diferena de potencial de 1
V. O campo eltrico em questo portanto:

E =1 V/m
E a energia adquirida pelo eltron: e x E x 1 = 1.60 x 10-19 J. Temos ento a
equivalncia:
1 eV = 1.60 x 10-19 J

Por outro lado, a energia - E - de uma partcula relativstica de massa de


repouso m e velocidade v definida a partir do vetor quadri-momento P:
P = (p,ipo), com p = mv e p0 = mc

1
1 2

v
c

O mdulo de P, definido a seguir, uma constante, portanto tambm uma


grandeza fsica conservada:

P = p 2 p o = imc
2

A energia total definida como:

E = cp0 E = m 2 c 4 + p 2 c 2 = m 2 c 4 + 2 m 2 c 4 2 = mc 2 1 + 2 2 = mc 2

Segundo esta definio, possvel que uma partcula tenha massa nula e
energia no-nula, desde que sua velocidade seja igual a c. Este o caso dos ftons.
Expandindo E assim definida em termos de potncias de , encontramos:

1
3 v4 5 v6
E = mc 2 + mv 2 + m 2 + m 4 + ...
2
8 c 16 c

Aqui vemos claramente porqu E exprime a energia total. O primeiro termo


corresponde energia de repouso (presente mesmo quando v = 0). O segundo termo
representa a energia cintica clssica (v<<c), e os termos restantes representam as
contribuies relativsticas importantes para valores de v prximos de c. A energia
cintica relativstica pode, portanto, ser expressa por:
Ec = E - mc 2 = mc 2 mc 2 = mc 2 (1 )

Deste contexto surge a noo de equivalncia entre massa e energia, pela qual
se pode tambm falar em energia equivalente a 1 Kilograma de massa de uma
partcula em repouso (=1):
E[1 Kilograma] = 1 x c2 9.00 x 1016 J 5.62 x 1035 eV
1 eV 1.78 x 10-36 Kg
Exemplo: me = energia do eltron em repouso = 9.11 x 10-31 Kilograma 0.512
x 10

eV 8.20 x 10-14 J.

NP2 Seo de Choque, Probabilidade de Interao e Livre Caminho Mdio.

Vrios tipos de interao podem ocorrer entre partculas de um feixe e de um


alvo: atrao gravitacional, atrao ou repulso eletromagntica, coliso elstica ou
inelstica, etc. A seo de choque uma estimativa da probabilidade de ocorrncia de

cada tipo de interao, e pode ser calculada analiticamente desde que se conhea uma
expresso para a interao entre partculas do feixe e do alvo.
Para um feixe homogneo de partculas incidindo sobre uma seo de rea do
alvo, define-se a seo de choque diferencial como a frao de partculas espalhadas aps interao - numa direo particular, d em torno de , relativamente ao nmero
total de partculas incidentes:
d
1 dN s
=
d F d

Onde F o fluxo (nmero de partculas por unidade de rea por unidade de


tempo), e dNs o nmero mdio de partculas espalhadas por unidade de tempo no
ngulo slido d. Note-se que a seo de choque diferencial assim definida est
diretamente relacionada com a probabilidade de interao. A seo de choque total, ,
est relacionada com o nmero total de partculas espalhadas devido interao:

d
d
d

Na prtica, qualquer alvo tem uma espessura finita, x, dentro da qual h uma
certa densidade N (= nmero de partculas por unidade de volume). A seo de choque
diferencial certamente depende de N. Ento redefinimos a seo de choque diferencial
de maneira que esta dependncia fique explcita:
d
1 N s ( )
=
d F ANx

A a rea da seo de alvo considerada, e Ns o nmero mdio de partculas


espalhadas na direo por unidade de tempo. Segundo esta definio a seo de
choque diferencial continua correspondendo probabilidade de interao. Entretanto,
fcil ver que uma grandeza com unidade de rea:

1
d
Unidade = Unidade 1
2
d
s.cm 2 cm

1
s
1
cm 3

2
= cm
cm

Da expresso anterior obtemos:

N s () = FANx

d
d

Portanto o nmero total Ntot de partculas espalhadas pela interao por


unidade de tempo :

N tot = N s ()d = FANx

d
d = FANx
d

Considerando que a rea A do alvo igual rea efetivamente coberta pelo


feixe de partculas, ento FA corresponde ao nmero de partculas incidentes, Ninc, e
podemos definir a probabilidade de interao como:

P=

N tot
= Nx
N inc

Esta a probabilidade total de interao. Mas podemos nos perguntar tambm


qual a probabilidade, P(x), para que uma partcula percorra a distncia x dentro do
alvo sem sofrer interao.
Numa aproximao de primeira ordem, podemos supor que a probabilidade, p,
de interao num percurso pequeno, dx, seja proporcional ao prprio percurso: p =
wdx. Ento pode-se escrever:

P(x + dx) P(x) +

dP
dx = P(x)(1 - wdx)
dx

Ou seja, a probabilidade para que a partcula sobreviva sem sofrer interao


at a distncia x + dx o produto das probabilidades de sobreviver at x e de
sobreviver at dx aps x. Da obtemos:

dP
dx = -wP(x)dx P(x) e - wx
dx

Note-se que a probabilidade para que a partcula tenha sofrido interao num
ponto qualquer do percurso at x :

Pint = 1 - P(x)

Podemos agora definir e calcular um parmetro importante para as tcnicas de


deteco: o livre caminho mdio, , de uma partcula num meio:

xP( x)dx = 1
P( x)dx w

Ento no caso do alvo com espessura x, teremos:


P = Nx = Pint = 1 P(x) = 1 (1 wx) wx

Finalmente relacionamos:

1
N

Assim ficam estabelecidas as relaes entre seo de choque, probabilidade de


interao e livre caminho mdio de partculas num meio. Pelo fato de ter unidade
de rea, s vezes associa-se seu valor rea de interseco entre feixe de partculas e
alvo. Entretanto, geralmente depende da energia da partcula incidente e no est

relacionada com a superfcie de interao, mesmo porque a varivel x que aparece na


definio de uma coordenada ortogonal a esta superfcie.

10

NP3 Valores de constantes fsicas usadas no texto:

- Na

nmero de Avogadro

6.02 x 1023 / mol

- me

massa de repouso do eltron

9.11 x 10-31Kg, 0.511 MeV

- 0

permitividade do vcuo

8.85 x 10-12 F m

-e

carga eltrica do eltron

1.60 x 10-19 C

raio clssico do eltron

2.82 x 10-13 cm

-c

velocidade da luz no vcuo

3.00 x 108 m/s

-h

constante de Planck

6.63 x 10-34 J s

-k

constante de Boltzmann

1.38 x 10-23 J/K

- [= e2/(20hc)]

constante de estrutura fina

1/137

- re

[= e2/(mec2)]

11

Tcnicas de Deteco de Radiao

Introduo

Estas notas se referem ao curso Tcnicas de Deteco, apresentado em


escolas do Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas. Os processos de interao da
radiao com a matria constituem a base para a abordagem das tcnicas de deteco.
Uma breve reviso destes processos aqui se faz pertinente, a fim de contextualizar
cada tipo de detetor no quadro das interaes fsicas envolvidas em seu
funcionamento.
A diversidade das interaes fsicas entre radiao e matria tal que se pode
afirmar que nenhum detetor se presta medida de todos os tipos de radiao, nem
mesmo a aplicaes genricas de um s tipo de radiao. Conforme poderemos
constatar, cada detetor tem aplicabilidade limitada a casos particulares.
O termo radiao utilizado como sinnimo de emisso de partculas. As
partculas em questo so as componentes elementares da matria, agregados destas,
ou mediadoras de interaes entre elas. Portanto evidente a necessidade de se
elaborar processos e instrumentos capazes tornar perceptvel a presena de partculas e
suas propriedades no estudo da estrutura da matria. Alm deste estudo fundamental,
muitas aplicaes em outras reas da atividade humana decorrem do conhecimento
adquirido sobre as partculas, e solicitam o desenvolvimento de detetores. O inverso
disto tambm acontece, ou seja: a atividade em instrumentao gera conhecimentos
fundamentais e aplicaes importantes. Esta inverso inevitvel, j que a natureza
no se prende aos conceitos que elaboramos a seu respeito, no sendo portanto
possvel prever de onde podem surgir novidades.

12

I - Processos de Interao entre Partculas e Matria

O que permite que uma partcula seja detectada o fato de que ela interage
com o meio detector. O estudo da interao supe que a partcula colide com os
tomos do meio e disto resultam basicamente a perda de energia da partcula e a
deflexo de sua trajetria original. Nas colises entram em considerao as massas e
cargas eltricas das partculas envolvidas. Num meio absorvedor os eltrons tm papel
importante, visto que o campo coulombiano por eles criado representa uma espcie de
blindagem para partculas exteriores. Por outro lado, devido aos choques com
partculas, eltrons podem se desprender dos tomos e isto permite a deteco. A
interao com o campo nuclear tambm possvel, porm muito menos provvel, j
que os eltrons ocupam mais volume que as partculas nucleares.
A deteco direta de partculas sem carga eltrica (exemplo: ftons e nutrons)
no vivel. Entretanto, elas podem ser detectadas indiretamente, a partir das
partculas resultantes de suas interaes. O conhecimento das diferentes interaes
fsicas entre partculas portanto de importncia evidente para as possveis tcnicas de
deteco. Apresentamos a seguir uma reviso de resultados interesantes para este fim.

1.1 Frmula de Bethe-Bloch para partculas pesadas com carga eltrica

Num abordagem inicial admite-se que a partcula incidente tenha carga eltrica
ze (mltiplos de e) e massa muito maior que a massa dos eltrons constituintes do
meio - com os quais as interaes efetivamente se verificam. Neste caso caso o desvio
da partcula em relao trajetria de incidncia desprezvel e pode-se chegar a uma
expresso matemtica para a perda de energia. O clculo correspondente, dentro do
contexto da mecnica quntica relativstica, foi primeiramente realizado por Hans
Bethe e outros autores, aos quais se atribui a seguinte frmula:

dE
= K1 ln K2 2 2
dx

onde

(1)

13

K1 = 2N a re me c 2
2

Z z2
A 2

4me 2 c 2 2 2 E m
K2 =
I2

v
c

1
1 2

O sinal negativo indica que a energia da partcula diminui medida em que a


distncia x percorrida. Os termos , Z e A referem-se respectivamente densidade,
nmero atnico e nmero de massa do meio detector. v a velocidade da partcula.
O termo Em representa a mxima transferncia de energia por coliso. Uma expresso
analtica para Em obtida a partir de consideraes de cinemtica relativstica [1]:
E m = 2me c 2 2 2

Esta ltima vlida para os casos em a massa da partcula incidente muito


maior que a massa do eltron, me.
O termo I chamado potencial efetivo de ionizao ou potencial mdio de
excitao. Seu valor no tem uma expresso analtica simples. Na prtica, valores de
I para diferentes materiais so deduzidos de medidas de dE/dx, para os quais uma
frmula semi-emprica ajustada em funo do nmero atmico, Z, de cada material.
Exemplos destas frmulas so:
I = 12Z+7 (em eV), para Z<13 e I = 9.76Z+58.8Z-0.19 (em eV) para Z13 [1]
I = I0Z (em eV), com valores de I0 tabelados para diferentes materiais [2]

14

A unidade de medida para perda de energia por distncia percorrida pode ser
por exemplo MeV/cm.

Mas esta unidade dependente da densidade do meio

absorvedor. Para o mesmo meio e a mesma partcula, uma densidade maior implicar
menor distncia percorrida e portanto maior dE/dx. Adotou-se ento uma outra
unidade de comprimento, que leva em conta a densidade:
x x
Esta nova unidade geralmente expressa em g/cm2. Por ser inversamente
proporcional a uma unidade de rea, chamada de densidade superficial. Dessa
forma a unidade para dE/dx pode ser expressa em Mevxcm2/g, e independente da
densidade. A densidade superficial tambm conhecida como espessura de massa j
que tambm conveniente para exprimir a espessura efetiva de materiais. Para se
retornar unidade de perda de energia por distncia percorrida em unidades usuais
(MeV/cm), deve-se portanto multiplicar dE/dx pela densidade .
O fato relevante para as tcnicas de deteco que as colises geram eltrons
que se desprendem dos tomos do meio ao adquirir a energia perdida pela partcula
incidente. Conforme veremos a seguir, um detetor em particular pode explorar
diretamente o sinal eltrico gerado por estes eltrons (caso dos detetores a gs ou a
semicondutor). A correspondente ionizao do meio pode ter consequncias qumicas
utilizveis para a deteco (caso das emulses fotogrficas). Tambm a resposta dos
tomos do meio absorvedor excitao provocada pela partcula incidente pode ser a
emisso de luz visvel subsequente perda de eltrons (caso dos cintiladores).
Na Fig. 01 mostrada a perda de energia expressa por (1) em funo da
energia de diferentes partculas incidentes. O meio absorvedor para as curvas
mostradas Argnio a presso atmosfrica. Note-se que partculas de mesma carga
apresentam aproximadamente a mesma taxa de perda de energia por unidade de
percurso a partir de um certo valor (102-103 MeV). Partculas de energia superior a
este valor so por isso chamadas de mnimo-ionizantes.

15

-1/ dE/dx [Mev.cm2/g]


103

102

10

100

10-1 -1
10

100

101

102

103

104

105

106

Energia Cintica [MeV]

Fig. 01: Representao da frmula de Bethe-Bloch para diferentes partculas.

Partcula

Massa de repouso

Carga eltrica

Alfa ()

3764 MeV

+2e

Muon ()

106 MeV

-1e

Pion ()

140 MeV

+1e

Prton (p)

938 MeV

+1e

Kaon (K)

494 MeV

-1e

Para fins prticos, natural se perguntar que distncia uma partcula de energia
conhecida percorre num certo meio antes de perder toda sua energia. Esta distncia
conhecida como Range*, e pode ser estimada a partir da expresso (1) pela seguinte
operao:

dE
R[ E ] = dE
dx
0
*

(2)

A palavra Range pode ser aqui traduzida como Alcance mas no ser traduzida por ser assim
empregada nos textos especializados.

16

Esta operao equivale a computar a distncia percorrida at que a energia seja


reduzida de E a 0. A Fig. 02 mostra o Range obtido a partir dos dados da Fig. 01. Os
valores j esto mostrados em centmetros, ou seja, multiplicados pela densidade do
meio: 1.6 x 10-3 g/cm3 (Argnio a presso atmosfrica).

R [cm]
8

10

10

10

10

Prton

10

Alfa
103
2

10

10

10

10

10

10

10

10

Energia Cintica [MeV]

Fig. 02: Range calculado para o caso do prton e da partcula alfa em argnio.

A expresso (1) deve ser corrigida para faixas de energia muito alta e muito
baixa a fim de incorporar efeitos no previstos nas hipteses que levaram a sua
obteno [1]. Por este motivo, a integrao em (2) deve ser efetuada desde um valor
inicial diferente de zero, para o qual (1) vlida, e um termo adicionado para levar
em conta o comportamento a baixa energia. O valor do termo adicional determinado
empiricamente.
Outro aspecto que deve ser enfatizado a respeito da validade de (1) o fato de
que a perda de energia resulta de colises individuais entre partculas e tomos. H
portanto um carter estatstico inerente ao processo. A manifestao deste carter pode
ser vista por exemplo nas medidas prticas de Range. Se este tivesse um valor exato,
conforme sugerido pela expresso (2), uma medida de transmisso de partculas em

17

funo da espessura do meio absorvedor apresentaria dados cuja curva descreveria um


degrau. Mas estas medidas mostram de fato una transio suave. A Fig. 03 ilustra
este comportamento: repetindo-se a medida de Range para um grande nmero de
partculas

de

mesma

energia,

encontra-se

uma

distribuio

de

valores

aproximadamente gaussiana. Este fenmeno conhecido como Range straggling (


disperso do Range). O valor efetivo para o Range, ou Range prtico, comumente
tomado como uma extrapolao da curva de distribuio de valores medidos para um
valor onde a transmisso cai a zero. O valor prtico portanto maior que o previsto
teoricamente. Este procedimento se justifica por ser frequentemente necessrio saber,
para ume feixe de partculas de mesma energia, a espessura de material que absorver
todas as partculas.
A importncia da frmula de Bethe-Bloch portanto evidente: permite uma
estimativa da quantidade de energia perdida por uma partcula num detetor, e da conforme veremos a seguir - a quantidade de carga eltrica gerada pela absoro.
Estas informaes so importantes para o dimensionamento do detetor adequado.

Transmisso

100%

Range previsto teoricamente

Distribuio dos valores


de Range medidos

Espessura

Fig. 03: Representao qualitativa do fenmeno de Range Straggling.

18

1.2 Caso de partculas leves com carga eltrica: eltrons e psitrons

No caso de partculas leves a equao (1) deve ser modificada, j que a


hiptese principal (massa da partcula muito maior que a massa do eltron) no mais
vlida. A consequncia principal que as deflexes da partcula devidas a cada
coliso no so desprezveis. A frmula de Bethe-Bloch corrigida para este caso :

dE
= K1 (ln K3 + K 4 )
dx

K3 =

(3)

2 ( + 2)
2( I / me c 2 ) 2

2
+ (2 + 1) Ln2
2
8
K4 = 1 +
( + 1) 2

(para eltrons)

2
14
10
4
+
+
K4 = 2 ln 2
23 +
(para psitrons)
2
+ 2 ( + 2)
12
( + 2) 3

a energia cintica da partcula incidente.

A Fig. 04 mostra a curva de perda de energia para o caso de eltrons, tambm


em Argnio a presso atmosfrica. Apesar de apresentar aproximadamente a mesma
forma das curvas para partculas pesadas, o espectro deslocado para valores de
energia menores. A perda de energia dE/dx para um eltron mnimo-ionizante tambm
, como no caso de outras partculas mnimo-ionizantes, pouco mais de 1 Mev cm2/g.

19

- 1/ dE/dx [KeVcm2/g]

10

Perda de energia para


eltrons em Argnio a
presso atmosfrica

10

10

-1

10

10

10

10

10

10

Energia Cintica [KeV]

Fig. 04: Representao da Frmula de Bethe-Bloch para o caso de eltrons.


Este caso tem uma importncia adicional: na maioria dos detetores a
informao efetivamente captada um pulso eltrico gerado pelos eltrons liberados a
partir da interao com a radiao ionizante. Nestes o comportamento dos eltrons
portanto necessariamente levado em conta. Em particular o conhecimento do Range
para eltrons de importncia crucial. Podemos comput-lo usando as expresses (2)
e (3). A Fig. 05 mostra o resultado deste clculo. Entretanto, o Range medido na
prtica tem valor diferente do calculado. Isto decorre principalmente do fato de que as
flutuaes estatsticas nas interaes de eltrons so mais importantes do que no caso
de partculas pesadas, disto resultando um maior straggling (V. I.1). Por esta razo
se faz apelo a frmulas empricas, obtidas a partir de medidas de absoro. Uma
destas frmulas para o Range prtico [3]:
Rp = 0.71 E 1.72 (E em MeV)

Na Fig. 05 esto tambm includos os dados obtidos com esta esta frmula.

20

R [cm]
5

10

Range para eltrons


em Argnio a presso
atmosfrica

10

10

10

Calculado da frmula
de Bethe-Bloch

10

10

Frmula emprica

-1

10

-2

10

-3

10

-4

10

10

10

10

10

10

Energia Cintica [KeV]

Fig. 05: Comparao entre valores tericos e prticos para o Range de eltrons.

1.3 Perda de energia por radiao.

Uma dos resultados mais conhecidos e utilizados das equaes de Maxwell a


emisso de radiao eletromagntica por partculas carregadas aceleradas [4]. Na
verdade isto corresponde ao fenmeno conhecido como Bremsstrahlung, ou radiao
de frenagem, e tambm emisso de radiao por partculas carregadas cuja trajetria
curvada por campos magnticos em aceleradores de partculas. Ao penetrar num
meio os eltrons so freados pelo campo eltrico dos tomos. Portanto deve ser
considerada a probabilidade para perda de energia atravs da emisso de ftons. Este
processo no est includo na frmula de Bethe-Bloch, que trata apenas de colises
entre partculas. Como a interao eletromagntica conhecida, pode ser calculada
sua seo de choque diferencial (V. N2) em funo das energia do eltron incidente,
E, e do fton emitido, h. Da pode ser calculada a perda de energia dE/dx por
radiao como:

21

d
dE
= N h
( E , )d
dx rad
d
0

(4)

Como pode ser constatado, o produto hd tem dimenso de energiaxrea.


Multiplicado pela densidade N ( = nmero de partculas por unidade de volume =

Na/A), dividido por d e integrado sobre todas as frequncias possveis para o fton
emitido, resulta uma quantidade com dimenso de energia por unidade de distncia. A
energia do fton pode variar de 0 at o valor mximo 0 = E/h.
Embora seja conhecida uma expresso analtica para d [5], o clculo de dE/dx s vivel para faixas de energia onde possvel se fazer alguma aproximao.
Assim temos [1]:

2E
1
dE
2
= NE 4 Z ( Z + 1)re ln
f ( Z )
2
dx rad
3
me c

(mec2<<E<<mec2Z1/3)
1
dE

2
= NE 4 Z ( Z + 1)re ln 183Z 1/ 3 + f ( Z )
dx rad

18

( E>>mec2Z1/3)

A funo f(Z) representa uma pequena correo introduzida para se levar em


conta a interao coulombiana do eltron no campo eltrico do ncleo. expressa
pela frmula:

[(

f (Z ) = a 2 1 + a 2

+ 0.20206 0.0369a 2 + 0.0083a 4 0.002a 6 ,

a = Z

A Fig. 06 mostra as curvas obtidas com estas aproximaes. Apesar de as duas


curvas estarem mostradas na mesma faixa de energia, cada uma delas vlida apenas
dentro da faixa de valores indicada.

22

-1/ dE/dx [Mev cm2/g]


106

mec2<<E0<<mec2Z1/3
E0>>137mec2Z1/3

10

104
103
102
101
100
10-1
10-2
10-3 -1
10

100

101

102

103

104

105

106

Energia total [MeV]

Fig. 06: Perda de energia por radiao de eltrons em Argnio.


Est claro que a perda de energia por radiao importante para valores
elevados da energia da partcula incidente, superando em muito - nesta faixa - a perda
por colises. Por outro lado, a perda por radiao depende do termo r2, que pode ser
expresso como (raio clssico):

r=

q2
mc 2

Onde q e m so respectivamente a carga e a massa da partcula. Ento dE/dx


inversamente proporcional ao quadrado da massa da partcula . As perdas por radiao
para partculas pesadas so portanto desprezveis. A prxima partcula mais pesada
depois do eltron e do psitron o mon, cuja massa cerca de 200 vezes maior.
Tambm importante estimar que distncia o eltron (ou psitron) percorre
antes de perder energia por radiao. Na prtica computa-se a distncia percorrida at
que a energia tenha-se reduzido a 1/e do valor inicial. Esta distncia, Lr, conhecida
como comprimento de radiao (radiation length). Para calcul-lo, notemos que,
para E >> 137mec2Z1/3, a perda de energia pode ser re-escrita como:

23

dE
= kE E = E (0)e kx
dx

onde
1

k = N 4 Z ( Z + 1)re 2 ln 183Z 1/ 3 + f ( Z )

18

(5)

Na faixa de energia onde esta aproximao vlida, a perda de energia por


coliso desprezvel diante da perda por radiao. Neste caso, pela definio acima
temos:
E/E(0) = 1/e Lr = 1/k
Aplicando aos dados da Fig. 06 (Argnio, presso atmosfrica), obtemos Lr
20 g/cm2 130 m. A tabela a seguir mostra valores do comprimento de radiao para
diferentes absorvedores.

Material

Lr (g/cm2)

Lr (cm)

Ar

36.20

30050

H2 0

36.08

36.1

Pb

6.37

0.56

Fe

13.84

1.76

Al

24.01

8.9

Note-se que a definio de Lr tem alguma analogia com a definio de livre


caminho mdio (Ver NP2). De fato, mesmo para eltrons incidentes com alta energia,
absorvedores de espessura muito inferior ao comprimento de radiao do meio no
produzem radiao, embora seja este o processo dominante.

24

1.4 Caso dos ftons

At agora foram tratadas as interaes de partculas com carga eltrica e com


massa. O caso dos ftons se distingue porque estes no apresentam nem carga eltrica
nem massa. Considerados como luz, pode-se tratar classicamente a re-emisso de luz
por uma partcula carregada. Pelo menos trs outras interaes de ftons com
partculas materiais so conhecidas: efeito fotoeltrico, efeito Compton e produo de
pares. Nestas interaes o fton considerado como partcula de massa nula. O efeito
fotoeltrico e a produo de pares so abordveis somente pelo formalismo da
mecnica quntica, enquanto o efeito Compton pode tambm ser abordado pela
mecnica relativstica.
O tratamento analtico dessas interaes relativamente complexo. A noo de
perda de energia por unidade de percurso perde sentido, j que nos casos do efeito
fotoeltrico e produo de pares o fton interage uma nica vez, sendo sua energia
completamente transferida para outras partculas. A presena do fton ento
detectvel a partir destas partculas que com ele interagem primariamente. Para estas
valem os resultados acima expostos. Para se proceder s estimativas de praxe usa-se
geralmente, em vez de dE/dx, a probabilidade P(E) de interao em 1 g/cm2 de
material absorvedor.

1.4.1 Espalhamento Thomson

No quadro do eletromagnetismo clssico a luz tratada como onda, e


conhecido o fato de que uma partcula carregada, sob efeito de uma onda de
determinada frequncia oscila numa frequncia coerente com a mesma. A oscilao
implica acelerao, e portanto re-emisso de luz. Embora este fenmeno tambm seja
abordvel pela mecnica quntica, ficou conhecido no contexto do eletromagnetismo
clssico como espalhamento Thompson, cuja seo de choque expressa por [6]:

d 0 q 2
2
=
sen
d mc 2

(6)

25

Onde o ngulo entre a direo de espalhamento e a direo de oscilao da


partcula. qe m so respectivamente a carga eltrica e a massa da partcula sob ao
da onda.
Naturalmente o caso importante o espalhamento coerente de luz por eltrons,
no somente porque estes ocupam mais volume que outras partculas na matria,
como tambm porque tm massa menor. Integrando sobre todos os possveis ngulos
(d=sendd, = ngulo azimutal varia de 0 a 2, enquanto varia de 0 a )
encontramos a seo de choque total:

0 =

8 e 2 8 2
re

=
3 me c 2
3

(7)

Nesta ltima expresso j ficou includa a defininio de raio clssico de uma


partcula, no caso o eltron.

1.4.2 Efeito fotoeltrico

Quando a energia, E, do fton incidente igual ou superior energia de


ligao de um eltron num tomo do meio, pode ocorrer transferncia da energia do
fton ao eltron e consequente ejeo do eltron. Este ltimo chamado fotoeltron,
cuja energia passa a ser:

Ee = E - I

Onde I a energia de ligao. Na verdade o efeito fotoeltrico a interao


mais provvel para energias de fton da ordem da energia de ligao dos eltrons nos
tomos de quaisquer elementos qumicos ( KeV).
O fotoeltron o resultado bsico da interao, a partir do qual se pode
detectar o fton. Como o tomo que perdeu um eltron fica em estado excitado, pode
tambm ser emitido um fton ou mesmo um eltron (Auger-eltron), ambos de baixa
energia, a fim de que o tomo retorne a um estado equilibrado.

26

O efeito fotoeltrico s possvel com eltrons ligados, visto que no


possvel para um eltron livre adquirir energia no processo e conservar momento.
Num eltron ligado o ncleo absorve o momento de recuo. Sabe-se alis que os
eltrons ligados camada K so os mais suscetveis ao efeito fotoeltrico. Para estes
valem as seguintes aproximaes [7,8]:

Pfoto ( E ) = 4 0

Pfoto ( E ) =

N m c2 2
2 4 Z 5 a e
A E

N m c2
3
0 4 Z 5 a e
A E
2

(para I << E << mec2)

(8)

(para E >> mec2)

(9)

O termo 0 o mesmo definido em (7). Na faixa de energias de valor prximo


de I ocorrem as conhecidas bordas de absoro: aumento sbito da absoro de
ftons por efeito fotoeltrico quando a energia do fton tende ao valor da energia de
ligao. Um termo de correo deve ser introduzido em (8) para que seja coberta esta
faixa de energia [1].

1.4.3 Efeito Compton

Se a energia do fton muito superior energia de ligao, um eltron num


tomo pode ser considerado como livre. Ento ocorre coliso inelstica entre fton e
eltron: o eltron adquire energia e projetado fora do ncleo, enquanto o fton perde
energia e muda de trajetria. Este o fenmeno conhecido como Efeito Compton.
Relativamente s outras interaes, esta a mais conhecida do ponto de vista
analtico. Sua probabilidade expressa por [9]:

2
Cme c 2 2 E me c 2 C me c
PCompton ( E ) =
+
2 ln

2
E
4E 3
me c 2 E

onde C =

3 Na
0
8 A

(10)

27

Vale ressaltar que, para efeitos de deteco e medida da energia do fton, esta
interao apresenta o inconveniente de que, embora um eltron seja liberado com uma
parte da energia, o fton continua sua trajetria, podendo escapar do meio absorvedor.

1.4.4 Produo de Pares

Desde que a energia do fton seja superior a duas vezes a energia do eltron
em repouso ( 1.02 MeV), passa a ser possvel que o fton desaparea criando um par
eltron-psitron. Novamente, para que seja conservado o momento, necessrio que
haja um corpo ou partcula que absorva o momento de recuo - geralmente o ncleo de
algum tomo. Ou seja, no pode ocorrer produo de pares no vcuo. Esta interao
pode ser entendida qualitativamente como um processo de Bremsstrahlung ao
contrrio: em vez de uma partcula carregada ser desacelerada gerando luz, um fton
desaparece gerando partculas carregadas. Esta analogia usada no tratamento terico
da produo de pares [1]. Entretanto, expresses analticas para a probabilidade de
interao s so possveis por aproximaes dentro de faixas de energia [10,11]:

Na 2
re
A
Ppar ( E ) =
2

Z
+
1
012
.

82

4Z ( Z + 1)

7 2 E 109

ln

2
9 me c 54

(11)

(para mec2<<E<<137mec2Z-1/3)

Na 2
re
1
7
A
Ppar ( E ) =
ln 183Z 1/ 3

2
54

Z 9
.
1 + 012
82

4Z ( Z + 1)

(para E>>137mec2Z-1/3)

(12)

28

Para fins de comparao, mostramos na Fig. 07 as curvas de probabilidade de


interao em 1 g/cm2 de absorvedor para os fenmenos tratados. Para cada interao a
curva P(E) mostrada na faixa de energias onde predominante.
P(E) por g/cm

100

10

Probabilidade de absoro de
ftons por g/cm 2 de Argnio

Efeito fotoeltrico (camada K)


[equao (8)]

1
Produo de pares
[equao 11]
Efeito Compton
[equao (10)]

0,1

0,01

0,001

0,0001
4
10

10

10

10

10

10

10

10

Energia [eV]

Fig. 07: Comparao entre as probabilidades de absoro de ftons


por diferentes interaes em 1 g/cm2 de Argnio.
1.4.5. Coeficiente de absoro

As interaes de ftons acima descritas permitem delinear algumas


caractersticas dos raios-x (ftons de energia 1 Kev a 100 KeV ) e raios gama (ftons
de energia acima de 100 KeV). A mais evidente que, devido ausncia de carga
eltrica e de massa, esse tipo de radiao muito mais penetrante. Alm disto, os
ftons de um feixe que atravessa um meio absorvedor no perdem energia. Apenas o
feixe perde intensidade, j que os ftons que interagem so subtrados. De fato,
observa-se que a intensidade, I, decai exponencialmente com a espessura do meio:
I ( x ) = I 0e x

(13)

29

Onde I0 a intensidade do feixe incidente. Esta relao no verificada


quando a energia dos ftons tem valor muito prximo da energia de ligao de
eltrons, caso em que ocorrem as bordas de absoro. O coeficiente inclui as
contribuies das sees de choque de todas as interaes. comum usar a espessura
de massa, , na expresso (13) a fim de levar em conta a densidade do meio
absorvedor. Para isto se escreve:

x

I ( x) = I 0e

1.5 Interaes de Nutrons

Nutrons tambm no tm carga eltrica, portanto frmula de Bethe-Bloch no


aplicvel aos mesmos. Alm disto, eles praticamente s interagem com o campo
nuclear. Em consequncia, as interaes no so conhecidas por expresses analticas
simples. Para os nutrons, um meio absorvedor quase como espao vazio, dada o
pequeno volume dos ncleos atmicos relativamente ao volume ocupado pelos
eltrons. Por isso observa-se que os nutrons so extremamente penetrantes e suas
interaes so raras.
Entre as possveis interaes podem-se enumerar [1,12]:

- Espalhamento elstico com ncleos, predominante para energias da ordem de


MeV.
-Espalhamento inelstico. Neste caso o ncleo fica excitado e pode emitir
ftons. Para este processo o nutron deve ter energia muito superior a MeV, para que
possa perturbar o ncleo atmico.
- Captura. Neste caso o nutron incorporado ao ncleo e um fton ou uma
partcula carregada so emitidos. A probabilidade de captura maior para nutrons de
baixa energia.
- Fisso nuclear: o ncleo literalmente quebrado e ftons so emitidos.
Mais provvel para nutrons lentos ou trmicos ( energia cintica comparvel
excitao trmica kT 1/40 eV).

30

- Produo de chuveiro de hdrons. Importante apenas para energias acima de


100 MeV.

31

II - Detetores a Gs

Conclui-se a partir da reviso acima apresentada que uma partcula que


atravesse um meio material deixar neste uma certa quantidade de energia, desde que
seja prevista uma espessura suficiente para propiciar interaes. A energia depositada
ser absorvida principalmente pelos eltrons ligados aos tomos. Partculas mnimoionizantes depositam aproximadamente 1 MeVcm2/g em Argnio ( 2 KeV/cm). A
energia,W, necessria para ionizar um tomo do gs cerca de 26 eV. Portanto numa
espessura de 1 cm de Argnio uma tal partcula deve gerar cerca de 38 (1 KeV / 26
eV) pares e--on+. No caso de ftons de 2 KeV esta energia ser transferida para um
eltron, provavelmente ligado camada K, cuja energia de ligao da ordem de
KeV. O fotoeltron tambm perde energia no meio, conforme descrito pela equao
(3), gerando pares e--on+. A tabela abaixo mostra a energia mdia necessria para
ionizao de diversos gases a presso atmosfrica, bem como outros dados relevantes
[2]. A coluna dE/dx se refere a partculas mnimo-ionizantes.

Gs

[g/cm3]

W [eV]

dE/dx [KeV/cm]

H2

8.38 x 10-5

37

0.34

He

1.66 x 10-4

41

0.32

N2

1,17 x 10-3

35

1.96

O2

1.33 x 10-3

31

2.26

Ne

8.39 x 10-4

36

1.41

Ar

1,66 x 10-3

26

2.44

Kr

3.49 x 10-3

24

4.60

Xe

5.49 x 10-3

22

6.76

CO2

-3

1.86 x 10

33

3.01

CH4

6.70 x 10-4

28

1.48

C4H10

2.42 x 10-3

23

4.50

Os pares e--on+ podem ser coletados em eletrodos para produzir um sinal


eltrico. Na maioria dos detetores procura-se obter um sinal eltrico como resultado
da deteco, para que se possa beneficiar das tcnicas disponveis para o tratamento

32

analgico e digital de sinais. Os detetores a gs so muito difundidos em diversas


aplicaes principalmente porque a separao e coleta de pares e--on+ muito mais
simples em meio gasoso do que em slidos ou lquidos.

2.1 Princpio de funcionamento e modos de operao

Na Fig. 08 esboado o esquema de funcionamento de um detetor a gs. O gs


contido entre dois eletrodos entre os quais estabelecido um campo eltrico, atravs
da diferena de potencial eltrico V0. A passagem de uma partcula ionizante gera
pares e--on+ que so atrados para os respectivos eletrodos. Segundo o esquema
mostrado possvel medir tanto a corrente de ionizao quanto o variao de tenso
ocasionada pela deteco de partculas.
Na ausncia de campo eltrico, a tendncia natural dos pares gerados se
recombinarem, re-estabelecendo assim a neutralidade eltrica dos tomos. Os eltrons
em podem tambm ser capturados por molculas de impurezas presentes no gs. Na
verdade algumas impurezas so propositadamente adicionadas (Ver 2.6). A presena
do campo eltrico permite que os eltrons e ons sejam direcionados aos eletrodos. A
partir de um certo valor de V0 todos eles atingem os eletrodos antes de se
recombinarem. Nesse caso o detetor chamado de cmera de ionizao, em aluso
ao fato de coletar a carga total de ionizao gerada pela partcula detectada.

R
Partcula
incidente

Fig. 08: Esquema de funcionamento de um detetor a gs.

Note-se que os eltrons e ons gerados efetivamente adquirem energia do


campo eltrico, acelerando-se em direo aos eletrodos. claro que eles podem
tambm provocar novas ionizaes, desde que adquiram energia suficiente para tanto.
Os eltrons, por ter menor massa, so mais acelerados e portanto so mais suscetveis
de gerar ionizaes em choques com eltrons ligados. As novas ionizaes so

33

chamadas ionizaes secundrias e podem tambm gerar mais ionizaes. Este


processo de ionizaes em cascata conhecido como avalanche.
A capacidade de gerar ionizaes secundrias uma caracterstica
extremamente importante dos detetores a gs. Aumentando-se a diferena de potencial
V0, pode-se obter uma multiplicao da carga de ionizao e com isto uma
amplificao do sinal detectado. O ponto interessante que esta amplificao
intrnseca ao detetor, no solicitando um circuito externo. At um certo limite para o
valor de V0, a quantidade total de carga de ionizao proporcional a energia
depositada pela partcula. Um detetor operando dentro deste limite chamado
contador proporcional.
Uma expresso simples para o fator de multiplicao pode ser obtido. Seja o
livre caminho mdio de um eltron no gs. O incremento (dn) do nmero de eltrons
(n) presentes numa posio x, aps percorrer uma distncia dx deve ser:
dn = n(x+dx) - n(x) = nx ( = 1/)

Expandindo n(x+dx) e utilizando aproximao de primeira ordem,


encontramos:
n( x) = n(0)ex

O fator de multiplicao, M, portanto:


M = n(x)/n(0) = ex

Nesta descrio simplificada, x tomada como uma coordenada paralela ao


campo eltrico. O termo , conhecido como primeiro coeficiente de Townsend
funo de fatores como composio e presso do gs, e tambm do campo eltrico
aplicado. Uma expresso mais genrica para o fator de multiplicao :
E ( x)

x
dE
M = exp ( x )dx , ou M = exp ( E )
E
E ( 0)
0

(14)

34

A validade destas frmulas j foi verificada para ganhos de at M 104


[13,14].
Na regio proporcional, aumentar V0 implica aumentar M. Os contadores
proporcionais so por isto muito usados para a medida de energia da partcula
incidente. Acima do limite desta regio, a quantidade de carga eltrica gerada por
partcula detectada passa a funcionar como blindagem para o campo eltrico, de modo
que a proporcionalidade gradualmente perdida. Aumentando-se ainda mais o valor
V0, atinge-se uma regio em que a quantidade total de carga gerada constante,
independente da quantidade de carga gerada primariamente pela partcula ionizante.
Esta a regio de operao dos contadores Geiger-Muller, que apresentam boa relao
sinal rudo mas no oferecem resoluo em energia.
A Fig. 09 ilustra qualitativamente o comportamento de um detetor a gs em
funo do campo eltrico aplicado, para duas partculas de energias diferentes. Nas
cmeras de ionizao geralmente se mede a corrente de ionizao a fim de monitorar a
intensidade de um feixe de partculas. Como nelas no ocorre o processo de
avalanche, a quantidade de carga por evento detectado pequena e portanto elas se
prestam monitorao de feixes intensos. Nos contadores proporcionais mais
comum a medida do pulso eltrico gerado pela partcula detectada, a fim de se
relacionar sua amplitude com a energia depositada. Pelo fato de se beneficiarem da
multiplicao por avalanche, so tambm usados em outras aplicaes (exemplo:
detetores sensveis a posio, Ver 2.4). Os contadores Geiger-Muller, devido a sua alta
sensibilidade, so aplicados genericamente para contagem de diferentes tipos de
partculas.

35

Carga eltrica
Coletada
Contador
Geiger-Muller

Contador
Proporcional

Cmera de
Ionizao

E1

E1 > E2

E2

V0

Fig. 09: Representao qualitativa das regies de operao


possveis para um detetor a gs.

2.2 Geometria e campo eletrosttico

O eletrodo utilizado para coletar os eltrons geralmente um fio, por razes


que ficaro claras a seguir. A geometria mais elementar para os eletrodos de um
detetor a gs uma disposio de cilindros coaxiais, onde o cilindro interior (fio
anodo) coleta os eltrons enquanto os ons positivos se dirigem ao cilindro exterior
(catodo). Nesse caso, aplicao da lei de Gauss fornece para o campo eltrico:

E (r ) =

C=

CV0 1
2 0 r

2 0
b
ln
a

(15)

36

C a capacitncia por unidade de comprimento, a permitividade relativa do


gs, a e b so respectivamente os raios dos cilindros interior e exterior. O potencial
V(r) obtido por integrao de E(r):

V (r ) =

CV0
b
ln
2 0 r

(16)

Note-se que o campo eltrico atinge valor mximo na superfcie do fio e


decresce rapidamente. Para um valor fixo de V0, o valor mximo tanto maior quanto
menor for o raio do fio. Utiliza-se na prtico fios cujo raio da ordem de
micrmetros. Esta a razo pela qual adotada a geometria de fios, principalmente
em contadores proporcionais: valores de campo eltrico bastante altos so atingidos
em uma pequena regio espacial. Em particular o valor Ec de campo eltrico
necessrio ao incio das avalanches s atingido prximo da superfcie do fio. Esta
caracterstica favorece tanto a localizao de posio do evento quanto a sensibilidade
em energia.

Numa geometria mais simples, tal como dois planos condutores

paralelos, o campo eltrico entre os planos constante. Aumentando-se V0 at o valor


necessrio para o regime proporcional obtm-se a condio de avalanche (E = Ec) em
todo o detetor, de modo que as avalanches podem ocorrer em qualquer ponto do
volume deteco. Assim a quantidade total de carga de ionizao passa a depender
tambm da posio, prejudicando a resoluo em energia.

2.3 Formao do sinal eltrico

O sinal eltrico observado nos eletrodos por ocasio da deteco de uma


partcula essencialmente devido ao deslocamento de cargas eltricas no campo
eletrosttico do detetor. De fato, uma partcula de carga q deslocando-se sob ao de
um campo eltrico adquire energia:

x2

E = qE. dx
x1

37

A lei de conservao exige que esta mesma quantidade de energia seja perdida
pelo campo eletrosttico, o que acarreta variao do potencial nos eletrodos:

x2

qE. dx = Qdu = CV du
0

x1

Onde Q a carga eltrica presente nos eletrodos para gerar o campo


eletrosttico e u a amplitude da variao de potencial induzida nos mesmos pela
carga q. Nos detetores, u << V0, de modo que CV0 C(V0+u). Considerando x como
uma coordenada paralela ao campo eltrico, e substituindo E = -dV/dx, obtemos uma
expresso genrica para a amplitude do sinal:

du =

q 2 dV
dx
CV0 x1 dx

(17)

Na geometria de fios, x r. As cargas que contribuem para a formao do sinal


so os eltrons e os ons positivos. As diferenas entre estes dois portadores de carga
eltrica determinam a forma do sinal gerado.
Consideremos um evento ( deteco de partcula avalanche) originado na
posio r0. Seja -q a carga total dos eltrons liberados e +q a carga total dos ons
positivos. Considerar a carga eltrica em questo como puntual uma aproximao
vlida (pelo menos para fins de estimativas) na geometria de fios, visto que as
avalanches ocorrem num pequeno volume espacial. Segundo a expresso acima, a
contribuio dos eltrons dada por:

u( q ) =

q
CV0

d CV0

dr 2
r0

r
q
b
ln dr =
ln 0
r
2 0 a

Para os ons obtm-se da mesma forma:

u( + q ) =

q
CV0

d CV0

dr 2
r0

r
q
b
ln dr =
ln 0
r
2 0 b

38

A variao total de potencial eltrico portanto:

u = u( + q ) + u( q ) =

q
q
b
ln =
C
2 0 a

O resultado acima corresponde ao esperado. Por outro lado, menos intuitivo


constatar que a contribuio maior para a variao de potencial devida aos ons
positivos. Para valores tpicos de parmetros de construo de detetores (r0 = 15 m, a
= 10 m, b = 1 cm), encontramos:
r
ln 0
a

u( q )
=
u( + q )

b
ln
r0

0.062

A contribuio dos eltrons portanto desprezvel. O motivo fica claro a partir


das relaes estabelecidas acima: enquanto os eltrons so rapidamente coletados no
anodo, percorrendo uma distncia infinitesimal, os ons percorrem uma distncia
muito maior, sofrendo mais a influncia do campo eltrico.
importante avaliar tambm a forma ( evoluo temporal) do sinal eltrico
detectado. Para os ons positivos, fato conhecido [15] que sua velocidade de
deslocamento no gs proporcional ao quociente E/P, onde P a presso do gs:

v+ = +

+ CV0 1
E dr
=
=
P dt 2 P 0 r

+ chamado de mobilidade dos ons positivos (nenhuma relao com o


coeficiente de absoro). Da expresso acima deduzimos:

r (t )

rdr =
r0

+ CV0
0 P 0 dt r (t ) =
t

+ CV0
2
t + r0
P 0

(18)

39

Usando agora as equaes (16), (17) e (18), obtemos para o sinal induzido no
anodo:

u + (t ) =

+
q
ln 1 +
2 0
P 0 r0 2

(19)

Note-se que um sinal simtrico a este induzido no catodo: ucatodo = - uanodo. A


Fig. 10 mostra u+(t) para uma configurao definida pelos parmetros seguintes, que
podem ser considerados tpicos:
q = 1.6 x 10-13 C (100 eltrons primrios, com fator de multiplicao 104)
= 1 (Argnio a presso atmosfrica, P = 1)
r0 = 30 m
C = 8 pF (a = 10 m, b = 1 cm)
V0 = 3000 V

+ = 1.7 x 10-4 m2/V.s (para Argnio a presso atmosfrica)

A funo u(t) assim obtida descreve a variao de potencial no interior do


detetor. Mas este no exatamente o sinal observado no exterior, uobs(t). Conforme
mostrado na Fig. 08, um circuito necessariamente utilizado para se observar o sinal
detectado, cuja impedncia de entrada R. Este circuito juntamente com o detetor
definem o equivalente a um circuito diferenciador. O produto RC (onde C inclui as
capacitncias do detetor, do circuito exterior, e capacitncias esprias) define uma
constante de tempo segundo a qual o funo u(t) ser diferenciada. A ausncia de
circuito de medida implica R = infinito, e neste caso teramos uobs=u(t). Na Fig. 10
so mostradas as formas de pulso para diferentes valores da constante de tempo.

40

100

200

300

400

500

t [ s]

0,000
RC = 10 s
RC = 100 s

-0,005

-0,010

RC = 1 ms

-0,015

RC = infinito

-0,020
u [Volts]

Fig. 10: Evoluo temporal do pulso gerado por um evento para


diferentes valores da constante de tempo RC.

A constante de diferenciao estabelecida segundo se queira favorecer


resoluo em energia ( maior amplitude RC ) ou resoluo temporal (sinais
rpidos RC 0).

2.4 Detetor sensvel a posio

Conforme ressaltamos acima, a geometria de fios favorece a localizao


espacial do evento em detetores a gs. Vrias tcnicas foram desenvolvidas para a
localizao ao longo do fio, entre as quais podemos citar:
- Tcnica do Fio Resistivo. Neste caso o fio tem resistncia elevada, e em suas
extremidades so previstos capacitores de valor conhecido. Dessa forma o sinal
correspondente a um evento sobre a posio x ao longo de um fio de comprimento L
encontra resistncias diferentes ao se propagar em direo s extremidades. Nesse

41

caso o circuito RC funciona como integrador, de modo que o tempo de subida do


pulso eltrico depende da posio x [16].
- Tcnica da Linha de Retardo. O sinal eltrico coletado no catodo, que
subdivido em pistas independentes. As pistas so conectadas a uma linha de retardo,
de tal sorte que a posio pode ser determinada pelo tempo de propagao do sinal
sobre a linha [17].
- Tcnica da Centride. Catodo tambm subdivido em pistas. A quantidade de
carga induzida pelo evento em cada uma das pistas medida, e a posio
determinada pelo clculo da centride da distribuio de cargas [18].
A Fig. 11 ilustra a implementao dessas tcnicas.

(a)

(b)

(c)

Fig. 11: Esquemas das tcnicas de localizao: (a) fio resistivo,


(b) linha de retardo, (c) centride.
2.5 Contador Multifilar

Uma associao de vrios fios paralelos [2] num detetor a gs constitui uma
poderoso instrumento de deteco. Cada fio opera como um contador proporcional,
portanto da j resulta sensibilidade em energia e capacidade para taxas de contagem
elevadas. Por outro lado, os fios podem cobrir uma rea importante (em algumas
aplicaes da ordem de vrios metros quadrados) e habilitar localizao

42

bidimensional. Esse conjunto de caractersticas faz dos contadores multifilares um dos


tipos de detetores mais flexveis, podendo ser utilizados nas mais diversas aplicaes.

2.6 Escolha do gs

O gs de operao geralmente um gs nobre. Devido a sua estabilidade fsica


e qumica, os tomos de gases nobres normalmente emitem eltrons quando da
absoro de energia, o que favorece a produo do sinal eltrico na deteco de uma
partcula. Argnio o mais usado, por ser de mais fcil obteno e baixo custo
relativamente aos outros.
Alm do gs nobre uma pequena frao de outro gs normalmente
adicionada ao gs de operao dos detetores. A funo do gs adicional frear o
processo de avalanche, evitando que o detetor entre em regime de descarga contnua.
Sem ele, os prprios ftons de des-excitao dos tomos podem extrair eltrons das
paredes do detetor e dar incio a novas avalanches. O gs adicional chamado gs de
quenching. Sua caracterstica principal justamente dispor de processos de absoro
de energia sem emisso de eltrons. Esta caracterstica encontrada em gases de
molculas de estrutura complexa, tais como: CH4, C4H10, C2H6, C02. Uma mistura
padro, comercialmente disponvel a chamada P10, composta de 90% Argnio +
10% CH4.

2.7 Limitaes dos detetores a gs

A limitao mais evidente para o uso de detetores a gs vem certamente da


baixa densidade do gs como meio absorvedor. Para absorver toda a energia de
partculas de alta energia ( >> KeV) seria necessria uma espessura de gs
impraticvel, mesmo sob alta presso. Outra limitao vem do tempo necessrio para
coleta das cargas de ionizao. Num contador proporcional sob taxas de contagem
muito altas a quantidade de carga gerada por ionizao pode atenuar o campo eltrico.
Por esta razo a mxima taxa de contagem possvel a um detetor a gs da ordem de
105 eventos/s/mm2. Embora este limite seja aceitvel na maioria das aplicaes, a
disponibilidade de fontes de raios-x tem impulsionado o desenvolvimento de novas
estruturas de deteco em meio gasoso. Um exemplo disto a substituio dos fios

43

por pistas condutoras depositadas em um substrato isolante (microstrips [19]), uma


tcnica que permite menor espaamento entre eletrodos e portanto menor tempo para
coleta de cargas. A resoluo espacial limitada pela dimenso das avalanches
(algumas dezenas de micrmetros), e tambm pelo Range de eltrons no gs [20] .

44

III Cintiladores e Tubos Fotomultiplicadores

Emitir luz em consequncia da absoro de energia uma propriedade


presente na maioria dos materiais. Notamos anteriormente que um tomo que perde
eltrons fica em estado excitado, e um dos mecanismos para retornar a um estado
estvel envolve emisso de luz. Nos detetores cintiladores justamente esta luz
emitida que permite a deteco de partculas ionizantes. Para ser utilizvel como
cintilador, um material deve reunir as seguintes propriedades:
- Converter a energia cintica de partculas absorvidas em ftons, com boa
eficincia.
- A quantidade de ftons gerados deve ser linearmente proporcional a energia
absorvida.
- Ser transparente aos ftons por ele gerados, de modo que a luz possa ser
transmitida a um dispositivo capaz de capt-la.
- O processo de emisso deve ter curta durao, para que seja vivel a
contagem de partculas.
Estas propriedades restringem os cintiladores a algumas classes j bem
conhecidas, embora o desenvolvimento de novos cintiladores continue desde a
descoberta dos primeiros: cristais orgnicos, lquidos e plsticos, cristais inorgnicos,
vidros e gases.
O uso efetivo de cintiladores s foi possvel depois da inveno dos tubos
fotomultiplicadores (1940), que convertem ftons de baixa energia em eltrons num
processo semelhante ao das avalanches em detetores a gs. Mais recentemente foram
disponibilizados comercialmente os fotodiodos e diodos avalanche, que tornam ainda
mais verstil o uso dos cintiladores.

3.1 Forma do sinal luminoso num cintilador

O processo fsico que resulta em emisso de ftons por um tomo excitado


um re-arranjo de eltrons nos nveis de energia disponveis. Nas transies entre
nveis o excesso de energia emitido na forma de ftons. O intervalo de tempo
necessrio s transies da ordem de nano-segundos, e o processo chamado de
fluorescncia. tambm possvel que um eltron realize transio a um estado meta-

45

estvel, e se mantenha nesse estado por um intervalo de tempo bem maior antes de
decair com emisso de fton. Nesse caso a emisso retardada: o intervalo entre
absoro de energia pelo tomo e emisso do fton pode levar desde alguns microsegundos at horas, dependendo do material. Este ltimo processo chamado de
fosforescncia.
Uma maneira simples de descrever o sinal luminoso represent-lo por
decaimento exponencial:
t

N
N (t ) = 0 e d
d

(20)

Onde N(t) o nmero de ftons emitido no instante t, N0 o nmero total de


ftons emitidos, e d uma constante de tempo caracterstica do processo.

N(t)

1000
Eq. (20)

800
Modelos para a f orma
do sinal luminoso
600

400

200
Eq. (21)

0
0

20

40

60

80

100

t [ns]

Fig. 12: Curvas de descritivas da forma do sinal luminoso em cintiladores.

Observa-se que o tempo de subida de zero a mximo muito menor que a


durao total do pulso, por isto este tempo desprezado no modelo representado pela

46

equao (20). Isto equivale a admitir que o tempo de populao dos estados excitados
muito menor que o tempo de transio entre estados. Entretanto, em alguns
cintiladores o tempo de populao no desprezvel. Uma expresso mais abrangente
para a forma do sinal pode ser:

N (t ) =

t
t

N 0 1

e
e 2

( 1 2 )

(21)

Onde 2 a constante de tempo para o processo de populao de estados


excitados. As equaes (20) e (21) correspondem satisfatoriamente s formas de sinal
observadas experimentalmente. Valores para as constantes de tempo so ajustadas aos
cintiladores e divulgadas pelos fabricantes. A Fig. 12 apresenta dados referentes s
duas equaes, com N0 = 20000, 1 = 20 ns e 2 = 4 ns.
Uma forma ainda mais genrica para a forma do sinal incluiria uma terceira
constante de tempo, chamada de componente lenta, que adiciona ao modelo a
contribuio das emisses de ftons atrasadas (exemplo: fosforescncia).

3.2 Classes de cintiladores

O uso de cintiladores tornou-se comum pela diversidade de materiais que


apresentam a propriedade de cintilao. Pode-se encontrar provavelmente um tipo de
cintilador adequado a cada tipo de radiao, bem como tipos de cintilador que cobrem
aplicaes de vrios tipos de radiao. Apresentamos a seguir uma breve descrio das
principais classes de cintiladores, com uma breve descrio de suas propriedades.

3.2.1 Cintiladores orgnicos

Os cintiladores orgnicos so compostos por molculas de hidrocarbonos


aromticos, para as quais representativo o diagrama de nveis de energia apresentado
na Fig. 13. So mostrados o estado fundamental, S0, e dois estados excitados S* e
S**, com os correspondentes sub-estados que se referem estrutura fina das
molculas (estados degenerados). S0, S* e S** so estados associados a spin singlet.

47

Na figura so tambm mostrados os estados associados a spin triplet, que so


decalados em energia. O espaamento energtico entre nveis eletrnicos da ordem
de eV, enquanto o espaamento entre sub-nveis da ordem dcimos de eV. Os ftons
emitidos nas transies esto portanto na faixa de luz visvel.

Degradao

Excitao

Degradao

Excitao

T**

S**
T*
S*
Fluorescncia

T0

S0

Fig. 13: Diagrama de estados eletrnicos para molculas


de cintiladores orgnicos.
A absoro de energia de uma partcula ionizante normalmente leva eltrons
para estados excitados S** ou superior. Da os eltrons decaem para o nvel S* em
alguns picosegundos, sem emisso de ftons. Este processo conhecido como
degradao interna [1]. Uma vez em S*, a maior probabilidade para os eltrons
fazer uma transio para um dos subnveis de S0, com emisso de ftons. Esta a
transio tpica de fluorescncia. Para os estados de spin triplet ocorrem apenas
degradaes internas. Poderiam ocorrer transies de T0 para S0, mas estas so
proibidas por regras de seleo. O que acontece efetivamene so interaes entre
molculas excitadas no estado T0 que resultam num estado excitado S* e da uma
fluorescncia. Esta ltima portanto atrasada, e responsvel pela componente lenta
do sinal luminoso.
O fato de as transies de fluorescncia ocorrerem de S* para um subnvel de
S0 explica porqu um cintilador ideal transparente a sua prpria fluorescncia: a
energia do fton emitido nesta transio no suficiente para excitar outra molcula.
Os cintiladores orgnicos se apresentam como cristais, lquidos e plsticos. O
cristal mais comum o antraceno (C14H10), que se distingue por ter a mais alta
eficincia de converso (maior sada de luz por unidade de energia absorvida). A
eficincia do antraceno tomada como referncia para especificao da eficincia de

48

outros cristais. Sua constante de decaimento aproximadamente 30 ns. Outros cristais


cintiladores conhecidos so C14H12 e C10H8, cuja constante de tempo da ordem de
alguns nanosegundos.

3.2.2 Lquidos e plsticos

Os cintiladores lquidos so na verdade solues onde um ou mais cintiladores


orgnicos so dissolvidos num solvente. A absoro de energia de ionizao feita
pelo solvente, que repassa energia para o soluto. Uma vantagem dos cintiladores
lquidos que podem sem carregados com outros materiais para aumentar a absoro
numa determinada aplicao. Costuma-se adicionar, por exemplo, Boro-11 para
favorecer a deteco de nutrons. Adiciona-se tambm materiais que absorvem luz
numa frequncia e re-emitem numa frequncia inferior. Estes materiais so
conhecidos como deslocadores de comprimento de onda (wavelength shifters) sendo
importantes para transferir a luz do cintilador a um tubo fotomultiplicador num
comprimento de onda onde o tubo mais eficiente.
Os plsticos so solues em um solvente slido. Sua caracterstica principal
o rpido tempo de resposta (constante de tempo de 2 a 3 ns). Constituem o caso tpico
em que a expresso (20) no descreve adequadamente o sinal luminoso, sendo
necessrio levar em conta o tempo de populao de estados excitados. So tambm
flexveis, facilmente usinveis em formas convenientes a cada aplicao.

3.2.3 Cristais inorgnicos

Nos cristais inorgnicos o processo de cintilao est relacionado com a


estrutura eletrnica do cristal, mais do que propriamente com os tomos componentes.
Os eltrons se dispem em duas bandas: banda de valncia, em que esto os eltrons
ligados rede cristalina,

e banda de conduo onde esto eltrons livres para

conduo eltrica (Ver 4.1). Absoro de energia de uma partcula incidente leva
eltrons da banda de valncia banda de conduo, deixando um buraco na banda
de valncia. A volta de um eltron banda de valncia, preenchendo assim um
buraco, resulta em emisso de luz, mas o processo pouco eficiente. Alm disto, a

49

energia envolvida na transio tipicamente acima da regio de eficincia dos tubos


fotomultiplicadores.
Pequenas quantidades de impureza so adicionadas aos cristais, com nveis de
energia intermedirios entre banda de valncia e banda de conduo. Dessa forma so
criados stios de impureza que atraem eltrons e buracos gerados pela passagem de
radiao ionizante, de modo que os prprios stios so ionizados. O material
constituinte da impureza chamado de ativador. Ao se des-excitar, este emite os
ftons caractersticos do processo de cintilao.
O cristal cintilador mais comumente utilizado o NaI (Tl): iodeto de sdio,
ativado com tlio. Outros exemplos: CsI (Tl), CsI (Na), LiI (Eu). O tempo de resposta
da ordem de 500 ns, sendo portanto considerados lentos

relativamente aos

orgnicos. Tambm so higroscpicos, o que torna delicada sua manipulao.


Outros cristais de interesse so: Bi4Ge3O12 (germanato de bismuto, ou BGO) e
BaF2 (fluoreto de brio). Estes so mais eficientes para deteco de raios , por conter
tomos de nmero atmico elevado. Alm disto no so higroscpicos. Por outro
lado, a eficincia de converso de energia em luz inferior ao NaI e a resoluo em
energia tambm inferior.

3.2.4 Gases e vidros

Como foi visto anteriormente, os gases tambm podem emitir luz de


fluorescncia. Para uso como detetores cintiladores os gases nobres so novamente os
mais eficientes. O tempo de resposta e bastante rpido ( 1 ns), mas o fton emitido
geralmente de energia na faixa de ultra-violeta. Nesta regio os tubos
fotomultiplicadores so pouco eficientes, por isto costuma-se revestir o recipiente que
contm o gs com um deslocador de comprimento de onda (Ver 3.2.2).
Os vidros cintiladores so geralmetne boro-silicatos ativados com crio. A
eficincia de aproximadamente de 25 - 30 %, relativametne ao antraceno. O tempo
de resposta da ordem de dezenas de nanosegundos. O interesse dos vidros
cintiladores a robustez fsica e qumica, pelo que so a melhor escolha para
aplicaes em ambientes agressivos.

50

3.3 Discriminao por forma de pulso

Conforme mencionado em 3.1, a forma do pulso luminoso gerado em alguns


cintiladores pela passagem de partcula ionizante pode ter uma componente lenta.
Esta componente geralmente depende da funo dE/dx para a partcula considerada.
possvel explorar esta dependncia para distinguir o tipo de partcula. Por exemplo,
em CsI (Tl), o constante de tempo de decaimento de 425 s para partculas alfa, 519
s para prtons e 695 s para eltrons [21]. Estas diferenas se manifestam na forma
do pulso luminoso, e permitem assim a discriminao. A explicao para este
fenmeno no completamente bem compreendida, mas sabe-se est relacionada com
o fato de que os estados excitados so populados em propores diferentes,
dependendo da funo dE/dx para cada partcula [1]. Um modelo para representar a
forma de pulso levando em conta as constantes de tempo rpida e lenta expresso por:

N (t ) = Ae

+ Be

(22)

Os termos A e B so especficos de cada material, e so ajustados


empiricamente.

3.4 Limitaes dos cintiladores

Os cintiladores no podem ser usados isoladamente. Qualquer que seja seu


desempenho, o resultado final de sua operao de alguma forma convoludo com o
desempenho do circuito utilizado para converso de sinal luminoso em sinal eltrico.
Os tubos fotomultiplicadores so os mais usados para este fim, e tm eficincia de
absoro (= nmero de ftons incidentes / nmero de ftons convertidos em eltrons)
da ordem de 30%. Isto no representa entretanto uma limitao crtica, j que tanto
cintiladores quanto tubos fotomultiplicaores de boa qualidade so disponveis para
diversas aplicaes.
Como principal limitao dos cintiladores podemos citar a no linearidade nas
medidas de energia. Num cintilador ideal espera-se que luminiscncia, ou luz emitida
por cintilao, L, seja proporcional energia absorvida:

51

dL dE

dx dx

Na maioria dos cintiladores esta relao no verificada, embora em alguns


ela corresponda a uma boa aproximao. A razo disto que a resposta de cintiladores
a energia absorvida uma funo complexa de vrios parmetros, inclusive da energia
da partcula ionizante. A seguinte relao semi-emprica foi apresentada para
descrever as no-linearidades observadas [22]:

dL
=
dx

dE
dx
dE
1+ B
dx
A

Os parmetros A e B so novamente ajustveis empiricamente. Embora esta


relao tenha tido sucesso para explicar o comportamento de cintiladores, correes
de segunda ordem foram ainda propostas para melhorar o ajuste do modelo aos dados
[23].
Outro inconveniente que pode ser citado a inadequao dos cintiladores para
medidas com sensibilidade a posio. De fato os cintiladores so normalmente usados
como contadores de partculas, com alguma resoluo em energia e sem sensibilidade
a posio.

3.5 Tubos Fotomultiplicadores

A estrutura bsica de uma fotomultiplicadora apresentada na Fig. 14. Os


componentes principais da estrutura so: o fotocatodo, a ptica de focalizao de
eltrons, os dinodos e o anodo. O processo de multiplicao inclui inicialmente a
transferncia da energia do fton (tipicamente 3 eV) para um eltron no fotocatodo,
a migrao do eltron at a superfcie do fotocatodo, o transporte do eltron at o
primeiro dinodo. A partir da os eltrons so conduzidos num processo de
multiplicao at o anodo.

52

Dinodos
(multiplicadores de eltrons)

Fotocatodo
Janela de entrada

Anodo
(coletor de eltrons)

ptica de focalizao de eltrons

Fig. 14: Estrutura bsica de um tubo fotomultiplicador


Podem-se delinear algumas caractersticas esperadas para o fotocatodo:
- Deve dispor de uma banda estreita para permitir a passagem de eltrons da
banda de valncia banda de conduo pela absoro de luz visvel;
- Deve ser espesso o bastante para que o processo de absoro seja eficiente,
mas fino o suficiente para que os eltrons no sejam re-absorvidos durante o percurso
at a superfcie do dinodo;
- Deve apresentar funo trabalho baixa. Funo trabalho a energia
necessria para desprender um eltron da superfcie de um meio. Em metais esta
energia da ordem de 3 - 4 eV, mas pode chegar a 1.5 - 2 eV em semicondutores.
Estas caractersticas fazem do fotocatodo o componente crtico da
fotomultiplicadora.
A ptica de focalizao de eltrons composta por eletrodos que geram um
campo eltrico que guia os eltrons para a superfcie do primeiro dinodo. Uma
diferena de potencial aplicada entre dinodos subsequentes, de modo que os eltrons
so acelerados e geram novos eltrons nos choques com as superfcies. O material
componente da superfcie dos dinodos escolhido para que cada eltron incidente
provoque a emisso vrios (pelo menos mais de 1) eltrons da mesma superfcie.
possvel que, com uma diferena de potencial de 100V aplicada entre dinodos, cada
eltron produza cerca de 30 novos eltrons. Entretanto, apenas uma pequena frao

53

destes atinge o prximo dinodo, j que muitos no chegam a se desprender da


superfcie. Desde 1970 so disponveis materiais com afinidade eltrica negativa [24]
(NEA - negative electron affinity). O tratamento da superfcie dos dinodos com estes
materiais (exemplo: GaP, dopado com Zn) aumenta o rendimento da re-emisso de
eltrons.
A estrutura fotomultiplicadora composta pelos dinodos portanto fornece um
ganho em corrente eltrica. Com n dinodos o ganho expresso por G = n, onde
a frao de fotoeltrons coletados (prximo de um para os melhores tubos). O valor de
prximo de 5 para os dinodos convencionais. Seu valor depende naturalmente da
tenso entre dinodos. Ganhos da ordem de 106 - 107 so portanto atingveis com
fotomultiplicadoras de 10 estgios.
O processo de multiplicao tem um aspecto estatstico importante. Pode ser
mostrado, admitindo-se que a produo de eltrons nos dinodos siga uma distribuio
de Poisson, que o o valor mdio do nmero total de eltrons produzidos para um
eltron gerado no primeiro dinodo n, com varincia 1/(-1). Melhor resoluo em
energia portanto obtida com valores altos de .
Um outro componente necessrio ao funcionamento da fotomultiplicadora, no
mostrado na Fig. 14, a chamada base. Consiste num circuito que distribui os valores
de tenso a cada dinodo a partir de uma tenso de alimentao ( divisor resistivo). A
partir da base se extrai o sinal de anodo, que traz a informao sobre o nmero total de
eltrons gerados por fton absorvido.

3.5.1 Microchannel Plates

Vrios outros tipos de fotomultiplicadoras existem, com desenhos diferentes


do mostrado na Fig. 14. Dentre estas a mais interessante provavelmente a estrutura
em canal, em que o processo de multiplicao ocorre no interior de um tubo. O
aspecto interessante que os canais so na verdade micro-estruturas, que podem ser
dispostas de modo a cobrir uma superfcie. Tipicamente 104-107 canais (ou furos)
podem ser implantados numa superfcie de 1 de dimetro. Estas estruturas so
conhecidas como microchannel plates. Podem ser considerados como uma
fotomultiplicadora com sensibilidade a posio.

54

IV Detetores a Semicondutor

Tambm conhecidos como detetores de estado slido, os detetores a


semicondutor so anlogos aos detetores a gs. A diferena essencial que usam um
meio slido para absorver partculas ionizantes. Apesar de ser mais praticvel a coleta
de cargas eltricas de ionizao em meio gasoso, a disponibilidade de materiais
semicondutores a partir de 1950 abriu possibilidades importantes para o
desenvolvimento de detetores. Enquanto nos detetores os portadores de carga eltrica
gerados por partculas ionizantes so pares e--on+, nos semicondutores os pares so
do tipo eltron-buraco.
A vantagem mais evidente dos detetores a semicondutor parece ser a densidade
do meio absorvedor: um slido tem capacidade de absorver mais energia em um
volume menor. Mas no menos importante o fato de que a energia mdia necessria
para gerar um par eltron-buraco 3 eV. Isto aproximadamente 10 vezes menos do
que o necessrio para gerar o par e--on+ nos detetores a gs. Nos cintiladores a energia
mdia para se criar um fton pode chegar a 300 eV (BGO) ou mais tipicamente 60
eV (antraceno). Em consequncia, os detetores a semicondutor fornecem melhor
resoluo em energia.

4.1 Estrutura eletrnica dos semicondutores

Os tomos de um material semicondutor so dispostos em uma rede cristalina.


Enquanto em um tomo isolado os nveis de energia acessveis a um eltron so
discretos, quando ordenados na rede os nveis se subdividem (degenerao) a tal ponto
que para o cristal pode-se falar em bandas de energia. A chamada banda de valncia
ocupada por eltrons ligados aos tomos e a banda de conduo contm os eltrons
livres para circular pela rede cristalina. Entre as bandas de conduo e valncia existe
a banda proibida, no sentido de que no existe a probabilidade para que um eltron
do cristal tenha energia de valor dentro desta banda. Como mostrado na Fig. 15, esta
noo de bandas permite classificar genericamente os materiais como isolantes,
condutores e semicondutores.

55

1 eV

6 eV

ISOLANTE
Valncia

SEMICONDUTOR
Conduo

Proibida

CONDUTOR
Interseco

Fig. 15: Classificao de materiais em termos da estrutura de bandas.


Num isolante praticamente no h eltrons na banda de conduo, e a
diferena de energia entre as bandas de conduo e valncia relativamente alta, de
modo que a, temperatura ambiente, um eltron no tem energia suficiente para saltar
para a banda de conduo. Num condutor as bandas se interceptam, e os eltrons
podem se mover livremente pelos tomos do material. No semicondutor a diferena
de energia entre bandas pequena, os eltrons podem facilmente passar para a banda
de conduo deixando um buraco na banda de valncia.

4.2 Semicondutor intrnseco, dopado e juno

Para ser usado como um detetor, um material semicondutor deve permitir a


coleta do sinal induzido pelo movimento de eltrons e buracos. Pode-se pensar, por
exemplo, em envolver uma certa espessura de material entre duas placas condutoras e
polariz-las como em um detetor a gs. Embora o contato eltrico entre um condutor e
um semicondutor no seja impraticvel, veremos brevemente a seguir que na prtica
os detetores a semicondutor so feitos de maneira diferente.
Na rede cristalina de um semicondutor puro ( intrnseco) a temperatura
ambiente, existe uma probabilidade no nula para que eltrons passem para a banda de
conduo, de modo que pares eltron-buraco so constantemente gerados. Em
condies de equilbrio eltrico e trmico a concentrao ni de eltrons ou buracos
pode ser expressa por [1]:

56

ni T

3/ 2

Eg
2 kT

(23)

Onde T a temperatura e Eg a diferena de energia entre bandas a 0 K. Para


os semicondutores de fato utilizados como detetores o valor de ni a 300 K de
aproximadamente 2.5 x 1013 /cm3 (silcio) e 1.5 x 1010 /cm3 (germnio). Apesar de
essa concentrao ser pequena relativamente densidade do prprio semicondutor (
1022 tomos/cm3), representa uma espcie de rudo de fundo.
O semicondutor intrnseco pode ser dopado com uma impureza que tenha um
eltron de valncia a mais ou a menos. A Fig. 16 mostra o resultado da adio de um
tomo de impureza na rede.

Eltron em excesso

Buraco em excesso

(a)

(b)

Fig. 16: Dopagem de semicondutores: (a) impureza tipo n, (b) impureza tipo p
Tanto silcio quanto germnio so tomos tetravalentes. Substituio de um
dos tomos da rede por um tomo pentavalente equivale a acrescentar um eltron
banda de valncia, enquanto o substituio por um tomo trivalente equivale a
acrescentar um buraco. Segundo este critrio os semicondutores dopados so referidos
como tipo-n e tipo tipo-p. Nos semicondutores

tipo-n a corrente eltrica

principalmente determinada pelo movimento de eltrons, e nos tipo-p pelo movimento


de buracos. As impurezas tipicamente usadas so: fsforo, arsnio, antimnio, glio,
ndio e boro. Note-se que no semicondutor dopado o equilbrio eltrico mantido, j
que o tomo acrescentado eletricamente neutro. A equao (23) continua portanto
vlida.

57

Uma juno pn obtida quando se fabrica um semicondutor tipo-p justaposto


com um tipo-n. Na regio de interface entre os dois, haver tendncia dos eltrons a
migrar para a regio tipo-p, e dos buracos a migrar para a regio tipo-n. Dessa forma a
regio tipo-n torna-se carregada positivamente por haver capturado buracos, e a regio
tipo-p torna-se carregada negativamente por haver capturado eltrons. Um campo
eltrico portanto se estabelece, implicando uma diferena de potencial eltrico
tipicamente da ordem de 1V. O dispositivo assim fabricado o conhecido diodo
retificador.
Note-se que na regio de interface, cuja espessura da ordem de micrmetros,
no haver excesso de carga eltrica, j que o campo eltrico estabelecido tende a
confinar os portadores de carga disponveis nos respectivos polos de atrao. Com isto
se obtem a eliminao quase completa do rudo de fundo (tambm chamado corrente
de fuga) acima mencionado. Esta regio chamada de zona de depleo. Para que
este dispositivo seja usado como um detetor, preciso tanto aumentar a espessura da
regio de depleo (para obter melhor eficincia na captao da energia de partculas
ionizantes) quanto a magnitude do campo eltrico (para que o processo de coleta de
carga seja eficiente). Esta configurao obtida quando se aplica um campo eltrico
exterior juno, conforme mostrado na Fig. 17.

Sinal de sada

Depleo

Lado p

Lado n

Fig. 17: Esquema de funcionamento de um detetor a semicondutor.


O campo eltrico exterior aplicado juno tende a confinar ainda mais os
eltrons ao lado p e os buracos ao lado n, aumentando assim a espessura da regio de
depleo. Com isto obtem-se espessuras de alguns milmetros mediante aplicao de

58

algumas centenas de volts. O campo eltrico favorece exterior favorece tambm a


eficincia do processo de coleta de carga nos eletrodos. Aqui fica clara a analogia com
os detetores a gs. Fica tambm justificado porque no vivel a simples justaposio
de um material condutor a um semicondutor para se realizar o detetor: a regio de
juno entre um condutor e um semicondutor uma estrutura de comportamento
eletronicamente complexo. De fato, mesmo os condutores hmicos que permitem o
contato eltrico com as eletrodos no detetor semicondutor so na verdade regies do
prprio semicondutor altamente dopadas com impurezas tipo-p ou tipo-n, que fazem o
papel de metais por ter resistncia eltrica muito pequena.

4.3 Caractersticas do detetor a semicondutor

A energia mdia, w, necessria para produzir um par eltron-buraco em um


semicondutor de 3.62 eV para o silcio a 300K, e 2.96 eV para o germnio a 77K. Os
detetores fabricados a partir de germnio so resfriados a nitrognio lquido para
assim minimizar a corrente de fuga presente na regio de depleo. A amplitude do
sinal eltrico induzido pela deposio de energia E pela passagem de partcula
ionizante portanto:

u=

E
carga gerada
=n
C
wC

Onde n um fator que traduz a eficincia de absoro e C a capacitncia. H


portanto linearidade na relao entre amplitude de sinal e energia depositada, alm de
que w praticamente independente do tipo de partcula ionizante (exceto para ons
pesados, para os quais observa-se que partculas de mesma energia podem gerar
diferentes amplitudes de sinal).
Devido ao pequeno valor de w, comparado a outros detetores, a resoluo em
energia dos detetores a semicondutor considerada excelente. Apesar de j serem
disponveis comercialmente os diodos avalanche [24], o fator de ganho por
multiplicao pequeno ( 200) nestes dispositivos, e nos detetores a semicondutor
mais correntemente usados no ocorre o processo de avalanche. Por esta razo,
importante o uso de pr-amplificadores de baixo rudo e alto ganho conectados o mais

59

prximo possvel do eletrodo de coleta de carga, de modo a minimizar o valor de C.


No caso do uso de germnio tambm necessrio resfriar o detetor em nitrognio
lquido. O valor de Eg para o germnio a 300K 0.7V, pelo que h maior
probabilidade de trnsito de eltrons da banda de conduo banda de valncia a
temperatura ambiente do que no caso do silcio (Eg = 1.1 eV).
Dada a alta densidade dos slidos, a eficincia de deteco dos detetores a
semicondutor geralmente alta. Para deteco de raios (um dos usos mais correntes
dos detetores a semicondutor), germnio preferido por apresentar maior nmero
atmico.
Para uma estimativa da forma de pulso, o mesmo procedimento apresentado
em 2.3 pode ser utilizado. A diferena principal em relao aos detetores a gs que
os portadores de carga tm praticamente a mesma mobilidade e se movem em um
campo eltrico mais uniforme.
A tecnologia de fabricao de dispositivos semicondutores complexa [1,24],
mas permite por exemplo a construo de micro-estruturas de deteco independentes
(detetores a micro-strips [25]), a partir das quais so realizados detetores sensveis a
posio com resoluo espacial inferior a 100 m.

4.3.1 CCDs

Micro-estruturas de silcio podem ser fabricadas como poos de potencial


distribudos sobre uma pequena superfcie. Estes poos se carregam eletricamente
absorvendo eltrons liberados pela incidncia de radiao (exemplo: luz visvel). A
carga acumulada lida por um processo eletrnico que transfere a carga presente em
cada poo a um circuito de sada. O dispositivo assim construdo chamado ChargeCoupled Device (CCD). Sua utilizao mais conhecida como captador de imagens
de luz visvel, embora seja tambm utilizado como detetor de partculas. Nesse caso
geralmente se prev um absorvedor que converte a energia da partcula em luz visvel
que a seguir focalizada sobre o CCD.

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4.4 Limitaes

Duas limitaes utilizao de detetores a semicondutor podem ser


destacadas. A primeira delas a dependncia do desempenho dos detetores com a
temperatura. Detetores a germnio so necessariamente operados a baixa temperatura
a fim de se limitar a corrente de fuga. Tambm nos detetores a silcio o aumento da
temperatura traz aumento da corrente de fuga e do rudo eletrnico. A outra limitao
vem da fragilidade da estrutura cristalina utilizada nos semicondutores. A presena de
impurezas prejudica a resoluo em energia, por introduzir nveis de energia entre as
bandas de conduo e de valncia. Defeitos da prpria estrutura, como a ausncia de
um dos tomos em um ponto da rede cristalina, ou o deslocamento de uma parte dela,
tambm prejudicam o desempenho do detetor. Em particular a prpria radiao
incidente pode causar danos estruturais ao semicondutor.

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Referncias

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