Universidade Federal da Paraba - UFPB

Centro de Energias Alternativas e Renovveis CEAR

Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica PPGEE
Disciplina de Eletrnica de Potncia

Transistor Bipolar de Juno

TBJ
Discente: Phablo Cabral de Oliveira
Professor: Prof. Dr. Isaac Soares de Freitas

Sumrio
O transistor Bipolar de

Juno
Tipo de transistor TBJ
Funcionamento do TBJ
Parmetros do Transistor
TBJ
Tenses no Transistor TBJ
Potncia Dissipada no
Transistor TBJ
Regies de trabalho

Configuraes Bsicas
Caractersticas de

Chaveamento
Caracterstica Trmica
Classificao dos
Transistores
Aplicaes

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O Transistor de Juno Bipolar

O TBJ um dispositivo de 3 terminais.
Os TBJs tem 2 junes pn: base/emissor e juno

base/colector.

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Tipo de transistor TBJ

As regies n e p so diferentes tanto

geometricamente quanto em termos de concentrao
de dopagem.
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Funcionamento do TBJ

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Funcionamento do TBJ

IC + I B = I E

IE = IC + I B

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Parmetros do Transistor TBJ

O beta de um transistor a relao entre a corrente de coletor ( IC )
e a corrente de base ( IB ) com a tenso entre o coletor e o emissor
( VCE ) constante.
O alfa de um transistor a relao entre a corrente de coletor ( IC )
e a corrente de emissor ( IE ), com a tenso entre a base e o
coletor ( VCB ) constante.

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Tenses no Transistor TBJ

VCE = VCB + VBE

VEC = VBC + VEB

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Potncia Dissipada no Transistor TBJ

PD = V . I

PD = VCE . IE

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Regies de trabalho

ATIVA
CORTE
SATURAO

Eletrnica Analgica
Eletrnica Digital

Ativa: dispositivo tem boa isolao e alto

ganho;

til

Saturao: dispositivo no tem isolao e

inundado com portadores minoritrios.
Leva tempo para sair da saturao;

Evitar

Corte: corrente desprezvel, quase um

circuito aberto ;

til

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Regies de trabalho
Na regio ATIVA
Polarizar diretamente BASE-EMISSOR
Polarizar reversamente BASE-COLETOR

Na regio de CORTE
Polarizar reversamente a BASE-EMISSOR
e BASE-COLETOR

Na regio de SATURAO
Polarizar diretamente a BASE-EMISSOR e
BASE-COLETOR

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Configuraes Bsicas
Configurao BASE-COMUM
Ganho de tenso elevado;
Ganho de corrente menor que 1;
Ganho de potncia intermedirio;
Impedncia de entrada baixa;
Impedncia de sada alta;
No ocorre inverso de fase;

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Configuraes Bsicas
Configurao COLETOR-COMUM
Ganho de tenso menor que 1;
Ganho de corrente elevado;
Ganho de potncia intermedirio;
Impedncia de entrada alta;
Impedncia de sada baixa;
No ocorre a inverso de fase.

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Configuraes Bsicas
Configurao EMISSOR-COMUM
Ganho de tenso elevado;
Ganho de corrente elevado;
Ganho de potncia elevado;
Impedncia de entrada baixa;
Impedncia de sada alta;
Ocorre a inverso de fase.

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Caractersticas de Chaveamento

ton = td + tr
toff = ts + tf

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Caracterstica Trmica
A mxima dissipao de potncia PT normalmente
especificada temperatura TC = 25C.
A tenso da juno emissor-base diminui cerca de 2mV
por cada aumento de 1C da temperatura.

Se a temperatura ambiente TA aumentada um valor

muito grande a dissipao de potncia do transistor
zero. Por outro lado, se a temperatura da juno TC de
0C, o componente pode dissipar a potncia mxima, o
que no prtico.

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Classificao dos Transistores

Uso Geral

Potncia

RF

Pequenos Sinais
Baixas Frequncias
Correntes IC entre 20 e 500mA
Tenso mxima entre 10 e 80 V
Frequncia de transio entre 1 Hz e 200 MHz
Correntes elevadas
Baixas frequncias
Frequncia de transio entre 100 kHz e 40 MHz
Uso de radiadores de calor
Pequenos sinais
Frequncia elevada
Correntes IC inferior a 200mA
Tenso mxima entre 10 e 30V;
Frequncia de transio em 1,5 GHz

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Aplicaes
Principais Aplicaes:
Chave Eletrnica
Amplificador
Oscilador

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Aplicaes
Como Chave Eletrnica:
Utilizao do transstor nos seus estados de SATURAO e
CORTE, isto , de modo que ele ligue conduzindo totalmente a
corrente entre emissor e o coletor, ou desligue sem conduzir
corrente alguma.

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Aplicaes
Como Amplificador:
O transistor funciona como um amplificador onde IC
amplificada pelo ganho de corrente e a diminuio da
queda VCE
Uma pequena mudana
na tenso de entrada vi
induz
uma
grande
mudana na tenso de
sada Vo.

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Referncias Bibliogrficas
SEDRA, A. S. e SMITH, K. C., Microeletrnica, 5a. Edio, Makron
Books, 2005.

BOYLESTAD, R. L. e NASHELSKY, L., Dispositivos Eletrnicos e

Teoria de Circuitos, 6a. Edio, Editora PHB, 1998.
DAVID COMER, DONALD COMER, Fundamentos de Projeto de
.
Circuitos
Eletrnicos, LTC, 2005.
JIMMIE J. CATHEY, Dispositivos e Circuitos Eletrnicos, 2a. Edio.,
Coleo Schaum, Bookman, 2003.

MALVINO, ALBERT PAUL. Eletrnica Volume 1. McGraw-Hill, So

Paulo, 1986.

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