Cap.

1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

12

) Caractersticas Dinmicas dos Tiristores

Entrada em conduo ( Circuito Fig. 1.18, Formas de onda Fig. 1.19)
) Instante to o interruptor S fechado.
iG

VG

rG T
iG

+
vT
-

1
Curva 1 - Disparo Lento

(rG maior)

Curva 2 - Disparo Rpido

(rG menor)
t

(a)
(b)
Fig. 1.18 - (a)Circuito para estudo disparo do tiristor, (b)Formas de corrente de gate.
vG
t
iG

IG

10% IG

vT
90% E
td

ton

tr

10% E

Fig. 1.19 - Formas de onda relativas ao disparo do tiristor.

) Onde: ton - tempo de fechamento;
td - tempo de retardo (Maior parcela);
tr - tempo de descida da tenso nodo-ctodo.

t on = t d + t r
) td depende da: (a) Amplitude da corrente de gatilho;
(b) Velocidade de crescimento da corrente de gatilho.
) tr independe da corrente de gate.
) ton superior a 1s e inferior a 5s.
Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia

(1.11)

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

13

Bloqueio do Tiristor( Circuito Fig. 1.20, Formas de onda Fig. 1.21)

) Tiristor T encontra-se conduzindo;
) Instante to o interruptor S fechado.
R

E1
VT T

E2

iT

Fig. 1.20 - Circuito para o estudo do tiristor durante bloqueio.

E1
iT

tq

tinv

VT

t
t0

Qrr

t1

IRM
E2
E2 +V

Fig. 1.21 - Formas de onda relativas ao bloqueio do tiristor.

) Instante t1 o interruptor S novamente aberto;
) Tiristor encontra-se bloqueado e retm a tenso E1;
) tq=Tempo mnimo de aplicao de tenso inversa (Dado Fabricante).
(Para Tiristor readquirir capacidade de bloqueio, aps a corrente ter-se anulado, o
Tempo de aplicao de tenso inversa deve ser tq )
) Quanto menor tq melhor o Tiristor: Tiristores rpidos 10s < tq < 200s
(Operao em freqncias maiores, menores perdas na comutao e circuitos de
comando de menor custo)
) Comutao Forada

tq um dado fundamental.

OBS: TIRISTOR NO PODE SER COMANDADO PARA O BLOQUEIO PELO

GATE GTOs (Gate Turn-off Thyristors)
Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

19

1.3 - CLCULO TRMICO

) O Problema
Corrente em circulao

produz calor (em Conduo e nas Comutaes);

Calor deve ser transferido para o ambiente (Uso de dissipadores)

) Objetivo: Temperatura Juno TJmxima (Dado fabricante)
(Potncia mxima processada - Diodo ou Tiristor

Limitada pela TJ )

) Clculo trmico fundamental (Segurana e Vida mdia - MTBF)

) Clculo Trmico - Regime Permanente (Circuito Trmico Eq. Fig. 1.22)

Rjc

Rcd

Tj componente

Tc

Rda
Td dissipador

Ta

P
Fig. 1.22 - Circuito trmico equivalente de um diodo ou tiristor.
Onde:Tj - temperatura da juno (oC);

Tc - temperatura da cpsula (oC);

Td - temperatura do dissipador (oC);

Ta - temperatura ambiente (oC);

P - Potncia trmica, circula no componente e transferida ao ambiente (W);

Rjc - resistncia trmica juno-cpsula (oC/W);
Rcd - resistncia trmica cpsula-dissipador (oC/W);
Rda - resistncia trmica dissipador-ambiente (oC/W),
Rja - resistncia trmica juno-ambiente (oC/W).
R ja = R jc + R cd + R da

(1.12)

) Clculo Trmico (Regime Permanente)

Tj Ta = R ja P

(1.13)

) Analogia Circuito eltrico (Fig. 1.23)

V1

V2

I
Fig. 1.23 - Circuito eltrico anlogo.

Procedimento:
a) P - Calculada com dados do componente e da corrente que por ele
circula;
b) Tj - Fornecida pelo fabricante do componente;
Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

20

c) Ta - Valor adotado pelo projetista;

d) Com a expresso (1.14) determina-se a resistncia trmica total,
R ja =

Tj Ta
P

(1.14)

e) com (1.15) determina-se a resistncia trmica do dissipador.

R da = R ja R jc R cd

(1.15)

) Resistncias trmicas Rjc e Rcd (dados fabricante do diodo ou tiristor).

) Catlogo de dissipadores: Rda(comercial) Rda(calculado)

&

) Transitrio Trmico- Conceito de Impedncia Trmica

Seja um Diodo onde: Para t < to (No h circulao de corrente)

TJ = Ta ;

) Em to comea a dissipar uma potncia constante P;

) Capacidade trmica diodo impede crescimento abrupto da temperatura;
Crescimento exponencial (Figura 1.24), onde: P = Potncia Instantnea.
P

Tj
Ta

T
to

Fig. 1.24 - Transitrio trmico em um componente.

) Diferena de temperatura instantnea - Equao (1.16).
T = Z t P

(1.16)

Onde: Zt = Impedncia trmica (Varivel com o tempo).

) Impedncia trmica anloga impedncia eltrica.

) Circuito trmico equivalente incluindo a capacidade trmica (Figura 1.25)
P
P

P1
C

P2

Tj
R

Ta

Fig. 1.25 - Circuito trmico transitrio.

)
)
)

P = P1 + P2
1
R P2 = P1 dt = Tj Ta = T
C
dP2 P1
=
R
dt
C

Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia

(1.17)
(1.18)
(1.19)

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

dP2 P2 P
+
=
dt
C C
dP2
P2
P
+
=
dt
RC RC
) Resolvendo-se (1.21) obtm-se a Equao (1.22).
t
T

= R 1 e RC = Z t

Logo:

21

(1.20)
(1.21)

(1.22)

) Valor de Zt fornecido pelo fabricante do componente.

) Conceito de impedncia trmica muito importante para correntes impulsivas
(grande intensidade e curta durao).

1.4 - CURVAS PARA CLCULO TRMICO DE DIODOS E TIRISTORES

a) Diodos

(a)
(b)
Fig. 1.26 - (a)Potncia dissipada PFmed em funo da corrente direta mdia Imed, para
corrente contnua pura (cont.), para meia-onda senoidal (sin.180) e para ondas
retangulares (rec.60) e (rec.120); (b)Temperatura da cpsula Tc em funo da
temperatura ambiente Ta para diferentes resistncias trmicas Rthca.

Fig. 1.27 - Impedncia trmica transitria Z(th)t para corrente contnua pura, em
funo do tempo t. A impedncia trmica para correntes impulsivas Z(th)p, obtida pela
soma dos valores dados pela tabela Z(th)z com aqueles dados pela curva Z(th)t.
Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

22

b) Tiristores

(a)
(b)
Fig. 1.28 - (a)Potncia dissipada PTmed em funo da corrente mdia ITmed, para
diferentes ngulos de conduo, para correntes senoidais; (b)Potncia dissipada PTmed
em funo da temperatura ambiente Ta, para diferentes resistncias trmicas totais
juno-ambiente, Rthja.

Fig. 1.29 - Potncia dissipada PTmed em funo da corrente mdia ITmed, para diferentes
ngulos de conduo, para correntes retangulares.

Fig. 1.30 - Resistncia trmica entre juno e a cpsula, Rthjc, em funo do ngulo de
conduo para correntes senoidais e retangulares. Para corrente contnua pura, deve
ser tomada Rthjc cont.
Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

23

Fig. 1.31 - Impedncia trmica em funo do tempo.

) Tempos grandes: Impedncia trmica
Permanente;

Resistncia trmica em Regime

) Tempos pequenos: Impedncia Independe

condies de Ventilao.

Dissipador empregado e das

) Relao de Dissipadores Semikron (R thja = R thjc + R thca )

DIODOS

DISSIPADORES

Massa
Aproximada

SKN12, SKR12
SKN20, SKR20
SKN26, SKR26
SKNa20

K9 - M4
K9 M6
K5 - M6
K3 - M6
K1,1 - M6
K5 - M8
K3 - M8
K1,1 - M8
P1/120 - M8
K3 - M12
K1,1 - M12
P1/120 - M12
K0,55 - M12
K1,1 - M16x1,5
K0,55 - M16x1,5
P1/120 - M16x1,5
P1/120 - M16x1,5
P4/200 - M16x1,5
K0,55 - M24x1,5
K0,1 F
K0,05 W
P1/200 - M24x1,5
P4/200 - M24x1,5
P4/300 - M24x1,5

50g
50g
100g
200g
700g
100g
200g
700g
1300g
200g
700g
1300g
2000g
700g
2000g
1300g
2200g
4000g
2000g
2150g
900g
2200g
4000g
6000g

SKN45, SKR45
SKN70, SKR70
SKN100, SKR100
SKN130, SKR130
SKN240, SKR240

SKN320, SKR320

(*) - Refrigerao por gua.

(**) - O formato e as dimenses (Catlogo Fabricante)

Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia

Resistncia Trmica Rthca (Incluindo

a Resistncia de contato cpsuladissipador)
Conveco
Ventilao
Natural
Forada 6m/s
10,5oC/W
9,5oC/W
5,7oC/W
3,8oC/W
2,2oC/W
5,0oC/W
3,0oC/W
1,3oC/W
0,60oC/W
0,85oC/W
0,40oC/W
o
3,1 C/W
1,2oC/W
0,40oC/W
0,65oC/W
0,27oC/W
O
0,65 C/W
0,25oC/W
o
1,1 C/W
0,35oC/W
o
0,55 C/W
0,17oC/W
o
0,58 C/W
0,21oC/W
O
0,40 C/W
0,17OC/W
O
0,29 C/W
0,55oC/W
0,17oC/W
0,11oC/W
0,065oC/W*
o
0,40 C/W
0,16OC/W
O
0,29 C/W
0,25OC/W

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

24

1.5 - EXEMPLO DE CLCULOS TRMICOS

a) Retificador de Meia Onda a Diodo (Fig. 1.32)
D
v ( t )

v ( t ) = 2 220 sen ( t )
f = 60 Hz
R = 10
D = SKN20/04

Fig. 1.32 - Retificador de meia onda a diodo.

) Calcular Rda para manter Tj < Tjmxima

Dados: Rjc = 2oC/W (Rthjc);
V(TO) = 0,85V;

Rcd = 1oC/W (Rthch);

Tj = 180oC (Tvj)

Ta = 50oC (Ta = temperatura ambiente)

rT = 11m,

) Corrente no diodo (Fig. 1.34)

2 Vo
t

I Dmed

Fig. 1.34 - Corrente no diodo.

0,707 Vo 0,707 220
0,45 Vo 0,45 220
=
=
= 9,9 A ;
=
= 15,55 A
I Def =
R
R
10
10

) Potncia mdia dissipada (Equacionamento)

P = V( TO ) I Dmed + rT I Def 2

P = 0,85 9,9 + 11 10 3 (15,55 ) 2 = 11,07W

) bacos (P=Potncia mdia)

Imed Fig. 1.26a - (onda 180o)
) Clculo Rda

130

R da = P R jc R cd = P 2 1 = 11 3
R da + R cd = 8,8 + 1 = 9,8 o C / W

T = P ( R jc + R cd + R da )
R da 8,8 o C / W

P 11W

) bacos (Rda)

Fig. 1.26b Rca 10oC/W Rda 10 - 1 = 9oC/W.

) Dissipador Especificado: K5-M6 Rca = 5,7 oC/W.

Ta = 50oC e P 11W

) Confirmao: Tj < Tjmxima

Rjc = 2,0 oC/W

Tj

Rcd = 1,0 oC/W

Tc

P=11W

Rda = 4,7 oC/W

Td

Ta = 50o C

Tj = P R ja + Ta = 11 ( 2 + 5,7) + 50

Tj = 134,7o C c/ K9-M6 ; Tj=176,5oC

Tc = P ( R cd + R da ) + Ta = 11 5,7 + 50

TC = 112,7o C

Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

25

b) Retificador Monofsico a Tiristor (Fig. 1.33)

T
v ( t )

Dados:

v ( t ) = 2 220 sen ( t )
f = 60 Hz

R = 8 ; =60
T = SKT16

Fig. 1.33 - Retificador monofsico a Tiristor.

Rjc = 0,94oC/W (obtida na Figura 1.30)
Rcd = 0,5oC/W
Tj = 130oC
= 120o
Seja Ta = 50oC (valor adotado)

ITmed =

0, 225 Vo
0, 225 220
(1 + cos ) =
( 1 + 0,5 )
10
R

ITmed = 9, 28 A

) bacos (P=Potncia mdia)

ITmed Fig. 1.28a - ( = 120o)

P 17,5W

) Clculo Rda
Ta = 50oC e P = 17,5W

Fig. 1.28b R ja = 4,5 o C / W

R da = R ja R jc R cd = 4,5 0,94 0,5

R da = 3,06 o C / W
) Catlogo Fabricante Escolhe-se o Dissipador (K3 Limite!!!)
(K1,1 elevado volume e peso; Usar Ventilao ou Tiristor maior Capacidade)

c) Impedncia Transitria
) Seja Diodo SKN20 (com dissipador K5) submetido ao regime da Fig. 1.34.
Determinar Mximo valor de I tal que TJ 180oC.

iF

I
1s

Tj

180 oC

30 oC

Fig. 1.34 - Corrente impulsiva - SKN20+K5 ( V( TO ) = 0,85V e rT = 11m )

) t = 1s (tempo grande, considerando-se CC) Fig. 1.27 Z(th)t 1,5oC/W.

Z ( th ) t P = Tj Ta

P=

P = V( TO ) I + rT I 2
Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia

Tj Ta

Z ( th ) t

180 30
= 100 W
1,5

I 64 A

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

26

d) Temperatura Mdia Instantnea de Juno

) Seja Tiristor SKT16 submetido ao regime da Fig. 1.35 (Dissipador K5)
Determinar

TJ (mdia) e TJ (mxima).
o
=180
f=50Hz

I=20A

t
Fig. 1.35 - Corrente atravs do Tiristor SKT16+K5 ( V( TO ) = 1,0V e rT = 20m )
) P = VT ( TO ) I + rT I 2
) t =

P = 1 20 + 0,020 202 = 28W (Potncia Instantnea)

T
1
1
=
=
= 10ms
2 2 f 2 50
Pmed

P ( 1 10) + 0,02 ( 14 ,14 ) 2 28

= =
=
= 14 W
2
2
2

) Dissipador K5 :

R thja = 0,95 + 5,5 = 6,45 o C / W (Rthjc; =180o e Onda Retangular)

) Adotando-se: Ta = 30oC

Tj = 6,45 14 + 30 = 120,3 o C (Temperatura Mdia)

) t = 10ms

Fig. 1.31 Z ( th )t = 0,15 o C / W e Z ( th )z = 0,15 o C / W

(Considerou-se: Zp=Zt+Zz)

Assim,

Tj = P . Z ( th )p = 28 0,30 = 8,4 o C
Portanto:
Tj

124,5 oC
120,3 oC
116,1o C
t
10ms

) TJ (mxima) = 124,5oC ; TJ (mnima) = 116,1oC

20ms

TJ (mdia) = 120,3oC

) Para f = 50Hz Constantes de tempo trmicas so baixas.

Eletrnica Industrial-Eletrnica de Potncia