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Y DE TELECOMUNICACIN
UNIVERSIDAD DE CANTABRIA
TemaII:
Modelo del amplificador operacional real.
Jos
Mara Drake Moyano
Dpto. de Electrnica y Computadores
Santander, 2005
Contenido:
II.1 El
amplificado
r
operacional.
II.2
Caractersti
cas de un
amplificado
r
operacional
real.
II.3
Comportam
iento real
del circuito
de entrada.
II.4
Comportam
iento real
del circuito
de salida.
II.5
Funcin de
transferenci
a de un
amplificado
r real.
CAPITULO 2
MODELO DEL
AMPLIFICADOR
OPERACIONAL
REAL
__________________
__________________
__________________
________________
i-(t)
i+(t)
v-(t)
i-(t)
AO
vo(t)
v+(t)
e
+
2.1 El
AMPLIFICADOR
OPERACIONAL.
Es un amplificador
diferencial
de ganancia
muy
alta
que
se utiliza
o
como
bloque
constructivo para el
diseo de una amplia
gama de circuitos
electrnicos. Se
representa
mediante un triangulo
y las caractersticas
que lo definen son, c =
c
A
d
- Ganancia diferencial
infinita.
- Ganancia en modo
comn nula.
vo =
lim
(v v
)
1
- Impedancia de
entrada infinita:
Ad
Ad
1+bAd
d
Ad
d
d
i = i
- Impedancia de salida
nula:
v independiente de i
La importancia del
amplificador
operacional en la
electrnica actual es
que permite disear
bloques funcionales
con un
comportamiento que es
independiente de las
caractersticas del
elemento amplificador.
Con
l
se
consigue disear
circuito electrnico
muy
preciso
y
estable aun cuando se
utilice tecnologa
semiconductora que en
s es imprecisa e
inestable.
si A
c=
lim
A
1+ A
que no es funcin de
Ad.
vi(t)=0
Circuito de
realimen- vd(t)
+
tacin
vo(t)
t
Vd(t)
ve(0+)
Si ve(0+)> 0 =>
Si ve(0+) 0 =>
Operacin lineal
Operacin regenerativa
2Ro
Ro
v+=0 V
+
R
v =u(t)
2Ro
Evaluacin en t=0+
vd=v+-v-=-1/3 < 0 V
Operacin lineal
R
b) Ejemplo de- circuito operando regenerativamente: Multivibrador.
v-=0 V
+
+
R2
C
v+=R1/(R1+R
R12)
R1
2Ro
vo=u(t)
R2
Evaluacin en t=0+
vd=v+-v-=R1/(R1+R2) > 0 V
Operacin regenerativa
realimentacin
(tR)I
v (t )= v
(t )
v-(t)
v+(t)
[v (t )
RF
RI
+ o v (t )
RF + IR
RF + IR
RF
RF + IR
RF
vo(t)
v (t )]
RF
RI
Zi=
Zo=0
vo
vi
Amplificador inversor
vi
RI
vo=(-RF/RI) vi +
vo
RF
vo
Zi=RI
Zo=0
vi
Amplificador no inversor
vo
RF
RI
- 1+R2) vi
vo=(1+RF/RI)(R1/(R
vo
+
R2
R1
Zid=2R
Zo=0
vi I
vi
Amplificador diferencial
vn
RI p-vn)
vo=(RF/RI)(v
+
Zid=2RI RI
RF
RFZo=0
vo
vp
RF
oR // R p 2
vo = 1+
R
R
n1
F
Vn2
Rn1 // R n 2
Rp1 + o R // R
Rn2
vp1
RF
R
vo +
+
v + F nv2
n1
R
R0
p1
Rn11 Rn 2
vp2
Rp2
o
p1
R p 2 + oR // R p1
Amplificador integrador
vi
vo=(-1/RCs) vi
Zi=R
Zo=0
vo
Amplificador derivador
vi
vo=(-RCs) vi
Zi=1/Cs
Zo=0
vo
vo=(-RF/RI)(1/(RFCs+1)) vi
C
RI
RF
Zi=RI
Zo=0
vo
+
Filtro paso alto de primer orden
vo=(-RF/RI)(RICs/(RICs+1)) vi
vi C
R
I
RF
Zi=RI+1/Cs
Zo=0
vo
+
Filtro paso banda de segundo orden
C
iv
R3
R1
C
R2
Ho
V (s)
o
V (s)
i
vo
+
2
1 s
Q
o
=
=
2
s 1 s
s 2 R1R3C
+
+1
o
Q
2Q
() o o C R3= o C
H
1
Ho
1+
2Q
C
2Q
o
sR
3 C
R1
+ s2R
1C + 1 + R
Lo
Lo
Lo
Lo
Lo w
High Accuracy IC OCost,
Amp s
p
AD741
(H) Package
Input Characteristics
w V s: 0.5 mV ma x (L)
wV
ma x (L)
w l:
w IQS:
mi n <K, L)
0
Series
o s
OFFSET NULL 1
INVERTING
MA
NONINVERTING
F
E
6 ) OUTPU T
INPUT (2
INPUT ( 3
T VI
5 ) OFFSET NULL
4 )
Drift: 5 |xV/C
50 nA ma x (L)
5 nA ma x (L)
High CMRR:
90
dB
-15V
Hig h Output
Capability
A
0L
Mini-DIP
=
Series are high performance monoAl l the devices feature full short
and internal compensation.
[1
T\
T]
v+
[T i
T]
OUTPUT
v -E J
Improved processing and additional electrical testing guarantee the user precisin
l
i
c
of load impedance. Th e AD741J guarantees
a minimum
i from 0Cto
gain of 25,000 swinging 10 V into a 1 k i load
+70C. Th e AD741S guarantees a minimum gain of 25,000
swinging 10 V into a 1 kQ load from -55C to +125C.
MAXIMUM RATING S
22 V
Dissipacion
Input Voltage
AD741C
30 V
15 V
-65C
Input
18 V
50 0
W
30
15
-65C
C
Lea d
Output
2Ratin
g+ 125"C
a
60 sec)
+300C
n
NC = NO CONNECT
(N) Package
by providing mximum
L, S
IT]
limits
Mximum Rating s
TOP VIE W
N
O
T
NC
C
+300C
I
N
N
O
T
h
e
A
n
a
l
o
g
D
e
v
i
c
e
s
A
D
7
4
1
J
,
A
D
7
4
1
K
,
A
D
7
4
1
L
,
a
n
d
A
D
7
4
1
S
a
r
e
s
p
e
c
i
a
l
l
y
t
e
s
t
e
d
a
n
d
s
e
l
e
c
t
e
d
v
e
r
s
of
th
e
st
a
n
d
ar
d
A
D
7
4
1
o
p
e
r
a
t
i
o
n
a
l
a
m
p
l
i
f
i
e
r
.
N
C
=
OF
FS
ET
N
O
NU
LL
performan
ce at a
very
lo w cost.
Th
e
AD741J,
K
and
L
substantia
lly
increase
overall
accuracy
over
the
offer the
user
the
additional
advantages
of high
guaranteed
output
current
and
gain
at
lo
w
vales
standard
AD741C
on offset
voltage
drift and
significantl
y reducing
the errors
due to
offset
voltage,
bias
current,
offset
current,
voltage
gain,
power
supply
rejection
and
commonmode
rejection.
Fo
r
example,
the
AD741L
offset voltage of 0.5
mV
A
l
l
d
e
v
i
c
e
s
f
e
a
t
u
r
e
f
u
l
l
s
h
o
rt
d
mini-DIP
an
is available in the TO99
package.
ABSOLUTE
A
S
u
p
p
l
y
V
o
l
t
a
g
e
I
n
t
e
r
n
a
]
P
o
w
e
r
0
Dierential
Voltage
Storage Tempera
ture
Range
to+15
to+150
0
Temperatur
(Soldering,
Short
I
In
n
d
d
ef
Circuit
e
n
it
Duraci f
n
i
c
NOTES
Rating applies fo r case
temperature
6.5 mW/C
applies fo r shorts to
ground
or ambient
temperatures
AD741K
Mi n Ty p Ma x
Model
1 kQ , Vo = +10 V
R = 2kQ
TA = mi n to max R = 2 kQ
L
OPENLOOP
GAI
N
R =
= 1 kQ , TA = mi n to ma x
= 2 kQ , TA = mi n to ma x
t
Signal
Rate
Transient Response (Unity Gain)
Rise Tim e
Overshoot
INPUT
25
50,000
200,000
25,000
Vo
=
+1
0
V
OUTPUT1
10
0.5
CHARACTERISTIC
S
TA
= mi n to ma x
AD741S
Mi n Ty p Ma x
50,000
Full
AD741L
Mi n Ty p Ma x
V
10
10
Voltage0.3
@ R]
5.0
V
o
l
t
3.0
a
6.0
15.0
g
e
50,00025,000
200,000
25,000
Initial
25
25
mA
1
10
0.5
1
10
0.5
MH z
kH z
V/us
0.313
5.0V
US
0.313
5.013
10
mV
mV
uV/C
uV/V
1.0
5.0
2. 0
nA
nA
nA / C
Short
120
TA
250
Circuit
Curren
2.0
FREQUENCY RESPONSE
Unity Gain, Small
30
Power Response
15
2.0
M
Q
30
15
30
Slew
15
V
V
= < 10 kQ , TA = mi n to max,
= 12 V
dB
OFFSET
VOLTAGE
15
Initial, R
5
22
20
s
= mi n
= ma x
TEMPERATURE RANGE
Operating Rated Performance
Storage
N
= 10 V
R = 2ki2,V = 10V
= 2 k2
T.\
L
nA
nA
2.0
VI N
TA
TA
v/ v
V/ V
R
]
CURRENT
V/ V
200,000
@
TA
Units
= mi n to ma x
Average vs.
Temperature
0 (Untrimmed) +7 0
vs. Supply, T
15
5
15
22
20
0.5
1.0
2.0
2
22
0.2
0.5
75
-6 5
+15 0
-5 5
-6 5
+12 5 C
+15 0 4 C
6.
50,000
25,000
200,000
50,000
25,000
OUTPUT
S
Voltage (a R = 1 kl, T = mi n lo max
Voltagc % R|. = 2 k2, T. \ = mi n to max 10
13
Shon Circuii Currcn t
INPUT 25
OFFSET
RESPONSE
CURRENT
Unity
Signa]
1
Initial
Full
e
10
=
mi
n
to
Slew Rat e
0.5
ma
x
Transienr
Average
0.3
vs.
Overshoot
5.0
A
10
50,000
200,000
5
3013
25
2
12
10
0.5
15
0.02
0.3
0.02
5.0
Temperature
30
50
0. 6
0. 6
10
10
10
Temperature
INPUT BIAS
30
75
= mi n to
ma
x
Average
vs.
200,000
V/ V
0Y Y
YY
25,000
15.0
10
1.5
2.
V
V
UV/V
mA
mW
mW
mW
5
0 13
15.0
2
1
10
0.5
25
10
0.02
0.
1
0.3
5.0
30
75
25
0. 1
0.25
100
0. 6
1.0
0 nA/C
15
V
V
mA
MH z
kH z
V MS
MS
POWE R
SUPPLY
Rated
Performance
Operating
Power Supply
Rejection Ratio
Quiescent
Current
Power
Consumption
Safe
100
20
1.7
2.
50
50
60
10
0
0
-6 5
+7 0
+15 0
OPEN-LOOP GAI
R, = 1 k2,V,
= mi n [o max R|
CHARACTERISTIC
FREQUENCY
Gain, Smail
Power Respons
Response (Unity Gain)
Rise Tim e
90
2.8
0
85
85
10 0
1.7
2.8
50
2.8
85
Aiodcl
Mi n
AD741K
Ty p
0.5
<
Max
Alin
2.0
J.O
AD741L
Ty p
0.2
Aiax
Alin
0.5
1.0
6.0
TA
10
15
0.02
AD741S
Ty p
Aiax
Units
1.0
30
100
mV
mV
uWC
MV/V
10
25
0.25
nA
nA
nA/ C
250
nA
nA
uA'-C
0.1
INPUT BIAS
Initial
120
TA
100
ture
INPUT IMPEDANCE
2.0
2.0
2.0
M
U
30
15
30
15
30
15
V
V
dB
POWER SUPPLY
Ratcd
Operating
Powcr Supply Rejection Ratio
Quicsccnt Currcnt
Povver Consumption
TA = mi n
T = ma x
15
5
20
22
15
5
22
20
22
0
-6 5
+70
+150
-5 5
-6 5
V
V
nv/v
mA
mW
mW
m\ V
75
TEMPERATURE
15
+125
+150
INPUT
OFFSET
CURRENT
Iniiia
A
v
CURRENT
30
75
30
50
30
75
0
DIFFERENTIA
CommonMode, ma
x Safe
Common-Mode
90
90
90
100
100
100
Performance
20
1.7
1.7
2.0
50
50
50
2.S
2.S
2.8
35
85
85
60
100
500
<
400
-45
i
I
-9 0
LU
<
X
Q-
-135
- 180
-60
-30
10
100
1k
10k
- C
Figure 7.
lOOk
- Hz
e
3
0
140
v
15V
ce
"O
I
< 120
l
<
5 io o
ce
ce
o
o
80
C/5
60
O
IU
Q
O
40
-.
o
1o
50
1
2
0
30
20
10
Figure 5.
1
5
0
T
E
M
P
Common-Mode
E
R
A
T
U
R
E
vs.
Tem
pera
tur
1M
10M
z
Rejection
- 2
Figure 6.
Broad
-6
0 2
0
20
60
100
10
'
9
0
60
140
Input
'
V = 15V
80
70
Figure 2.
6
0
90
40
LL
U_
100
TE
MP
ER
AT
UR
E -
10
100
10
M
1k
10k
FR
EQ
UE
NC
YH
100
k
1M
FREQUENCY - Hz
SOURCE
RESISTANCE
Fig
ure
3.
Op
enLoo
p
Gai
n
vs.
Fre
que
ncy
B
a
n
d
N
oi
s
e
v
s.
S
o
u
rc
e
R
e
si
st
a
n
c
e
10-13
P Ve = 1 5 V
_ T = + 2 5 C
A
>
10-1 4
>
I
36
32
28
3
O.
D
O
<
LU
I
Ri
>2k2
1
24
20
16
1
>
12
<
8
4
10-18
-
Figure 7.
100k
1 00
10
Hz
20
VOLTAGE15 V
10
SUPPLY
Input
Noise
Figure 10.
Output
Voltage Swing
vs.
Supply
Voltage
Voltage
vs.
Frequen
cy
- kl
Figure 8. Input
10
40
V = 15V
+25^ C
>
I
a
z
>
i
LU
<
o
>
H
D
o.
I-
-2
-4
-6
/{
OI JTPI JT
Si
INF >UT
5
a_
LU
28
24
FREQUENCY - Hz
LOAD
RESISTAMCE
16
r 12
O
<
-8
i
-10
'
4
0
1M
Figure 9.
Ir-rn
= 15V
= +25C "
RL = 10 k 2
k
32
H
ZD 2 0
O
36
11
10
20
30
40
50
60
70
80
90
TIME
fi
100
1k
10k
100k
Pulse
Respon
se
FREQUE
NCY
Hz
Outpul Shorl'Circuit
Dislortion
High Sle w
cc
Th e TL08_ JFET-input operational amplifier family is designed to offer a wider selection than
Currante
L
o ...
0.003%
TL
08J
Ty
)
T L 0 8 _M
UNI T
TL08_BC
( se Note 1)
e Note 1)
se
18
18
18
-1 8
-1 8
-1 8
Differential input
30
30
30
15
15
description
15
unlimited
unlimited
e
0
-65to
150
- 40 to 85
- 55 to 12 5
-6 5 to 15 0
-6 5 to 150
26 0
c
c
30 0
an
y
(1/16 inch)
from
inch)
package
seconds
NOTES:
26 0
previously
developed
26 0
an
between operational
Vcc +
Vcc
1. All voltage vales,
d
2. Differential voltages are at the noninverting input terminal with respect to the inverting input
terminal.
amplifier
3. Th e magnitude of the input voltage must
of the supply voltage or 15 V, whichever is less .
4. Th e output ma y be shorted to ground or to either supply. Temperature and/or supply voltages must be limited
family.
Each
TL081
TL081.TL081A,
)
[
IN - [ 2
IN + [ 3
v c- [ 4
C
IN +
8 ]
7 ]v
6 ]
5 ]
of
these
JFET-input
operational
amplifiers
OU T
100 ki
incorporates
-vw-i
bipolar
transistors in
1.5 k 2
input bias
an d
coffset
currents,
an d
low
IN -
12
compensatio
n
to 70C,
those
with
an
I
suffix
ar
e
and those
with an
M suffix ar
e
characterize
d for
operation
over
to 125C.
ratings
ove
r
operating
free-air
temperature
range
(unless
otherwise
noted
Supply voltage,
VQC
Supply voltage
Vcc
voltage (see
Note 2)
Cont
inuo
us
total
dissi
patio
n
u
n
Operating freeair temperature
range
Storage
temperature
range
C
a
s
e
te
m
p
er
at
ur
e
fo
r
6
0
s
e
c
o
n
d
s
p
a
L
e
L
e
f
r
N
,
P
,
o
r
P
W
except
differential
voltages, are with
respect to the
midpoint
never exceed
the magnitude
to ensure that
the
dissipation rating
is not exceeded.
TL0
81B
D,
O
F
F
S
E
T
JG
,
P,
OR
PW
N
1
PA
CK
AG
E
(TO
P
VIE
W
OFFSET N1
1
OFFSET N2
>
X
>
CL
o
o
O)
CO
<
cg
co co
o
co
>-
o
o
CN
>
>
cz
>
co
<
c
"O
C
"O
>
co
CNJ
CN
-o
o
<co
CD
V)
3
CD
co
oco
00
CD
3
co
CO
LO
CN
co
LO
co
o
o
LO
CN
co
+1
CN
CNJ
co
cr
CO
co
CNJ
0)
+1
CN
CNJ
+1
o
o
LO
CO
+1
o
o
o
co
co
CN
+1
+1
LO
o
o
CN
00
co
co
CD
z5
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oo
co
CN
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CO
CM
LO
CN
co
LO
o
o
1 1
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LO
CN
co
o
o
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co
co
co
CO
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co
cz
CNJ
cz
CD
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CN
CN
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LO
CN
O
LO
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zz
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C0
+1
+1
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CO
CN
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CN
CN
co CO co
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CO
CO
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CN
co
LO
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O
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CN
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CN
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LO
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co
co
CO
CNJ
co
o
o
CNJ
CNJ
CD
CN
CN
CN
+ 1
+ 1
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LO
CN
co
CD
CD'
CL
CDB'
00
00
CD
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CD'
co
O
O
CN
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co
CO
LO'
CN
co
LO
LO;
CO
1 1 1
1-
\ \
CN
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CN
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co
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CNJ
co
co
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CNJ
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C
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o
>
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O
o
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+ 1
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LO
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3
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CD
CL
C
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C
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O
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CD
CD
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s
o
CL
>
Q-
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E
E
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CD
""5
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D)
CO
cq
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2.
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p
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CD
S
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cz
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00
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CN
O
>
O
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CD
o
>
o
>
13
D
c
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3
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CD
00
CD
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CD
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>
ra
CD
Q_
E
^
T
CO
o
_00
cz
CD
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3
CL
o
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8
a
CO
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co
1?
"O
CD
C0
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cz
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O)
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o
o
2- i 1
o
>
s <
CD
CD '
CL
CD
o
o
cz
O)
C0
o
cz
^>
E
00
+1
+1
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LO
LO
co
CD'
N
B
>
o
00
oo
CNJ
CN
>
CD'
Ti
>
co
.<
CN
Al
_
Al
_
en en en
LO
CNJ
CD
o o
o
o
a
^
00
00
QJ
O)
cz
co
co
CN
Al
_
CD
O)
I-
-Nd
CN
en
CN
CD '
O)
CD
O)
CZ
LO
CN
CN
_CD
o
+1
UJ
CD
CD'
O)
O O O
co
CD'
00
t/J
CNJ
_l
Q_
oo
+1
CN
o
co co CO co
o o o o
cz
Q)
+1
>
00
"o
o
o
LO'
II
CL
3
CD
zz
cz
'C0
'co
CO
operating
P
A
SR
characteristics,
R
Vcc = 15 V,
S
V| = 10V,
CL = 100pR
0.05
f = 1 kH z
18
f = 1 kH z
R < 1 kl,
> 2 kD ,
S
R
s
FREQUENCY
0.003%
15
RL = 10k.Q
TA = 25 C
V C = 1 5V
C
R|_ = 2 ki
>
12.5
10
Q.
Q-
ra 7.5
ra
a.
E
>
U)
10
E
x
ra
TA
V C = 15V
12.5
&
5
p A / , Hz
s
FREQUENCY
15
O)
uV
0.01
*O n
n V / \ Hz
f = 10 Hzto 10 kH z
Vo(rms) = 10 V,
US
20 %
f = 1 kH z
>
5*
Se e Figure 1
RS = 100 Q
M
A
V/u s
C|_ = 100pR
1
R|_ = 2 k<>,
CL = 100pF,
UNIT
V | = 20 mV,
V|
MI N
= 2k<>,
V | = 10V.
= 2k2,
TA = -5 5 Ct o 125 C,
T
Y
7.5
Q_
E
x
ra
2.5
5
V
2.5
>
0
10 k
10 M
100 k
1 M
f-
s
FREQUENCY
FREE-AiR
s
TEMPERATURE
15
R|_ = 10 k< )
>
>
i
12.5
ra
R|_ = 2 k li
O)
10
s3
Q-
ra
<i>
Q_
7.5
O
ra
<i>
a.
E
E
xra
E
x
ra
>
>
2.5
V C
C
0
40 k 100
1M
4 M 10 M
- Free-Air Temperature -
14
10
M
Se e Figure
O
ve
rs
ho
ot
fa
ct
or
Se
e
Fi
gu
re
Equivalent
Equivalent
input noise current
R S=
100D,
TYPICAL
CHARACTERISTICSt
MAX
IMU
M
PEA
K
OUT
PUT
VOL
TAG
E
MAX
IMU
M
PEA
K
OUT
PUT
VOL
TAG
E
v
v
V C=5
V C=5
C
C
100
10 k
k
1 k
100
1M
10
0
1k
f
-
F
MAXIM
UM
PEA
K
OUTP
UT
VOLTA
GE
MAXIM
UM
PEA
K
OUTP
UT
VOLTA
GE
v
v
Se e
k
f
= 15V
Figure
-7 5 -5
0
-2 5
0 25
50
75
100
125
TA
SUPPLY VOLTAGE
4
iI
L
A
R
G
E
S
I
G
N
A
L
t
s
FREE-AIR
V C = =15V
C
Vo = 10 V
R = 2 kl
10
14
12
16
- Supply
| Vc cVoltage - V
s
FREQUENCY
L
A
R
G
E
S
I
G
N
A
L
DIFFERENTIAL
VOLTAGE
AMPLIFICATIO
N
DIFFERENTIAL
VOLTAGE
AMPLIFICATIO
N
v
TEMPERATURE
:C
- Free-Air Temperatura -
vs
FREE-AIR
250
225
200
to
Q
0
5c
~
11
O
CL
i
i
VCC = *15 V
No Signal
No Load
< s
175
V C
Vo = 10 V
150
75
0
75
125
100
v c- =l E . V
-> i/1 .
-5 0 -2 5
25
50
1
CL = 100pF
100 125
C
T/^
C
75
50
f Fr
eq
ue
nc
y
-
25
0
- Free-Air Temperatura -
Hz
15
TOT
AL
POW
ER
DISS
IPAT
ED
TEMPERA
TURE
OUTP
UT
VOLT
AGE
PE R AMPLIFIER *
vs
FREE-AIR
2.0
I
I
v SC = 15V
Ni :> Signal
NI 3 Load
I
1.8
1.6
1
*-
1.2
u>
1.0
T
I
M
= 25
No Signa 1
E No Load
T
L
A
P
1.4
c
w
SUPPLY
S
E
D
s
VOLTAGE
E
I
o.
i
ti
0.8
TL 084.
0.6
TL085
0.4
\
0.2
T
L
0
8
2
.
T
0
TA
C
REJECTION
R AT I O *
vs
FREE-AIR
1
= 15 V
RL . = 10 1
ve :C
50
i I - Supply Voltage -T V
A
IN PUT
NO ISE
VO LTAG E
vs
L
0
8
3
=
2
I. III 5 i u n
v + Se
c
e0
Fi
Rs = 10(
l
gu
T A = 25reC
A
-75
-25
25
75
125
TA
75
Free-AirTemperalure-
-50
0
50
100
10 k
40 k 100 k
f-Frequency-Hz
0.2
INPUT BIA S
vs
FREE-AIR
0.4
PULSE RESPONSE
0.6
0.8
1.0
1.2
tTi
m
o
n
S
U
0.01 '
16
S
U
TEMPERATURE
I
, SC
C
No
Signa
-75
0
75
-50 -25
25
50
100 125
F
r
e
e
A
i
r
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a
0
10
16
2
6
12
4
8
14
IVCC
T
E
M
P
E
R
A
T
U
R
E
E
Q
U
E
N
C
Y
25
= 15V
1
-50 -25
50 75
100 125
TA
10
40
100
400
1
k
4k
CURRENT
VOLTA
GEFOLLO
WER
LARGE
SIGNA
L
TE
M
PE
R
AT
U
R
-50
-2
50
5
75
0
100
25
125
17
Typ
Max
Mi
AD741C
p Ma x Mi
n Ty
VOLTAGE RANGE
INPUT
1
Differentialj
ma x Safe
Common-Mode, ma x Safe
Common-Mode Rejection,
R = < 10 kQ , TA = mi n to max,
= 12VV
AD741
p Ma
x
n Ty
AD741J
Units
30
12
13
12
13
70
90
70
90
[N
80
15
V
V
90
dB
I Bp + Bn
I
2 (IOS)se define como la
La intensidad de offset
diferencia entre las intensidades de la entrada no inversora(IBp) e inversora (IBn):
I
IB =
= I I
OS
Bp
Bn
operacional real
IB
vo
IOS/2
Amplificador
V+
IB
operacional ideal
IBp
18
Bp
OS
/2
Bn
OS
/2
Typ
Ma
x Mi
INPUTOFFSET CURRENT
Initial
TA = mi n to ma x
40
300
85
Average vs. Temperature
INPUT BIAS
CURRENT
Initial
80 TA
500
80
= mi n to max
nvvia^L
va.
n Ty
AD741C
p Ma x Mi
20
AD741
p Ma
x
n Ty
20
200
AD741J
Units
5
0.1
200
500
40
500
200
120
300
800
50
100
400
1,500
nA
nA
nA/C
nA
nA
v.uipvidLui
IBMax
< 1500nA
IOS Max< 500 nA
IB typ
I
50 0
140
15 V
V
< 12 0
5 lo o
LU
ce
80
0l
-6 0
-3 0
30
60
9 0
12 0
- C
'
1
15 0
eo
o.
-
20
14 0
- C
TEMPERATURE
Figure 1.
Input
Figure 2.
19
Bias Current vs.
Temperature
Input
-6 0
-2 0
20
60
TEMPERATURE
10 0
Dada la alta dependencia que tienen las intensidades IB e IOS de la temperatura, algunos
fabricantes especifican su deriva con ella.
Deriva trmica de IB:
Deriva trmica de IOS:
IB/T (pA/C)
IOS/T (pA/C)
Bn n
o
Vo
R1 + 2R
amplificadorI Bpoperacional,
+ la
componente Vo que resulta en la Rsalida
debida a las
Rp
1 R2
2
V+ =V1+
o[]
R n = Si V =
intensidades de entradas
es:
Rn I Bn pR I Bp
1
R1
V = I
V = I
R
R + R2
V = 1+
= 1+
20
R2
R R p I OS
1
1
2
=(1+1)2
Ejemplos:
LM308 y LM312 (National Semiconductor) IB=1.5 nA e I
OS=0.2 nA
OP08 (Precision Monolithics) IB=1 nA e IOS=0.08 nA
LM11 (National Semiconductor) IB=25 pA e IOS=0.5 pA
o Cancelacin de la corriente de polarizacin de entrada.
Reduce la intensidad de entrada especial.
Ejemplos:
OP078 (Precision Monolithics) IB=1 nA e IOS=0.4 nA
LT1008 (Linear Technology) IB=30 pA e IOS=30 pA
o Transistores JFET, MOSFET y CMOS de entrada
Ejemplos:
TL081C (Texas Instrument) I B=30 pA e I
OS=5 pA
electrical
characteristics,
VQQ + =
1 5 V
TY
l| 0
TL082C
TL084C
TES T
PARAMETER
MA
MIN
Input
UN IT
l| 0
l|g
Input bias current
v = o
v = o
0.01 1
-5 0
21
T = 25 C
A
20 0
P2
T = 25 C
pA
TA = fulI range
-2 5
A
nA
30
40 0
10
0
25
50
75
10 0
T - Free-Air Temperature - C
A
nA
125
vo
Respuesta
ideal
vd
El voltaje de offset de entrada (VOS) es la entrada diferencial que hay que aplicar
al amplificador operacional para que el voltaje de salida sea cero.
Amplificador
operacional rea
v-
VOS
v+
vo
Amplificador
operacional ideal
Typ
Max
Mi
n Ty
OFFSET VOLTAGE
INPUT
Average vs. Temperature
(Untrimmed
< 10 k2, Adjust
to Zero
vs.TASupply,
= mi n Tto ma x
p MaAD741C
x Mi
n Ty
p MaAD741 x
AD741J
Initial, R
1.0
1.0
6.0
7.5
1.0
1.0
5.0
6.0
Units
s
1.0
)
= mi n to ma x
30
3.0
4.0
20
100
mV
mV
MV/C
MV/V
(T= 25C)
VOS max= 5 mV
VOS typ= 1.0 mV
sin embargo el fabricante proporciona un valor lmite (mximo) posible pero poco
probable de 5 veces su valor. El uso de uno u otro depender de los crtico que sea el
sistema que se disea.
La tensin de offset de entrada es dependientes de la temperatura y de la tensin de las
fuentes de alimentacin del amplificador operacional, y as mismo, tienen deriva con el
tiempo. En este caso, el fabricante indica que es muy poco dependiente de la
temperatura, y no da informacin de las restantes caractersticas.
22
R2
R1
V =V o
Si V =
Rp =
V
VOS
Vo
1+
R1
R1 + 2R
V
VOS
R2
R1
23
En
la
figu
ra
adju
nta
se
mue
stra
el
que
es
pro
pue
sto
vo
Vss
vo
Rp
100
+
500 K
Vcc(+9V)
Po (10K)
Vss(-9V)
para el amplificador
operacional AD741.
Off
set
null
Cuando un amplificado no posee un mecanismo de
compensacin de offset interno, se puede aadir
algunos elementos externo que realicen su
cancelacin. En esto circuitos es muy importante
tener en cuenta lo pequeo del valor del offset que se
est compensando (en el ejemplo de la figura la
compensacin de offset se realizara en el rango de
(1.8 mV)).
Cuando el offset de un circuito ha sido cancelado en
el laboratorio, asume una gran
relevancia los parmetros de deriva con el tiempo o
con otros parmetros.
Typ
Max
Mi
INPUT
IMPEDANCE DIFFERENTIAL
n Ty
0.3
AD741C
p Ma x Mi
2.0
n Ty
AD741
p Ma
x
0.3
2.0
AD741J
Units
1.0
MQ
24
vAR
R1
+ R2
()
vd
o
v
o +R
1
io = vo +
R1 + 2R
ro
R2
-
ABucle
+
ro
Zo =
Advd
+
io
+
Zo
vo
Rp
Zo
vo
ro
= R1 + 2R //
Ad R1
io
R1 + 2R
ro
r
= o
Ad R1
ABucle
R1 + 2R
25
AD741K
Model
= 1 ki, TA = mi n to ma x
Voltage @ R] = 2 ki, TA
10
t
40
>
I
36
I
Ri
AD741
AD741S
Series
Units
AD741L
13
25
10
13
25
10
Mi n
Ty p
Ma x
Mi n
Ty pV
Ma x
Ty pV
Ma x
13 Mi n
25
mA
OUTPUT
CHARACTERISTICS
Voltage @ R]
= min to ma
x
Short Circuit Curren
>2k 2
32
24
20
16
12
8
4
0
10
SUPPLY
Figure 10.
15
V
20
26
El rango de
amplitud de
salida es
funcin de la
tensin de las
fuentes de
alimentacin y
de la carga
conectada a la
salida del
amplificador
operacional. En
la primera
grfica se
muestra como
vara el rango
de salida con las
tensiones de
alimentacin
(para una carga
de 2 K),
bsicamente
Load Resistance
corresponde al
rango de
alimentacin
VCC-VEE
disminuido en 4
voltios. En la
segunda grfica
se muestra
como disminuye
el rango
dinmico de
salida
como funcin
de la carga
conectada a la
salida (para un
rango de
alimentacin de
30 V),
para una carga
infinita
(Vsat+=VCC-1V y
Vsat-=VEE+1V)
el rango de
saturacin de
salida
es 2 voltios
menos que el
rango de
alimentacin,
para una carga
de 2K el
rango se
reduce en 4 V y
para una carga
de 300, se
reduce a la
mitad.
1
-
VOLTAGE
2.4.3
Intensidad
mxima de
salida(Output
Short-Circuit
Current).
Los
amplificadores
operacionales
tienen un
limitador de
intensidad de
salida, que evita
que el
amplificador
operacional se
destruya cuando
su salida se
cortocircuita a
tierra. El
limitador evita
que la
intensidad
pueda
incrementarse
por encima de
un cierto valor
especificado
que
denominamos
intensidad de
saturacin de
salida
(Output
ShortCircuit
Current).
En un
amplificador de
propsito
general esta
suele ser del
rango de los 10
mA.
En la tabla
previa se ha
mostrado que
para el
amplificador
AD741, esta es
de 25 mA.
< v
<V sat
Si v
>V
Si i
> I
o lineal
o lineal
Vo_lineal>Vsat+ o
Vo_lineal<Vsat-
yI
o lineal
sat+
sat+
sat+
ov
o lineal
<
sat i
<V
sat
< I
o lineal
sat+
vo real =V
i
o real
= v
o real
o lineal
sat
= sat
I
Vsat
vo
vo=Vsat
io=Isat
io
Io_lineal>Isat+ o
Io_lineal<Isat-
Isat
Ejemplo
: para el caso del amplificador inversor de la figura.
vo
R2
R1
-
vi
Saturacin
de tensin
viR2/R1>Vsat+ -Vsat+R1/R2
vo
Vsat+
vi
R1
R2
Vsat-
vo
Saturacin de
Saturacin de
intensidad
vi/R1>Isat+
vi/R1>Isat+
io
Isat+R2
intensidad
-Isat+R1
R1
R2
Isat+
vi
Vsat-
-Isat+R1
Isat-
27
R1
R2
vi
Ad
GB/s
Etapa
Saturacin Integrador
diferencial
compensacin
Etapa
salida
Ma x
Mi n
Ty p
Slew Ra te
Ma x
AD741K
Mi n
Ty p
0.5
Ma x
AD741L
AD741S
0.5
0.5
Units
V/|is
vd
vo
Vsat+
SR
t
vo
28
+ vd/2
vc
vn
vp + n
v
Entrada en modo diferencial : v =d 2v p n
Entrada en modo comn :
vd =
Ac = vo
vc
v
p
= A
vd=0
vo
vd
vc=0
n n
Ap + nA
2
c c
d d
A =
siendo :
v = Av
A v = A v +a v
29
Typ
Max
Mi
AD741C
p Ma x Mi
n Ty
AD741
p Ma
x
n Ty
Common-Mode Rejection,
= 1 2 = V< 10 kQ , TA = mi n to max ,
VI N
R
70
90
70
AD741J
Units
s
90
80
dB
90
= vA =
oCMRR
vc
Ad
CMRR
vn
vp
CMRR
vo
vn
vp
vs.
Frequency
vo
CMRR=
+
vp
CMRR
30
AD741
106
I
I
V = 15 V
|Ad(jf)|
105
Ado|
GBW=
Adofp= fT
<
1
LU
o 10
< 3
10 2
10
1
10-1
1
10 10 0
FREQUENCY
Figure 3.
1k
10 k
100 k 1M
-H 2
1
10 M
fT
fp
Mi n
AD741C
Ty p
Ma x
Mi n
AD741
Ty p
Ma x
Mi n
AD741J
Ty p
Unity Gain,
1
31
Ma x
Units
Small
1
MH z
Ado f p
=d
s +p
fT
s
GBW
s
(si f > f
R2
Vo (s) =
()
siendo = factor retorno =
+
vi
V (s)
vo
Vo (s)
fT
Vi (s) V o(s)
s
1
s
+1
f T
= ampl
A
R2
R1 + 2R
s
+1
BWampl
(s) = A
Aampl
ampl
1
s
+ 1 BW
siendo
BWampl
ampl
f =
GBW
32
Frequency
Compensation
Circuit
Ri
IIII
iiiiii
iiii
LOO P VOLTAGE
( ")
(MF)
27 0
39
0.0015
0.02
50
1,000
10 0
0.001
47
0.01
10
27
10
0.05
0.05
GA
I
33
pF
fo r Suggested Compen-
100 k
CLOSED
(MF)
47 0
iin-ii
( ")
10 k
10,000
Vales
sation Networks vs Various
Cise
c,
(Note 6)
1 C1 = 50p
C1
= 0.0
80
60
= 0.0 1 /x
C1
0.0
C2 = 0.0
40
5 /
<
R1
i I70
R1
~ ina
R1
c c
= 15V
SJ A = Z5
)1
27 C 1
F
0 . 0 5 /
20
R1 = 101
R2 = 39f
R1
N V
fif^
C 1 = 0.0 5 iiV
3 C2 = O. i32
0
20
FREQUENCY
10
10*
10
z
FREQUENCY - Hz
2
=R2/(RR
1+R2)
R1
Ad(jw)
vo
Estable
-
34
vo
Ad(jw)
0 dB
Ad(jf)
0
fc
-90
-180
Ao
Ao
|Ad(jf)|
|Ad(jf)|
0 dB
0
-90
Ad(jf)
fT
-180
o Si el circuito de realimentacin no es
pasivo, esto es tiene una ganancia >1.
o Si el circuito de realimentacin no es resistiva. Por ejemplo, circuito de
realimentacin que aporten retrasos de fase hacen al sistema inestable.
En los caso de que el amplificador operacional tenga una respuesta frecuencial mas
compleja que la de polo dominante, la estabilidad no est garantizada y se requiere
introducir circuitos dinmicos de compensacin de fase para garantizar su estabilidad.
35
2.5.4
Model
15
()
30
150
30
150
Typ
Max
Mi
POWER SUPPLY
VPerformance
CC
Operating
Power Supply Rejection Ratio
10 F
n Ty
p Ma x Mi
n Ty
Units
15
PSRR =
AD741J
p Ma
Rated
Para
disminuir
la
amplitud
de
las
fluctuaciones,
y en
GND
particular las
procedentes+
de
circuitos en conmutacin, los fabricantes recomiendan
10 F
introducir en los terminales de
VEE
alimentacin del amplificador operacional una va de baja
impedancia a tierra, a travs
de un par de condensadores cermicos en el rango de 0.01
F a 0.1 F. Para que esta
medida sea efectiva, los cables deben ser cortos y deben
montarse tan cerca como sea
posible de los terminales del amplificador operacional.
36
Cuando el ruido
es crtico,
tambin se recomienda que se incluyan dos condensadores
de tantalio en el rango de los
18
V
V
MV/V
0.01 F
0.01 F