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Resposta do Desafio

Nome: Jos Flvio Barbosa de Andrade


Que componentes eletrnicos comerciais podem ser utilizados para
proteo de inverso de polaridade de bateria que permitam a passagem
de 80 A (Nominal), no utilize rels e que dissipe <= 7 (sete) Watts?
Existem algumas formas de realizar a proteo de inverso de fontes e
baterias. A mais simples, barata e comercial se faz utilizando o dispositivo
semicondutor chamado diodo. Uma soluo simples colocar um diodo em
srie com a bateria, conforme a figura 1. Dessa forma, uma vez que a bateria
for invertida, o diodo no deixar passar corrente (dentro de sua capacidade de
bloqueio - tenso de ruptura).

Figura 1
Uma das maiores desvantagens uma queda considervel de tenso.
Estes diodos retificadores normalmente tem uma queda de tenso 0,7 volts. A
tenso resultante ser menor em 0,7 volts e pode tambm variar de acordo
com o dodo, a temperatura e a carga.
Outro fator a considerar o consumo de energia extra para circuitos com
cargas altas correntes. Para correntes acima que 0,5 A pode ser necessrio
usar um diodo de potncia maior.
Outra soluo utilizar uma ponte de diodos junto bateria, conforme
mostra a figura 2. Dessa forma, no importa a forma com que a bateria
colocada, sempre aplicar a mesma polaridade carga, protegendo o circuito.
Entretanto, existe uma queda de tenso de aproximadamente 0,7 V em cada
diodo, o que resulta em 1,4 V em cada polo.

Figura 2
Um circuito de proteo melhor que a utilizao do diodo de bloqueio
pode ser implementado com o uso de um transistor PNP, conforme a figura 3,
configurado como uma chave aberta. A queda de tenso atravs do transistor
saturado muito menor do que a queda utilizando os diodos e o custo da do
transistor bem acessvel. Em operao normal, a tenso da base menor do
que a tenso do emissor do transistor. Quando a polaridade da fonte
invertida, o transistor desligado do resto do circuito.
A desvantagem desta configurao o fato de que h perda de potncia
referente corrente de base taxa constante, independentemente da atual
consumo de energia do circuito. Alm disso, h ainda uma pequena queda de
tenso, da mesma forma como no circuito de diodos. Para uma potncia de
alimentao mais elevada, o transistor no ser capaz de fornecer altas cargas
de corrente.

Figura 3

Outra forma mais eficaz de proteger a polaridade do circuito, fornecendo


uma alta capacidade de corrente com a mxima queda de baixa tenso,
dissipando uma quantidade mais baixa de potncia em relao s
configuraes anteriores, se faz atravs da substituio do transistor PNP por
um MOSFET canal P, conforme a figura 4. O FET instalado de forma inversa
como se faria normalmente - o dreno e a fonte foram invertidos para que a
ligeira corrente de fuga atravs do diodo interno do FET atue no FET quando a
polaridade estiver correta e bloqueie quando estiver invertido.

Figura 4.
Se a tenso de alimentao menor que a tenso gate-source do FET
(Vgs), pode-se instalar o FET sem o diodo e sem o resistor conectando o gate
diretamente na terra. Se o Vcc exceder a mxima tenso de Vgs ento pode-se
inserir um dodo de Zener, com uma tenso inferior ao limite mximo Vgs, o
que limita a tenso a um nvel seguro entre gate e source do FET. Deve-se
calcular o valor do resistor para que fornea corrente suficiente para polarizar
corretamente o diodo zener escolhido, atravs da corrente mnima necessria
para atingir a tenso de ruptura zener. Nesta configurao, para o fornecimento
de 80 A (Nominal), pode ser utilizado o Transistor MOSFET STP80PF55. Seu
Rds mximo de 0.018 ohms.
A potncia dissipada durante a conduo, em regime de saturao, do
MOSFET :
P = Rds*Ids
Desprezando a potncia dissipada durante o transitrio de chaveamento, para
uma operao em que se dissipe at 7 Watts, a corrente mxima da carga
deve ser de 19.72 A.