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Arquitetura de

Computadores
Memrias
Prof. Ms. Elaine Ceclia Gatto
Disciplina: Arquitetura de Computadores
Curso: Engenharia de Computao
Semestre/Ano: 1/2012

Funo, Conceito e Objetivo


Funo: armazenar informaes que so/sero manipuladas
por um sistema de computao para que possam ser
recuperadas prontamente quando necessrias;
Conceito: um componente do sistema de computao onde
so guardados dados ou informaes para serem usados
quando desejados;
Objetivo: armazenar dados ou informaes e permitir sua
recuperao quando requerido;

um subsistema do sistema computacional;

Desempenho
Vrios tipos de memrias. Motivos:
Aumento da velocidade do processador: maior que a
velocidade do tempo de acessod a memria. Ocasiona
atrasos na transferncia de bits entre a M.P. E o processador;
Capacidade
de
armazenamento
dos
sistemas
computacionais: aumento do volume dos dados que devem
ser armazenados e manipulados nos sistemas atuais;
O ideal que o processador no fique parado, esperando por
muito tempo, que um dado seja transferido da memria.

Desempenho
Exemplo:
Suponha que um processador manipula um dado em 5
nanossegundos. Suponha que a memria desse sistema
computacional, possa transferir um dado para o processador,
em 60 nanossegundos. Quanto tempo o processador ficar
ocioso durante a transferncia do dado da Memria para o
Processador? O que isso acarreta ao sistema?
Resposta:
A cada 60 nanossegundos o processador trabalhar 5
nanossegundos, portanto, o processador ficar 55
nanossegundos ocioso, acarretando baixa produtividade do
sistema computacional.

Desempenho
O que fazer para aumentar a produtividade do sistema
computacional?
Desenvolver memrias com maior velocidade;

Problema nesta soluo: custo de fabricao elevado;

Impasse:
A quantidade de instrues executadas por segundo por
um processador dobra a cada 18 meses;

A velocidade de acesso das memrias aumenta apenas


10% a cada ano;

A capacidade de armazenamento
quadruplica a cada 36 meses;

das

memrias

Aes e Operaes
Uma memria executa algumas aes e operaes:

Ao Armazenar: Guarda um dado ou informao;

Operao para Armazenar: Escrita ou Gravao (write);

Ao Recuperar (Retrieve): Recupera um dado ou


informao armazenada para uso;

Operao para Recuperar: Leitura (read);

Memory e Storage
Diferena entre Memria e Armazenamento:

Memria ou Memory: quando se trata de memrias


eletrnicas como DRAM, SRAM, Cache, etc. So
dispositivos que perdem o contedo armazenado quando
desligados;

Armazenamento ou Storage: quando se trata de Discos,


CDs, DVDs, etc. So dispositivos que no perdem o
contedo armazenado quando desligados;

A diferena que memory armazena temporariamente e


storage permanentemente;

Constituio
Memrias so constitudas por vrios grupos de bits;
Grupos de bits:
So tratados em conjunto pelo sistema;

Se movem em blocos, tratado como um nico elemento;

So identificados como uma unidade para efeitos de


armazenamento e transferncia;

Memrias so constitudas de elementos fsicos que, de


diferentes formas, representam os dados que so
armazenados e manipulados:
Elementos fsicos: contedo;

Formas: eltrica, magntica, tica;

Hierarquia

Parmetros

Parmetros para anlise das caractersticas da hierarquia


de memria;
Tempo de Acesso:

o perodo de tempo decorrido desde o instante em


que foi iniciada a operao de acesso at que a
informao (ou dado) requerida tenha sido
efetivamente transferida;
O tempo de acesso de uma memria dependente da
sua tecnologia de construo, variando bastante entre
os diversos tipos;

Parmetros

Capacidade:

a quantidade de informao que pode ser


armazenada em uma memria;

Volatilidade:

Memria no voltil: aquela que retm a


informao armazenada quando no h energia
eltrica. Exemplo: Memrias do tipo Magnticas,
ticas e ROM.
Memria voltil: aquela que perde a informao
armazenada quando no h energia eltrica.
Exemplo: Registradores e memrias do tipo RAM.

Parmetros

Tecnologia de Fabricao:

Semicondutores ou memrias eletrnicas: fabricadas


com circuitos eletrnicos/integrados baseados em
elementos semicondutores. So rpidas e caras.
Exemplos: Memrias do tipo RAM; Memrias Cache e
Registradores;
Magntico: armazenam a informao sob a forma de
campo magntico. So memrias no volteis,
eletromecnicas, baratas e armazenam grande
quantidade de informao. Exemplo: Fita, Disquete e
Discos Rgidos.

tico: armazenam a informao utilizando feixes de luz


para marcar os bits na superfcie. Exemplo: CDs e
DVDs.

Parmetros

Temporariedade:

Tempo de permanncia da informao em uma


memria;
Permanente: tempo indefinido, a informao
armazenada por um longo perodo, por meses e
anos. Exemplo: Discos Rgidos Internos e Externos;
Transitrio ou Temporrio: tempo extremamente
curto, no ultrapassando o tempo de execuo de
um programa. Exemplo: Registradores e Memria
Cache;

Parmetros

Custo:

Variado devido a diversos fatores, mas principalmente,


a tecnologia de fabricao;
Unidade de medida de custo sugerida:

preo por byte armazenado;

Exemplo:

Um disco rgido com capacidade de 80GB que


custe, no mercado, R$300,00, tem o custo de
R$0,00375 por MB.

Uma memria semicondutora dinmica com 256MB


tem custo de R$0,83 por MB, aproximadamente,
totalizando, no mercado, R$20,00.

Registradores

Possui a maior velocidade de transferncia, em relao s


outras memrias, menor capacidade de armazenamento e
maior custo;
Tempo de acesso: menor de todo o sistema pois
fabricado com a mesma tecnologia do processador e est
interno ao mesmo. Em torno de 1 a 2 nanossegundos;
Capacidade: armazenam um nico dado, instruo ou
endereo. Em torno de 8 a 128 bits. Registradores de
dados: mesmo tamanho da palavra do processador;

Registradores

Volatilidade: so memrias semicondutoras volteis;


Tecnologia: a mesma utilizada nos processadores.
Exemplo: Tecnologia MOS;
Temporariedade: guardam informao o mais
temporariamente possvel, portanto, so memrias
transitrias;

Custo: mais alto da hierarquia, devido alta


tecnologia empregada na fabricao;

Memria Cache

uma memria que fica entre o processador e a


memria principal;
Foi desenvolvida para melhorar o desempenho do
sistema de computao: velocidade de acesso do
processador muito maior que a da memria, o que
pode gerar gargalo de congestionamento na
comunicao entre os dois dispositivos;
Funo: acelerar a velocidade de transferncia das
informaes entre o processador e a memria
principal, melhorando o desempenho do sistema;

Memria Cache

Memrias Cache podem ser inseridas em at 3 nveis


denominados L1, L2 e L3, sendo L1 e L2 internas ao
processador e L3 externa ao processador, acoplada
na placa me.
Tipos: RAM Cache, Cache-Memria Principal e
Cache-Disco;
Tempo de acesso: entre 5 e 20 nanossegundos. So
memrias semicondutoras.

Capacidade: no to grande e nem to pequena,


deve ser adequada para armazenar quantidade de
informaes suficientes que possam ser buscadas
pelo processador;

Memria Cache

Capacidade:

Memrias cache tem eficincia entre 95% e 98%, ou


seja, a cada 100 acessos do processador memria
cache, ele encontra o valor desejado na cache em 95 a
98 deles. Quando no o encontra, busca na memria
principal.
Aumentando a capacidade da memria cache, eleva-se
tambm o custo do sistema computacional;

A capacidade varia entre 32KB e 256KB para L1 e 4MB


para L2;

Memria Cache

Volatilidade: a memria cache do tipo voltil;


Tecnologia: so fabricadas com a tecnologia das
memrias estticas (SRAM)
Temporariedade: o tempo de permanncia de uma
instruo ou dado na cache menor que a durao
da execuo do programa ao qual a instruo ou
dado pertence;
Custo: Alto. O valor prximo ao dos processadores.
Memrias cache internas so mais caras que as
externas.

Memria Principal

A memria principal a memria bsica de um sistema


computacional, nela que so armazenados os programas, e
os dados desses programas, que sero executados pelo
processador, o qual busca instruo por instruo.
Tempo de Acesso: entre 50 ns e 80 ns. constituda por
elementos cuja velocidade fica abaixo das memrias cache e
acima das memrias secundrias;

Volatilidade: voltil, mas h sempre uma pequena poro de


memria no-voltil na memria principal que serve para
armazenar instrues que so executadas quando o
computador ligado;
Tecnologia: no princpio, ncleos de ferrite, atualmente,
semicondutores.

Memria Principal

Capacidade:

Grande. Sua capacidade de armazenamento definido no


projeto da arquitetura do processador, pela tecnologia da
placa-me e tambm pelo limite de manipulao do
controlador de memria.
Arquiteturas de 32 bits podem enderear at 4GB, na
teoria, entretanto placas-mes e controladores de
memria no o fazem.
Arquiteturas de 64 bits podem enderear at 16 ExaBytes,
porm, ainda no h tecnologia para que acontea de
fato.

Memria Principal

Temporariedade:

As instrues e os dados devem permanecer na memria


principal enquanto durar a execuo do programa, s vezes, at
menos tempo;
Tempo de permanencia varivel dependendo de

Tamanho do programa;

Durao do programa;

Quantidade de programas que esto sendo processados


juntos;

Etc.

Custo: memrias dinmicas so mais baratas que memrias cache.


Valores variam entre R$0,880 e R$5,00 por MB;

Memria Secundria

Tambm chamada de memria auxiliar ou memria de


massa. Armazenam programas e dados que no esto, ou
no precisam, ser requeridos imediatamente, e que exigem
grande espao de armazenamento;
Objetivo: garantir armazenamento permanente a toda a
estrutura de dados e programas do usurio por isso deve
ter mair capacidade que as outras memrias;

Constituio:

Dispositios diretamente ligados ao sistema para acesso


imediato. Exemplo: discos rgidos;
Dispositivos conectados quando desejado pelo usurio.
Exemplo: pen drives;

Memria Secundria

Tempo de acesso: altos, por serem normalmente dispositivos


eletromecnicos. Discos rgidos: entre 8 a 30 milissegundos. CDROM: entre 120 a 300 nanossegundos;

Volatilidade: no-volteis;

Tecnologia: varia conforme o tipo de dispositivo;

Temporariedade: permanente.

Capacidade: varia conforme o tipo de dispositivo. Discos Rgidos:


1 TeraByte; Pen Drives: 16 GigaBytes; etc.

Classificao

Classificao

Acesso Sequencial: Os dados podem ser lidos e escritos


apenas em uma determinada seqncia. As memrias FIFO e
os registradores de deslocamento so alguns exemplos;
Acesso Randmico: Os dados podem ser lidos ou escritos
sem uma ordem pr-estabelecida. Pertencem a esta
categoria as memrias estticas e dinmicas;
Estticas: Preservam a informao enquanto houver
alimentao de energia; (no h operao de escrita/leitura);

Dinmicas: Necessitam ter a sua informao periodicamente


atualizada, isto , lidas e novamente escritas sob o risco dos
dados serem perdidos.

Classificao

Sncronas: a leitura ou escrita dos dados sincronizada por


um relgio de sistema ou de barramento;
Assncronas: no precisa de um clock;

No-reutilizveis: no pode ser escrita, ou pode ser escrita


uma nica vez;
Reutilizveis: pode ser escrita mais de uma vez;

Mdulos

Tambm esto presentes nas Placas-Me os slots para a


conexo dos mdulos de circuitos eletrnicos que
correspondem memria, indispensveis para o funcionamento
do sistema computacional.
Inicialmente a memria RAM era composta de pequenos chips
DIP Dual In Parallel encaixados na placa me.
A instalao destes mdulos era muito trabalhosa, e para
facilitar a vida dos usurios e aumentar as vendas os
fabricantes desenvolveram mdulos de memria:

placa de circuito impresso onde os circuitos integrados de


memria se encontravam soldados.

Basta encaixar placa a placa-me do micro.

Mdulos

SIPP ou Single in Line Pin Package:

Foi o primeiro mdulo a ser criado e sua aparncia


lembrava um pente da o apelido pente de memria.
Os terminais eram similares aos usados nos DIP, causando
mau contanto e danificao.
Eram encontrados em verses de 256KB, 1MB e 4MB,
todos de bits;

Mdulos

SIMM30 ou Single in Line Memory Module:

basicamente um SIPP com novo encaixe, semelhante ao dos


slots e no permite que os mdulos sejam colocados
invertidos.
Eles tm 30 terminais, operando a 8bits em verses de 256KB,
1MB e 4MB.
Possui mdulos com e sem paridade;

PARIDADE: Para saber se o mdulo tem ou no paridade, basta


contar o nmero de circuitos:

se for mpar ele possui paridade;

em mdulos com dupla-face, contar somente os circuitos


de uma face;

Mdulos

SIMM-72 ou Single in Line Memory Module:

Possuem 72 terminais e trabalham com 32 bits, tendo


sido criados para uso com 486 e superiores.
So encontrados com diversas capacidades, sendo as
mais usuais de 4MB, 8MB, 16MB e 32MB, com e sem
paridade.

Mdulos

DIMM ou Double in Line Memory Module:

Possuem 168 terminais 84 de cada lado e trabalham


com 64bits;
So encontrados com diversas capacidades acima de
8MB, com e sem paridade.
Os primeiros eram montados com FPM ou EDO e
atualmente utilizam SDRAM ou superiores.
Ao contrrio dos anteriores,
independentes nas duas faces;

possui

contatos

Mdulos

RIMM ou Rambus In Line Memory Module:

Padronizado pela Rambus para uso da RDRAM no micro.


So fisicamente semelhantes as DIMM, porm no
possvel o encaixe de mdulos RIMM em soquetes DIMM
e vice-versa;

Observao: mdulo de memria no tem relao com a


tecnologia usada nos circuitos. Exemplo: podemos ter um
mdulo SIMM-72 que utiliza circuitos FPM ou EDO.

Siglas

RAM: random access memory ou memria de acesso


randmico;
SRAM: static random access memory ou memria de acesso
randmico esttico;
DRAM: dinamic random access memory ou memria de acesso
randmico dinmico;
FPM RAM: fast page mode (modo de pgina rpida) random
access memory;

EDO RAM: extended data out (sada de dados extendida)


random access memory;
BEDO RAM: burst extended data out (sada de dados extendida
em modo rajada) random access memory;

Siglas

SDRAM: synchronous random access memory ou memria de


acesso aleatrio sincronizada;
DRDRAM: direct (direta) rambus dynamic random access
memory (rambus o nome do fabricante);

DR: direct rambus;

DDR: double data rate ou memria com taxa dupla de dados;

DDR2: double data rate ou memria com taxa dupla de dados


melhorada;
DDR3: double data rate ou memria com taxa dupla de dados
melhorada;
MDRAM: multibank (multibancos) dynamic random access
memory;

Siglas

ROM: read-only memory ou memria somente de leitura;


PROM: programmable read-only memory ou memria somente
de leitura programvel;
EPROM: erasable programmable read-only memory ou memria
somente de leitura programvel e apagvel
EEPROM: electrically erasable programmable read-only memory
ou memria somente de leitura programvel e apagvel
eletricamente;