Monografia de Alguem

f
W f 1 EnfvtteM Nuelm
AUTARQUIA ASSOCIADA A UNIVERSIDADE

DE SAO WVULO
DOPAGEM DE SILCIO MONOCRISTAUNO PELA

TRANSMUTAO COM NEUTRONS
JOS RICARDO SEBASTIO
Dissertao apresentada como parte

dos requisitos para obteno do Grau
de Mestre em Tecnologia Nuclear.
Orientador:
Dr. Rajendra Narain Saxena
So Paulo
1992
DOPAGEM DE SILCIO MONOCRISTAUNO PELA TRANSMUTAO

COM NEUTRONS
JOSE RICARDO SEBASTIO
Dissertao apresentada como parte

dos requisitos para obteno do Grau de
Mestre em Tecnologia Nuclear.
Orientador: Dr. Rajendra Narain Saxena
So Paulo
1992
NDICE
INTRODUSO
CAPITULO
Estrutura cristalina do SI e materials send.condutores
1.1
Estrutura cristalina do Si........
04
1.2
Estados de energia dos eltrons em um cristal...
04
1.2.1
Condutores , isolantes e semicondutores
07
1.2.2
Propriedades bsicas dos materiais semicondutores ... 08
1.2.3
Problemas na dopagem do Si pelo mtodo convencional.. 10
1.3
Mercado do Si
13
1.4
Crescimento de monocristais de Si
14
CAPITULO I I
Dopagem
do
Silicio
pela
Transmiutao
com
Neutrons
Tcnica
Metodologla.
11.1
Introduo
11.2
Consideraes gerais sobre reaSes
17
nucleares
no
processo NTD
18
II.2.1
ReaSes nucleares induzidas pelos neutrons
19
11.3
Relao entre dose de neutrons e Resistividade
24
11.4
Danos causados pela irradiao e tratamento Trmico ps

irradiao
28
II.5
Medio da resistividade nas lminas de Si,
30
CAPITULO III
Equipamentos Utilizados e Procedimentos
11.1
Introduo
33
11.2
Reator lEA-Rl
34
11.3
Dispositivo de irradiao do Si
34
11.4
Arranjo experimental
para
monitorao
da
ativi
dade residual de P^* do cristal de Si
36
11.5
Detectores utilizados
37
11.5.1
Detector SPND
37
11.5.2
Detectores gama-Detectores de Cintilao
40
11.5.3
Detectores Beiger - Muller
41
11.6
Monitorao de Fluxo de neutrons
41
11.7
Calibrao do detector Geiger
43
11.8
Calibrao do detector SPND
46
CAPITULO IV
Resultados Exper1mentais
IV.1
Medida do fluxo de neutrons
48
IV.2
Medida do fator "self-shielding" e razo de cdmio ... 51
IV.3
Determinao do perfil vertical do fluxo de
neutrons
na posio de irradiao das amostras de Si.....

IV.4
Determinao da eficincia do detector
56
GeigerMueller
e c4culos pelo mtodo de Monte Carlo............
58
IV.5
Calibrao do detector
62
IV.6
Irradiao de tarugos e lminas de Si no Reator lEA-Rl
SPND
do IPEN-CNEN/SP
IV.7
Anlise da Homogeneidade na Resistividade das
63
Lminas
de Si Dopadas pela Tcnica NTD.
70
CAPITULO V
DiscussSo dos Resitados e ConclusSo.
73
Aos meus filhos
AGRADECIMENTOS
Ao
Dr.
Rajendra
orientao,
Narain
Saxena,
incentivo
pela
compreenso
oportunidade,
nos
momentos
difceis no transcorrer deste trabalho.
- Agncia Internacional de Energia Atmica ( lAEA ) ,

financiamento do
projeto
trabalho de irradiao
de
para
pelo
desenvolvimento
do
monocristalino
no
silicio
Reator lEA-Rl do IPEN.
- Empresa Heliodinmica, em especial

Eng-
Reinaldo,
pelo
ao
fornecimento
Sr
Valentino
das
amostras
e
de
monocristais de silicio e tratamento trmico.
- Ao
Dr.
Mauro
da
Silva
Dias,
pelo
precioso
sugestSes, sem o qual grande parte deste
apoio
trabalho
nSo
equipe
do
teria sido alcanado.
Dr-
Marina
laboratrio
Fallone
de
Koskinas
Metrologia
Nuclear
sua
do
IPEN,
pelas
medidas e preparao de amostras.
- Ao Sr Robert, .do Laboratrio de Microeletrnica

pelas
sugestSes
monocristais
- Ao Dr.
K.
fornecimento
de
amostras
POLI,
de
de Silicio.
Heydorn,
Dinamarca,
da
do
pela
desenvolvimento
Laboratrio
orientao
do
trabalho
Nacional
na
de
monocristais de Silcio.
- A todos os Componentes da Diviso TFF.
de
Riso,
conduo
do
irradiao
dos
RESUMO
Transformao nuclear do silicio

de fosforo aps a reao de captura de
Si^** (n,;^) Si^*
um
em
ncleos
neutron
trmico
. P^* + (T
foi desenvolvido em uma tcnica eficiente para

monocristais
de
silicio
com
fsforo.
dopagem
Devido
dos
melhor
homogeneidade e preciso de dopagem que resultam do processo

"Nuclear
Transmutation
Doping
(NTD)",
um
material
semicondutor com caractersticas muito superiores

para aplicaes
em
diversos
dispositivos
do
obtido
que
quando
obtido com dopagem quimica convencional.
Um
dispositivo
especial
foi
projetado,
construido e instalado junto ao ncleo do reator de pesquisa

lEA-Rl,
de
MW,
tipo
piscina,
monocristais de silicio de
at
Medidas extensivas e cuidadosas de
para
irradiao
polegadas
um
de
perfil
de
dimetro.
vertical
de
fluxo de neutrons na posio de irradiao foram realizadas.

A irradiao controlada por dois detectores de prata
"self-powered" instalado junto ao dispositivo. A dose
de neutrons medida por
monitore^
de
cobalto
tipo
final
irradiados
Junto com cristais de silicio.
Os
experimentos
realizados
mostram
possibilidade de irradiao de cristais de silicio de at 40

cm de comprimento ( dois tarugos de
20
cm
de
comprimento
cada um ) resultando numa uniformidade de dopagem melhor

que 10% (axial) e
2.7.
(radial).
Valores
de
resistividade
finais da ordem de 32-35 Ocm foram alcanados para

de silcio de alta resistividade tipo
irradiao durante
neutrons
um
periodo
de
float-zone
28-30
do
horas
8-9., 10*'' n/cm^). A produo comercial do
cristais
(FZ)
(dose
com
de
silicio
NTD com uma capaidade modesta de aproximadamente 400 Kg por

ano, parece vivel dentro do presente esquema de operao do
reator.
ABSTRACT
Nuclear
transformation
of
silicon
into
phosphorus nuclei following thermal neutron capture reaction
Si^" ln,r)
has been developed in to
Si'*
> P^' + ft-
very
efficient
technique
doping monocrysta1line silicon with phosphorus.

superior doping homogeneity
doping accuracy
for
Because
of
(small spreading resistance) and
resistivity
very
close
value) which results from the neutron
to
the
target
transmutation
doping
NTD process, a far better semiconductor material is obtained

, far a number of devices applications,
than
what
can
be
obtained through conventional chemical doping.
A special irradiation rig has

constructed and installed at
the
MW
been
pool
designed
type
lEA-Rl
research reactor for doping single crystals of silicon up to

4
inches
in
diameter.
Very
careful
and
extensive
measured of vertical neutron flux profile at the irradiation

position
have
been
controlled by two
carried
silver
out.
self
The
irradiation
powered
neutron
is
detectors
placed close to the crystal positipn. The final neutron dose

is measured by cobalt monitors which are irradiated
together
with the silicon crystals.
Test experiments indicate the possibility
of
irradiating up to 40 cm long crystals ( two peaces of 20
cm
each ) resulting in the doping
10
uniformity
percent (axial) and 2 percent (radial).
better
Target
than
resistivity
values of the order of 32-35 Ocm have been reached for float
zone
(FZ)
high
resistivity
silicon
crystals
irradiated
through a period of approximately 28-30 hours (neutron
dose
8-9.10*^ n/cifl^). Commercial production of NTD silicon
with
the modest capacity of approximately 400 Kg for

possible considering the present
reactor.
operation
year
seems
schedule
often
INTR0DU20
A descoberta do elemento silicio ( Si )

volta do sculo XIX nas dcadas de IO, e 2 0 .
data
Este
por
elemento
no se encontra livre na natureza, mas sim principalmente na

forma de xidos e silicatos. O silicio est presente no
e estrelas e um
componente
principal
de
uma
sol
srie
meteoritos conhecidos como aerolitos C 3 8 ] . O silicio
de
perfaz
25,7 7. da crosta terrestre, em peso, e o segundo
elemento
mais
quartzo,
abundante,
depois
do
oxignio.
ametista, gata, pedra e opala so
Areia,
algumas
das
formas
no
qual o silicio aparece como xidos. Granito, asbestos, mica,

etc, so exemplos de minerais silicatos. A tabela I
ilustra
o elemento Si com suas propriedades fi sicas mais relevantes.
So inmeras as aplicaes do
areia e argila o silicio
tijolo. O Si pode ser
usado
empregado
Si.
para
como
Na
fazer
forma
de
concreto
material
refratrio
para trabalhos altas temperaturas. Na forma de.silicatos

utilizado na fabricao de esmaltes, cermicas, etc. Silica,
como areia, um dos principais ingredientes do vidro, que
um
dos
materiais
mais
econt^micos,
com
excelentes
propriedades mecnicas, ticas, trmicas e eltricas. O Si

um componente importante na fabricao do ao; sendo
carbeto de silicio
um
dos
mais
importantes
que
abrasivos,
o
utilizados em lasers para produzir luz coerente
de
4500
Uma das grandes utilizaes do Si da qual trata
C383.
presente
trabalho,
semicondutor.
emprego
emprego
de
do
Si
como
dispositivos
iniciou-se nos EUA, quando em 1948
material
semicondutores
foram
desenvolvidos
70
uso
os
transistores. V'.
Desde a
material semicondutor
dcada
tem
de
crescido
o
muito
atualmente, o consumo mundial de mais
de
do
Si
como
rapidamente,
6000
toneladas
tabela
1.
Propriedades
fsicas
mais
relevantes
elemento Si.
Elemento
: Silcio
Smbolo
: Si
Classificao peridica
: Grupo IV A
Numero atmico
: 14
Massa atmica
: 28.086
Istopos naturais
: 28 , 29 e 30
Abundncia isotpica
: Si^ ( 92.27% )
Si^^ ( 4.68% )
Si^ \ 3.05% )
Densidade
: 2.33 g/ cm^ ( 25 C )
Ponto de fuso
: 1410 C
Nmero de valncia
: 4
Forma
: Cbica face centrada, tipo
cristalina
diamante.
do
por ano. O silicio
usado
eltricos e eletrnicos,
na
maioria
desde
dos
circuitos
dispositivos
integrados
computadores e microprocessadores e em tiristores de
para
grande
volume para alta voltagem [ 4 ] .
Para ser usado nestes dispositivas, o silicio

precisa ser dopado com outro
elemento.
usados sao o boro que produz
um
fsforo
que
produz
um
Os
elementos
semicondutor
semicondutor
fundio
formao
do
monocristal,
semicondutor com variaes
na
tipop
tipo
N.
tradicional de dopagem incorpora o elemento
utilizado
mas
resistividade
um
novo
no
mtodo
da
produz
um
longo
tcnica
chamada de Dopagem por Transmutao com
de
do
de
15
dopagem
de
silicio tipo N baseado em um processo puramente nuclear

solucionou este problema. Esta nova
mtodo
cerca
de
estgio
ao
volume do cristal de at 3 0 % . Entretanto, h

anos vem sendo
mais
que
dopagem
CNTD3,
Neutrons
produz semicondutores do tipo N com variaes muito pequenas

no valor da resistividade, mesmo para cristais
com
volumes
grandes.
O
desenvolver
silicio
uma
NTD,
superiores,
objetivo
do
presente
para
produzir
material
de
metodologia
que
e
vai
um
possibilitar
eletroeletrnica a produo de
no
Brasil
caractersticas
indstria
dispositivos
tais como tiristores e diodos.
Estes
custo bem maior que os
dispositivos
outros
trabalho
nacional
de
potncia,
dispositivos
produo no Brasil permitiria a substituio
tem
comuns
de
um
uma
sua
parte
das importaes.
O desenvolvimento deste mtodo visa,
tambm,
a implantao de um laboratrio de controle de qualidade dos

cristais
de
silicio
atividade residual do
irradiados,
cristal
disso, este laboratrio deve
para
aps
ter
a
a
verificao
irradiao.
condies
de
da
Alm
medir
preciso a dose de neutrons recebida pelo cristal durante

irradiao,
possuindo
todos
os
com
a
equipamentos
convencionalmente utilizados em espectroscopia gama.
capitulo
do
presente
trabalho,
apresenta uma discusso sobre a estrutura cristalina do Si e

materiais semicondutores.
O capitulo
II
apresenta ' a
metodologia
da
tcnica NTD.
descrio
do
mtodo
experimental
encontra-se no capitulo III.
A parte experimental
resultados
obtidos,
encontrase no capitulo IV.

Finalmente,
no
capitulo
Discusso dos Resultados e Concluso.
encontra-se
CAPITULO I
ESTRUTURA CRISTALINA D O S I L I C I O E M A T E R I A I S SEMICONDUTORES
1.1 Estrutura Cristalina do Silcio
Chamamos de substncia
substncia cujos
tomos
estSo
cristalina,
dispostos
qualquer
regularmente
no
espao, ( fig.1.1.1 }
Na
figura
1.1.2
ilustramos
estrutura cristalina do silicio.

1.1.2 que os tomos
B,
C,
D,
Podese
e
uma
notar
formam
parte
pela
um
da
fig.
tetraedro
regular, com o tomo A exatamente no centro. Assim, o
tomo
A esta mesma distncia dos quatro tomos mais prximos

C, D,
E.
Estes
tomos
formam
entre
si
uma
B,
ligao
covalente, tambm chamada de ligao tetradrica neste caso,

possuindo uma profunda influncia sobre as propriedades
dos
materiais semicondutores.
1.2 Estados de Energia dos Eltrons em um Cristal
Os estados de
energia
dos
eltrons
cristal, em sua forma geral, extremamente
complexo,
em
um
pois
os eltrons, alm de serem atrados pelos ncleos dos tomos

que formam a rede cristalina,
eltrons.
Aplicando-se
so
repelidos
mecnica
quntica
pelos
para
outros
este
problema, a equao de schroedinger assume a forma.
<- 9
2m
s.
-2
y.
dz
E - V(r. )
= O eq. 1
J
V
'\,Na eq. 1 os indices i e

distinguir
as
oordenadas
dos
so
diferentes
usados
eltrons
para
e
somatrio se estende a todos os eltrons do cristal.
energia
potencial
V(r^J
pode
ser
g .
1 . 1 . 1 .
E s t r u t u r a
de
uma
s u b s t a n c i a
c r i s t a l i n a
ig.
1 . 1 . 2 .
D e s e n h o
e s q u e m t i c o
de
uma
l i g a o
t e t r a e d r
i ca
decomposta em dois termos, um que s depende da
posiSo
do
eltron i, V ( r ^ ) , e que corresponde energia potencial
do
eltron i no
do
campo
eltrico
cristal, e um segundo
dos
termo,
ncleos
dos
'â^'^j.j^*
tomos
corresponde
energia potencial do eltron i. no campo eltrico de todos
os
outros eltrons e que portanto depende da' posio
de
todos
os eltrons do cristal.
Desprezando
termo
V (r
2
da
energia
V J
potencial, a eq.l assume a forma

^
= O eq. 2
d'
2m
A soluo da equao 2 pode ser escrita sob a

forma [283:
., r
v/(
da
uso
) V<
? 3
..V(r
equao
eq.
implica
que
probabilidade de encontrar o eltron i no ponto i^^ |
depende apenas de r , isto , da coordenada do eltron i
em
relao a uma origem arbitrria . Desta forma a
de
equao
schroedinger se reduz a
E^- V(? )
2m
y^
z" J
= O
eq. 4
Onde V(r) o potencial no qual o eltron esta se movendo
potencial dos ncleos
dos tomos do cristal
serve para distinguir as
diferentes
) e o ndice
solues.
eq.4
se
aplica a qualquer eltron do cristal, isto , o somatrio da

equao 1 foi' ..transformado
idnticas,
q u a n d o
em
desprezamos
podemos estudar o movimento de
um
o
sistema
termo
cada
estivesse sozinho na rede cristalina.
eltron
de
r^.
como
equaes
>.
Assim
se
ele
Devido
ncleos em um cristal,
regularidade
o
potencial
da
disposio
V(r)
peridico
espao. Essa periodicidade da rede cristalina

restries . forma das solues da eq.4, que
dos
impSe
so
no
certas
expressas
pelo teorema de Bloch [283, [263 .
O potencial do eltron no campo de
um
tomo
ionizado dado por
V = - q^
onde r e a
eq.i.2.1
distancia entre o eltron e
ncleo
do
tomo
ionizado. Este potencial esta representado na fig.1.2.1
Considerando
um
"cristal
unidimensional",
isto , o conjunto formado por uma linha de tomos ionizados

e uma srie de eltrons, o potencial de qualquer
um
desses
eltrons no campo dos tomos ionizados esta representado

figura 1.2.2. Como para um potencial deste tipo nao
uma soluo analtica da equao
de
schroedinger,
na
existe
podese
substitui-lo por um potencial que, em certas condies ,

parece com o potencial do cristal, e para o qual
se
soluo
de schroedinger apresenta uma soluo simples. Nesse
modelo
mostrado na figura 1.2.3 e sugerido
Penney
por
Kroning
(1931), o potencial peridico consiste em um nmero infinito

de barreiras de potencial de
larguras
b,
com
regies
de
potencial zero de largura a entre as barreiras. A altura das

barreiras V .
o
A soluo deste potencial peridico diz que o
movimento dos eltrons em um cristal unidimensional s
acontecer em determinadas
faixas permitidas de
faixas
energia
faixas chamada^ de faixas
de
[283
proibidas
movimento dos eltrons muito
energia
[263.
de
atenuado
chamadas
Existem
energia,
e
pode
eles
de
outras
aonde
encontram
grande dificuldade para se propapagarem no cristal. Portanto

um eltron em um cristal s pode se propagar se sua
estiver dentro de uma das faixas permitidas.
energia
ig. 1 . 2 . 1 .
Energia
tomo
potencial
ionizado
de
um
e l t r o n
nas
vizinhanas
de
um
i g . l . E . 2 .
Energa
potencial
Unidimensional
dos
eletrons
no
interior
de
um
cristal
OJ
C
C
0)
Q.
<7i
C
c
o
.
to
Q.
O
-a
-
en
o
c
Q)
4J
(M
O
Q(
-O
>
O
>
O
0)
O
00
eu
1.2.1. Condutores, Isolantes e Semicondutores

Em um cristal, os eltrons
sempre
os
estados
de
menor
tendem
energia.
Assim
ocupar
as
faixas
permitidas mais baixas esto sempre cheias.
Se existir um nmero suficiente

no cristal para encher
completamente
um
de
certo
eltrons
nmero
de
faixas permitidas, deixando as outras vazias, os eltrons do

cristal quando submetidos
a um campo eltrico, nSo podem se
propagar, pois qualquer movimento
aumentaria
sua
energia,
colocando - os dentro da faixa proibida. Nesse caso
dizemos
que o cristal um isolante.
Se,
por
outro
lado,
parcialmente uma das faixas permitidas,

mover - se com facilidade sob a ao
enchem
os
de
apenas
eltrons
campos
passando para estados de energia ligeiramente
podem
eltricos,
maior.
Nesse
caso, o cristal pode ser um condutor, um semicondutor, ou um

semimetal.
Em
um
condutor,
as
faixas
permitidas
parcialmente cheias possuem um grande nmero de eltrons. Em

um semicondutor ou semimetal, as faixas parcialmente
possuem
um
pequeno
nmero
completamente cheias;
em
corrente menor
nos
que
de
ambos
eltrons
os
metais.
semicondutor e um semimetal que

absoluto um semicondutor
se
torna
casos
A
ou
estSo
quase
conduo
diferena
na
cheias
temperatura
isolante,
da
entre
do
um
zero
enquanto
um
semimetal continua a conduzir corrente.
1.2.2. Propriedades Bsicas dos Materials Semi Condutores
'\,A fig. 1.2.2.1 mostra as ligaes

dos tomos de silcio , em uma representao
covalentes
bidimensional,
atravs de segmentos de reta.
Como
os
eltrons
de
valncia
dos
semicondutores
formam
pares
covalentes,
eles
normalmente livres como no caso dos metais. Em
nSo
temperaturas
muito baixas, prximas do zero absoluto, em que as

covalentes se mantm praticamente
intactas,
ligaSes
cristal
comporta praticamente como um isolante. Entretanto

que a temperatura aumenta, algumas
ligaes
sSo
medida
covalentes
rompem, devido agitao trmica. Em conseqncia,
um
eltrons ficou livre para vagar por todo o cristal, e

um "vazio" em uma das ligaes covalentes do
se
se
dos
ficou
cristal.
Este
"vazio" chamado de lacuna.
Quando uma ligao covalente est
incompleta,
isto , quando existe um lacuna, o eltron do tomo

pode deixar sua
ligao
covalente
vir
vizinho
preencher
este
"vazio". Com isto, entretanto, o eltron deixa um buraco

sua posio original, que por sua vez
pode
ser
preenchido
por outro eltron. Assim um lacuna pode " caminhar " por
cristal, na direo contrria do
movimento
em
dos
um
eltrons
que procuram enche - lo.
Quando um semicondutor no
em
quantidades
propriedades,
intrnseco.
suficientes
dizemos
Em
um
que
para
se
contm
alterar
trata
de
impurezas
um
semicondutor .intrnseco
lhe
semicondutor
o
nmero
eltrons igual ao nmero de buracos. A adio de

quantidades de outras substncias
modificar consideravelmente
Essas
impurezas
podem
as
um
substituir
os
do
de
pequenas
semicondutor
propriedades
as
pode
material.
tomos
da
cristalina ( impurezas substitucionais ) ou ocupar
rede
posies
entre os tomos da rede ( impurezas intersticiais ) .
Na prtica as propriedades dos semicondutores

so controladas atravz da adio
concentraes
certas
em
impurezas
certos
elementos
pentavalentes { arsnio, fsforo, antimonio ) e
trivalentes
mais
medidas.
impurezas
As
substitucionais
cuidadosamente
de
usadas
so
( boro, alumnio, glio, ndio ) .
Analisando o caso em que acrescentamos
um
ig.
1 . 2 . 2 . 1 ,
R e p r e s e n t a c a o
b i d i m e n s i o n a l
de
um
c r i s t a l
de
s i l i c i o
semicondutor puro. ( o silicio ) , uma pequena quantidade
de
uma impureza pentavalente ( por exemplo, o fsforo ) ; alguns

tomos do fsforo ocupam o lugar dos tomos
do
silicio
no
cristal, ficando eltrons livres para vagar pelo cristal.
Como os tomos
das
impurezas
pentavalentes
cedem eltrons ao cristal, essas impurezas so

impurezas doadoras ou impurezas tipo N
inicial de negativa,
Os
dependem
letra
de
referindo se carga do eltron ) .
eltrons
livres
semicondutor so chamados de
As
chamadas
propriedades
fortemente
um
portadores.
eltricas
do
lacunas
seu
dos
contedo
condutividade o- devido s impurezas
em
semicondutores
de
impurezas.
um
semicondutor
dada pela expresso:

=
q N fj
eq. (1.2.2.1)
onde q^ a carga do eltron, N
ionizadas por unidade de volume
nmero
de
impurezas
mobilidade
dos
portadores de carga.
temperatura ambiente, a maioria das impurezas se
encontra ionizada, contribuindo para a condutividade
concentrao no ultrapassa a 5 x
Nestas
10***
tomos/cm^.
condii;;Ses a impureza ocupa um lugar substitucional
na
sua
rede
cristalina, ocupando a posi^So de um tomo de silicio.

1.2.3.
Problemas
na
EXopagem
do
Silicio
pelo
Mtodo
Convenci onal.
Para,modificar
silicio, uma certa
as
quantidade
caractersticas
de
originais
impurezas
do
adicionada
alterando a sua condutividade. Este processo denominado de

'
. i i:(
ii.; '
vimos anteriormente, denominado
ipa;.
; : "5,
semicondutor
IO
intrnseco.
Assim, para poder ser utilizado na confeco de dispositivos

eletrnicos, o silcio precisa ser convenientemente
uma vez que o monocristal de silicio intrnseco
resistividade muito alta, maior do que 200
do
processo
de
crescimento
do
dopado,
possui
Ocm,
uma
dependendo
monocristal,
nSo
sendo
adequado para a passagem de corrente eltricase a impureza dopante acrescentada ao silicio

da familia III-A
da
tabela
peridica,
for
semicondutor
designado como sendo do tipo P, pois sua condutividade

predominantemente devida ao
excesso
portadores positivos de carga.
de
Neste
buracos,
caso
as
ser
que
so
lacunas
buracos so chamados portadores majoritrios e
os
ou
eltrons
da banda de conduo, portadores minoritrios. O dopante
no
caso chamado de receptor.
Agora, se a impureza dopante pertencer

V-A, o semicondutor resultante
tipo N, e
sua
condutividade
designado
ser
como
devida
ao
familia
sendo
do
excesso
de
eltrons que so portadores negativos de carga, sendo

agora,
os
portadores
majoritrios
as
estes
lacunas,
portadores minoritrios. A impureza dopante
os
chamada
de
doadora.
No mtodo tradicional, a dopagem feita por
da incorporao-de uma pequena
quantidade
ordem de ppba) no
fundio
monocristal
elementos mais
estgio
mtodos
de
Czochralski
comumente
adotados
ou
do
e
dopante
crescimento
Float
como
meio
zone
dopantes
(da
do
).
Os
para
silicio so o Boro (que produz um semicondutor do tipo P)
e^
o Fsforo (que produz um semicondutor do tipo N ) .

O Boro possui um coeficiente de segregao (que
um parmetro que fornece a razo
entre
concentrao
da
impureza na fase slida e na fase fundida) prximo de 0.8, o

que faz com que le apresente uma boa difuso
ao
longo
do
cristal de silicio, produzindo uma dopagem uniforme.

Na
dopagem
do
monocristal
de
Si
com
P,
obtemos
uma
resistividade
r i-tT
maior
prximo
borda
no ; ontro, j que o fsforo
ntxa
tende
concentrar na fase liquida, devido ao seu baixo
haver
outro'
elemento
tipo N com coeficiente de distribuio maior

fsforo, os semicondutores do tipo
so
pelos doadores de carga (eltrons). Como
os
mais
adequado
dopante
que
dos
buracos,
-z construo
dispositivos de potncia. Mas a grande variao
na
corrente
aplicados
estes
principalmente em dispositivos de grande
o
de
dopagem
em diferentes pontos do silicio tipo N limita os valores

voltagem
do
responsveis
dos
para
muito
mobilidade
eltrons muito maior do que a mobilidade

silicio do tipo N
do
se
coeficiente
de distribuio ( aproximadamente 0.35 ) . Este fato

negativo, pois, alm de no
do
da
dispositivos,
volume,
reduzindo
muito o desempenho e a durabilidade destes.
Alguns procedimentos de
cristais
foram
desenvolvidos
tentando
crescimento
compensar
dificuldades. Bradshaw e Mlavsky C3] fizeram
de
estas
puxamentos
de
cristais de Si dopando-o com fsforo num processo de fuso a

vcuo, aonde usou - se a
razo
de
evaporao
do
durante a fuso, por compensao do aumento de
fsforo
concentrao
do fsforo, causado pela segregao.
Podemos encontrar
ainda
na
outros mtodos e - procedimentos de crescimento
literatura
de
cristais
tentando solucionar este problema [3D. Contudo tais

necessitam de rigorosos controles simultneos dos
cinticos,
incluindo
evaporao,
segregao,
mtodos
processos
reaSes
liquido - vapor.
O mtodo mais prAtico e eficiente de dopar o
cristal
de
Si
transmutao
puramente
com
com
nuclear.
nutrons
Esta
mtodo
),
baseado
tcnica
semicondutores d tipo N com variaSes

valores da resistividade do
NTD,
cristal
em
de
dopagem
um
processo
dopagem
muito
produz
pequenas
dopado. As
por
nos
aplicaSes
nas quais o silicio NTD pode ser utilizado com vantagens

relao ao silcio dopado pelo mtodo convencional so :
em
Na
confeco
de
retificadores
tiristores de alta potncia com grande volume para

altas voltagens. Para transmisso de energia
longas distncias, os circuitos
de
suportar
eltrica
retificao
e
para
podem
ser
construidos com uro nmero menor de tiristores feitos com

NTD, de tal modo que o sistema se
torne
mais
Si
eficiente
barato.
-O silicio NTD permite que de uma

lmina
ou
lote
componentes
de
lminas
idnticos
resistividade. Tal fato

silicio
NTD
na
com
sejam
as
tem
indstria
construidos
mesmas
feito
mesma
vrios
caractersticas
que
as
aplicaes
automobilstica,
por
por
do
exemplo,
aumentem consideravelmente, pois no caso de defeitos

conveniente substituir uma placa eletrnica
de
outra
mais
com
componentes idnticos.
-Microcomputadores,
vem usando cada
vez
mais
componentes
televisores,
com
etc,
resistividades
idnticas feitos com silcio NTD.
1.3. Mercado do Silcio
Em 1955 iniciou-se o
uso
de
eletrnico em dispositivos semicondutores,
silcio
tendo
em
grau
vista
suas propriedades adequadas, abundncia e baixo custo, o que

revolucionou o padro de produSo e consumo.
Com o rpido
desenvolvimento
da
tecnologia
dos circuitos integrados e, portanto da microeletrnica, e a

rpida expanso do campo de aplicao dos mesmos a partir da
dcada de 70^'o
uso do silcio
tem crescido muito
como
rapidamente.
material
silcio
semicondutor
monocristalino
grau eletrnico , portanto, utilizado na grande maioria dos

dispositivos
integrados
eltricos
para
eletrnicos,
computadores
desde
circuitos
microprocessadores
at
retificadores de grande volume para alta tenso.

A produo mundial de silicio grau eletrnico
policristalino localiza-se
EUA,
Japo
toneladas
em
1988.
aumento da capacidade de produo foi da ordem
de
170%
Europa, sendo da
ordem
basicamente
de
12.000
nos
de
1983 a 1989 C243.
No
silicio
empresas
grau
Brasil
ainda
eletrnico
brasileiras
existe
policristalino.
atuam
processamento de laminas
confeco de
no
nas
de
dispositivos
produo
Apenas
diversas
silicio,
discretos
que
poucas
etapas
so
usadas
(diodos,
de
do
na
tiristores,
clulas solares, etc.) e ?-ircuitos integrados.
Atualmente, a empresa
Heliodin&mica
de
So
Paulo a nica que importa cerca de 40 toneladas por ano de

silicio
policristalino
grau
eletrnico
monocristais de silicio, que
so
para
cortados
em
maior parte destas lminas destinada para

clulas solares pela prpria empresa e
produzir
lminas.
produo
resto
A
de
vendido
para a indstria de microeletrnica [93.

A maior
parte
do , silicio
grau
eletrnico
consumido no Brasil est embutida em produtos finais que so

importados, tais como, dispositivos
discretos
circuitos
integrados. Em 1988, o montante desta importao alcanou
cifra de US* 500 milheSes [243.
1.4. Crescimento de Monocristais de Silicio
At poder ser usado na confeco
de
dispositivos
semicondutores, o silicio precisa passar por diversas etapas

de processamento. A primeira delas a obteno
grau metalrgico a partir do
quartzo
(grau
de
do
silicio
pureza
da
ordem de 98 a 9 9 % ) . A
seguir,
silicio
grau
(grau de pureza da ordem de 99,999999999%)

meio da purificao da
triclorosilana
eletrnico
obtido
(SiHCl^).
por
figura
1.4.1 mostra, esquematicamente, as operaes mais relevantes

do processo de
obteno
do
silicio
grau
eletrnico.
Inicialmente o silicio de grau metalrgico reage com cloreto

de hidrognio anidro em um reator de leito
produzir
uma
mistura
essencialmente
de
fluidizado
clorosilanas.
de triclorosilana (TCS)
silcio condensada e destilada para
Essa
para
mistura,
tetracloreto
remover
de
impurezas
separar subprodutos. G silicio de pureza eletrnica obtido

a partir da
triclorosilana
reduo, com hidrognio, em

entre 1000 e llOO'^C. Na
limites mximos
para
purificada
em
um
tabela
os
reator
1.4.1
contedos
uma
uma
esto
de
reao
de
temperatura
listados
impurezas
os
para
silcio grau eletrnico.
TABELA 1.4.1 - Requisitos de pureza para o Silicio
QE
ELEMENTOS
TEOR (ppba)
1
1
1 Elementos do grupo III
1 Elementos do grupo V
< 1,5
1 Metis pesados
<
<
<
<
1 Carbono
I Oxignio
Outros elementos
0,1
300
50
0,001
etapa
seguinte
consiste
monocristal de silicio a partir
do
em
dois
mtodos
de
se
silicio
grau eletrnico em fornos apropriados. No

so usados
0,3
<
crescimento
obter
policristalino
caso
do
do
silcio
monocristal:
SILICIO
GRAU
METALRGICO
F o r n o
cao
d e
SiO^ + 2C
Si + 2C0
( s)
( 1)
( s )
( g )
r e d u
a r c o
TRICLOROSILANA
Si
(TCS)
R e a t o r
+ 3HC1
( s)
d e
-> SiHCl
+H
3
( g )
(g)
2
(g)
lelto
f l u l d l z a d o
PURIFICAO
DA
T R I C L O R O S II ANA
c o l u n a s
d e
Si HCl.
Si HCl
( 1 )
(g)
des-
t i l a o
DEPOSIO
LICIO
DO S I -
GRAU
ELE -
Si HCl + H
3
(g)
Si + 3HC1
2
(g)
( s)
TRONICO
R e a t o r
t i p o
d e p o s i o
da
f a s e
d e
U
partir
vapor
Fig.1.4.1. Principais etapas do processo de obteno do Si

grau eletrnico
cowiscAc r:;,c:cf:;L ce cnl-rga n u c l e a r / s p - 1PE8
( g )
mtodo "Czochralski" ( Cz ) e mtodo "Float Zone" ( Fz ) .

No
mtodo
Cz,
pedaos
policristalino so colocados dentro

quartzo
que
aquecido
por
de
um
de
um
aquecedor
silcio
cadinho
de
resistivo
de
grafite de alta pureza. Todo este sistema isolado
e,
vez alcanada a fuso do silcio,
pequena
mergulha-se
uma
uma
semente de monocristal de silcio orientado na superfcie do

silcio fundido. medida que a semente vai sendo levantada,
o silcio fundido vai se cristalizando ao seu redor formando
o monocristal. O dimetro do monocristal pode
pela velocidade de
puxamento
controle
ser
da
ajustado
temperatura.
Usualmente a semente e o cadinho giram em direes

durante
crescimento,
para
homogenizar
opostas,
campo
de
processo
mantida uma atmosfera de argnio na cmara de
puxamento.
figura
puxador
temperaturas na fase lquida.

1.4.2,
mostra
Durante
todo
esquematicamente,
um
tipo
Czochralski.
No mtodo
"Float
Zone",
uma
barra
de
silcio
policristalina suportada verticalmente aquecida e
fundida
localmente, por zonas, por meio de uma bobina aquecedora
de
radio-frequncia que se desloca lentamente ao longo da barra

partindo da
extremidade
movimentao desta
onde
bobina
se. encontra
de
RF
estabelece
semente.
a
estrutura
cristalina da semente ao mesmo tempo que purifica o silcio.

Movendo
repetidas
vezes
bobina
pelo
monocristal
silcio, consegue-se atingir resistividades muito
elevadas,
da ordem de 10 k^cm. A figura 1.4.3, mostra o arranjo

de Si - monocristal -
semente,
usado
no
figura 1.4.4, esquematiza um equipamento
processo
para
de
barra
FZ.
obteno
A
de
silicio monocristalino pelo processo FZ.
Os monocristais de silcio crescidos
pelo
mtodo
CZ apresentam'\a, desvantagem de incorporar oxignio do

de silcio presente no
quartzo
do
aquecedor resistivo, enquanto que

apresentam este problema
pois
no
cadinho
os
carbono
monocristais
ficam
em
xido
do
FZ
no
contato
com
nenhum outro material durante o crescimento. Outra
vantagem
_suporte
.
da
semente
semente
pescoo
cr f s t a I
escudo
t erm i c o
externo
ai I U i o
T un d I do
SU SC p t D r
de
grafite
t equecedor
grafite
C3
,
escudos
cmara trmicos
r e t r i gerada
a ag ua
Fig.
1.4.2.
E s q u e m a d e um p u x a d o r
t ~
L b a s e
e I e t r oao
Czochralski.
< 1
barra
Si-poli
11
_Y<\
bobina
RF
T^^t^N-^
c I r c u I a c
ao
monocristal
de
agua
de- s i I i c i o
pescoo
s eme n t e
F i g . 1 . 4 . 3.
Desenho
esquemtico
policristalino;
semente,
durante
o
o
ilustrando
monocristal
pji o c e s s o
Fz.
uma
sendo
barra
de
formado
Si
e
dos monocrlstais FZ o fato de que durante o crescimento do

monocristal, as impurezas presentes no silicio migram
uma
das
extremidades,
ali
se
concentrando.
crescimento podemos descartar esta
extremidade
para
Aps
obtendo
um
monocristal com pureza bastante elevada.
CAPITULO II
DOPAGEM DO SILICIO PELA TRANSMUTASO COM NEUTRONS: TCNICA E
METODOLOGIA.
II.l. IntroducSo
mtodo de dopagem do silicio
pela
transmutao
com neutrons, mtodo NTD, consiste basicamente na irradiao

do cristal de silicio com
neutrons
baixa energia, tipicamente da
trmicos
ordem
de
(neutrons
0,025
eV)
em
de
um
reator nuclear.
Em 1951 Lark-Horowitz C22], sugeriu, pela primeira

vez, que o mtodo NTD
podia
ser
usado
para
controlar
dopagem em cristais de silicio. Em 1961, Tanenbaum

[37],
fizeram
primeira
experincia
detalhada
Mills
com
objetivo de produzir silcio dopado homogeneamente. Nos anos

seguintes a tcnica
foi
deixada
devido ao custo de produo ser

tradicional.
Com
de
maior
desenvolvimento
lado,
do
do
principalmente
que
na
tcnica
crescimento
de
monocristais de dimetros maiores pelo mtodo float zone, no

inicio da dcada de 70, ficou evidente a necessidade de
uma
dopagem mais homognea. Alm disto, o aumento das exigncias

para
um
melhor
desempenho
dos
eletro-eletrnicos por um lado, e o aumento na

produtos
mais
econmicos
por
outro
lado,
dispositivos
demanda
por
culminou
na
M a c a n i smo d e
r o t ac a o
ig
J3
Barra
Zona
de S i
Policristalino
Fundida
Bobina
de RF
Cr i st aI
S eme n t e
Mecanismo
de
des I o c a m e n t e
Me can
smo
rotacao
de
vertical
da
seme n t e
Fig.
1.4.4.
Esquema
de
monocristais
um
pelo
forno
mtodo
para
Float
crescimento
Zone.
de
redescoberta da dopagem de silicio pelo mtodo NTD, a partir

de i973 C31],C193.
A partir do final da dcada de 70 surgiram artigos
'U-
. : iSo : - - r :
-no
'\
r r'.-re'ncxa
realizadas conferencias especificas
sobre
[13]
foram
silicio
NTD,
cujos anais [ 8 ] , [12], e [18] alm de informar os progressos

conseguidos nas
diversas
instituies
que
se
dedicam
estudar o silicio NTD, contm artigos de reviso muito bons.

liais recentemente, foi
publicado
um
trabalho
que
relata
todos os aspectos da irradiao de silicio em Harwell [ 7 ] .
O mtodo est baseado nos fenmenos
nucleares
de
captura de um neutron por um determinado elemento qumico
consequente transmutao do elemento resultante em outro por

30
meio da emisso de uma partcula beta. Assim, o istopo Si
que est presente numa abundncia de 3,05% no silicio
natural, captura um neutron
trmico e forma o istopo
31
radioativo S i .
e
se
Este, por sua vez, emite uma partcula
transmuta
no
istopo
estvel
beta
P^^,substituindo,
portanto, tomos de silicio por tomos de fsforo
ao
de todo o cristal. A reao
pode
bsica
do
processo
longo
ser
esquematizada por:
Si^^^
Si^^-^!
.
P^^
T
= 2,62 h
eq.2.1
1/2
Portanto, irradiandose o cristal com nutrons
de
uma forma homognea, pode-se produzir um semicondutor tipo N

com dopagem bem homognea.
II. 2.
Consideraes
Gerais
sobre
Reaes
Nucleares
no
Processo NTD.
''\,ps nutrons so
comumente
classificados
em
funo da energia, da seguinte maneira:

-
nutrons
trmicos:
as
fontes de nutrons trmicos so os reatores
mais
importantes
nucleares,
nos
quais esses nutrons sSo aqueles que,

durante
processo
de
moderao,
aps
perder
atingem
trmico com os ncleos do meio. Apresentam uma

de velocidades
prxima
uma
maxwelliana
energia
equilibrio
distribuio
abrangendo
um
intervalo de energia de 10 * eV a 1 eV.
-nutrons intermedirios: so os nutrons que

ainda se encontram no processo
categoria
os
nutrons
com
de
moderao;
energias
esto
nessa
compreendidas
no
intervalo de 1 eV at lOO keV.

-nutrons
rpidos:
so
os
nutrons
recm
produzidos na fisso e que ainda no iniciaram o processo de

moderao. So considerados
nutrons
rpidos
aqueles
com
energias entre lOO keV a 10 MeV.

II.2.1. ReaSes Nucleares Induzidas pelos Nutrons.
Existem outras possveis
reaSes
na tcnica NTD, que ocorrem paralelamente
nucleares,
reao
nuclear
da eq. 2.1, quando uma amostra de cristal de Si est exposta

a
um fluxo de nutrons.
Algumas destas outras reaes podem
produtos indesejveis e conseqentemente
produzir
colocar
em
todo o propsito do experimento, que a dopagem do
xeque
Si
com
fsforo.
Na tabela 2.1 esto apresentados as possveis
reaSes entre nutrons e os istopos de Si estveis; Si^
abundncia natural 72.27% ) , Si^"* ( abundncia natural
), Si^ ( abundncia natural 3,05% ) . ReaSes com P^*
so consideradas. Na tabela 2.2 e
tabela
2.2.1,
suas respectivas secSes de choque, c, e a
meia
4.68%
tambm
mostramos
vida
para
decaimento, T'.., ,
Nota-se pela tab.2.1
I I . 3 , II.7 e II.8, apenas alteram as
que
as
razSes
reaSes
II.2,
isotpicas.
reao II.4 a reao responsvel pela dopagem do
silcio.
As reaSes II.5, II.9 e 11.17, levam-nos

doador P^*,
e a reaiCo II. 5 em
particular,
aniquilaSo
criao
do
de
Tabela 2.1. Possveis reaes nucleares entre nutrons e os

istopos de Si e P.
Reaes ( n.r ):
Si^" ( n,r
) Si^**
( II.2 )
Si^** ( n,r
) Si^**
( II.3 )
Si^ (
) Si^*
P^*
n,r
) P"
n,r
P^* ^ if
( II.4 )
,3 2
( II.5 )
Reaes ( n,2n ) :
Si^" ( n,2n ) Si*'
Al"
( II.6 )
^ft-
Si^** ( n,2n
) Si*"
( II.7 )
Si^ ( n,2n
) Si***
( II.8 )
P^* ( n,2n ) P^'* -.31^
( 11.9 )
Reaes ( n, p ) :
Si*"
n. P
Al*" . Si*" +
11.10
Si***
nj P
Al*"* . Si*** +
11.11
11.12
n. P ) Al^
P^' ( n, p ) Si^*
Si"
+ nt~
Si"'
( 11.13 )
Reaes ( n, cx ) s
Si*" ( n, o( ) Mg***
i 11.14 )
Si^** ( n, ot ) Mg^*
Si^ ( n,
P"*
( n,
a
a
) Mg*'
) Al*"
( 11.15 )
Al
Si
2 7
( 11.16 )
2B
( 11.17 )
Tabela 2.2. Dados nucleares dos istopos de Si, P e 0^.[19], [29]
reao ( n,
cy*(barns)
Si*"
0,08
0,03
Si***
0,28
0,09
Si"
0,11
32
0,20
reao ( n, 2n )
^1/2
0,02
14,3d
E (meV)
17,4
10,6
2,55
12,6
126s
17,3
4,2
29s
A seco de choque listada para a

nutrons trmicos.
^1/2
8,7
2,62h
0,00021
<y (barns)
4,92a
0,01
0'"
8,0
reao
para
Tabela 2.2.1. Dados nucleares dos istopos de Si, P e O^.C193, C293
rea^^So ( n, )
rea^So ( n, p )
o-barns) T^^^
E (Mev)
a (barns)
"^1/2
E (Mev)
Si*"
0,004
2,3m
4,0
2,7
Si***
0,10
6,6m
3,3
0,04
Si"
32
P
0^'
0*"
0,77
2,62h
0,97
0,05
7,38s
10,2
4,14s
8,1
0,00017
9,45m
4,2
0,15
2,27m
0,91
2,2
0,25 - 0,15
5500a
2,3s
trmica
Pela tabela 2.2, vemos que a

para a reao II.5 cerca de duas
seco
vezes
maior
de
que
choque
a
da
reao II.4.
Porm
C S^* ] ^ C P^* ]
C P=* 3
eq. ( 2.2 )
C Si^ :
Onde
os
colchetes,
1,
significam
con cen trao.

Logo,
para
uma
irradiao
com
neutrons,
suficiente para transmutar 10^' tomos de Si^ em tomos

P^*, a quantidade de P^* destruida
equivalente
de
5.9
10^*. Isto obviamente insignificante. A quantidade de

destruida equivalente quantidade
de
esta concentrao, por sua vez, no
P^*
s " * produzida,
afeta
as
propriedades
eltricas em niveis de resistividade e tempo de vida
usuais
dos dispositivos semicondutores.

O efeito mais problemtico da reao II.5 a
gerao da atividade no monocristal de Si durante um periodo
de tempo relativamente longo, com a emisso de partculas ft
pelos ncleos dos tomos de P^* que possui uma meia vida
14.22
dias.
atividade
proporcional ao volume
do
total,
Si,
naturalmente,
manuseio
de
de
ser
grandes
quantidades necessita de consideraes especiais.

As
reaes
(n,?')
da
tabela
2.1
podem ocorrer com neutrons trmicos. As reaes com neutrons

de maior energia, so as reaes, ( n, 2n ) , ( n, p ) e
n,
) .
'\,As reaes II.6 e 11.16, seriam problemticas

se ocorressem numa mdia comparvel
produz P^*, pois, isto poderia
da
resultar
contribuir para a produo de Si tipo - p
reao
em
ao
II.4
compensao
invz
do
que
e
Si
tipo N. Porm, os resultados obtidos no presente trabalho.
no
indicam
nenhum
indicio
de
Si
tipo-p
nas
amostras
irradiadas.
As reaSes II.IO, 11.11, 11.12 e tambm 11.13
nSo produzem qualquer tipo de alterao.
Quanto
reaSes
11.14
11.15,
se
existissem, seria necessrio uma anlise mais profunda sobre

sua concentrao e possveis implicaes,
uma
vez
propriedades eltricas do Mg so desconhecidas, o

ao carter do presente trabalho. Contudo,
documentado na literatura
com
respeito
no
a
que
as
que
foge
existe
nada
implicaes
do
elemento Mg devido ao mtodo NTD.

Para o silicio
crescido
importante considerar o efeito do
pelo
mtodo
Cz
dissolvido no Si. Estas
consideraes no so importantes para o
Si
crescido
pelo
mtodo floatzone.
As reaes que devem ser consideradas para
Si crescido pelo mtodo Cz esto apresentadas na tab.2.3.
Tabela 2.3. Possveis reaSes nucleares entre nutrons e

istopos de O
reaSes (n, )
(11.18)
0*'( n,r
n,r
) 0*"
(11.19)
(11.20)
o'**
reaSes (n.p)
n,p
) N***
(11.21)
(n,p ) N
n,p ) N * "
(11.22)
^ O*" +
(11.23)
reaSes (n,a)
n.a ) C*"
(11.24)
0*'( n,a ) C**
(11.25)
) C*'*
(11.26)
G'"( n.a
reaes (n,2n)
n,2n )
(11.27)
n,2n-.) ,
(11.28)
n,2n
(11.29)
) *'
os
As
reaSes
11.18,
11.19,
somente alteram a razo isotpica do
11.28,
oxignio.
11.21, II 22, e provavelmente 11.23 no
As
produzem
As reaSes 11.24, 11.26, e 11.27 provavelmente

de
nutrons
com
energias
acima
de
'5
portanto relevantes suas consideraes
11.29
reaSes
mudanas.
necessitaro
tiev,
no
no
sendo
do
reator
caso
IEAR-1.
A reao
11.25
pode
trmicos. Como a meia vida do C^*
bem
principal desta reao a produo

11.20 tambm ocorre com nutrons
ocorrer
com
longa,
de
carbono.
trmicos
mas
nutrons
o
efeito
reao
possui
uma
seo de choque extremamente pequena. Entretanto , desde que

a concentrao de oxignio no exceda 10^" t/cc, e como
abundancias O^'
poderemos esperar que
so
a
0,04%
frao
reao II 1.20 seja cerca
de
0,20%,
de
respectivamente,
flor
10~** da
produzido
frao
de
pela
seja
produzidos.
da
quantidades de
frao
de
impurezas
fsforos
so
reao
completamente
Portanto, cristais de Bi contendo cerca de
pela
fsforos
produzidos, e a frao de C^^ produzido

IO '
as
11.25
Estas
desprezveis.
10^"
tomos
de
oxignio por cm^ podem ser irradiados com segurana.

Podese concluir a , partir
desta
discusso,
que as reaSes nucleares paralelas que podem ocorrer
quando
um tarugo de silcio irradiado
reator
com
nutrons
num
nuclear, no prejudicam o processo principal que a dopagem

do silicio com fsforo. Entretanto deve ser enfatizado,
outros efeitos
como
cristalina
silicio,
do
por
exemplo
os
estrutura
da
irradiao, no so totalmente desprezveis e podem at
ser
sucesso
do
em
na
conseqncia
um fator decisivo para o
produzidos
danos
que
processo
NTD.
Estes
efeitos sero discutidos posteriormente, no sub-tem II.4.

II.3. Relao'fntre Dose De Nutrons e Resistividade
possvel estabelecer uma relao emprica
a resistividade final que
nutrons
necessria,
que
se
deseja
leva
em
obter
conta
e
os
entre
dose
de
parmetros
nucleares do reator envolvidos no processo de irradiao.

De
acordo
com
equao
1.2.2.1,
se
um
semicondutor tem uma densidade de n eltrons de conduo e p

lacunas por unidade de volume, sua
condutividade
pode
ser
expressa por:
a
^J^yin
+ A^^p)
(Q.cm)"*
eq. (2.3.1)
Onde:
q^ a carga do eltron = 1,6 x 10~*** Coulomb

/j^ a mobilidade dos eltrons
de
conduo
expressa em cm*/V.s.
a mobilidade das lacunas.
As mobilidades relacionam a velocidade de
dos portadores de carga com a intensidade do campo
aplicado. Ambas so constantes que
podem
ser
arrasto
eltrico
determinadas
experimentalmente e so da oi
ordem de 1396 cm*/V.s para o Si e
temperatura ambiente C27].
No
caso
especifico
do
silicio
NTD
que
material semicondutor do tipo N, tem-se que n >> p,
um
de
tal
forma que a eq. (3.1) se reduz a:

o'
q/un
e
A resistividade
eq. (2.3.2)
inverso
da
condutividade,
assim temse:
p
onde
densidade de
3
concentrao de P
eq. (2.3.3)
I/CA^P^
eltrons
foi
substituida
pela
, C (tomos/cm ) , uma vez que cada
tomo
de fsforo fornece um eltron de conduo para a rede.

A concentrao
concentrao
inicial
final
presente
de
no
fsforo
ser
material
igual
antes
da
irradiao mais a concentrao introduzida
pela
irradiao
pelo processo NTD:

eq.(2.3.4)
NTD
Por
outro
lado,
concentrao
fsforo introduzidos pela irradiao
com
pela frao de tomos de Si^
por
capturam um
durante
neutron
trmico
de
tomos
neutrons
unidade
de
todo
de
dada
volume
que
periodo
de
irradiao t:
C
N & <p t
o
NTD
eq.(2.3.5)
c
. 3 0
onde N
a densidade numd.îca de tomos de Si
presente na
amostra e pode ser facilmente calculada considerando
que
densidade do Si 2.33 g/cm^, sua frao isotpica

de
3.057. e a massa atmica de 28.086. Assim, N
1.544
10
atamos/cm . Temse ainda, na equao (2.3.5) que c
<^
seco de choque de captura de neutrons trmicos
fluxo de neutrons que incide sobre o cristal.

Combinando-se
as
equaes
(2.3.3),
(2.3.4)
(2.3.5), obtmse:
^.t
eq.(2.3.6 )
N c u q
o
e
Como o fator fora das chaves na

aproximadamente
estabelecer uma
uma
constante,
relao
entre
relao
pode-se
dose
de
acima
finalmente
neutrons
resistividade do material apts a irradiao:

eq.(2.3.7)
1-
onde a constante k = 1/(N a /j q ) pode ser calculada uma

o
conhecidos u
e cr .
vez
o valor de a
0.11 e
situa-se entre
0.13
barns
segundo
relata
referncia
[123. O
valor
caracterstico de cada reator e depende
se
nutrons bastante termalizado, ou se exibe

significativa
de
nutrons
rpidos
experimentalmente
na
posio
deve
em
que
espectro
de
uma
ou' em
termalizao. Portanto, o valor de
exato
proporo
processo
ser
de
determinado
so
feitas
as
irradiaSes.
Esta determinao
tcnica de ativao
amostras
dissolver
de
a
por
silicio
pode
ser
nutrons,
na
posio
feita
por
meio
irradiandose
de
da
pequenas
irradiao
aps
amostra, mede-se a atividade fi absoluta em
um
contador do tipo 4TT.

Outra forma de se determinar o valor de
meio da equao
Tendo-se o valor
por
da
resistividade
inicial, aps terem sido realizadas um nmero
significativo
( 2 . 3 . 6 ) .
de irradiaes e medidas as resistividades
finais,
pode-se
fazer um tratamento estatstico dos dados para se determinar

um valor mdio de c [ 7 3 .
c
Para se usar a equao
(2.3.7),
que
estabelece
relao dose de nutrons >; resistividade final, devese
a
ter
uma medida precisa da dose total de nutrons ^.t. Para tanto

necessria uma* monitorao constante do fluxo de
nutrons
na posio de irradiao. O monitor deve, portanto,

dimenses reduzidas, uma vez
que
espao
ser
de
disponvel
na
posio de irradiao, em geral, muito limitado. O monitor

mais usado do tipo SPND, "self-powered neutron
detector",
devido s vantagens de ter um baixo custo, tamanho
reduzido
e necessitar de uma eletrnica bastante simples. No entanto,

o monitor do tipo SPND permite apenas medidas
fluxo de nutrons, sendo ideais para controlar
irradiao
d, cristal,
necessitando
relativas
o
portanto
tempo
de
do
de
uma
calibrao adequada.
Para
se
ter
um
controle
de
qualidade
eficiente, a dose de neutrons recebida pelo cristal
mais
durante
a irradiao deve ser medida com preciso. Um
mtodo
ideal
para este tipo de medida o da tcnica de ativao , usando

fios de cobalto. Os fios de cobalto so irradiados Junto com
os cristais, assim, aps a irradiao
medese
atividade
dos fios e determina-se a dose de neutrons <f>.t.
II.4
Danos Causados pela Irradiao
Tratamento
Trmico
ps Irradiao.
Aps
irradiao,
cristal
apresentase com vrios danos em sua

ReaSes de espalhamento
por
estrutura
nutrons
deslocamento dos tomos de silicio
de
cristalina.
rpidos
das
provocam
posiSes
ocupariam numa rede cristalina perfeita e, no

tomos
altamente
desordenados.
dos
recuo quando da captura de nutrons
trmicos.
tomos
dopagem por transmutao sempre ir introduzir

funcionam como
armadilhas,
de
de
silicio.
aprisionando
uma
grupos
efeito,
devido
ao
Portanto,
defeitos
de
Estes
os
eles
de
este
acrescenta-se sempre o deslocamento
modo significativo no cristal
que
caso
alta transferncia de energia, ocorre a formao

de
silicio
defeitos
eltrons.
seja, a deteriorao da estrutura do crista] resulta em
Ou
uma
variao significativa das suas propriedades eltricas.

No h ainda um consenso de qual o
mais adequado para
entre
os
tratamento
procedimentos
diversos autores deve
trmico.
considerados
ter
sua
como
origem
nas
procedimento
discrepncia
ideais
pelos
diferenas
de
qualidade dos cristais antes da dopagem e nas diferenas
de
condies de irradiao.
Est estabelecido que temperaturas baixas no
so
convenientes -[36D. tratamento trmico realizado abaixo
de
550 '^C pode introduzir
de
uma
tomos de oxignio que so
concentrao
"doadores".
siqnificativa
Outro
fato
aue
temperaturas menores do que aproximadamente 650 C
no
so
suficientes para remover os defeitos
na
rede
introduzidos
800
''c,
quanto
pela irradiao. Temperaturas mais altas, acima de

devem ser
utilizadas
impurezas,
pois
com
acima
extremas
desta
precaues
temperatura,
os
elementos
metlicos se difundem com muita facilidade no silicio.

Um parmetro muito importante para se
0
tratamento trmico mais adequado
Quanto
mais
baixa
esta
razo,
temperatura, pois um nmero maior
razo
maior
de
estabelecer
de
cdmio.
deve
nutrons
ser
rpidos ir
provocar mais defeitos.

II. 5 . Medio da Resistividade nas lminas de Si
Aps o tratamento trmico as
lminas
irradiadas submetemse medida de resistividade.
de
Si
medida
de resistividade a mais fundamental das medidas de
rotina
que comumentemente so feitas
em
cristais
semicondutores.
Basicamente estas medidas so feitas, fazendose passar

corrente
de
medindo-se
valor
uma
bem
queda
conhecido
de
atravz
voltagem
da
entre
uma
amostra
dois
pontos
separados, a uma distncia conhecida.
Existem dois mtodos de se medir

de materiais semicondutores.
Um , mtodo
resistividade
muito
preciso
aplicar um potencial transversal na amostra, realizando
uma
srie de medidas* potenciomtricas da queda de voltagem entre

uma ponta de contato fixa e uma mvel. A
mvel permite
pequenos
movimentos
normalmente de O.5 mm ou 1.0 mm. Um
ao
ponta
longo
desenho
de
da
contato
amostra,
eaquemtico
ilustrado na figura 2.5.1.

Como
podemos
observar
pela
fig.
se
distncia entre as pontas de contato for aumentada de x a
Ax, a variao da resistncia AR do parte da
2.5.1,
amostra
situase entra, j< e x + Ax somada resistncia R da
que
parte
entre O e x. Ento, se a corrente fluindo sobre a amostra

1 e se a mudana de potencial AV verificada no
o
potencial
entre a ponta fixa e a mvel acompanhando a mudana Ax, pela

definio de resistividade:
cabo
suporte
move I
g . 2 . 5 . 1 .
de
corrente
para
Desenho
esquemtico
amostras
de
Si
de
pelo
um
aparelho
mtodo
do
de
medir
p o t e n c i a l
pot.
{ - )
r e s i s t i v i d a d e
t r a n s v e r s a l
de
AR = AV = pAx
I
A
o
eq.(2.5.1)
Onde A a seco transversal da amostra. Resolvendo para

p, vemos que
p = A AV
I Ax
o
eq.(2.5.2)
Representa a resistividade do material entre x e x

Ax,
Fazendo uma srie de medidas levando
mudana do potencial AV
possvel
chegar
em
em
uma
funo
do
em
Ax,
espaamento
determinao
experimental
resistividade como funo da distncia ao longo da

Um grfico representando estas medidas
conta
de
da
amostra.
resistividade
denominado perfil de resistividade da amostra.

O outro mtodo
chamado de mtodo 4 pontas.
usado
Este
no
presente
mtodo
trabalho
mais
prtico,
porm menos preciso que o anterior e usado
para
controle
de especificaes de materiais em dispositivos de
processos
de fabricao. Nesse mtodo, 4 pontas equidistantes tocam

superfcie da amostra, conforme ilustrado na fig.2.5.2 .
duas pontas
externas
so
usadas
para
fazer
passar
a
As
uma
corrente contnua, pela amostra, e o par interno de pontas
usado para medir uma queda de voltagem por um potencimetro.

Usando os mtodos padro
da
contnua e eletrosttica, pode-se achar
teoria
a
de
corrente
distribuio
de-
potencial resultante e desta soluo mostrar que a diferena

de potencial
entre as duas pontas internas
deve
ser
dada
por
V =
' I
2 n
eq.(2.5.3)
a
Onde,
I = corrente continua
COM
FORNEC]MENTO
DE
CORRENTE
POTENCIOMETRO
ESP AC ADOR
I SOLANTE
-PONTAS
i g . 2 . 5 . 2 .
Desenho
p e l o
esquemtico
mtodo
de
p o n t a s
um
aparelho
medidor
AMOSTRA
de
r e s i s t i v i d a d e
a = espaamento entre as pontas adjacentes

a = condutividade eltrica.
Como
P =
eq.(2.5.4)
1
a
Podemos obter uma outra equao sob a forma
p = 2 n a V
eq.(2.5.5)
I
Em nosso trabalho, utilizamos
das medidas de resistividade
de
amostras,
resistividade pelo mtodo 4 pontas marca

5000.
para
a
um
Veeco,
realizao
medidor
de
modelo
FP
CAPITULO III.
EQUIPAMENTOS UTILIZADOS E PROCEDIMENTOS EXPERIMENTAIS
III.1. Introduo
Para
se
utilizar
tcnica
NTD
monocristais de Si, exige-se um fluxo de neutrons

1.3
de 10
da
em
ordem
n/cm .s. Lom um fluxo de neutrons
menor,
alonga-se
muito o tempo de irradiao dos monocristais de Si.

A temperatura nr posio de irradiao deve ser
mais baixa possvel, de preferncia menor do que ISO^^C, para

se evitar defeitos na estrutura do cristal. Qualquer amostra
irradiada num reator est sujeita ao
aquecimento
provocado
pelas reaSes nucleares que ocorrem em seu interior e devido

s radiaes que chegam na amostra.
Estas
reaes
energia provocando o aquecimento da
amostra.
temperatura pode ser minimizado, colocandose o

silicio em contacto direto com a gua, que
liberam
efeito
da
cristal
de
geralmente
prprio refrigerante do reator, ou ainda,
por
meio
de
o
um
fluxo de gs atravs do canal de irradiao.

Procurou-se.
portanto,
uma
posio
irradiao dos monocristais de Si no reator lEA-Rl,

e compatvel com as condies de
vez escolhida a
posio
irradiao
adequada
para
para
prtica
exigidas.
Uma
irradiao
dos
monocristais de Si no reator, foi inicialmente construido um

dispositivo
irradiar
para
tarugos
irradi-los.
Este
dispositivo
de
at
2,5"
de
dimetro.
projeto
bem
definidas,
de
irradiao
Si
de
Posteriormente, j com as bases do

iniciou-se a confeco de outro
dispositivo
permite
para tarugos 'de Si de at 4" de dimetro, e a implantao de

um laboratrio pra controle da atividade do Si irradiado..
III.2. Reator lEA-Rl
O reator lEARl do IPEN um reator
de
pesquisas
tipo piscina. Tem como moderador e refrigerante a gua leves

como refletor, blocos de grafite revestidos
de
como blindagem radiolgica gua e concreto
aluminio
com
barita
chega a atingir 2 metros de espessura na parede
e
que
lateral
da
piscina, fluxo de nutrons controlado por trs barras de

segurana e uma de
controle.
refrigerao
atravs de uma circulao forada de
cima
realizada
para
baixo
gua leve, com vazo normal de 600 m V h , sendo a
temperatura
de entrada do refrigerante no ncleo do reator em

30 C e de salda 33 C , para a
operao
de
desde 1758 com uma potncia de 2 MW, embora
com
torno
MW.
sua
de
Opera
capacidade
construtiva permita at 5 MW. A figura 3.2.1 ilustra a vista

geral do reator lEA-Rl.
O caroo
elementos
do
combustveis
reator
constituido
circundados
por
de
elementos
refletores. As dimenses da parte ativa do ncleo do

so
de
60X40X38
cm^
Os
elementos
interior,
formando
um
"sanduche".
de
pois os elementos combustveis
esto
so
urnio
Alguns
combustveis possuem urnio enriquecido a 93% e

20%,
reator
combustveis
constituidos de placas de aluminio com xido
27
no
elementos
outros
sendo
por outros com baixo enriquecimento. A figura 3.2.2
trocados
ilustra
esquematicamente o ncleo do reator, olhando-se de cima, com

uma legenda sobre sua composio.
III-3. Dispositivo de Irradiao do Silicio
O 'desenho do
dispositivo
de
irradiao
tarugos de Si de 2,5" de dimetro, esta ilustrado na

3.3.1. Podese observar, que este dispositivo
de um tubo guia de Al (de 3" de
dimetro),
de
figura
constituido
instalado
numa
piscina
F i g. 3_. 2
V i s
pi o
ne r a l
A r
r.
XZ
A _
Motor
1^ o
T u bo
nte
para
haste
tubo
guia
ncleo
canaca
do
reator
<1.3.3.1.
Desenho
esquematico
L J
do
LJ W
L j
d i s p o s i t i v o
de
2 / b
polegada
posico vertical no caroo do reator, e fixado atravs de um

plug de Al, ocupando a posio 42 da placa matriz. A
figura
3.2.2 ilustra o posicionamento deste dispositivo
caroo
do
reator.
Dentro
deste
tubo
guia
no
introduzido
um
recipiente de aluminio, dentro do qual colocado
de silicio. Este recipiente
uma
haste
de
na
ponte
do
suspenso
por
aluminio fixado em sua tampa. A haste presa
tarugo
reator e conectada a um motor que faz todo o conjunto
girar
a uma velocidade de 2 rpm.
Um tubo de Al de 7 mm de dimetro soldado

face lateral do
tubo
guia,
destina-se
ao
na
alojamento
do
detector SPND { Self Powered Neutron Detector )
O desenho do dispositivo para
irradiao
tarugos de Si de 2,5", 3" e 4" de dimetro,
esta
na figura 3.3.3. Este dispositivo instalado

junto
ao
caroo
do
reator.
Pode-se
notar
Veja
pela
ilustrado
verticalmente
figura
3.3.3a.
fig.3.3.3,
dispositivo constituido de um tubo
guia
de
que
este
quadrado,
de
dois plugs confeccionados de A l . As dimensBes deste tubo so

de " de lado por 1,5 m de
comprimento.
Dois
lados
tubo guia quadrado, (a) e (b), ocupam posies de

refletores
portanto
so
confeccionados
revestidos de aluminio externamente,
tendo
deste
elementos
de
grafite
cada
lado
uma
espessura de 28 mm. Os outros dois lados do quadrado, (c)

(d), so constituidos de chapas de Al de 1/8". Dentro
tubo guia introduzido um recipiente de Al
de
110
de
dentro
de uma caneca de aluminio. Um adaptador (f) para tarugos

Si com dimetros de 2,5" ou 3" usado para manter o
de
tarugo
de Si numa posio vertical dentro deste recipiente. Para

sustentao e apoio do recipiente de Al, existe um
deste
mm
dimetro ( e ) , onde colocado o tarugo de Si alojado
pino
a
de
Al (g) em sua parte inferior, encaixandose sobre uma
bucha
(h), de dimenses 69.85 x 22 mm, confeccionada de ao
inox,
fixada na base do tubo guia . Este recipiente suspenso por

uma haste de Al (i) fixada em sua tampa (j)
pino trava ( k ) . A
haste
presa
na
atravs
ponte
.
do
- /
0:3
de
reator
^vB
um
e
F i g . 3 . 3 . o .
Desenho
d i s D o s i t i v o
e s q u e m t i c o
2.5".
3"
do
4".
7^
2<J
DTl
LEGENDA
EI e m e n t o
C o m b u s t i ve I
Padro
EI emento
C o m b u s t i ve I
de C o n t r o l e
E I emento
Refletor
F i g . 3 . 3 . 3 a .
P o s i o
o
cr "
Fonte
de
Nutrons
Tampo
E I emento
de I r r a d i a c a c
do
o '/
_
r-io
do
reator
de
c a r o o
lEA-Rl
ye
m
X
X o
X
X
ra s
Q
1/
K s ^ K K
Elemento
Combustvel \ ^
Elemento
de
Irradiao
E I eme n t o
C omb U S t V e I
de c o n t r o l e
F i q. 3 . 2 . 2 .
V i s t a
reator
DlepoBit ivo
de
I r r a d i a o
do S
Elemento
Refletor
F o n t e de
Neutrons
Tampo
de
ma
1 E A - R1
do
rI
uc I eo
do
conectada a um motor que faz todo o
conjunto
girar
uma
velocidade de 2 rpm.
Dois tubos de Al (1) de 12

soldados cada um nas faces laterais (c)
mm
do
de
dimetro,
tubo
quadrado,
destinamse ao alojamento dos detetores SPND.
A figura
3.3.4
ilustra
desenho do dispositivo de 2.5, 3 e
esquematicamente
polegadas
no
lEARl, apresentando-o numa viso geral
mediante
vertical. Nesta figura h a presena de
um
consiste de um tubo de
aluminio,
posicionamento do tarugo de Si
usado
dentro
reator
um
corte
espaador,
para
de
que
controlar
uma
determinada
regio de fluxo de nutrons.
I I I . 4 . Arranjo Experimental para
Monitorao
da
Atividade
Residual do P^* do Cristal de Silcio.
No
presente
laboratrio composto
trabalho
de
um
foi
sistema
instalado
capaz
de
atividade residual do cristal de silcio aps a

O objetivo verificar quando o cristal
ter
medir
valor
pelas
regulamentaes.
Este
sistema
consiste
detetor geiger e eletrnica associada cujas
de
normas
de proteo radiolgica para o cristal ser considerado

isento de
irradiao.
um
atividade abaixo do valor mximo estabelecido
um
como
de
um
caractersticas
e procedimentos de calibrao, esto descritos
no
sub-tem
III.5.3 e III.8 respectivamente.
Foi elaborado
um
arranjo
para
auxiliar
monitorao da atividade residual de ^*P nos tarugos de

Este
arranjo
permite
superfcie do tarugo
um
de
mapeamento
Si
preciso
monitorado.
em
Si.
toda
esquema
deste
arranjo mostrado na figura 3.4.1.
arranjo
constituido
cilndricos (a), encaixados uma base

dimenses 40 x 15 cm de lado (b).
de
de
dois
sustentao
eixos
com
motor
ponte
p I so
tubo
para
a I o Jamen t o
do
detector
s pnd
tubo
haste
para
a Iojamento
do
detector
SPND
caneca
de
t amp a
irradiao
tarugo
/
tubo
de
s i l i c i o
eIementos
c o m b u s t i ve i s
gula,
adaptador.
espacador
pino
F i g . 3 . 3 . 4 .
de
Viso
sustentao
geral
mediante
p o l e g a d a s
^L^t
no
um
c o r t e
r e a t o r
v e r t i c a l
l E A - R l
plugs
do
de
2.5,
F i g . 3. 4 . 1 .
Desenho
esquemtico
do
arranjo
auxiliar
32
monitorar
atividade
residual
do
para
Um prisma (c) destinado ao apoio

de silcio dispostos em posiSo horizontal
de
tarugos
fixa-se
sobre
um prato circular (d) que permite movimentos de rotao
nos
eixos X e y. Este prato por sua vez, fixa-se sobre uma

mvel e pode deslizar por entre os
dois
eixos
base
cilndricos
(a), permitindo movimentos na direo x.
base de sustentao (b) est
acoplado,
na
parte central, um fuso (e) que permite movimentos no eixo z.
O arranjo permite movimentos na

eixos X , y e z em relao a um detetor geiger
se encontra em
uma
posio
fixa
para
direo
dos
Mueller,
que
monitorao
atividade. O material do qual confeccionado
arranjo
da
todo de ao.
III. 5 Detectores Utilizados
III.5.1. Detector SPND CSelf Powered Neutron Detectorj
A idia inicial e a descrio do

detector SPND foi estabelecido pelo russo M.B.
1961, e os primeiros estudos visando
uso
projeto
do
Mitelman
em
de
detectores
self-powered encontrados na literatura datam de

Estes
detectores
podem
ser
1964
projetados
para
tl6D.
serem
relativamente sensveis a nutrons e raios gama.
Os detetores self-powered so particularmente

teis para medidas continuas de
ncleo de reatores
por
anos. Em reatores de
distribuio
periodos
potncia
que
estes
variam
necessidade
mdio sobre a extenso
de
um
de
volume
de
detetores
usados para mapeamentos de fluxo e controle da

potncia. Se houver
de
meses
podem
do
de
fluxo
comprimento,
detetores self-powered podem ser fabricados sob a
no
ser
variao
informaSes
ou
fluxo
forma
os
de
longos cabos flexveis.
As principais vantagens do detector SPND so:

, ...
r-RTrr.;
NUCLEAR/SP -
baixo custo
-simplicidade de operao e instrumentao de
leitura,
-exatido e confiabilidade
pequeno "burnup" e vida longa
-continua capacidade de operao em ambientes
de alto fluxo, e altas temperaturas
-reprodutibilidade
de
caractersticas
de
saida de deteco,
-pequenas dimenses, que diversificam
seu
uso, podendo ser manuseado em lugares de dificil acesso.
Na
fig.3.5.1,
ilustrado
esquemtico de um detector SPND. Como
um
pode-se
desenho
notar,
detector formado por dois eletrodos em
geometria
separados por um isolante.
um
No
caso
de
este
coaxial
detector
SPND
sensvel a nutrons trmicos, o eletrodo central ou emissor,

formado por um elemento com elevada seco de choque
captura de nutrons trmicos, ficando radioativo e
para
decaindo
pela emisso de partculas (3 . O eletrodo externo ou coletor

configura o envelope
externo
ou
carcaa
do
detector.
isolante formado por AlÔ^ ou MgO.
princi pio
de
operao
do
detector
consiste em medir a intensidade de corrente eltrica

devido a um fluxo incidente de nutrons
material emissor. Existem
dois
ou
mecanismos
raios
SPND
gerada
gama
primrios
onde
esta radiao incidente no material emissor convertida

corrente eltrica. No primeiro caso a
captura
de
pelo emissor produz um ncleo produto radioativo

pela emisso de partculas (3 . Detectores
neste princpio
de
funcionamento
detectores com tempo de resposta
so
lenta
SPND
no
em
nutrons
que
que
decai
operam
classificados
como
ou
isto
atrasada,
porque o tempo de resposta de um detector SPND para fornecer

informaes sobre o fluxo de nutrons incidente no
depende da
meia
segundo caso a
vida
captura
do
de
ncleo
radioativo
nutrons
pelo
emissor,
formado.
emissor
No
produz
radiao gama de captura que so parcialmente absorvidas
no
c o l e t o r
e m
I 3
cabo
c o a x i a
s o r
i 30 I ador
m e d i d o r
F i g .
3. 5 , 1 .
D e s e n h o
e s q u e m t i c o
de
um
de
c o r r e n t e
d e t e c t o r
SPiND
prprio emissor produzindo efeitos comptom

s
detectores
SPND
que
possuem
fotoeltrico.
emissor
com
estas
caractersticas so classificadas como de resposta rpida ou

pronta.
Em ambos os tipos de
dos
eltrons
emitidos
pelo
detectores,
emissor
suficiente para atravessar o isolante

coletor. Dessa forma
medida entre o coletor
intensidade
e
possuem
ser
da
emissor
uma
parte
energia
recolhida
corrente
ser
no
eltrica
proporcional
intensidade do fluxo de nutrons no detector.
Os tipos de materiais emissores
mais
comuns
para detectores SPND com sensibilidade a nutrons sos Prata

( Ag ) e Rdio ( Rh ) como detectores de resposta
e Cobalto ( Co ) , Hfnio ( Hf )
Platina
atrasada;
Pt
),
como
detectores de resposta pronta.
Na escolha do tipo do detector SPND

para um determinado experimento, se de
resposta
adequado
pronta
ou
no, devese considerar se o fluxo de nutrons incidentes no

emissor continuo durante o tempo, ou
sofre
Isto porque, por exemplo, num detector de
interrupes.
resposta
pronta,
como D detector SPND com emissor, de cobalto, que possui

meia vida de 5.272 anos,
corrente eltrica
interrupo
de
pelo
horas
haver
material
no
fluxo
uma
contnua
emissor,
de
emisso
mesmo
nutrons
com
uma
de
uma
incidentes,
gerando, neste caso, uma errnea informao sobre o fluxo de

nutrons incidente durante um certo perodo
de
tempo.
outro lado, num detector SPND
de
curta
com
emissor
vida, como por exemplo o rdio, que possui meia vida
Por
meia
de
42
s, D fornecimento da informao sobre a interrupo de fluxo

seria dada com um atraso 42 s; da a definio, detector
de
resposta lenta ou atrasada.
Durante a instalao de um detector SPND,

local onde se deseja
um
monitoramento
de
fluxo,
no
devese
assegurar sempre a existncia de no mnimo 1/8" de
gua
ou
massa equivalente, entre o detector SPND ou cabo e
qualquer
massa de Aluminio
situada
nas
vizinhanas
do
ncleos dos tomos de aluminio ativos emitem

de
2.S7
Mev
interferindo
que
na
podem
corrente
penetrar
eltrica
local.
partculas
detector
que
Os
teve
ou
p
cabo
origem
no
emissor.
No presente trabalho, foram

detectores SPND de emissor
de
Platina,
utilizados
com
as
dois
seguintes
caractersticas gerais:
Dimetro externo : 2mm

-Comprimento sensvel: 100 mm
-Dimetro do emissor: 1 mm
-Comprimento do cabo: 12 m
Estes detectores foram fabricados no IPEN.

III. 5.2.
Detectores Gama - Detectores de Clntilao
detector
de
cintilao
empregado
presente trabalho um cristal inorgnico Nal (TI),

mais utilizados para deteco de radiao gama .
no
um
dos
Este
tipo
de detector apresenta um rendimento de luz excelente,
maior
do que qualquer outro material
conhecido
C25],
padro
para
C33]
e.
considerado
espectroscopia gama. O
devendo
ser
como
cristal
encapsulado,
cintilador
no
material
frgil
podendo
higroscpico,
ser
exposto
ao
ambiente.
O detector gama utilizado um cintilador

iodeto de sdio ativado com tlio tipo
12S12/3,
de
de
janela
fina, com 76.2 mm de dimetro.

III.5.3. Dotectoras &ig&r
- Mtll&r
O detector Geiger - Mller um detector

emprega cmara de gs. O princpio de
funcionamento
detector a gs, em geral, consiste de um

cheio de gs,
ou
uma
mistura
de
cilindro
gases,
uma
de
que
um
condutor
presso
relativamente baixa e um fio coaxial bem isolado das paredes

do cilindro entre
os
quais
se
aplica
uma
potencial. Quando uma radiao ionizante
diferena
de
atravs
do
passa
detector, ela ioniza o gs, gerando pares de
ons
que
so
coletados dando origem a uma carga Q em eletrodos C203, [25]

e C303.
Em
um
detector
Geiger
coletada independe da ionizao que
Mller
inicia
carga
ionizao
primria ) , sendo caracterizado por um processo de avalanche

de pares de ons, iniciado por
uma
radiao
incidente
detector [253, [30]. Dado a independncia da carga

com a ionizao primria, no se pode medir
no
coletada
energia
das
partculas, nem possvel discriminarem-se tipos diferentes

de radiaes atravs da ênsibilidade do circuito eletrnico
do detector Geiger - Mller. O detector geiger
um detector com preenchimento a gs NeA
utilizado
halog.
),
tipo
18506, aplicao /?, ^.
III.6. Monitorao de Fluxo de Nutrons
Para a medida de ,f luxo de nutrons no

utilizouse fios
de
cobalto
como
monitores.
reator
seguinte
reao utilizada para produo do ncleo radioativo Co***
Co
( n,y- )
Co
Co
A porcentagem isotpica do Co^** lOOX [253

a meia vida dos
estvel
produtos
formados
para
) igual a 10,5 minutos, e, para o
Co***""
Co*^*^,
meta
igual
5,272 anos. A seco de choque total cr^ para reao in^r)
de 37,2 - 0,6 barns [353-
No processo de ativao do Cobalto

formao do Co****"*, nucldeo
esperar o seu decaimento
metaestvel,
para
Co*^,
sendo
antes
de
ocorre
necessrio
efetuar
medida de atividade. A meia vida do Co*^"* da ordem de 10,5
minutos; portanto, suficiente uma espera de algumas

aps a irradiao. A medida da atividade
fio de cobalto aps irradiao
por
horas
especifica
um
tempo
de
um
determinado,
fornece o valor de fluxo de nutrons.
Como descrito no capitulo II, subi tem II.3, o

melhor mtodo para medir
fluxo
irradiao de amostras de Si
de
pela
nutrons
tcnica
durante
de
ativao,
usando fios de Cobalto. Para se medir a atividade

de
Co*"*,
usou-se
no
presente
trabalho
um
dos
fios
sistema
de
espectrometria gama.
sistema
utilizado, emprega o
de
espectrometria
arranjo
eletrnico
gama
visto
Nal(Tl)
na
figura
3.6.1. Esse sistema constituido pelo detector Nal(Tl) 3" x

3" acoplado a um pr amplificador, uma fonte de alta tenso,
um amplificador, um analisador monocanal,
um contador e uma
impressora.
Os
cintilao, apis
pulsos
sua
provenientes
amplificao,
do
so
detector
de
selecionados
nos
intervalos de energia de interesse atravs de um
analisador
de altura de
ilustra
pulsos
monocanal.
espectro de energia do Co**. onde h

que
significa
rea
enviados
para
3.6.2
uma
regio
correspondente
energia de interesse selecionados.

so
fig.
scaler
Os
onde
aos
so
sombreada
intervalos
pulsos
o
de
selecionados
registradas
as
contagens.
A curva de calibrao determinada a

de medidas de atividade conhecida de um conjunto
de Co**'. Estas fontes
foram
cmara
de
de
ionizao
padronizadas
4rr,
poo
num
no
de
partir
fontes
sistema
laboratrio
de
de
metrologia nuclear do IPEN-CNEN/SP.
Foram utilizados 5 fontes padrSes de Co*** com

diferentes
atividades
atividades dos fios

reator
lEA-Rl,
de
junto
As
atividades
cobalto
com
que
tarugos
so
sero
de
prximas
irradiados
no
silcio.
Foram
GETECTOR
rj a n
PRE
T 1
A M P L I
AI-IFL I F [ .
A N A L .
ri O N O -
FICADOR
C A N A L
ALTA
"ENSA O
COMT ADORi
IMPRES
SORA
^ i g . 3 . 6 . i ,
D i a g r a m a
de
bloco
ar r anjo
e l e t r - o n i c o
dc
s i s t e m a
rialCT
I ,)
F g . 3 . c . 2 .
E s p e c t r o
de
er.ergia
do
Co-60
em
um
detector
Nal
( T I )
Tabela 3.6.1. Atividade das fontes padrSes de Co
N-
do fio
tempo de Irrad.
(h)
<50
Atividade |
(MBq)/g
OI
10
566 - 14
02
20
1042 - 25
03
25
1187 - 31
04
30
1314 - 33
05
40
1547 - 39
utilizados como monitores, fios de cobalto de
0.504
dimetro por 2 mm de comprimento. A tabela 3.6.1
mm
de
mostra
as
atividades dos fios de cobalto utilizados como padrSes.
III.7. Calibrao do Detector Geiger
Como mencionado no capitulo II, a
reao
do
ncleo P^* com nutrons trmicos, geram P^^, que por sua
decaem por emisso de partculas f3 , deixando o
vez
monocristal
de Si radioativo. A meia vida do P^'^ relativamente

14,22 dias, o que leva a um tempo de espera
duas
semanas
irradiao.
para
A
medida
manuseio
desta
do
de
pelo
monocristal
atividade
longa;
menos
aps
residual
do
P^^
presente nos monocristais aps a irradiao essencial

o ponto de vista de proteo radiolgica, para
sob
liberao
do monocristal para fins comerciais.

32
Como o P
uro
ncleo
radioativo,
emissor
puro de radiao (3 com energia mxima E _= 1.7 Mev
meia
vida 14.22 dias [293, a determinao da atividade especfica

do P^^ num cristal de silicio macio
devido absoro das partculas"^
um
no
pouco
meio
envolve clculos elaborados para estimar
do
os
complexo,
silicio
efeitos
absoro. No presente trabalho, foi realizado uma

experimental
para
calibrao
do
detector
desta
simulao
que
mede
32
atividade beta do P
. Foi utilizado para medir a
residual dos monocristais
de
geiger.
prtico
detector
Um
procedimento
geiger,
Si
observando
irradiados,
para
mesma
atividade
um
detector
calibrao
geometria
do
dos
monocristais , seria a construo de um

recipiente
com
as
mesmas dimensSes do monocristal, chelo de uma soluo
com
atividade conhecida de
P^*
diluida.
Deste
modo,
pode-se
monitorar este recipiente e calibrar o detector geiger.
Foi
preparado
como
fonte
de
atividade
conhecida para a calibrao do detector geiger, uma

de P
.A
soluo
composio desta soluo constituiu-se de 98 mg de

CCWISCAO KAC:Cf^;:. a
t N t R G ; / . N U C L E A R / S P - IPES
SPND
DIGITALIZADOR
SCALER
DE CORRENTE
PRINTER
l g . 3 . 8 . 1 .
Diagrama
o
detector
de
bloco
SPND
do
sterna
e l e t r n i c o
empregado
para
'P
u
o
>
Q0)
-O
a.
e
0
-Q
3
-J
.1
T3
E
/
.1
L /i
o
ce
Ll
3
u
(t)
<r
1
un
i_
03
D-
U
>
.
"O
O
ja
+j
o
-o
o
-o
c
-J
i
O
C
II)
(_
0)
QX
en
b c , c: e
c o I i rr. a d c r
P '. C
Su pO r t .
J \
de
u n dade
''conexo
didtica
de
-^m e s a
ceccor
''.s o .j ; a o
-ârranjo
g . 2 . / . 2 .
Desenho
Geiger
e s q u e m t i c o
do
contagem
apoio
geiger
de P 3 2
a u x i l i a r
e x p e r i m e n t o
para
c a l i b r a o
do
d e t e t o r
cido
fosfrico
por litro d'gua.
As fontes foram preparadas
em
sala
especial
para pesagens, seguindo as normas prescritas pelo BIPM

no laboratrio de Metrologia Nuclear do
da soluo
de
P^^
foi
colocada
C333
IPEN. Uma
alquota
suporte
especial
sobre
constituido por uma arandela de ao, sobre a qual colocada

uma pelcula de VYNS ( acetato de cloreto de
polivinila
).
Para cobrir essa pelcula com uma superficie
condutora,
os
suportes sofrem um processo
deposio de ouro,
antes
de
da
metalizao
preparao
vcuo,
das
com
fontes. Para
obter a atividade absoluta de emissores betapuros , a fonte

assim preparada foi medida pelo mtodo
ATZ-(3
CIO],
C39].
atividade medida desta soluo foi de 6.89 - 0.34 KBq/g.
Um tubo de PVC de 3" de dimetro por

de comprimento, com
janelas
de
makrofol
espessura por 31 mm de dimetro, foi

com esta soluo
de
Sobre
as
KG
de
totalmente
janelas
250
mm
de
preenchido
de
makrofol
fixou-se um colimador de lucite de 12 mm de espessura por 25

mm de dimetro interno e 35 mm de dimetro externo, conforme
figura 3.7.1
O tubo de
PVC
a^ssim
preparado
deitado,
apoiado, sobre o prisma do arranjo auxiliar, permitindo

o tubo geiger penetre exatamente pelo
colimador at
tocar
superfcie
dimetro
do
que
interno
makrofol,
do
conforme
fig.3.7.2. As contagens so ento registradas em uma unidade

didtica de contagem PI 752.
III.8. Calibrao do detector SPND
sistema
eletrnico
empregado
para
detector SPND est ilustrado sob forma de diagrama de
bloco
na figura 3.8.1. O detector SPND utilizado um detectar com

emissor de platina.
A corrente eltrica proveniente

SPND processada em um digital izador de
do
corrente
detector
e
apis.
enviada para um contador e,
em
seguida
as
contagens
so
impressas em uma impressora.

Estes detectores so usados para medir a dose
de nutrons de uma forma relativa.
Aps
calibrao,
detectores SPND podem ser usados para controle

nutrons
recebida
irradiao, que
pelo
um
cristal
parmetro
preciso da resistividade final

desses detectores, foram
usados
de
silicio
importante
do
Si.
as
de
Para
medidas
para
a
do
dose
os
de
durante
controle
calibrao
fluxo
de
nutrons trmicos obtidas a partir dos monitores de cobalto.
CAPITULO IV
RESULTADOS EXPERIMENTAIS
A uniformidade na resistividade do cristal de

silcio
aps
irradiao
comportamento do fluxo
de
fortemente
nutrons
ao
dependente
longo
de
extenso da amostra. Deve - se portanto minimizar

efeitos de no uniformidade do fluxo, absoro
do
toda
quaisquer
de
nutrons
no cristal, depresso local de fluxo, etc.

VariaSes
espaciais
temporais
esto relacionadas principalmente a fatores
de
fluxo
geomtricos
do
reator e ao seu ciclo de funcionamento. Deve - se considerar

que, embora tais efeitos estejam presentes em qualquer
tipo
de reator, em reatores tipo piscina, as distorSes do
fluxo
trmico ao longo
geral
maiores que
em
de
um
determinado
outros
tipos
de
moderados a gua pesada ( DÔ )
eixo
so,
reatores,
em
como
grafite.
Isto
aqueles
se
principalmente pequena altura do caroo do reator^

taxa de produo de nutrons e s propriedades dos
deve
menor
nutrons
na gua comum.
As caractersticas
eltricas
dos
so altamente dependentes da perfeio da
semicondutores
rede
cristalina,
sendo portanto, recomendvel que a gerao de defeitos

a mnima
possvel.
trmicos
nutrons
razo
acima
entre
desta
fluxo
energia
seja
de
nutrons
nutrons
epitrmicos e rpidos ) , constitui um parmetro
fundamental
no que diz respeito gerao de defeitos.
Pode-se
afirmar
exigem um fluxo de
2
nutrons por cm
que
nutrons
por segundo,
as
condiSes
trmicos
a
de
irradiao
12
13
10
e 10
entre
razo
entre
nutrons trmicos e o fluxo de nutrons rpidos

100 e a variao do fluxo
de
nutrons
vertical deve ser menor do que 107. C153.

MJ.
ao
fluxo
entre
longo
do
de
3
eixo
IV. 1. Hedida do Fluxo de Neutrons.
Como descrito no capitulo II,
dopagem
monocristal de Si depende da dose de nutrons recebida

monocristal. Usouse
no
presente
trabalho,
do
pelo
mtodo
de
ativao de fios de cobalto para o controle absoluto da dose

de nutrons incidente sobre cada amostra
Cada fio de cobalto
teve
uma
de
numerao
Si
em
irradiada.
comum
com
respectiva amostra de Si irradiada. A determinao do
fluxo
trmico utilizando os fios de cobalto, foi efetuada por meio

das medidas de atividade
induzida,
utilizando
seguinte
expresso;
A^( 1 - R
^ê
0^=
_
G N
<7
- / TT
/ (4 T)
eq.
4.1
( 1 - e^î )
Onde
d> = Fluxo de nutrons trmicos

'
<so
A^ = Atividade especfica do fio de Co
sem cadmio
R = Razo de Cadmio
\
= Constante
de
(\ = 4.2 X lO"*^
decaimento
do
Co**"
s"*) C293.
t^ = Tempo de espera
t = Tempo de irradiao
i
G^ = Fator de correo
de
fluxo
("self-shielding").
N = Nmero
de
tomos
de
cobalto
por
grama. (N = 1.02 x 10^^ t / g ) .

cr^= seco de choque total para
reao
(n.y) do cobalto
(a
=
37.2
o
barns) C 3 5 ] .
= Temperatura do meio moderador

( T^ = 20*^0 )
Temperatura
na
posio
irradiao.
Os parmetros G^, T e R " foram
determinados
experimentalmente. Abaixo, esto relacionados os fatores com

uma apresentao de informaSes especificas
sobre
cada
um
deles:
6^ : fator "self-shielding"; seu valor

de O.858 - 0.02. Sua determinao
descrita no
experimental
foi
encontra-se
sub-item IV.2.
T : temperatura
na
posio
de
Esta temperatura foi determinada por meio de
irradiao.
termo pares
Q valor medido foi: T = SO'^C.
R : razo de cadmio.
determinado para
razo
de
cadmio
valor
experimental
utilizando
fios
de
cobalto foi de 29,3. A determinao experimental da razo de

cadmio R encontra-se descrita no sub-tem IV.2.
Os erros nos valores da determinao de fluxo

foram calculados por propagao de
erros
fatores
4.1.
utilizados
na
expresso
em
cada
Esses
um
erros
dos
so
apresentados a seguir:
-Erro causado pela incerteza na

da
atividade.
Para
esse
clculo
foram
determinao
considerados
os
seguintes erros parciais:
: erro estatstico,
calculado
pegando-se
ai
uma mdia aritmtica do valor

Cof
das
Uma mesma fonte foi contada
contagens
dez
vezes
da
pelo
fonte
de
sistema
Nal(TI). Este erro foi da ordem de 0.2X .

E
: erro na atividade das fontes padrSes
de
<so
Co.
As
fontes
foram
padronizadas
no
laboratrio
de
Metrologia Nuclear (NPA) do IPEN/CNEN-SP. E
=2.57. .
ap
E. : erro causado pela incerteza do tempo
de
t\.
irradiao. Essa incerteza provm
da cronometragem
durante
a operao, para colocar e retirar o monocristal da
posio
de irradiao junto ao
estimado em 0.17.
caroo do reator.
Este
erro
foi
: erro no tempo
de
rampa
do
reator.
tempo de rampa do reator, o perodo compreendido durante o

tempo de incio de operao do reator ao tempo em
ele
critico; com sua potncia mxima. Este
calculado
erro
foi
fica
para um perodo de irradiao de 8 h em nossas amostras, e o

valor
do
erro
obtido
que
ocasionar
uma
incerteza
na
determinao do fluxo da ordem de O.IX .

E
! erro causado pela
incerteza
na
meia
Tl/Z
vida. Este erro foi calculado por meio dos erros encontrados
na literatura para T
E
. Este erro foi da ordem de 0.17.
: erro causado pela incerteza nos
valores
da seco de choque c^; este erro obtido do valor tabelado

na literatura C35], sendo da ordem de l.7.
E :
erro
causado
pela
incerteza
na
determinao da massa do fio. Este erro dado pelo erro
da
balana utilizada ( Mettler M5 SA ) que de 15 JQ.

E
s erro causado pela incerteza nos
valores
obtidos experimentalmente de G^, que da ordem de 2.5% .
As atividades dos fios de cobalto
irradiados
so determinados atravs da curva de calibrao

Nal (TI), dado pelo grfico
das
contagens
do
sistema
coletadas
pelo
detector em funo das respectivas atividades conhecidas
de
fontes
de
padrees.
Na
fig.
4.1.1
calibrao do sistema Nal(TI).
mostrado
curva
6,0E + 006
-1
5.0E+006
4.0E + 0 0 6
o
D"
CG
(U
3.0E + 0 0 6
"O
O
"D
>
<
2.0E + 0 0 6
1.0E + 0 0 6
c:
o
r-
O.OE+000
II I I I I I I I I I I I M
O
I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I
200000
400000
Contagens
Fig.4.1.1.
Curva
detector
de c a l i b r a o
I I I I I I I I I I I
600000
800000
Nal(TI)
(cps/g)
do s i s t e m a
Nal(Tl)
1000000
IV.2. Medida do Fator "Self-Shielding" e Razo de Cadmio.

Neste
subi tem
descrito
experimental utilizado para determinao de um
mtodo
dos
fatores
de correo de fluxo; o efeito sombra, ( "Self- shielding
"
).Este efeito ocasionado no prprio fio de Cobalto, devido

a sua espessura . denominada sombra
pois
camadas mais
frao
externas
absorvem
uma
os
tomos
dos
das
nutrons
incidentes , ficando as camadas mais internas expostas a
um
fluxo mais baixo, uma vez que j foi absorvida pelas camadas
externas d l ,
C23
C343.
fig.(4.2.1)
ilustra
comportamento do fluxo de nutrons na presena do fio.
experincia
para
determinao
do
fator
"Self-Shielding" foi realizada com dois fios de cobalto .

fio n- 1 foi dissolvida em cido ntrico, ( volume
menos 1 ml ) , diluido para 5 ml; 50 JI desta
mais
soluo
depositados em um papel de filtro Whatmann, e selada
O
ou
foram
em
um
tubo de si 11ca.
G fio de Cobalto n- 2,
selado
em
um
outro
tubo de silica e a soluo pipetada, foram juntos irradiados

sob um fluxo de nutrons no reator durante 6 h. Em seguida o
fio n- 2 foi dissolvido em cido
ntrico
completada
volume de 5ml; 50 ul desta soluo foi pipetado,
no
depositado
num papel de filtro Whatmann e selado em um tubo de silica.
Os dois tubos de silica contendo as soluSes,

foram medidas atravs de um detector Ge(Li)
no
de Metrologia Nuclear do
resultados
IPEN/CNEN-SP.
Os
laboratrio
so
mostrados na tabela 4.2.1. O fator "self-shielding", G^, a

razo entre as atividades especficas das duas
soluSes,
como pode-se observar de 0,86 - 0.02.
Para
irradiouse juntos dois

cadmio e outro sem
determinao
fios
cadmio.
de
O
da
razo
cobalto,
cadmio
apresenta uma seo de choque de absoro

ordem de 2500 b na
energia
trmica,
com
de
um
um
com
uma
cadmio,
envolto
material
o
valor
em
que
da
ressonncia
FLUXO
FLUXO
NA
INCIDENTE
SUPERFICIE
DA
FOLHA
FLUXO MEDIO
D E T E R M I NADO
EXPERIMENTALMENTE
Fig.
4.2.1.
Comportamento
fio
de
cobalto
do
fluxo
de
nutrons
na
presena
do
prxima em O,178 eV. Acima dessa energia a secSo de

*
choque
bastante baixa, caindo para 70 b. Deste modo o cadmio atua

como um
filtro
de
nutrons,
absorvendo
os
nutrons
energia abaixo de uma certa energia de corte E _, e
de
deixando
cd
passar nutrons
acima
dessa
energia.
energia
se
cd
localiza prximo energia do pico da
ressonncia
varia
ligeiramente com a espessura de cadmio a ser utilizada.

Por clculos tericos pode-se determinar
uma
energia de corte efetiva que esta em torno 0,5 eV, para
uma
espessura de cadmio de 0,5 mm. A razo entre a atividade

fio sem cadmio e a atividade da fio com cadmio dar a
do
razo
de cadmio definida por:

A
R = -2
A
c
eq. ( 4.2.1 )
Onde:
A^ = atividade especifica do fio
de
cobalto
de
cobalto
sem cadmio.
A^ = atividade especifica do fio
com cadmio.
Tabela 4.2.1. Resultados do experimento self-shielding.
n- fio
dimetro
( mm )
massa
( mg )
atividade
( Mbq/g )
4,714 - O.019
3,649 - 0.055
4,238 - 0.017
3,132 - 0.047
tabela
mostra
4.2.2.
os
resultados
do experimento para a determinao da razSo de cadmio
na
posio de irradiao dos cristais de Silicio.

Com o valor da atividade especifica do fio de
cobalto envolto com cadmio
A^,
determinoii-se
nutrons epitrmicos na posio
de
irradiao
fluxo
de
atravs
da
expresso:
A
0
ln(E /E )
-
=
6
eq.
(4.2.2)
de
cobalto
N I ( i - e ^î )
Onde:
A
= atividade especifica do fio
envolto com cadmio (espessura 0 , 5 m m ) .

\ =
constante de decaimento do
Co****
. (X.
4 , 2 . 1 0 ~ * * s~*) .
t^ = tempo de espera.
E^ = mxima energia adotada para os
nutrons
epitrmicos. E^ = 1 MeV.
E^ = minima energia adotada para os
epitrmicos. E
G
= E
fator self-shielding
nutrons
= 0 . 5 5 eV.
(6^
= 0.858
0.02)
nmero de tomos por grama de
cobalto.
(N = 1 , 0 2 . 1 0 ^ ^ t / g ) .
I
= integral de ressonncia
2,27
t^ =
(I
74,15
barns).
tempo de irradiao.
O valor do fluxo de nutrons
epitrmicos
posio de irradiao foi de ( 3,O - 0 . 1 1 ) . l o "
na
n/cm^.s
Usando o valor da atividade especifica do fio de cobalto sem

cadmio, e utilizando a expresso 4 . 1 , calculou-se o fluxo de
Tabela 4.2.2. Resultados do
experimento
razo de cadmio
na
para
posio
determinao
de
irradiao
da
dos
cristais de Si.
fio de Co
esp. (0.5mm)
com cadmio
massa
(g)
0,00545
t. irr.
(h)
7,45
atividade
(Mbq/g)
razo de c.d,
R
(1,4 - 0 , 0 2 ) . 10'
29,3 - 0 , 6
sem cadmio
0,00555
7,45
(4,1 - 0,06). 1 0
nutrons trmicos na posio de irradiao, onde obteve-se o

valor de ( 1,20
0,04
).10*^
n/cm^.s
Desta
maneira
podese calcular a razo entre o fluxo de neutrons
trmicos
e epitrmicos na posio de irradiao. O valor desta
razo
foi de 4,1 . Como descrito anteriormente, esta
um
gerao
de
parmetro importante
defeitos
na
no
estrutura
que
diz
respeito
cristalina
do
determinado de 4,1 para esta razo
razo
silicio.
um
valor
valor
considerado
dentro de uma faixa aceitvel para uma posterior recuperao

da estrutura cristalina do
silicio
atravs
do
tratamento
trmico.
IV.3. Determinao do Perfil Vertical do Fluxo

Trmicos na
Posio de
irradiao
de
das
Neutrons
amostras
de
Si.
As variaSes do fluxo trmico ao longo de uma
dada linha vertical so uma funo da altura
do
ncleo
reator. Assim, o fluxo de nutrons diminui medida
em
do
que
se caminha em direo s extremidades do caroo.
Foi elaborada uma medida do
perfil
vertical
do fluxo de nutrons na posio de 4.rradiao, utilizando um

tarugo de Al de 2,5" por 48
cm
de
dispositivo de 2,5". Foi utilizado
comprimento
um
tarugo
dentro
de
aluminio
devido s suas caractersticas fsicas parecidas com

silicio, como densidade e seco de
choque
do
as
nuclear.
do
Foram
feitos furos de 4 em 4 cm ao longo do comprimento do tarugo.

Estes furos de aproximadamente 5 mm de
dimetro
superficie at o centro do tarugo, e servem para
partem
da
posicionar
fios de cobalto; um na superfcie e outro no eixo central do

tarugo. Deste modo, podemos
simular
tarugo de Si, determinando o perfil do
que
fluxo
ocorre
ao
superfcie e ao longo do eixo do tarugo, bem como

qual a sua variao de fluxo entre a superfcie e
em
um
longo
da
verificar
centro.
A fig.4.3.1. ilustra um desenho esquemtico deste arranjo.
resultados
obtidos
5 5
encontram-se
na
Tabela 4.3.1. Resultados obtidos para o perfil de fluxo de nutrons

trmicos na posio de irradiao do dispositivo de
2.5", utilizando um tarugo de Al.
Pos. vertical
Eixo (cm)
Fluxo (n.cm
Centro do tarugo
^. s ^) x 10^^
Superficie do tarugo
- 20
0.742 + 0.03
0.798 + 0.04
0.749 + 0.03
0.822 + 0.04
1 - 16
0.885 + 0.04
0.904 + 0.04
- 12
0.956 + 0.04
- 8
- 4
- 0
1.017 + 0.04
1.045 + 0.05
1.057 + 0.05
1.034 + 0.05
1.013 + 0.05
0.987 + 0.04
1.032 + 0.05
1.074 + 0.05
1.085 + 0.05
- 24
4
8
12
16
0.935 + 0.05
20
0.749
24
0.846 + 0.04
0.04
0.644 + 0.03
1.062 + 0.05
1.031 + 0.05
0.955 + 0.04
0.854 + 0.04
0.771 + 0.03
0.617 + 0.03
fig.4.3.2, e tabela 4.3.1, onde os pontos,
na
4.3.2,
fig.
representam o fluxo na superficie e os circuios

o fluxo no centro. Nota-se um perfil bastante
representam
simtrico
torno do ponto de mximo, que da ordem de I.IO*^
n/cm^.s.
Em torno da parte central do dispositivo, existe uma

de cerca de 2 5 cm, onde a variao do fluxo menor
107.
em
regio
do
qu
. Como J a visto no capitulo II, a dopagem no monocristal
de Si uma funo do fluxo de nutrons.
Esta
fluxo apresentada em torno da regio
25
de
variao
cm,
de
induziria
numa mesma variao axial de resistividade num tarugo de

de 2 5 cm que fosse irradiado nesta posio, sendo
variao aceitvel comercialmente.
valor do fluxo
inferior
na
5%,
superficie
que
no
diferena
centro
tambm
que
um
do
valor
Si
esta
entre
tarugo
aceitvel
comercialmente.
Podese
entretanto,
apresentada neste perfil de
fluxo
devido
da
simetria
fig.4.3.2,
irradiar
dois tarugos de Si de 2 0 cm cada, um acima e outro abaixo da

posio zero, de forma que quando receberem metade
da
de nutrons estabelecida, sejam trocados entre s i . O

de fluxo de nutrons
tarugos de Si,
neste
incidentes
caso,
procedimento adotado pelo
axialmente
no
uniformizado.
reator
lEA-Rl.
dose
perfil
corpo
Este
dos
foi
fig.4.3.3.
ilustra este tipo de procedimento.
Na
referncia
[18],
locais em outros pases onde se

para deixar o perfil do fluxo de
encontram-se
vrios
utilizam de outros
meios
nutrons
incidentes
mais
uniforme nos tarugos de Si. Uma forma consiste em envolver o

monocristal de Si
durante
irradiao
conveniente ( usualmente ao ou nquel
com
um
material
) , de tal modo que
espessura deste material seja proporcional intensidade
do
fluxo de nutrons. Assim, na regio onde o fluxo maior,

espessura do material maior. A fig.
4.3.4.
ilustra
de
se
obter
submeter o monocristal a movimentos

vertical, de tal modo que o
cristal
mesmo
resultado
peridicos
receba,
na
em
este
tipo de procedimento adotado pelo reator DR 2 localizado

Dinamarca. Outro meio
na
direo
mdia,
i::Ao k a c x : : - n: !;;i:rc:/ k u c l e a r / S P - IPEN

COWI
1.2E+013
o * -
fluxo no centro do tarugo

fluxo na superficie do tarugo
o
e
8,OE + 0 1 2
CO
CN
E:
O
15-
O
X
4.0E + 0 1 2
O.OE+000
I I
-40
Fig.4.3.2.
I I I I II I M I I I
-30
I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I II I I I I I M I I I I I I I
20
30
-10
O
10
Posio ( c m )
Perfil vertical do fluxo de neutrons trmicos na superficie e
centro de um tarugo de Al na posicao de irradiao do d i s p o s i tivo para irradiar tarugos de S i de 2 . 5 polegadas.
I I
II I I I I I I
-20
I I
FIOS
DE
FIOS
COBALTO
DE
COBALTO
CENTRO
SUPERF I C IE
TARUGO
DE
ALUMINIO
Q.
3 . 1 .
Desenho
-
do
p e r f i l
e s q u e m a t i c o
v e r t i c a l
do
do
a r r a n j o
f l u x o
de
para
d e t e r m i n a c a
n e u t r o n s
dose
i n c i d e ;-i t e
antes
inverso
1 6
12
S
r
u
P e r f i l
/ d o s e
<
fa
m
da
n -
-4
CIDENTE
- S
APOS
NVERSAO
- 1 2
- 1 6
TARUGOS
DE
S I L I C I O
F i g , 4 , 3 . 3 .
M e t o d o
p a r a
h o m o g e n e i z a o
v e r t i c a l
da
dose
de
n e u t r o n s
o b r
t a r u a o s
de
Si
no
do
p e r f i l
i n c i d e n t e s
r e a t o r
l E A - R l
a l t u r a
acima
do
d e t e c t o r
+5
i g . 4 . 3 . 4 .
Variao
a n t e s
ac
no
axial
d e p o i s
r e a t o r
da
da
DR
+10
+15
densidade
i n s t a l a o
da
D i n a m a r c a ,
+20
de
fluxo
de
a b s o r v e d o r e s
( r e f .
de
15")
neutrons
de
mesmo fluxo de nutrons.

Estes dois mtodos possuem a
desvantagem
provocar uma diminuio considervel no fluxo

aumentando conseqentemente o tempo
de
de
de
nutrons,
irradiaSo
para
obteno de uma determinada resistividade.'
IV. 4. Determinao da Eficincia do Detector
Gelger-MUI 1 er
& Clculos pelo Mtodo de Monte Cario.
A atividade de uma soluo de P^^ foi

pelo detector geiger. As
geometria
utilizada
caractersticas
para
sua
desta
medida
soluo
monitorao
foram
descritas no capitulo III.

O resultado obtido pela medida com o detector
geiger, da soluo de P^^, foi de 138.9 - 0.7
desta
medida
foi
calculado
com
base
cps.
em
10
erro
medidas
registradas pelo detector geiger na mesma geometria. Atravs

deste resultado calculou-se um valor para
detector geiger de 2.079 x 10~^ - 0.05 x
erro desta medida
foi
obtido
eficincia
do
cps.g/Bq.
10 ^
propagando-se
atividade padro da soluo de P^^ e o
erro
os
erros
nas
na
contagens
medida pelo detector Geiger.

Na prtica, contudo, o
detector
monitorar como fonte emissora beta-puro, um

Si, e no
uma
soluo
com
atividade
geiger
monocristal
conhecida
de
Portanto, torna-se necessrio empregar um fator de

adequado,
se
houver,
para
este
valor
de
encontrado. Foi criado com este propsito, um
de
P^^.
correo
eficincia
programa
calcula a eficincia do detector geiger
atravs
Monte Cario C 5 ] , para se verificar qual
seria
correo adequado no valor de eficincia
ir
do
o
mtodo
fator
encontrado
que
ao
de
se
monitorar um tarugo de Si.
Devido atenuao das partculas fi no
meio
em que ela percorre,
ao
se
monitor
um
corpo
de
grande
espessura como um tarugo de Si, as contagens coletadas
pelo
detector nSo representam a atividade total deste corpo.

elaborado portanto, um programa usando
mtodo
Cario que determina a eficincia do detetor

em conta a atenuao das partculas
por ela, e nas mesmas condiSes
ft
de
n
de
Monte
geiger
meio
levando
percorrido
geometria
descrita no capitulo III. O principio
de
Foi
experimental
funcionamento
mtodo Monte Cario simular exatamente todas
as
do
condiSes
experimentais atravs de um programa de computador. A tabela

4.4.1 mostra
valor
da
eficincia
do
detector
calculada pelo mtodo de Monte Cario, simulando
geiger
como
fonte
emissora beta-puro, um tarugo de Si de 3" de dimetro, e,
valor da eficincia com a soluo de P^^ dentro de
um
de
utilizado
PVC
coro
janelas
de
makrofol
tubo
experimentalmente.
Comparando-se
obtidas
atravs
dos
os
mtodos
valores
das
eficiencias
experimental
terico,
utilizando a gua como meio de propagao para as partculas

/?", tem-se um erro entre os dois valores de 2.4%
total no clculo da eficincia pelo mtodo
de
foi de 4.2% . A
eficiencias
diferena
no
valor
das
Monte
Cario
diferentes meios de propagao da partcula ft i gua

),
encontradas
teoricamente,
foi
de
3.1%
portanto, mediante estes resultados obtidos,
que
necessrio empregar nenhum fator de correo
na
nos
e
Si
Conclui-se
no
ser
eficincia
do detector geiger, quando na sua monitorao sobre

de Si.
erro
tarugos
Tabela.4.4.1. Valores da eficiencia do detector geiger calculados pelo

mtodo Monte Cario.
Eficiencia Ccps g/^q5
2,029.10
- 0.043 x 10
2,094.10~* - 0.075 x 10 *
Melo
Utilizado
gua
Si
Aps
ter-se
estabelecido
eficincia
detector geiger, necessrio conhecer qual o
seu
de
como
limite
radiao
de
deteco.
deteco,
Definimos
valor
das
arbitrariamente
contagens
de
do
limite
de
fundo
registradas pelo detector geiger igual a 3 vezes o seu
erro
total, 3o' . Deste modo, em um valor de contagens inferior

Za
no podemos afirmar se existe fonte.
Para o monitoramento de um tarugo de

foi estabelecido um tempo de contagem de
10
Si
irradiado,
minutos.
tempo foi estimado de modo a se manter um compromisso

a praticidade e a segurana, uma vez
que
este
Este
entre
trabalho
voltado uma produo do Si NTD no reator IEAR-1.
O nmero de contagens da
(N ) registradas pelo detector Geiger
radiao
no
Para
se
considerar
fundo
laboratrio
sero feitas as medidas da ordem de 600 em 10 minutos.
de
que
24,5
existe
onde
contagens
fonte
no
tarugo, deve-se ter:
NF - N^
> 3-^
eq. (4.4.1)
Onde :
NF = contagens durante 10 minutos
do
tarugo
de Si irradiado.
= contagens durante 10 minutos da

de fundo do
radiao
laboratrio.
3<y = limite de deteco do detector geiger.

b
limite
de
deteco,
3^ ,
do
detector
Geiger, como podemos verificar pelo valor descrito acima
da
radiao de fundo, N , corresponde a 73.5
10
contagens
em
minutos.
Segundo
as
Radiolgica, para um
normas
tarugo
internacionais
de
Si
ser
de
proteo
considerado
como
isento de normas de segurana radiolgica, o

perm.
permissivel
de atividade de 2 . lo *
JC./
limite
mximo
g, ou 7,4
Bq/g
geiger
obtida
C6].
A
eficincia
do
detector
experimentalmente, conforme descrito no siib-i tem IV.4,
de
2,O79.10 ^
cps.g/Bq.
do
limite
iseno
de
Portanto,
pela
dividindo-se
eficincia
do
valor
detector
geiger,
obtemse 0,15 cps. Ou seja, o resultado obtido para o limite

de iseno, em
nosso
geiger,
de
aproximadamente
92,3
contagens em 10 minutos.
Portanto, se NF- N
> 92,3
contagens
em
10
limite
de
minutos, o taruga de Si
no
estar
dentro
do
iseno .
IV. 5. Calibrao do detector SPND
Como j
foi
dito,
resposta que proporcional a

Conseqentemente,
detectar
dos^
necessrio
SPND
de
uma
fornece
nutrons
calibrao
contra uma medida direta da dose de nutrons para

detector possa ser utilizado
como
medidor.
Os
uma
recebida.
do
que
mesmo
este
detectores
SPND usados neste trabalho foram calibradas com monitores de

cobalto. Um total de
12
fios
de
cobalto
metlico
foram
irradiados com nutrons para esta calibrao.
A tabela 4.5.1 mostra o

monitor
foi
irradiado
as
tempo
contagens
em
que
cada
registradas
pelo
digitalizador de corrente do detector SPND. A atividade

fios
de
cobalto
foi
determinada
descrito anteriormente. A partir

calcular a dose de
mostra a relao
nutrons
entre
deste
(0.t)
dose
pelo
de
procedimento
dado
dos
j
foi
possvel
recebida.
fig.4.5.1
nutrons
contagens
registradas pelo digitalizador de corrente do detectar SPND.
1.4E + 0 1 8
-1
1,2E+018
1.OE+018
8.0E + 0 1 7
6.0E + 0 1 7
4.0E + 0 1 7
2.0E + 0 1 7
CN
E
u
O.OE + 0 0 0
I I I M I I I
O.OE+000
I I I M I I I I
2.0E+006
II
I M I I I I I
4.0E+006
II
I I I I M M j I I I I I I I M
6.0E+006
8.0E+006
IIIIIIIIIIIIIIIIIIII {
1 .OE+007
Contagens SPND
F i g . 4 . 5 . 1 . Curva de c a l i b r a o entre fluncia
' do d e t e c t o r SPND.
1.2E+007
1.4E+007
de nutrons
e contagens
Tabela 4.5.1. Tempo de irradiao de cada monitor de cobalto

e contagens detector SPND.
n- fio
tempo de irradiao
( h )
contagens integradas
3.911.738 + 1977
10
4.792.822 + 2189
12
5.762.837 + 2401
14
6.647.444 + 2578
16
7.465.612 + 2732
17.15
8.005.180 + 2829
19.20
8.831.401 + 2972
21.20
9.736.090 + 3120
24.20
10.646.944 + 3241
10
26.20
11.578.141
11
28.20
12
30.20
3403
+
12.505.460 3536
13.463.203 + 3669
63
Como se espera uma
resposta
funo da dose, os dados
linear
foram
do
detector
ajustados
com
SPND
em
uma
funo
no
Reator
linear pelo mtodo dos minimos quadrados.
IV.6 Irradiao de Tarugos e lminas de

lEA-Rl do
Silicio
IPEN.
Preliminarmente foram irradiados dois tarugos

de Si. As especificaes desses tarugos de Si,
tempo de
irradiao
resistividade
resistividades foram medidas pela
bem
como
alcanada,
empresa
estas
Heliodinmica
so apresentados na tabela 4.>. 1.
Nestas
primeiras
irradiaSes
no
houve
controle do fluxo de nutrons incidentes na amostra,
devido
ao carter preliminar deste experimento.

Para
estabelecimento
irradiao, como por exemplo, dose de
de
parmetros
nutrons
resistividade final, foram utilizados no
recebida
presente
lminas de silcio com dimensSes: dimetro
de
2.5"
trabalho
ou
3",
espessura de 10 mm.
O procedimento
consistiu
em
irradiar
cada
lmina junto com um monitor de cobalto. Um fio de cobalto

lmina de silicio foram embrulhados totalmente em
alumnio. As lminas
monitores
assim
folha
preparadas
e
de
foram
colocadas dentro do dispositivo de irradiao, umas sobre as

outras. Um espaador de alumnio ( em forma de
tubo
foi
usado para ajustar a

relao
ao
perfil
posio
do
conjunto
vertical
do
fluxo
de
lminas
na
posio
irradiao. Desta forma, a posio do conjunto foi
perfil
prdeterminados
lminas foram retiradas sucessivamente de cima

uma de cada vez. Um total de 24
de
ajustada
para que o centro do conjunto coincida com mximo do

do fluxo. Aps a irradiao por tempos
em
lminas
sendo o processo de irradiao destas
para
foram
as
baixo,
irradiadas,
lminas
dividido
trs etapas. Na primeira etapa foram irradiados um
em
conjunto
de 12 lminas ( 1- lote ) , na segunda etapa um conjunto de 8

lminas ( 2 lote ) e na terceira etapa
lminas ( 3-
lote
).
tabela
um
conjunto
de
4.6.2
mostra
os
monitores
de
cobalto
tempos
de irradiao de cada lmina.
A atividade
dos
foi
medida pelo detector de Nal(TI) utilizandose o procedimento

j descrito anteriormente. A partir deste dado foi calculado
a dose de nutrons
recebida
por
cada
lmina
de
silicio
durante irradiao. Os resultados esto na tabela 4.6.2.
Como j
causados
na
foi
estrutura
mencionado,
cristalina
do
processo de irradiao no reator, no

resistividade do mesmo
antes
de
devido
silicio
feito
medir
sua
pelo
danos
durante
possvel
.recuperar
normal. O processo de recuperao
aos
estrutura
tratamento
trmico.
tratamento
irradiadas, foi feito em
um
trmico
forno
das
lminas
eltrico
esquemtico esta ilustrado na figura 4.6.1.
de
cujo
Este
desenho
forno
permite o cozimento de lminas de Si com no mximo 1

espessura. As lminas so
colocadas
sob
possui uma velocidade constante de 8,3

lminas penetram o interior do
extenso de seu comprimento.
interior do forno, uma
esteira
10
m/s.
percorrem
Durante
seu
de
4m
de
que
Estas
toda
trajeto
em
cm
uma
forno
distncia
Si
relao
ccmzzix :ac;ci; : li ua.i-c:;. n u c l e a r / S P -
pelo
ao
im
tabela 4.6.1. Resultados de

reator
tipo
tarugos
de
Si
irradiados
no
lEA-Rl.
dimenses
tempo de irrad.
(h)
resist.
(ncm)
Cz
2,5" X 2 0 cm
22,45
38.0 -
Cz
2,5"
27,17
27.9 - 0.2
25 cm
0.3
Tabela 4.6.2. Resultados obtidos para a resistividade

de
das
lminas
Si irradiadas no reator lEA-Rl.
Resistividade (Ciem)*
lmina
borda
(Q cm)
centro
(O cm)
t.irr.
(h)
fluncia
(n/cm^l
X 10"
1^ lote
01
98,1
0,7
101,8 - 1,6
4,0 i 0,1
0,6
0,1
4,6 0 , 2
64,9 +
0,4
5,4 o , 2
48,9
O,6
6,1 i 0,2
47,7 +
O,6
6,8 i 0,2
0,6
7,2 - 0,3
42,3 +
0,5
7,9 - 0,3
0,2
8,6 - 0,3
02
10
82,0
03
12
63,2 + 0,1
+
04
14
49,9
05
16
44,9 + o,i
83,0
0,1
06
17,2
43,2
07
19,2
41,9 + 0,2
42,9
0,2
+
08
21,2
36,9
0,3
37,2
09
24,2
32,1 + 0,1
32,7
10
11
12
26,2
28,2
30,2
28,6
25,1
25,3
0.1
0,1
0,1
O,4
9,4 - 0,3
29,8
0.2
11,0 i 0,4
25,5
0,4
12,0 0 , 4
25,9
O,2
12,3 0,4
186,5"*"-- 2,0
2,8"*"- 0,1
2 ^ lote
13
14
15
16
17
18
19
20
185,2"*"-- 0,4 ,
7,08
112,4'^-- 0,7
14,3
14,36
19,12
74,1
62,5
21,40
36,57
29,07
36,02
0,6
44,2
39
O,3
24,9
75.5
o,i
+
+
0,2
+
45,1
0,3
40 ,0 - 0,2
0,1
o,i
32,0
25,4
0,1
5,6 0 , 2
0,6
63,0 - 0,5
+
i 0,2
31,6
3,8"*"-
114,1"*^- 2,1
8,3 8,6
0,3
0,3
0,4
IO,6 0,4
O,4
13,0 - O, 5
3^ lote
+
21
7,2
100
22
16,23
41,7 + 0,1
23
24
22,75
31,18
38,5
30,3
O,2
o,i
0,4
42.O
39,9
0,1
2,4 - 0,1
+
0,2
6,0 6,7 i 0,2
31,1
o,i
9,0 0,3
103 -
Resistividade medida pelo mtodo 4 pontas.
0,6
0,6
FORNO
ELTRICO
painel
ENTRADA
de
c o n t r o l e
DAS
LAMINAS
SADA
JIL
JIL
o
o
o
o
JIL
o
o
o
o
o
o
o
o
DAS
LAMINAS
ESTEIRA
ROLANTE
A
_n
n
3-
' - ^ ^
ESTEIRA
i g . 4 . 6 . 1 .
ROLANTE
Desenho
e s q u e m t i c o
do
f o r n o
e l t r i c o
da
empresa
h e l i o d i n m i c a
incio, elas chegam a uma temperatura mxima de 700C.

regio quente esta
sob
uma
atmosfera
hidrognio, ( 7 5 % de Ar e 25% de
de
gs
em
fase
de
argnio
equilbrio
trmico
terminando
com
tempo gasto pelas lminas em todo o percurso

forno
pelo
eltrico
meio
ambiente. As dimensSes do forno so: 10 x 1,70 x 0.5

do forno de 20 minutos. Este
) . Em seguida as lminas
sofrem um sbito resfriamento com nitrognio,

percurso
Esta
m^.
interior
forno
utilizado pela empresa Heliodinmica.
As lminas de
submetidas
ao
Si
tratamento
aps
serem
trmico,
irradiadas
tiveram
suas
resistividades medidas pelo mtodo 4 pontas.
Os resultados
de
medida
de
para as lminas irradiadas no reator lEA-Rl,
resistividades
so
mostrados
na tabela 4.6.2. Os erros referentes ao centro das
lminas,
foram obtidos calculando-se o desvio padro de 10 medidas de

resistividade na
zona
central
da
lmina.
Os
erros
das
medidas na borda, foram obtidos mediante o clculo do desvio

padro, nas medidas de 4 quadrantes diferentes da superfcie
da lmina de Si.
relao
entre
dose
de
resistividade final das lminas de silcio
nutrons
mostrado
figuras 4.6.2a, 4.6.2b e 4.6.2c. Foi plotado nestas

a dose de nutrons ( ou fluncia ) <p.t contra o
resistividade final mdia para cada
lmina.
representam respectivamente a curva de
e
nas
figuras
inverso
Estas
calibrao
dose de nutrons e resistividade para os 3 lotes de
da
figuras
entre
lminas
de silcio irradiados no reator lEA-Rl. Cada lote de lminas

tem procedncia de diferentes tarugos, todos crescidos
pelo
mtodo Cz.
pela
Os
dados
experimentais
relao:
<p.t
= K
foram
ajustados
1.6E + 0 1 8
-1
.2E + 0 1 8
CN
o
8,0E +
017
o
'o
c
Lu
4.0E + 017
O.OE + 0 0 0
0.000
I I
I I
inverso
I I rn
|~i
0.020
0.010
d a
resistividade
\ I I I rn
rn
pirnrn\ii i |
0.030
0.040
( 1 / o l i m s . c m )
Fig.4.6.2a. Curva de c a l i b r a o entre a dose de n e u t r o n s

vidade media de onnostras de Si i r r a d i a d a s .
e o inverso
da resisti-
1.6E + 0 1 8
-n
1.2E + 0 1 8
8.0E + 0 1 7
4.0E + 0 1 7
CM
o
"o
c
D
O.OE +
000
0.000
I I
I I I I
I I I
I I
I I
O.OjlO
inverso
I I I I I
I I
0.020
d a
resistividade
I I
I I I
0.030
I I
I I I
0.040
I I I
I I
0.050
( 1 / o h m s . c m )
Fig.4.6.2b. Curva de c a l i b r a o entre a dose de neutrons

vidade nnedio de a m o s t r a s de Si irradiados.
e o inverso
da resisti-
1.OE + 018
8.0E + 017
fT
CN
^ 6.0E + 017
o
o
'o
4.0E + 017
C-
r~
m
-O
2.0E + 017
O.OE+000
I I
0.005
I I I I I I M I
0.000
Fig.4.6.2c.
I I I I I II
II II I I I I I
I I I I I II M
I II II I I I I
I I I I I I I I I { I II I I II I I {
0.010
0.015
0.020
0.025
inverso cjo resistividacde ( 1 / o h m s . c n n )
0.030
0.035
Curva de calibrao entre o dose de n e u t r o n s e o inverso

vidade media de a m o s t r a s de Si i r r a d i a d a s .
do
resisti
Onde K =
^
N & u a
o
Atravs do mtodo
dos
minimos
quadrados
ajuste forneceu os seguintes valores.
1- lote:
K = = ( 2,81. 10^** - 4,78
. 10*^ ) n O/cm
eq. (4.6.1)
p, = ( 305 - 15 ) O cm
2-
eq.
(4.6.2)
lote:
k = ( 2,92 . lO***
- 5,38 . l o " )
p. = ( 217 - 11 )
n O/cm
eq. (4.6.3)
O.cm
eq. (4.6.4)
3^ lote:
k = ( 2,83 .10*** - 4,2
. 10*' ) n Q/cm
= ( 515 - 21 )
eq.(4.6.5)
fi.cm
eq.(4.6.6)
O valor mdio experimental de k, portanto,

de ( 2,85 . 10*** - 8,3
. l O " ) n O/cm.
relevante
salientar
neste
momento
convenincia da determinao experimental do valor de K, que

por sua vez poderla ter sido calculado teoricamente a partir
dos parmetros N^, <7 ,
, e q , onde as constantes
so bem conhecidas e os parmetros como seco de choque

e
mobilidade
do
eltron
diversas literaturas. A
(j^
encontram-se
dificuldade
existe
incerteza nos valores da seco de choque a

c
q
o-^
tabelados
em
por
causa
da
encontrados
na
literatura , onde
se
relata
que
este
valor
depende
do
espectro de nutrons que diferente em cada tipo de reator.

Da mesma forma os valores de iJ devem ser medidos para
cristal e depende
dos
tipos
quantidades
de
cada
impurezas
presente no cristal original.
Por outro lado o conhecimento preciso de K

de importncia
fundamental
para
processo
de
dopagem,
porque determina a preciso com que a dopagem resultar

valor pr-estabelecido ( "target value"
necessidade de medidas
durante
precisas
de
).
Isto
fluencia
num
afirma
de
nutrons
a irradiao de silicio.
O valor da seco de choque
cr^ determinado a
partir do valor experimentai de K foi de ( 0,103 -
0,002
barns e esta em bom acordo com o valor das referncias

1^
C 8 ] , C153 e [ 1 8 ] . Os valores das constantes e
do
C6],
parmetro
(u
l"
usadas para o clculo da seco de choque a
foram: j
C
1396 cm^/V.s, q
= 1,6 . lO"*** coulomb
= 1,54
lO^*
lXem .
IV.7 Anlise da Homogeneidade na Resistividade
das
Lminas
no
capitulo
de Si Dopadas pela Tcnica NTD.
Como j descrito anteriormente,

II, para fazer uma dopagem tipo
em
monocristais
de
Si
usando o elemento fsforo sem utilizar a tcnica NTD, temse

o problema do seu coeficiente
adequado
para
nenhum
de
mtodo
distribuio
prtico
de
que
crescimento
monocristais, gerando uma dopagem no uniforme ao

volume
do
problema
monocristal.
ao
conseguir
tcnica
uma
dopagem
monocristais de Si, independentemente

para o
seu
crescimento,
transpondo o problema
do
se
NTD
Czochralski
coeficiente
de
longo
solucionou
mais
do
mtodo
ou
nuclear,
no
dependendo
da
de
do
este
uniforme
nos
escolhido
Float
Zone,
distribuio
fsforo, uma vez que a dopagem feita atravs de um

puramente
no
natureza
do
mtodo
deste
coeficiente.
Uma
resistividade
comparao
das
de
lminas
homogeneidade
entre
os
dois
mtodos,
convencional e NTD, ilustrado nas figuras 4.7.1

Foi
feito
um
mapeamento
milimtrico
resistividades na superficie de duas
' de
de
no
medidor
de
onde
reator
orientados
resistividade
na
resistividade
45, 90 e 135 respectivamente, na superficie das

com um aparelho
de
Si;
NTD
medindo-se
milimtricamente ao longo de 4 dimetros
4.7.2.
convencional
empresa Heliodinmica e noutra pela tcnica

lEARl. O mapeamento foi feito
medidas
lminas
numa delas a dopagem foi feita pelo mtodo
na
O^,
lminas,
pelo
mtodo
pontas. Pode-se notar uma variao de resistividade ao longo

da superficie
da
lmina
fig.4.7.1 ) , de apenas
onde
3%,
usou-se
enquanto
mtodo
que
na
variao
resistividade ao longo da superficie da lmina onde

o mtodo convencional, ( fig.
4.7.2
),
temos
valores de resistividades que possuem uma
pontos
de
(
de
usouse
variao
10% . Temse portanto, uma melhor qualidade
NTD,
com
de
at
dopagem
no
mtodo NTD.
No presente trabalho tinha-se
disposio,
somente aparelhos para medir as resistividades de lminas de

Si pelo mtodo
comparao
implicaria
pontas.
entre
em
Uma
estes
medir
utilizando o mtodo do
anlise
dois
grficos
resistividade
potencial
mais
rigorosa
apresentados,
micrometricamente,
transversal
capitulo II, uma vez que este mtodo mais
descrito
preciso
mtodo 4 pontas. O mtodo 4 pontas fornece apenas

mdio da resistividade
ao
longo
do
na
dimetro
que
um
da
no
o
valor
lmina.
Contudo, esta comparao do perfil de resistividade entre os

dois mtodos, muito
exaustivamente
conhecida
analisado,
referncias [ 6 ] , [19] e [ 3 7 ] .
como
na
literatura
podese
observar
foi
nas
40.0
-n
30.0
d
o
20.0
<D
O
"D
10.0
0.0
I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I
20
40
60
80
Posicao (mm)
Fig.4.7.1.
M e d i d a s de r e s i s t i v i d a d e s a o longo do diannetro
E s t a l a m i n a ( tipo F z ) foi i r r a d i a d a no r e a t o r
de u m a l a m i n a de 3 pol
I E A - R 1 , (Tcnica NTD)
30.0
20.0
**
**
'
****
* *
*' "* * *
* '
d)
x>
"O
10.0
0.0
"r~i
O
Fig.4.7.2.
rn rn rn i i pn m
i i, i i m
piiimr~r T H
80
40
60
Posicao ( m m )
M e d i d a s de r e s i s t i v i d a d e s a o l o n g o do d i m e t r o de u m a l a m i n a de 3
E s t a l a m i n a foi d o p a d a p e l o m e t o d o c o n v e n c i o n a l n a
empresa
l i o d i n m i c a d u r a n t e o c r e s c i m e n t o do m o n o c r i s t a l pelo m e t o d o C z .
I I I I I
~jn
20
pol
he-
CAPITULO V
DISCUSSO DOS RESULTADOS E CONCLUSXO.
Como
foi
mencionado
anteriomente,
dopagem do silicio monocristalino com fsforo realizada pelo

mtodo convencional
( quimico
semicondutor com variaSes
),
de
resulta
em
um
resistividade
material
relativamente
grande, devido a segregao do fsforo, concentrando-o
mais
no centro durante o crescimento do monocristal.

Estas
prejudiciais para
potncia
de
variaSes
bom
grande
de
resistividade
desempenho
volume
dos
quando
dispositivos
construidos
material como substrato. Para solucionar estas

e produzir
silicio
monocristalino
semicondutor tipo -N ) com
dopado
carateristicas
so
com
de
este
dificuldades
com
fsforo
bem
superiores,
foi desenvolvida uma metodologia no presente trabalho onde a

dopagem do
silicio
com
fsforo
processo nuclear chamado
"Neutron
(NTD). A
desta
grande
vantagem
convencional de dopagem esta
na
feita
atravs
de
Transmutation
tcnica
obteno
sobre
de
Doping"
o
mtodo
distribuio
muito uniforme do dopante ( fsforo ) em todo
cristal,
uniforme
que
resulta
em
um
perfil
bem
um
volume
do
de
resitividades axiais e radiais .
Alm disso,
preciso na dopagem final (
tcnica
valor
de
NTD
permite
resistividade
muito perto do valor desejado ) devido ao controle

da
dose
de
nutrons
recebido
pelo
cristal
alta
final
rigoroso
durante
irradiao do mesmo no reator nuclear.
Como
parte
projetado, construido e
lEA-Rl,
um
dispositivo
do
instalado
presente
no
especial
trabalho,
reator
para
de
foi
pesquisa
irradiao
de
monocristais de silicio. Foram realizados medidas extensivas

e
cuidadosas
para
determinao
de
perfil
do
fluxo
de
nutrons na posio de irradiao. Foi utilizada
de ativao coro
para
monitores
de
fio
medida. A medida de atividade dos
de
cobalto
monitores
foi
tcnica
esta
realizada
pelo mtodo de espectrometria garoa. Os resultados mostram um

perfil do fluxo de neutrons bastante simtrico em
posio central do dispositivo onde
13
2
ordem
10
o' fluxo
torno
mximo
de
da
n / cm .s, ( fig .4.3.2 ) . Pode ser visto tambm
que possvel irradiar um tarugo de silicio com comprimento

mximo de 25 cm coro variao axial de dose de neutrons menor
que 10% . Contudo, na prtica possvel diminuir ainda roais
este gradiente axial, e o mtodo que esta sendo utilizado em
nosso laboratrio consiste em irradiar dois tarugos de 20cm,
um de cada lado do mximo do perfil do fluxo e
inverter
posiSes, como mostra a fig. 4.3.3, quando receberaro

da dose necessria. O controle de dose de neutrons
atravs
de
dispositivo
dois
de
detectores
irradiao.
SPND
instalados
Estes
detectores
as
roetade
feito
junto
SPND
ao
foram
calibrados com monitores de cobalto.

Os resultados obtidos com
lminas de silicio (Si - Cz )
resistividade
alcanados
final,
coro
da
mostram
ordem
irradiao
de
irradiao
que
32
os
valores
Ocro,
durante
um
das
de
podem
ser
periodo
de
aproximadaroente 24 horas ( dose .mdia de neutrons; 9.0 x

17
2
n / cm
) . Os resultados ainda
mostram
radial de resistividade para lminas de
que
3"
de
10
gradiente
dimetro
menor de 3%
Como foi mencionado anteriormente, uma reao
nuclear secundria
ocorre quando o ncleo P^* produzido
silicio continua sendo irradiado : p'* + n

S
. A meia vida do
secundria produz um rdio

surgem implicaes
silicio,
embora
internacionais
em
este
de
de
14.
istopo
relao
nivel
proteo
residual
radioatividade.
dos
cristais
de
P^^
esta
reao
com
meia
vida
maior,
nivel
de
seja
muito
pequeno.
radiolgica,
as
silicio
Como
ao
Para
d.
liroite do nivel de radiao roenor que 2 x

isento de
no
10~*
^Ci/g
de
do
Normas
estabelecem
medidas
aps
radiao
uro
coroo
atividade
irradiao,
foi
construido um sistema com detector 6eiger,

foi determinada
similar
ao
com
do
uma
cristal.
soluo
Este
de
cuja
P^^
sistema
eficincia
com
geometria
possui
suficiente
sensibilidade para detectar um nivel de radioatividade menor

que o limite mximo permissivel
pelas
normas
de
proteo
radiolgica.
O projeto "Dopagem do Silicio

com Fsforo pela Transmutao
com
Monocristalino
Nutrons"
utilizando
reator de pesquisa lEA -Rl do IPEN - CNEN / SP
iniciou
no final do ano de 1987 atravs de uma colaborao

politcnica ( LME ) da USP . O laboratrio LME
primeiras lminas de silicio - Cz que foram
-se
entre
grupo do IPEN e o laboratrio de micro eletrnica da
o
o
escola
forneceu
as
irradiadas
num
"beam - hole" tangencial do reator. Aps a irradiauô por um

periodo de aproximadamente
150
horas
nesta
observado uma reduo na resitividade
posio,
final
sendo seu valor inicial igual 162 Ciem.
para
Entretanto,
concluido de imediato que a densidade de fluxo

-
hole
"
era
muito
pequeno
Qcm,
de
de aproximadamente 6 . l o " n/cm^.s na posio de

neste "beam
58
foi
foi
nutrons
irradiao
para
qualquer
aplicao prtica.
No primeiro semestre de 1989
um
vertical foi construido e instalado
ocupando
refletor de grafite na placa matriz
do
irradiao de tarugos de
silicio
de
lugar
reator,
2.5"
de
um
permitindo
de
Durante este tempo j tinha sido estabelecido

uroa empresa local ( Heliodinmica S/A
dispositivo
dimetro
contacto
coro
} produtora de silicio
monocristalino CZ. O IPEN firmou um convnio de cooperao

tcnica com esta empresa, onde ela concordou em fornecer
tarugos de silicio para
deste
momento
ensaios
iniciaram
se
de
irradiao.
medidas
partir
extensivas
determinao do perfil de fluxo de nutrons
na
irradiao.
realizados
Uma
srie
de
ensaios
foram
os
posio
para
de
com
tarugos e lminas de silicio - CZ para estabelecer a relao

precisa entre a dose de
nutrons
recebida
final do silicio. O tratamento trmico
aps
resitividade
irradiao
do
silicio e medidas de resitividade final foram realizados
no
incio deste trabalho, no LME ou

S/A. Entretanto,
durante
na
este
empresa
periodo
conseguiu atravs de um projeto de
Heliodinmica
nosso
laboratrio
assistncia
tcnica
da
Agncia Internacional de Energia Atmica "Silicon Doping
by
neutron transmutation " ( Projeto - BRA/41038 ) , um
medidor
de resitividade tipo 4 -
medidas
pontas.
Desde
ento
as
passaram a ser realizadas no IPEN .
Com os resultados do presente
trabalho,
foi
demonstrado claramente a viabilidade do mtodo de dopagem do

silicio
monocristalino
pela
irradiao
coro
nutrons
no
reator lEA - R l .
Logo foi iniciado um projeto para
construo
de um dispositivo para irradiao de tarugos de silicio
com
dimetro de at 4". Este dispositivo foi instalado no reator

ero meados de 1990 ( fig 3.3.3 ) Mais
uroa
vez
uro
trabalho
extensivo para medidas de perfil de fluxo de
nutrons,
foi
realizado
condies
de
para
determinar
as
melhores
irradiao neste dispositivo .

^
Os resultados mostraram novamente coroo J foi

mencionado, que poderoos irradiar dois cristais de 20
cm
de
comprimento invertendo as posies na metade da
irradiao.
Desta forma conseguiremos uroa variao axial de
dose
menor
de 107. para arobos os cristais ( 40 cm no total ) .
Foi
alocado
um
espao
separado
para
um
cmara
de
digital
de
laboratrio para medidas de radioatividade . Uma

ionizao ( gs pressurizado
um
medidor
corrente, so utilizados para medidas de radioatividade

monitores de cobalto (
este
mtodo
mais
simples para trabalho de rotina em lugar
de
coveniente
determinado
pelo
detector
possui espao separado para

silicio antes e depois
da
G.M
no
tarugos
calibrado.
manuseio
irradiao,
dos
espectroscopia
gama com detector de Nal(TI) que foi utilizado

trabalho ) . A atividade residual dos
dos
presente
irradiados
O
laboratrio
monocristais
coroo
por
encapsulamento em canecas de aluminio, limpeza da
de
exemplo:
superfice
do
tarugo
aps
irradiao,
preparao
de
monitores
de
cobalto etc.
No
inicio
de
1991
laboratrio
proposta de uma empresa japonesa produtora

de silicio -
FZ,
mostrando
interesse
servio de irradiao de silicio. Esta
de
em
monocristais
utilizar
ensaios.
Os
nosso
empresa nos ofereceu
remessa de alguns lotes de tarugos de silicio < 4"

2.5" de dimetro para
recebeu
ensaios
de
3"
irradiao
comerciais se iniciaram em maio daquele ano. Aps irradiao

os tarugos so
trmico
devolvidos
realiza
medidas
empresa
de
que
faz
resistividade
tarugos. Isto tem nos dado uroa excelente

estabelecer com preciso nossos
tratamento
final
dos
oportunidade
para
parmetros
de
irradiao,
como por exemplo, relao dose x resistividade, uniformidade

na dopagem, preciso na dopagem etc .
J foram irradiadas mais

cristais at o momento, e podemos dizer
de
uma
que
dezena
os
de
resultados
foram inteiramente satisfatrios.
Considerando
irradiao
silicio com apenas 4" de dimetro em
de
nosso
cristais
de
dispositivo,
considerando que um par de cristais coro 20 cro de coroprimento

cada uro, leva no mximo 32 horas de irradiao ( 04 dias
de
operao do reator ) , poderoos chegar a concluso que
dentro
do presente esqueroa de operao do reator ( 08 h por
dia
05 dias por semana
nossa
capacidade
de
irradiao
silicio ser da ordem de 30O - 400 kg/ano ( este valor

menor se considerarmos irradiao de tarugos coro
de dimetro ) . Esta capacidade muito pequena
seriamente
Internacional
ateno
de
de
silicio
qualquer
FZ.
grande
uro
esta empresa japonesa nos solicita um servio de
produtor
devamos
exemplo,
irradiao
praticamente 10 a 15 vezes maior que nossa capacidade

) . Em tese, teriam duas formas
capacidade
produtiva:
a)
possveis
instalar
no
para
ser
atrair
que
aumentar nossa capacidade de irradiao ( coroo
do
3" ou 2.5"
para
imperativo
anual
aumentar
reator
mais
dispositivos ( "rigs " ) de irradiao, b) aumentar o
tempo
de
operao
do
reator.
Acreditamos
que
as
duas
possibilidades merecem uma anlise mais sria. Entretanto

dificuldades na obteno
de
novos
elementos
as
combustveis
para o reator, tambm devem ser levadas em considerao.
Em
concluso, podemos afirmar que o presente trabalho realizado

como parte desta dissertao, mostra viabilidade da
do silicio monocristalino com fsforo
Hoje ns temos
silicio NTD da ordem de 300 - 400 kg / ano com qualidade
do
compatvel
instalada
com
internacional. As possibilidades
servio
devem
exploradas
exigido
de
comercializao
no
no
mbito
mercado
deste
nacional,
sensibilizando, por exemplo, a empresa Heliodinmica
S/A
iniciar uma
mbito
modesta
internacional.
ser
de
NTD
de
final
capacidade
metrodo
produo
produto
uma
pelo
dopagem
produo
de
Si
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pela

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AUTARQUIA ASSOCIADA A UNIVERSIDADE

DOPAGEM DE SILCIO MONOCRISTAUNO PELA

JOS RICARDO SEBASTIO

Dissertao apresentada como parte

DOPAGEM DE SILCIO MONOCRISTAUNO PELA TRANSMUTAO

JOSE RICARDO SEBASTIO

Dissertao apresentada como parte

Orientador: Dr. Rajendra Narain Saxena

Estrutura cristalina do SI e materials send.condutores

Estrutura cristalina do Si........

Estados de energia dos eltrons em um cristal...

Condutores , isolantes e semicondutores

Propriedades bsicas dos materiais semicondutores ... 08

Problemas na dopagem do Si pelo mtodo convencional.. 10

Consideraes gerais sobre reaSes

ReaSes nucleares induzidas pelos neutrons

Relao entre dose de neutrons e Resistividade

Danos causados pela irradiao e tratamento Trmico ps

Medio da resistividade nas lminas de Si,

Equipamentos Utilizados e Procedimentos

dade residual de P^* do cristal de Si

Detectores gama-Detectores de Cintilao

Detectores Beiger - Muller

Monitorao de Fluxo de neutrons

Calibrao do detector Geiger

Calibrao do detector SPND

Medida do fluxo de neutrons

Medida do fator "self-shielding" e razo de cdmio ... 51

Determinao do perfil vertical do fluxo de

na posio de irradiao das amostras de Si.....

Determinao da eficincia do detector

e c4culos pelo mtodo de Monte Carlo............

Irradiao de tarugos e lminas de Si no Reator lEA-Rl

Anlise da Homogeneidade na Resistividade das

de Si Dopadas pela Tcnica NTD.

DiscussSo dos Resitados e ConclusSo.

Aos meus filhos

difceis no transcorrer deste trabalho.

- Agncia Internacional de Energia Atmica ( lAEA ) ,

Reator lEA-Rl do IPEN.

- Empresa Heliodinmica, em especial

monocristais de silicio e tratamento trmico.

sugestSes, sem o qual grande parte deste

teria sido alcanado.

medidas e preparao de amostras.

- Ao Sr Robert, .do Laboratrio de Microeletrnica

- A todos os Componentes da Diviso TFF.

Transformao nuclear do silicio

Si^** (n,;^) Si^*

foi desenvolvido em uma tcnica eficiente para

homogeneidade e preciso de dopagem que resultam do processo

semicondutor com caractersticas muito superiores

obtido com dopagem quimica convencional.

construido e instalado junto ao ncleo do reator de pesquisa

Medidas extensivas e cuidadosas de

fluxo de neutrons na posio de irradiao foram realizadas.

Junto com cristais de silicio.

possibilidade de irradiao de cristais de silicio de at 40

cada um ) resultando numa uniformidade de dopagem melhor

finais da ordem de 32-35 Ocm foram alcanados para

8-9., 10*'' n/cm^). A produo comercial do

NTD com uma capaidade modesta de aproximadamente 400 Kg por