FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRONICA - FIEE

POLARIZACION DEL JFET

I.

OBJETIVOS
Mediante el experimento de la polarizacin del JFET lo que se
pretende realizar es encontrar el momento en el cual se est
usando como amplificador.

II.

MARCO TEORICO
INTRODUCCION
El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue
inventado en 1948, al mismo tiempo que el transistor normal o
bipolar, pero no fue posible su implantacin hasta 1970 debido a la
alta tecnologa necesaria para formar sus uniones.
Un JFET rene las caractersticas ms interesantes de las vlvulas
electrnicas, con las grandes ventajas de los componentes
semiconductores. Segn su composicin, existen dos tipos de
transistores JFET, los JFET de canal N y los de canal P.
En la siguiente figura, se muestra la estructura de un transistor
unipolar JFET de canal N con su smbolo correspondiente:

Este componente est formado por una delgada capa de material

semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de sta aparecen
dos regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los
extremos del canal se sita un terminal. As, tenemos un terminal de
fuente o surtidor (del ingls source) y otro de sumidero o drenador
(drain). Las dos regiones P se interconectan entre s, y hacia el
exterior, constituyendo el terminal de puerta o graduador (gate).
Este componente funciona de la siguiente forma: en los transistores
de unin bipolares, la corriente de colector emisor se controlaba
gracias a la variacin de la pequea corriente que se aplica a la base,
realizndose la conduccin tanto por electrones como por huecos. Sin

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embargo, los transistores de efecto campo funcionan solamente con
un tipo de portadores de carga: huecos o electrones, segn el tipo de
canal. As, por ejemplo, en un JFET de canal N, lo portadores son los
electrones.
Curvas caractersticas de drenador de un JFET.

Resistencia de entrada.
Debido a que la corriente que circula por el terminal graduador es
prcticamente cero, la resistencia o impedancia de entrada se hace
elevadsima, del orden de miles de kilohmios. Por esta razn, este transistor
se emplea ms en aquellos casos en que se requiera una mayor impedancia
de entrada.
Curvas de transferencia o transconductancia.

Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (ID)
en funcin de las variaciones que experimenta la tensin de graduadorsurtidor (VGS) para valores de VDSconstantes.

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En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET posee la forma
de una parbola, tal como se muestra en la figura anterior. Esta grfica se
corresponde con las curvas de drenador del JFET.
Esta curva se corresponde con la siguiente ecuacin:

De esta forma, conociendo los valores de IDSS y VGS(apag) (datos que suele
proporcionar el fabricante en las hojas tcnicas) se puede determinar el
valor de la corriente ID para cualquier valor de la tensin VGS aplicada a la
puerta.
Aplicaciones

En la figura de la izquierda, se muestra un ejemplo de interruptor analgico

con un JFET.
Si a este circuito se le aplica una tensin VGS=0, el transistor entrar en
saturacin y se comportar como un interruptor cerrado. Por otro lado, si la
tensin aplicada es VGS=VGS(apag), el transistor se pondr en corte y
actuar como un interruptor abierto.
Cuando se utiliza un JFET como interruptor, se le hace trabajar nicamente
en dos estados, corte y saturacin.
Fabricacin
JFET de canal N.
La siguiente figura representa un JFET en el que difusin se realiza por una
cara solamente. Se representa en ella la seccin del plano AA' de la vista
superior de la figura b). El sustrato es de material tipo P en el que se ha
formado por crecimiento epitaxial el canal n. Seguidamente, se difunde una
puerta P en el canal N. La puerta difundida es de un material de muy baja

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resistividad permitiendo que la regin de deplexin se extienda ms en el
canal tipo N.
JFET de canal P.
Este tipo se obtiene a partir de la estructura de la resistencia MOS,
aadiendo una conexin metlica al emisor, que la resistencia no
necesitaba para a su construccin. Este contacto conductor constituye el
terminal de puerta mientras que los otros dos terminales actan de fuente y
drenador. El canal lo constituye la fina regin P que forma la resistencia.
Obsrvese que el FET de canal P requiere dos operaciones de difusin P
contrariamente a lo que ocurre al FET de canal N de la anterior figura.
III.

MATERIALES
o Porta pilas
o 4 pilas de 1.5 voltios
o Protoboard
o Cables conectores y cocodrilos
o Fuente DC
o JFET K30A
o Resistencias
o Potenciometros

IV.

PROCEDIMIENTO
Montar los siguientes circuitos y realizar las mediciones indicadas
en clase:

Variando el
potencimetro se obtiene:
VGS
0.00
-0.12

ID
2.89
2.42

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VDS
6.22
7.16

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-0.23
-0.35
-0.47
-0.58
-0.70

1.99
1.60
1.24
0.93
0.66

8.02
8.80
9.51
10.1
10.7

Ahora con el segundo diseo:

Variando la resistencia R1 tenemos:

R1
10M
11M
12M
13M
14M
15M
16M

R2
1M
1M
1M
1M
1M
1M
1M

ID
2.50
2.38
2.28
2.20
2.13
2.07
2.01

VGS
-0.09
-0.12
-0.15
-0.17
-0.19
-0.21
-0.22

VDS
5.76
6.05
6.29
6.50
6.67
6.83
6.97

Variando la resistencia R2 tenemos:

R1
1M
1M
1M
1M
1M
1M
1M

R2
40K
50K
60K
70K
80K
90K
100K

ID
1.61
1.75
1.89
2.02
2.15
2.29
2.42

VGS
-0.34
-0.30
-0.26
-0.22
-0.18
-0.15
-0.11

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VDS
7.97
7.63
7.29
6.95
6.61
6.28
5.95

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Los valores de los voltajes estn dados en voltios y las corrientes en
miliamperios.
V.

CONCLUSIONES:
Se concluye que las mediciones fueron bastante correctas para el
funcionamiento de amplificacin del JFET, en ambos grficos se
estuvo muy cerca de hallas VGS igual a la mitad del voltaje de
entrada.

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