Cardeo

Castro
Yamil y Castro Romeiro.
Universidad Autnoma del Caribe. Ingeniero
SalMaikel,
Prez. El
transistor.
maikel-0724@hotmail.com, yamilcastromorales96@hotmail.com,romeirocastro@gmail.com
Universidad Autnoma del Caribe.

Laboratorio de Electrnica I, Informe de laboratorio

N8, Circuitos de polarizacin.

ResumenA continuacin se presenta el informe N8

realizado en laboratorio de electrnica anloga, su tema
central es la configuracin y polarizacin de los transistores
dado su uso en los circuitos, expuesto en este informe se
encuentra la descripcin de los procedimientos y los
resultados de estos.

I. OBJETIVO
Poder determinar el tipo de polarizacin de un
transistor y establecer las diferencias y
funcionamiento de cada uno de estos circuitos.

arreglos o circuitos que reciben el nombre de

circuitos de polarizacin, para satisfacer dichas
condiciones
Los cuales desarrollaremos con los materiales que
se tienen y se harn mediciones y comparaciones
para llegar a comprobar su funcionamiento en s.
A. POLARIZACION FIJA O DE BASE
Para iniciar, se alambra el circuito de la figura 8.1:

II. EQUIPOS Y DISPOSITIVOS

UTILIZADOS

Fuente de poder dual (0-30) VDC

Multiprobador digital
Multiprobador analogo
Transistor BD137 o equivalente (Se uso un
BD135)
Resistencia de 33 , 330 (se us una de
300 ) ,1 k, 12k ,56k , 130k(Se us
una de 120k )

Fig 8.1
RB = 130K: RC = 300; Q1 = BD135

III. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA

La mayora de circuitos donde funcionan los
transistores, se usa una sola fuente para el
suministro de corriente o potencia electrica; pero el
transistor requiere para su trabajo normal que el
circuito base - emisor este directamente polarizado
y el circuito base - colector inversamente
polarizado, por lo que se hace muy necesario ciertos

Para las mediciones se siguen los siguientes pasos,

los cuales sern los mismos para los dems circuitos
y as poder notar diferencias y conclusiones.
3.2.2. Compruebe la polaridad y rango de los
instrumentos e Interruptores as:
Ampermetro de IB; rango 1mA
Interruptor S3, Abierto.
Interruptor S2, Cerrado
Interruptor S1, Abierto
Voltmetro conectado para medir VBE.

Universidad Autnoma del Caribe. Ingeniero Sal Prez. El transistor.

3.2.3. Conecte la fuente y ajuste el voltaje a veinte

(20,0) voltios
3.2.4. Cierre el puente S1 y observe la lectura de
corriente y voltajes de base
antelos en la tabla 8.1. Traslade los instrumentos
para medir,
Corriente de Colector y voltaje Colector, antelos
en la tabla 8.1.
Espere dos minutos

B.
POLARIZACION
FIJA
REALIMENTACION DE EMISOR.

CON

Alambramos el circuito de la siguiente manera fig

8.2:

Los resultados fueron los siguientes:

VARIABLE
IB
VBE
IC
VCE

Tn
0.17mA
0.61V
22mA
14.3V

Tn+2
0.17mA
0.6V
21.5mA
14V

Tabla 8.1.
Luego:
Compruebe con el tacto la temperatura del
transistor.
Fro( ) Tibio(X ) Caliente( )
Abra el puente S1.
Teniendo claro los pasos que realizamos para este
circuito, procedemos a alambrar los otros tipos de
polarizacin yle repetimos el desarrollo de la
configuracin anterior.

Fig 8,2
RB = 130K; RC = 300; RE = 33; Q1 = BD135
Teniendo armado, Repita los pasos 3.2.2 al 3.2.4 y
llene la tabla 8.2.
Los resultados fueron los siguientes:
VARIABLE
IB
VBE
IC
VCE
VE
Tabla 8.2.

Tn
0.16mA
0.62V
20.4mA
13.7V
0.68V

Tn+2
0.16mA
0.60V
20.4mA
13.6V
0.692V

Luego:
Compruebe con el tacto la temperatura del
transistor.
Fro( ) Tibio(X ) Caliente( )
Abra el puente S1.
Tenemos:

Sigue:
C.
POLARIZACION
FIJA
REALIMENTACION POR COLECTOR

CON

Universidad Autnoma del Caribe. Ingeniero Sal Prez. El transistor.

Alambramos el circuito de la figura 8.3.

D.
POLARIZACION POR DIVISOR
TENSION O AUTOPOLARIZADO.

DE

Alambre el circuito de la figura 8.4.

fig 8.3
R1 = 56K; R2 = 330;Q1=BD135
Teniendo armado, Repita los pasos 3.2.2 al 3.2.4 y
llene la tabla 8.3.
Los resultados fueron los siguientes:
VARIABLE
IB
VBE
IC
VCE

Tn
0.21mA
0.63V
27mA
12.32V

Tn+2
0.21mA
0.60V
27.6mA
12.18V

Tabla 8.3.
Luego:
Compruebe con el tacto la temperatura del
transistor.
Fro( ) Tibio(X ) Caliente( )
Abra el puente S1.

Fig 8.4
R1 = 56K; R2 = 330;Q1=BD135
Teniendo armado, Repita los pasos 3.2.2 al 3.2.4 y
llene la tabla 8.4.
Los resultados fueron los siguientes:
VARIABLE
IB
VB
IC
VCE
VE
Tabla 8.4.

Tn
0.18mA
1.35V
23.5mA
12.72V
0.75V

Tn+2
0.17mA
1.33V
22.6mA
12.56V
0.73V

Luego:
Compruebe con el tacto la temperatura del
transistor.
Fro( ) Tibio(X ) Caliente( )
Abra el puente S1 y desconecte la fuente. Desarme
el circuito.

Sigue:

Universidad Autnoma del Caribe. Ingeniero Sal Prez. El transistor.

IV. RESULTADOS
Acorde con los datos experimentales, que puede
usted decir sobre la estabilidad de los cuatro
circuitos?
R:Se puede decir que no existe mucha diferencia
entre sus estabilidades, por lo general siempre
tendian a conservar sus valores y ademas sin
recalentarse mucho.

VI.CONCLUSIONES
Cul es la causa de la inestabilidad de la
polarizacin fija?
R: La estabilidad de un sistema es una medida de la
sensibilidad de un circuito hacia las variaciones de
sus parmetros. En cualquier amplificador que
utiliza un transistor, la corriente del colector IC es
sensible a cada uno de los siguientes parmetros:

Cul es el ms inestable?
R:El ms inestable de acuerdo a los datos es el
circuito de polarizacin fija de base ya que sus
valores no se mantuvieron tan estable obviamente.

b: se incrementa con el aumento de temperatura.

Cul es el ms estable?

VBE : decrece aproximadamente 7.5mV por

incremento en grados Celsius en la temperatura.

R:El ms estable el de polarizacin fija con

realimentacion por emisor sus valores son los que
tienden a mantenerse iguales luego de los dos
minutos
establezca la recta de carga para los circuitos de
lasfiguras 8.1 y 8.2
R:

ICO (corriente de saturacin inversa): duplica su

valor por cada 10C de incremento en la
temperatura.

Cualquiera de estos factores puede causar que el

punto de polarizacin cambie de punto de operacin
diseada
Qu ventaja presenta
realimentacin de emisor?

la

polarizacin

por

R:
La finalidad de la polarizacin con realimentacin
de emisor es anular las variaciones de "cc" ello
equivale a que "RE" sea muco mayor que "RB/cc"
No obstante, en los circuitos prcticos "RE" no
puede ser lo suficientemente grande para anular los
efectos de "cc" sin que provoque la saturacin del
transistor

Universidad Autnoma del Caribe. Ingeniero Sal Prez. El transistor.

BILBIOGRAFIA
ANGULO, C; MUOZ A y PAREJA. J. Prcticas
de Electrnica. Edit. Mc Graw
Hill. ZBAR, Paul B; SZOOP, Joseph
Electricidad y Electrnica. Edit. Marcombo.

G.

KAUFMAN, Milton y SEIDMAN, Arthur H.

Electrnica Moderna. Edit. McGraw Hill.