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Engenharia Mecnica (5 Perodo)

Introduo Eletrnica
Diodos
Prof. Gabriel Antnio Taquti Silva
gabriel.silva@ifes.edu.br

Materiais Semicondutores

Estrutura do tomo
Um tomo formado por eltrons que giram ao redor de um ncleo
composto por prtons e nutrons.
Os eltrons giram em rbitas ou nveis bem definidos, conhecidos como K,
L, M, N, O, P e Q, que representa o modelo atmico de Bohr.

Estrutura do tomo
A ltima rbita de um tomo define a sua valncia, ou seja, a quantidade de
eltrons desta rbita que pode se libertar do tomo atravs do bombardeio
de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiao) ou se ligar a outro
tomo atravs de ligaes covalentes.
Os materiais semicondutores apresentam 4 eltrons na sua camada de
valncia (tetravalentes). No sendo classificados como bons isolantes, nem
como bons condutores.
Os semicondutores mais utilizados so o silcio e o germnio.

Estrutura do tomo
O tomo de silcio:
O tomo de silcio contm 14 prtons e 14 eltrons.

Estrutura do tomo
O tomo de germnio:
O tomo de germnio contm 32 prtons e 32 eltrons.

Estrutura do tomo
Quando se tem vrios tomos de silcio, cada tomo compartilha 4 eltrons
com seus tomos vizinhos atravs da ligao covalente formando uma
estrutura molecular forte.

Estrutura do tomo
Quando o cristal de silcio colocado em uma temperatura superior ao zero
absoluto (-273 C), alguns eltrons da camada de valncia se tornam
eltrons livres, sendo capazes de se movimentar pelo material.
O eltron, ao se tornar livre, deixa no lugar um buraco, ou lacuna.
Na temperatura ambiente, em um cristal puro, ou seja, formado apenas por
um tipo de tomo, ocorre a formao de eltrons livres e lacunas, porm a
quantidade de eltrons livres igual ao nmero de lacunas, por isso, a
neutralidade deste cristal se mantm.
A formao de eltrons livres chamada de gerao, e quando se tem um
cristal puro, ele chamado de semicondutor intrnseco.

Semicondutores do Tipo P e N
Em um semicondutor, podem-se acrescentar impurezas para se obter
excesso de eltrons livres ou excesso de lacunas.
Quando h impurezas, o semicondutor chamado de extrnseco.
Quando se adiciona um tomo pentavalente (como o antimnio - Sb) ao
cristal puro, sobra um eltron.

Semicondutores do Tipo P e N
Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N, pois em toda a sua
estrutura, a quantidade de eltrons livres superior quantidade de
lacunas.
Como a quantidade de eltrons livres maior do que a quantidade de
lacunas, os eltrons livres so chamados portadores majoritrios e as
lacunas portadores minoritrios.

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Semicondutores do Tipo P e N
Se, no entanto, acrescentarmos impurezas trivalentes (como o boro - B),
para que ocorra a estabilidade, ir faltar um eltron, ou seja, sobra uma
lacuna.
Temos, ento, a formao de um material do tipo P, onde as lacunas so os
portadores majoritrios e os eltrons livres portadores minoritrios.

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Diodos

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Juno PN
Quando se juntam, em uma nica pastilha, dois materiais extrnsecos, um
do tipo P e outro do tipo N, forma-se uma juno PN, chamado de diodo.
Na juno PN, os eltrons livres do material tipo N so atrados pelas
lacunas do material tipo P.
Os tomos que perdem eltron ficam ionizados positivamente (ctions) e os
que recebem ficam ionizados negativamente (nions).
Na juno cria-se um campo eltrico impedindo que outros eltrons passem
do material tipo N para o material tipo P.

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Juno PN
Na juno PN, tem-se o que chamado de camada de depleo, ou seja, a
camada onde se encontra os ctions e nions.
Devido camada de depleo, surge uma barreira de potencial, ou seja,
existe uma diferena de potencial na juno.
A barreira de potencial na temperatura de 25C de aproximadamente 0,7V
para os diodos de silcio e 0,3V para os diodos de germnio.

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Juno PN Polarizada Diretamente


Na polarizao direta de uma juno PN, o positivo da fonte ligado ao
material tipo P e o negativo ligado ao material tipo N.
Quando isto acontece, o terminal negativo repele os eltrons livres do
material N em direo a juno que, por terem energia adicional, podem
atravessar a juno e encontrar as lacunas do lado P.
Conforme os eltrons encontram as lacunas, eles se recombinam com as
lacunas sucessivamente, continuando a se deslocar para a esquerda atravs
das lacunas at atingirem a extremidade esquerda do material P, quando
ento deixam o cristal e fluem para o polo positivo da fonte.

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Juno PN Polarizada Reversamente


Quando se liga o polo positivo da bateria ao lado N, diz-se que a juno
est reversamente polarizada.
Quando isto acontece, os eltrons livres do lado N se afastam da juno em
direo ao polo positivo da bateria. As lacunas da regio P tambm se
afastam da regio de juno, aumentando a largura da camada de depleo.
Com o aumento da tenso reversa aplicada sobre a juno, mais larga se
torna a camada de depleo. A camada s para de aumentar quando a
tenso sobre a camada de depleo for igual a tenso da fonte.
O aumento da camada de depleo no infinito, pois na maior parte das
vezes ela se rompe destruindo o componente.

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Tenso de Ruptura
Se a tenso reversa for aumentada, haver um valor chamado de tenso de
ruptura em que o diodo passa a conduzir intensamente no sentido reverso,
destruindo o componente.
Diodos comerciais para retificao quase sempre possui tenso reversa
acima de 50 V.

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Diodo Ideal
O diodo ideal um componente ilustrativo que serve para entender com
facilidade o funcionamento de um diodo real.

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Diodo Ideal
No grfico abaixo, no lado esquerdo da curva, ocorre a polarizao reversa
da juno.
Quando operando no lado direito da curva, o diodo conduz intensamente.
Quando operando no lado esquerdo, ele no conduz.

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Diodo Real
O diodo real bem diferente do diodo ideal pois apresenta uma queda de
tenso quando polarizado diretamente, alm de uma corrente de fuga
quando polarizado no sentido reverso.
Vd - tenso direta
Id - corrente direta
Vr - tenso reversa
Ir - corrente reversa
V - tenso de limiar de conduo
Vz - tenso de ruptura

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Exerccios
1) Dado os circuitos, indique qual das lmpadas ir acender:
a)

b)

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Exerccios
2) Calcule a corrente que passa no ampermetro.

3) Calcule a tenso que o voltmetro deve indicar

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Exerccios
4) Calcule a tenso no resistor de 1k.

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Diodo Emissor de Luz


O diodo emissor de luz, tambm conhecido pela sigla em ingls LED
(Light Emitting Diode), usado para iluminao e identificao.

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Diodo Zener
O diodo zener um diodo construdo especialmente para trabalhar
polarizado reversamente, conduzindo na regio de ruptura.

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Diodo Zener
O diodo zener, quando polarizado diretamente, funciona como um diodo
comum mas, ao contrrio de um diodo convencional, ele suporta a
conduo de corrente em tenses reversas prximas tenso de ruptura.
A sua principal aplicao a de conseguir uma tenso estvel,
independente da corrente que o atravessa.
No circuito abaixo ele est em srie com um resistor limitador de corrente e
sua polarizao normalmente reversa.

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Diodo Zener
Corrente Mxima do Zener: =
Exemplo: Se um diodo zener de 12 V tem uma especificao de potncia
mxima de 400 mW, qual ser a corrente mxima permitida?

400
=
= 33,3
12

Este zener suporta uma corrente mxima reversa de 33,3 mA.

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Diodo Zener
Corrente Mnima do Zener:
A corrente mnima define o ponto aproximado em que o diodo comea a
sair da regio de ruptura em direo regio de corte, onde no h
conduo de corrente.
Quando o diodo entra na regio de corte, sua tenso cai com relao ao
valor da tenso de ruptura VZ.
Considera-se a corrente mnima do zener como sendo de 10 a 20% do valor
da corrente mxima do zener. Considerando uma proporo de 15%, temos
a expresso abaixo:
= 0,15

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Regulador de Tenso com Zener

Descrevendo a equao do circuito acima, tem-se:


= 0
= =

=

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Regulador de Tenso com Zener


A corrente do zener, quando calculada com base em sua potncia, o
mximo valor que ela pode atingir, mas quando calculada em um circuito
como o anterior, utiliza-se um valor de IZ menor que o mximo valor
calculado.
Fazendo assim, o diodo trabalha com um valor de corrente inferior ao
mximo, evitando aquecimento excessivo na juno.

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Regulador de Tenso com Zener


Exemplo: Considerando um diodo cuja tenso zener seja de 12 V e cuja
potncia seja 500 mW, sendo a fonte de alimentao de 18 V, pode-se calcular
o valor da resistncia em srie com o diodo.

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Regulador de Tenso com Zener


Clculo de IZMAX:

Clculo de IZMIN:

=
500
=
12
= 41,67
= 0,15
= 41,67 103 0,15
= 6,25

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Regulador de Tenso com Zener


Clculo de RZMIN:

18 12
=
41,67 103
= 144

O valor de RZ deve ser superior a RZMIN para que o diodo no se danifique ao


ser submetido a uma corrente superior sua corrente mxima IZMAX.

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Regulador de Tenso com Zener


Clculo de RZMAX:

18 12
=
6,25 103
= 960

O valor de RZ deve ser menor que RZMAX para que o diodo opere fora da regio
de corte, onde a corrente inferior a IZMIN.
Assim:
< <
144 < < 960
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Retificadores Monofsicos

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Onda Senoidal

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Tenso de Pico
Os valores de pico positivo ou negativo de uma senide o mximo valor
que a onda alcana durante a excurso dos semiciclos positivo ou negativo.

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Valor de Pico a Pico (VPP)


O valor de pico a pico de qualquer sinal a diferena entre seu valor
mximo e o seu valor mnimo.
O valor de pico a pico de uma senide o dobro do valor de pico.
= 2

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Valor Mdio (VM)


O valor mdio de um sinal peridico igual mdia aritmtica de todos os
valores que este sinal assumiu em um ciclo.
Como as senides apresentam simetria perfeita em seus valores negativos e
positivos, seu valor mdio nulo.

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Valor Eficaz (VEF ou VRMS)


Quando uma tenso senoidal aplicada a um resistor, ela fora a circulao
de uma corrente tambm senoidal sobre o resistor.
O produto da tenso instantnea pela corrente d a potncia instantnea.
Como o resistor dissipa uma quantidade de calor mdio constante a
temperatura se comporta como se o resistor estivesse sendo alimentado por
uma tenso contnua.
O valor eficaz de uma onda senoidal igual ao valor contnuo que produz a
mesma quantidade de calor que a onda senoidal.
= =

2
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Transformadores
So equipamentos eltricos que tem a funo de
transformar grandezas eltricas, alm de fornecer
isolamento eltrico entre seus enrolamentos.
Como os valores de tenses utilizados na maioria
das vezes em eletrnica inferior ao valor de
distribuio das concessionrias de energia, fazse necessrio o uso de transformadores afim de
reduzir o valor da tenso da rede.
A relao fundamental de um transformador a
relao de transformao que especifica em
quantas vezes foi alterada a teso do secundrio
em relao do primrio.
1 = 2

1 2
=
2 1

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Retificador Monofsico de Meia Onda


o retificador mais simples que existe, e sua aplicao est restrita a baixa
potncia servindo apenas para uso em pequenas fontes de alimentao,
tenso de referncia, etc.
Seu uso muito restrito devido ao retificador possuir uma tenso mdia
baixa e um alto nvel de ondulao na tenso na carga (ripple).

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Retificador Monofsico de Meia Onda

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Retificador Monofsico de Onda


Completa com Tomada Central
o retificador mais usado para baixas tenses e baixas potncias.
Utiliza somente dois diodos, porm necessita de um transformador especial
que causa uma defasagem de 180 nas tenses de sada.
Este retificador apresenta um inconveniente que a elevada tenso reversa
sobre os diodos, mas seu uso disseminado em eletrnica geral de baixas
tenses.

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Retificador Monofsico de Onda


Completa com Tomada Central

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Retificador Monofsico de Onda


Completa com Tomada Central

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Retificador Monofsico de Onda


Completa em Ponte
Dos retificadores monofsicos, o mais utilizado em aplicaes onde
existem tenses elevadas e maiores correntes.
Utiliza um nmero maior de diodos, no sendo necessrio o uso do
transformador com tomada central.
Uma grande vantagem deste circuito que os diodos ficam submetidos
tenso mxima de entrada, e no ao dobro da tenso, como no retificador
com tomada central.

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Retificador Monofsico de Onda


Completa em Ponte

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Filtros Capacitivos para Retificadores


Aps a retificao, a tenso aplicada carga, apesar de unidirecional,
possui ainda uma ondulao bastante acentuada, dificultando o seu
aproveitamento em circuitos eletrnicos.
Para que ela se torne mais uniforme necessrio o uso de algum tipo de
filtro.
O filtro mais utilizado o filtro capacitivo que reduz muito a ondulao da
tenso, tornando assim o retificador aceitvel para a maioria das aplicaes.

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Filtros Capacitivos para Retificadores

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