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Eletrnica Bsica

Aula 05 Anlise de Polarizao CC TJB


Professor: Vladimir Homobono Soares
E-mail: eng.vladhomobono@gmail.com

Polarizao

As tenses CC aplicadas a um transistor


tem a finalidade de transform-lo em um
modo para que um sinal AC seja
amplificado.

Ponto de Operao

A entrada CC
estabelece
um
ponto de operao
ou um ponto ponto
quiescente
chamado de
Qpoint.

Os trs estgios de operao


Operao na Regio Linear
Juno Base-Emissor polarizada diretamente.
Juno Base-Coletor polarizada reversamente.
Operao na Regio de Corte
Juno Base-Emissor polarizada reversamente.
Operao na Regio de Saturao
Juno Base-Emissor polarizada diretamente.
Juno Base-Coletor polarizada diretamente.

Circuitos com Polarizao CC


Circuitos de Polarizao Fixa.
Circuito
de
Polarizao
Estvel com Emissor.
Malha Coletor-Emissor
Polarizao por Divisor de
Tenso.
Polarizao
cc
com
realimentao de Tenso.
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Polarizao Fixa

Malha Base-Emissor
Da Lei de Kirchhoff das tenses:

+VCC IBRB VBE = 0

Solucionando para a corrente da base:

IB

VCC VBE
RB

Malha Coletor-Emissor
A corrente no coletor:

I C I B
Da Lei de Kirchhoff das tenses :

VCE VCC I C R C

Saturao
Quando o transistor est operando em saturao, a
corrente que atravessa o transistor seu valor
possvel mximo.
VCC
I Csat
RC

VCE 0 V

Anlise por Reta de Carga


Os pontos finais e de carga so:
ICsat
IC = VCC / RC
VCE = 0 V

VCEcutoff
VCE = VCC
IC = 0 mA

O Q-point o ponto de operao:


Onde o valor de RB ajusta o valor de IB
Que ajusta o valor de VCE e IC
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Como Q-Point afetado?

mais
11

Como Q-Point afetado?

mais
12

Como Q-Point afetado?

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Circuito de Polarizao Estvel do


Emissor
Adicionando um Resistor
(RE) no circuito emissor
estabiliza a polarizao
do circuito.

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Malha Base-Emissor
Da lei de Kirchhoffs das tenses:
VCC - I E R E - VBE - I E R E 0

como IE = ( + 1)IB:
VCC - I B R B - ( 1)I B R E 0

Ento para IB:


IB

VCC - VBE
R B ( 1)R E

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Malha Base-Emissor
Da lei de Kirchhoffs das tenses:
I R V
I R V
0
E E
CE C C
CC

como IE IC:
VCE VCC I C (R C R E )

tambm:
VE I E R E
VC VCE VE VCC - I C R C
VB VCC I R R B VBE VE

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Melhoria na Estabilidade de Polarizao


Estabilidade se refere uma condio do circuito que
em cada correte e tenso iro permanecer
relativamente constantes para uma grande faixa de
temperatura e valores de .

Adicionando RE no emissor, h uma melhora na estabilidade do transitor

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Nvel de Saturao

Nos terminais do grfico:


VCEcutoff:

ICsat:
VCE VCC
I C 0 mA

VCE 0 V
IC

VCC
RC RE

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Polarizao por Divisor de Tenso

Esse um circuito com


polarizao bastante estvel.
A corrente e a tenso so
quase independentes de
qualquer variao em .

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Anlise Aproximada
quando IB << I1 and I1 I2 :
VB

R 2 VCC
R1 R 2

quando RE > 10R2:


VE
RE
VE VB VBE

IE

Da lei de Kirchhoffs das tenses:


VCE VCC I CR C I E R E
IE IC
VCE V CC I C (R C R E )

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Anlise por Polarizao por Divisor de


Tenso
Nivel de saturao do transistor
V CC
I Csat I Cmax
RC RE

Anlise da reta de carga

Corte:

Saturao:
VCE VCC
I C 0mA

VCC
IC
RC RE

VCE 0V

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Polarizao CC com realimentao de


Tenso
Outra
maneira
de
melhorar a estabilidade
de
um
circuito
de
polarizao adicionar
um
circuito
de
realimentao a partir do
coletor para base.
Neste
circuito
de
polarizao do ponto Q
apenas
ligeiramente
dependente do .

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Malha Base-Emissor
Da lei de Kirchhoffs das tenses:
VCC I C R C I B R B VBE I E R E 0

Quando IB << IC:


I' I I I
C C B
C

Como IC = IB and IE IC, a equao de


malha se torna:
VCC I B R C I B R B VBE I B R E 0

para IB:
IB

VCC VBE
R B (R C R E )

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Malha Coletor-Emissor
Da lei de Kirchhoffs das tenses:
IE + VCE + ICRC VCC = 0
Desde que IC IC e IC = IB:
IC(RC + RE) + VCE VCC =0
Para VCE:
VCE = VCC IC(RC + RE)

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Anlise de Polarizao Base-Emissor


Nvel de Saturao do Transistor
V CC
I Csat I Cmax
RC RE

Anlise da reta de carga

Corte:

VCE VCC

I C 0 mA

Saturao:

V
CC
I
C R R
C
E

VCE 0 V

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Circuitos de Chaveamento com Transistor


Transistores com apenas uma fonte de CC pode
ser usado como comutadores eletrnicos.

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Clculo de Circuitos com Chaveamento


Corrente de Saturao:
I Csat

VCC
RC

Para assegurar a saturao


I
I B Csat
dc

Resistncia de emissor-coletor
em saturao e de corte:
R sat

VCEsat
I Csat

R cutoff

VCC
I CEO
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Tempo de Chaveamento

Tempos de chaveamento:

t on t r t d
t off t s t f

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Dicas para soluo de problemas


Tenses aproximadas
VBE 0,7 V para transistores de silcio.
VCE 25% to 75% of VCC
Teste de abertura e curtos com um ohmmetro.
Teste as juntas de solda.
Teste do transistor com um provador de
transistor ou verificando a curva.
Note que a carga ou a prxima estgio afeta o
funcionamento do transistor.
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Para transistores PNP


A anlise para os circuitos de
polarizao do transistor PNP a
mesma que para os circuitos de
transstores PNP. A nica diferena
que as correntes esto a fluir na
direo oposta.

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