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CURSO 2002/03
TEMA 9
DESPLAZAMIENTO QUMICO
Factores que afectan al desplazamiento qumico
Estimacin de los desplazamientos: reglas empricas
Ncleos equivalentes
ANESFAR
CURSO 2002/03
Bo = 2.1 Teslas
(MHz)
ANESFAR
CURSO 2002/03
ANESFAR
CURSO 2002/03
ANESFAR
CURSO 2002/03
ANESFAR
APANTALLAMIENTO NUCLEAR
CURSO 2002/03
ANESFAR
CURSO 2002/03
ASPECTOS GENERALES
=I
= cte magnetogrica
( giromagntica)
ANESFAR
BTierra 0.00005 T
APANTALLAMIENTO NUCLEAR
CURSO 2002/03
Bncleo = Bo Belectrones
Campo local inducido, B
opuesto a Bo en el ncleo
Campo magntico externo, Bo
B es proporcional a Bo ( B = Bo )
y del orden de 104-105 veces ms pequeo
B = Bo B
Por lo que:
B = Bo (1 )
Bo
2
(1 )
ANESFAR
CURSO 2002/03
APANTALLAMIENTO NUCLEAR
Bo = 2.1 Teslas
320 Hz
480 Hz
90.000.480 Hz
90.000.320 Hz
ANESFAR
CURSO 2002/03
APANTALLAMIENTO NUCLEAR
Ej.: ClCH2OCH3
ClCH2OCH3
Bo (T)
90.000.480 Hz
90.000.320 Hz
Problema:
nmeros enormes
Solucin:
(seal ref)
2.1
480 Hz
320 Hz
4.2
960 Hz
640 Hz
Problema: dependencia de de Bo
Solucin:
(seal ref)
o
Para Bo = 2.1 T o = 90.000.000 Hz
480 / 90.000.000 = 5.33 x 10-6
Para Bo = 4.2 T o = 180.000.000 Hz
960 /180.000.000 = 5.33 x 10-6
ANESFAR
CURSO 2002/03
DESPLAZAMIENTO QUMICO
depende de la estructura
Desplazamiento qumico () :
Posicin de una seal en el espectro
Se expresa en funcin de la de una sustancia de referencia
(seal ref)
106
o
ANESFAR
CURSO 2002/03
DESPLAZAMIENTO QUMICO
Me2CO
C6H6
Me2SO
TMS
MeCN
(1H) ppm
()
()
Desapantallado
apantallado
APANTALLAMIENTO
Campo bajo
Campo alto
CAMPO MAGNTICO
ANESFAR
DESPLAZAMIENTO QUMICO
CURSO 2002/03
30 MHz
400 MHz
ANESFAR
DESPLAZAMIENTO QUMICO
CURSO 2002/03
ANESFAR
CURSO 2002/03
DESPLAZAMIENTO QUMICO
COOH
ArOH
ROH
RNH
RCHO
ArH
C=CH
CCH
COCHn
ArCHn
C=CHCHn
HalCHn
OCHn
TMS
NCHn
CCHn
10
Aromtico
ANESFAR
Olefnico
Aliftico
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
ANESFAR
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
CH2 CH3
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
(ppm)
(ppm)
Alquilo primario
RCH3
0.8 1.0
Alquilo secundario
R2CH2
1.2 1.4
Alquilo terciario
R3CH
1.4 1.7
ANESFAR
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
CH3X
CH3F
CH3OH
CH3Cl
CH3Br
CH3I
CH3H
EN (X)
(ppm)
4.0
3.4
3.2
3.0
2.7
2.2
4.26
3.40
3.05
2.68
2.16
0.23
CURSO 2002/03
CH3X (ppm)
Electronegatividad de Pauling
Reproducido de P.J. Hore,
Nuclear Magnetic Resonance, OCP, 1995
ANESFAR
CURSO 2002/03
CH3X
CH3F
CH3OH
CH3Cl
CH3Br
CH3I
CH3H
EN (X)
(ppm)
4.0
3.4
3.2
3.0
2.7
2.2
4.26
3.40
3.05
2.68
2.16
0.23
CH3X (ppm)
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
Electronegatividad de Pauling
El efecto de la EN es aditivo
(ppm)
ANESFAR
CH3Cl
3.05
CH2Cl2
5.30
CHCl3
7.27
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
Butano
3.0
2.5
CH2
2.0
1.5
CH3
1.0
(ppm)
Ej.: CH3CH2CH2Br
1.06
1.81 3.47
10
ANESFAR
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
Etano
Etileno
, Acetileno
H3CCH3
H2C=CH2
HCCH
C2H6
C2H4
C2H2
Debido a la presencia
de electrones
C2H4
C2H2
C2H6
C2H2
C2H4
C2H6
(en principio)
ANESFAR
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
Blocal
Blocal
Blocal
Blocal
ALQUENOS
Campo externo, B0
11
ANESFAR
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
Blocal
Blocal
Blocal
Blocal
Blocal
Blocal
Blocal
Blocal
ALQUENOS
ALQUINOS
Campo externo, B0
ANESFAR
Campo externo, B0
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
Blocal
Blocal
Blocal
Blocal
Blocal
Blocal
Blocal
Blocal
ALQUENOS
AROMTICOS
Campo externo, B0
Campo externo, B0
12
ANESFAR
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
Ej.:
5.9
5.9
7.3
9.3
H
-2.9 H
Ciclohexa1,3-dieno
Benceno
[18]-Anuleno
ANESFAR
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
[EtOH]
0.001 M
0.01 M
a) Producen grandes
desapantallamientos
0.1 M
OH
Ej.: Etanol
CH2
CH3
1M
CH3-CH2-OH
6.0
4.0
2.0
(ppm)
13
ANESFAR
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
b) El efecto es mayor en
puentes intramoleculares
Ej.: Acetilacetona
15.2
H
O
H3C
H 3C
CH3
CH3
H
ANESFAR
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
OMe
Ejemplo:
OMe
H
COOMe
6.8
7.3
8.0
7.2
6.9
OMe
OMe
7.4
7.5
OMe
+M
OMe
OMe
OMe
OMe
14
ANESFAR
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
8.2
Ejemplo:
OH
OAc
a
b
d
c
Acido acetilsalcilico (AAS)
8.0
7.8
7.6
7.4
7.2
7.0
(ppm)
ANESFAR
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
8.2
Ejemplo:
7.8
OH
OAc
a
b
d
c
Acido acetilsalcilico (AAS)
8.0
7.6
7.4
7.2
7.0
(ppm)
15
ANESFAR
CURSO 2002/03
1 - Grado de sustitucin
2 - Electronegatividad del sustituyente
3 - Distancia del sustituyente
4 - Presencia de dobles y/o triples enlaces
5 - Formacin de puentes de hidrgeno
6 - Conjugacin
7 - Otros factores
CDCl3
DMSO
ANESFAR
CURSO 2002/03
NCLEOS EQUIVALENTES
Operaciones de simetra:
Plano especular
Centro de simetra
Rotacin
CH3
Ej.:
H3C
CH3
H3C
CH
CH3
H3C
CH2
CH2
CH3
16
ANESFAR
CURSO 2002/03
PROTONES ENANTIOTPICOS
H
Cl
Cl
Cl
H
Sustitucin
Cl
H
por R
HH
HH
Cloroetano
ENANTIMEROS
ANESFAR
Me
Cl
Cl
CURSO 2002/03
PROTONES DIASTEROTPICOS
Cl
Me
Sustitucin
Cl
Me
por R
Me
HH
HH
1-cloro-2-fluoropropano
DIASTEREOISMEROS
17
ANESFAR
CURSO 2002/03
Ej.: Dietilcetona
CH3
CH2
O
3.0
2.0
1.0
0.0
(ppm)
18