Diodo

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica
a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el
ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos.
El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto
para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con
dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplicada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta
diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar
recticadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas constituidos por dos
electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con
un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El
invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un lamento (el ctodo) a travs del cual circula
la corriente, calentndolo por efecto Joule. El lamento
est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse
emite electrones al vaco circundante los cuales son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por
un muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo
no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn,
los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un
tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder
funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

Diodo de vaco, usado comnmente hasta la invencin del diodo semiconductor, este ltimo tambin llamado diodo de estado
slido.

racin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que un

electroscopio cargado positivamente podra descargarse
al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de
que ste lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reejando esto que el ujo
de corriente era posible solamente en una direccin.

Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas

Edison re-descubre el principio. A su vez, Edison investigaba por qu los lamentos de carbn de las bombillas
se quemaban al nal del terminal positivo. l haba cons1 Historia
truido una bombilla con un lamento adicional y una con
una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente
Aunque el diodo semiconductor de estado slido se po- aislada del lamento. Cuando us este dispositivo, conpulariz antes del diodo termoinico, ambos se desarro- rm que una corriente uia del lamento incandescente
llaron al mismo tiempo.
a travs del vaco a la lmina metlica, pero esto slo suEn 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de ope- ceda cuando la lmina estaba conectada positivamente.
1

3 DIODO SEMICONDUCTOR

Edison dise un circuito que reemplaza la bombilla por

un resistor con un voltmetro de DC. Edison obtuvo una
patente para este invento en 1884. Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era
probablemente para precaucin, en caso de que alguien
encontrara un uso al llamado Efecto Edison.
Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientco asesor de Marconi Company y antiguo
empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison
podra usarse como un radio detector de precisin. Fleming patent el primer diodo termoinico en Gran Bretaa el 16 de noviembre de 1904.
En 1874 el cientco alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir por una sola direccin
de los cristales semiconductores. Braun patent el recticador de cristal en 1899. Los recticadores de xido de
cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de
alta potencia en la dcada de los 1930.
El cientco indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas
de radio en 1894. El detector de cristal semiconductor
fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin de seales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de cristal de silicio en
1903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre
de 1906. Otros experimentos probaron con gran variedad
de sustancias, de las cuales se us ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us
porque tena la ventaja de ser barato y fcil de obtener.
Al principio de la era del radio, el detector de cristal semiconductor consista de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se poda mover manualmente a travs del cristal para as obtener una seal ptima.
Este dispositivo problemtico fue rpidamente superado
por los diodos termoinicos, aunque el detector de cristal
semiconductor volvi a usarse frecuentemente con la llegada de los econmicos diodos de germanio en la dcada
de 1950.

Smbolo de un diodo de vaco o gaseoso. De arriba a abajo, sus

componentes son, el nodo, el ctodo, y el lamento.

rectamente el ctodo, otro electrodo interno tratado con

una mezcla de Bario y xido de estroncio, los cuales son
xidos alcalinotrreos; se eligen estas sustancias porque
tienen una pequea funcin de trabajo (algunas vlvulas
usan calentamiento directo, donde un lamento de tungsteno acta como calentador y como ctodo). El calentamiento causa emisin termoinica de electrones en el
vaco. En polarizacin directa, el nodo estaba cargado
positivamente por lo cual atraa electrones. Sin embargo, los electrones no eran fcilmente transportados de la
supercie del nodo que no estaba caliente cuando la vlvula termoinica estaba en polarizacin inversa. Adems,
cualquier corriente en este caso es insignicante.

En la mayor parte del siglo xx, los diodos de vlvula termoinica se usaron en aplicaciones de seales anlogas,
recticadores y potencia. Hasta el da de hoy, los diodos
de vlvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas
En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron como recticadores en guitarras elctricas, amplicadoconocidos como recticadores. En 1919, William Henry res de audio, as como equipo especializado de alta tenEccles acu el trmino diodo del griego dia, que signi- sin.
ca separado, y ode (de ), que signica camino.

Diodos termoinicos y de estado

gaseoso

Los diodos termoinicos son dispositivos de vlvula termoinica (tambin conocida como tubo de vaco), que
consisten en un arreglo de electrodos empacados en un
vidrio al vaco. Los primeros modelos eran muy parecidos a la lmpara incandescente.
En los diodos de vlvula termoinica, una corriente a
travs del lamento que se va a calentar calienta indi-

3 Diodo semiconductor
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal
semiconductor como el silicio con impurezas en l para
crear una regin que contenga portadores de carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una
regin en el otro lado que contenga portadores de carga
positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro
del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN,
es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal
conduce una corriente de electrones del lado n (llamado

3.2

Polarizacin inversa de un diodo

Polarizacin directa del diodo pn.

Para que un diodo est polarizado directamente, se debe

conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y
el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos
ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuan- observar que:
do una corriente convencional uye del nodo al ctodo
(opuesto al ujo de los electrones).
El polo negativo de la batera repele los electrones
libres del cristal n, con lo que estos electrones se diAl unir ambos cristales, se maniesta una difusin de
rigen hacia la unin p-n.
electrones del cristal n al p (J). Al establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas jas en una zona a
El polo positivo de la batera atrae a los electrones
ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de
de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir
regin de agotamiento.
que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes
de agotamiento va incrementando su anchura profundide la batera es mayor que la diferencia de potencial
zando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin emen la zona de carga espacial, los electrones libres del
bargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y
cristal n, adquieren la energa suciente para saltar
de iones negativos en la zona p, crea un campo elctria los huecos del cristal p, los cuales previamente se
co (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona
han desplazado hacia la unin p-n.
n con una determinada fuerza de desplazamiento, que
se opondr a la corriente de electrones y terminar dete Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la
nindolos.
zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece
uno de los mltiples huecos de la zona p convirtinuna diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta difedose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto
rencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio
el electrn es atrado por el polo positivo de la bay 0,3 V para los cristales de germanio.
tera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar
al nal del cristal p, desde el cual se introduce en el
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzahilo conductor y llega hasta la batera.
do el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero
Formacin de la regin de agotamiento, en la grca z.c.e.

cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que

De este modo, con la batera cediendo electrones libres
el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zoCuando se somete al diodo a una diferencia de tensin
na p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica
externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo
constante hasta el nal.
ser la polarizacin directa o inversa.

3.1

Polarizacin directa de un diodo

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial

de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la
corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el
diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

3.2 Polarizacin inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la
zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar
la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta
que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y
como se explica a continuacin:

3 DIODO SEMICONDUCTOR
silicio no estn rodeados de sucientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad. Esto hace que los tomos de la supercie del
diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en
su orbital de valencia con lo que los electrones circulan
sin dicultad a travs de ellos. No obstante, al igual que
la corriente inversa de saturacin, la corriente supercial
de fuga es despreciable.

3.3 Curva caracterstica del diodo

Polarizacin inversa del diodo pn.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones

libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los
electrones libres abandonan la zona n, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin,
adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones
Curva caracterstica del diodo.
positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres
a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos
que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que
falta el denominado hueco. El caso es que cuando
los electrones libres cedidos por la batera entran en
la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los
tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica
neta de 1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la
zona de carga espacial adquiere el mismo potencial
elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa
de saturacin. Adems, existe tambin una denominada
corriente supercial de fugas la cual, como su propio
nombre indica, conduce una pequea corriente por la supercie del diodo; ya que en la supercie, los tomos de

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor
con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor
del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de
potencial desaparece, de forma que para pequeos
incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.
Corriente mxima (I ).
Es la intensidad de corriente mxima que puede
conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule.
Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo
del mismo.
Corriente inversa de saturacin (I ).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares
electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C
en la temperatura.

5
Corriente supercial de fugas.
Donde:
Es la pequea corriente que circula por la supercie
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodel diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es
do
funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensin, aumenta la corriente supercial
VD es la diferencia de tensin entre sus extremos.
de fugas.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente
Tensin de ruptura (V ).
1012 A )
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede so n es el coeciente de emisin, dependiente del proportar antes de darse el efecto avalancha.
ceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar
valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este
(para el silicio).
conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85mV en
el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al 300K, una temperatura cercana a la temperatura ambienefecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, co- te, muy usada en los programas de simulacin de circuimo los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos tos. Para cada temperatura existe una constante conocida
efectos:
denida por:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco
que provocan la corriente inversa de saturacin; si
la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que
al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la
tensin, chocando con ms electrones de valencia y
liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha
de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin
superiores a 6 V.

VT =

kT
q

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unin pn, y q es la magnitud de la carga

de un electrn (la carga elemental).

La ecuacin de diodo ideal de Shockley o la ley de diodo

se deriva de asumir que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el ujo (debido al campo elctrico), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asume que la corriente de recombinacin en la regin de agotamiento es insignicante. Esto signica que la ecuacin
de Shockley no tiene en cuenta los procesos relacionados
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms con la regin de ruptura e induccin por fotones. Adiciodopado est el material, menor es la anchura de la nalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en
zona de carga. Puesto que el campo elctrico E pue- polarizacin activa debido a la resistencia interna.
de expresarse como cociente de la tensin V entre la Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del
distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por diodo es insignicante. y la corriente es una constante netanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, gativa del valor de I . La regin de ruptura no est modedel orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el lada en la ecuacin de diodo de Shockley.
propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este Para voltajes grandes, en la regin de polarizacin directa,
efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. se puede eliminar el 1 de la ecuacin, quedando como
resultado:
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos
diodos especiales, como los Zener, se puede producir por I = IS eVD /(nVT )
ambos efectos.
Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones
se emplean modelos ms simples an, que modelan las
zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son
3.4 Modelos matemticos
los llamados modelos de continua o de Ram-seal. El
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley ms simple de todos es el diodo ideal.
(en honor a William Bradford Shockley) que permite
aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de
las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de co- 4 Tipos de diodo semiconductor
rriente y la diferencia de potencial es:
(
)
I = IS eVD /(nVT ) 1 ,

Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en

su aspecto fsico, impurezas, uso de electrodos, que tie-

4 TIPOS DE DIODO SEMICONDUCTOR

ra de los diodos pn se encuentran en circuitos integrados
CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos otros
diodos internos.
Diodo avalancha: Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en inverso supera
el voltaje de ruptura. Electricmente son similares a
los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenmeno,
el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo
elctrico inverso que atraviesa la unin p-n produce una onda de ionizacin, similar a una avalancha,
produciendo una corriente. Los diodos avalancha estn diseados para operar en un voltaje inverso denido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de
aproximadamente 6.2V) y el diodo zener es que el
ancho del canal del primero excede la libre asociacin de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. La nica diferencia
prctica es que los dos tienen coecientes de temperatura de polaridades opuestas.
Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en
contacto con un semiconductor de tipo n (electrones). La radiacin comunica la energa para liberar
los electrones que se desplazan hacia los huecos, estableciendo una corriente elctrica proporcional a la
potencia radiante.
Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto.
El diodo cristal consiste de un cable de metal alado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de una parte de carbn. El cable
forma el nodo y el cristal forma el ctodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicacin en los radio
a galena. Los diodos de cristal estn obsoletos, pero
puede conseguirse todava de algunos fabricantes.

Varios diodos semiconductores, abajo: un puente recticador. En

la mayora de los diodos, el terminal ctodo se indica pintando
una franja blanca o negra.

nen caractersticas elctricas particulares usados para una

aplicacin especial en un circuito. El funcionamiento
de estos diodos es fundamentado por principios de la
mecnica cuntica y teora de bandas.

Diodo de corriente constante: Realmente es un

JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y
funciona como un limitador de corriente de dos terminales anlogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una corriente a travs de ellos para
alcanzar un valor adecuado y as estabilizarse en un
valor especco. Tambin suele llamarse CLDs (por
sus siglas en ingls) o diodo regulador de corriente.

Los diodos normales, los cuales operan como se describa ms arriba, se hacen generalmente de silicio dopado o
germanio. Antes del desarrollo de estos diodos recticadores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio: su
baja eciencia le dio una cada de tensin muy alta (desde
1,4 a 1,7V) y requeran de una gran disipacin de calor
mucho ms grande que un diodo de silicio. La gran mayo-

Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de operacin que produce una resistencia negativa debido al
efecto tnel, permitiendo amplicar seales y circuitos muy simples que poseen dos estados. Debido a
la alta concentracin de carga, los diodos tnel son
muy rpidos, pueden usarse en temperaturas muy

7
bajas, campos magnticos de gran magnitud y en
entornos con radiacin alta. Por estas propiedades,
suelen usarse en viajes espaciales.
Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construidos de materiales como GaAs o InP que produce
una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de dominio del dipolo y propagacin
a travs del diodo, permitiendo osciladores de ondas
microondas de alta frecuencia.

Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para

los diodos convencionales usados para monitorear la
temperatura a la variacin de voltaje con la temperatura, y para refrigeradores termoelctricos para la
refrigeracin termoelctrica. Los refrigeradores termoelctricos se hacen de semiconductores, aunque
ellos no tienen ninguna unin de recticacin, aprovechan el comportamiento distinto de portadores de
carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor.
Fotodiodos: Todos los semiconductores estn sujetos a portadores de carga pticos. Generalmente es
un efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores estn empacados en materiales que
bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen la
funcin de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo
que estn empacados en materiales que permiten el
paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo ms sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse
en celdas solares, en fotometra o en comunicacin
ptica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un
dispositivo como un arreglo lineal o como un arreglo
de dos dimensiones. Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de carga acoplada.

Ledes de distintos colores.

Diodo emisor de luz o LED del acrnimo ingls,

light-emitting diode: Es un diodo formado por un
semiconductor con huecos en su banda de energa,
tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unin emiten fotones cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro
lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir vara desde el infrarrojo
hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta. El
potencial que admiten estos diodos dependen de la
longitud de onda que ellos emiten: 2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros ledes fueron rojos y amarillos. Los ledes blancos son en realidad combinaciones de tres ledes de diferente color
o un led azul revestido con un centelleador amarillo.
Los ledes tambin pueden usarse como fotodiodos
de baja eciencia en aplicaciones de seales. Un led
puede usarse con un fotodiodo o fototransistor para
formar un optoacoplador.
Diodo lser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad resonante formada al pulir las
caras de los extremos, se puede formar un lser. Los
diodos lser se usan frecuentemente en dispositivos
de almacenamiento pticos y para la comunicacin
ptica de alta velocidad.

Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual

que los diodos semiconductores de unin mencionados anteriormente aunque su construccin es ms
simple. Se fabrica una seccin de semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un
metal del grupo 3 de manera que haga contacto con
el semiconductor. Algo del metal migra hacia el semiconductor para hacer una pequea regin de tipo
p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de fabricacin alemana) an se usa en receptores de radio
como un detector y ocasionalmente en dispositivos
analgicos especializados.
Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central
sin doparse o en otras palabras una capa intrnseca
formando una estructura p-intrnseca-n. Son usados
como interruptores de alta frecuencia y atenuadores.
Tambin son usados como detectores de radiacin
ionizante de gran volumen y como fotodetectores.
Los diodos PIN tambin se usan en la electrnica de
potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. Adems, la estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos semiconductores de potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.
Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construidos de un metal a un contacto de semiconductor.
Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los
diodos pn. Su tensin de ruptura en corrientes de
1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los
hace tiles en aplicaciones de jacin y prevencin
de saturacin en un transistor. Tambin se pueden

7
usar como recticadores con bajas prdidas aunque
su corriente de fuga es mucho ms alta que la de
otros diodos. Los diodos Schottky son portadores de
carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de almacenamiento de los portadores de carga
minoritarios que ralentizan la mayora de los dems
diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una recuperacin inversa ms rpida que los diodos de unin
pn. Tienden a tener una capacitancia de unin mucho ms baja que los diodos pn que funcionan como
interruptores veloces y se usan para circuitos de alta
velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de
frecuencias y detectores.
Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de
Referencia en Directa) es un tipo especial de diodo
de silicio cuyas caractersticas de tensin en directa son extremadamente estables. Estos dispositivos
estn diseados especialmente para aplicaciones de
estabilizacin en bajas tensiones donde se requiera
mantener la tensin muy estable dentro de un amplio
rango de corriente y temperatura.

Aplicaciones del diodo

Recticador de media onda
Recticador de onda completa
Recticador en paralelo
Doblador de tensin
Estabilizador Zener
Led
Limitador
Circuito jador
Multiplicador de tensin
Divisor de tensin

Referencias
El contenido de este artculo incorpora material de
una entrada de la Enciclopedia Libre Universal,
publicada en espaol bajo la licencia Creative
Commons Compartir-Igual 3.0.

Enlaces externos

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ENLACES EXTERNOS

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Smbolos de Diodos

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8.1

Text

Diodo Fuente: http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo?oldid=81312774 Colaboradores: PACO, Sabbut, Moriel, SpeedyGonzalez, Pieter, Lourdes Cardenal, Dionisio, Aloriel, Hoce, Dodo, Triku, Sms, Tano4595, Ramjar, Murphy era un optimista, Robotito, Barahonasoria, Loco085,
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