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1 Metodologa

MOSFET INCREMENTAL Y DECREMENTAL

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta
aislada. Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP.
El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor) son muy parecidos a los
JFET. La diferencia entre estos estriba en que, en los MOS, la puerta est aislada
del canal, consiguindose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy
pequea, prcticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de
entrada de este tipo de transistores es elevadsima, del orden de 10.000 MW , lo que
les convierte en componentes ideales para amplificar seales muy dbiles.
Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de
empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de
aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radiofrecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada. Los segundos tienen una
mayor aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la construccin de circuitos
integrados, debido a su pequeo consumo y al reducido espacio que ocupan.

MOSFET INCREMENTAL
El MOSFET de tipo incremental se diferencia del decremental en que no tiene canal
entre la fuente y el drenaje, solo tiene sustrato.

Diferentes representaciones MOSFET de enriquecimiento de canal n.

Las caractersticas de transferencia del JFET difieren a las encontradas en el

MOSFET de tipo incremental. Por lo tanto, la solucin grfica es diferente para los
dos casos ya vistos. Se debe tener en cuenta que para un MOSFET de tipo
incremental de canal-n, la corriente de drenaje (ID) es cero para aquellos niveles de
voltaje compuerta fuente menores al nivel de umbral VGS (TH).
La corriente de drenaje se define como un exponencial a partir del nivel de umbral:
ID = k (VGS VGS (TH)) 2 (5.6)
En las hojas de caractersticas tcnicas se definen claramente los valores de voltaje
de umbral y un nivel de corriente de drenaje (ID (encendido)), valores que permiten
encontrar el valor de la constante k.
k = ID (encendido) / VGS (Encendido) - VGS (TH) (5.7)
Una vez se obtenga k, se podrn obtener los dems valores para ID.

Los MOS de enriquecimiento o acumulacin, tienen amplia aplicacin en los circuitos

integrados

de alta y

muy alta densidad

de

integracin.

Las

memorias

semiconductoras, microprocesadores, etc. se construyen con una variante de este

semiconductor como lo es el CMOS.

Caractersticas de drenado y transferencia para un MOSFET del tipo incremental de

canal-n.

Smbolos grficos para los MOSFET del tipo incremental de canal-n y canal-p

MOSFET DEL TIPO INCREMENTAL DE CANAL-P

La construccin de un MOSFET de tipo incremental de canal-p es exactamente al
inverso. Esto es, ahora existe un substrato de tipo-n y regiones dopadas p bajo las
conexiones del drenado y del surtidor. Los terminales permanecen tal como se
indicaron, pero estn invertidas todas las polarizaciones del voltaje y las direcciones
de corriente. Las caractersticas de transferencia sern una imagen de espejo
(respecto al eje ID) de la curva de transferencia de la figura 3.6, pero con ID
creciendo con los valores cada vez ms negativos de VGS despus de VT. Se
aplican las mismas ecuaciones que para los MOSFET de canal-n.

MOSFET DECREMENTAL

Se difunde un canal-n entre fuente y drenador lo cual hace circular una apreciable
corriente de drenador IDSS cuando hacemos VGS = 0 Volt y aplicamos una tensin
VDS entre los terminales drenaje y fuente.

Aun cuando existen grandes similitudes entre las curvas de transferencia de los
JFET y de los MOSFET y que permiten realizar un anlisis muy parecido en el
dominio de DC, los MOSFET de tipo decremental permiten trabajar con puntos de
operacin con valores VGS positivos y niveles de ID que exceden el valor de IDSS.
Nos queda la pregunta: Hasta dnde deber extenderse la curva de transferencia
hacia la regin de valores positivos de VGS y hacia valores de ID mayores de IDSS

Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar

corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar
totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposicin se
consigue eliminar prcticamente la corriente de fuga que apareca en dicho terminal
en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de un
MOSFET de canal N.

Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de

enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:

La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de la

fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a travs del canal estrecho
de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial
VDDaplicada por la fuente, mayor ser esta corriente. Como ocurra con el JFET, la
tensin negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el canal,
debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente
de drenador. Aqu se aprecia claramente que, el fenmeno de control se realiza a
travs del efecto del campo elctrico generado por la tensin VGG de la puerta.
Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin positiva
de polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET
en enriquecimiento. Efectivamente, la tensin positiva del graduador provoca un
aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal
forma que, al aumentar la tensin positiva V GG, aumenta tambin la corriente de
drenador.

Curvas caractersticas
En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una familia de
curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.

Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de V GS (trabajo

en

modo

de

empobrecimiento),

como

positivas

(trabajo

en

modo

de

enriquecimiento). La corriente ms elevada se consigue con la tensin ms positiva

de VGS y el corte se consigue con tensin negativa de VGS.
De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos
indica la relacin que existe entre VGS e ID. sta posee la forma que se muestra en la
siguiente curva abajo a la derecha:

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de
tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones
positivas como negativas. Por esta razn, la corriente IDSS, correspondiente a la
enterseccin de la curva con el eje ID, ya no es la de saturacin.

Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y la

ecuacin que la define es tambin:

Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este tipo

de transistor es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el punto
correspondiente a VGS=0, ID=IDSS. Cuando ste queda polarizado as, el transistor
queda siempre en conduccin o, normalmente, encendido.
CONSTRUCCION BASICA
El trmino MOSFET significa transistor de efecto de campo metal-xidosemiconductor. La construccin bsica del MOSFET de tipo decemental de canal n
se muestra en la siguiente figura. Una placa de material tipo p est formada a partir
de una base de silicio y se le conoce como substrato, que es la base sobre la que se
construye el dispositivo, muchos dispositivos discretos ofrecen una terminal adicional
etiquetada SS, dando por resultado un dispositivo de cuatro a compuerta se
encuentra conectada tambin a una superficie de contacto metlico, pero permanece
aislada del cana n por medio de una capa muy delgada de dixido de silicio (SiO2).
El hecho de que la capa SiO2 es una capa aislante, revela el siguiente hecho:

No existe conexin elctrica directa entre la terminal de la compuerta y el canal de

un MOSFET.
Adicionalmente:
Se debe a la capa aislante de SiO2 del MOSFET explica la alta impedancia, muy
deseable, de entrada del dispositivo.
De hecho, la resistencia de entrada de un MOSFET es a menudo igual a la del JFET
normal, aun cuando la impedancia de entrada de la mayora de los JFET es lo
suficientemente alta para la mayora de las aplicaciones. La muy alta impedancia de
entrada contina soportando totalmente el hecho de que la corriente de entrada (IG)
es una esencia de cero amperes para las configuraciones de polarizacin de dc.
MOSFET DE TIPO DECREMENTAL DE CANAL p

La construccin de este tipo de MOSFET es exactamente al inverso (por el tipo de

dopado) del canal tipo n , con la pequea excepcin , de que ahora existe un
substrato de tipo n y un canal de tipo p, como se mostrar mas adelante, las
terminales permanecen como se encuentran identificadas, pero todas las
polaridades de los voltajes y las direcciones de las corrientes estn invertidas, como
lo muestra las misma figura, pero con valores negativos de VDS, ID positiva como se
indica, y VGS traer una imagen de espejo para las caractersticas de transferencia.
1.2 Referencias bibliogrficas

[ebrary], Electrnica de potencia. Tercera edicin, Miguel ngel Toledo

Castellanos,
2004,
Mxico
D.
F.,
http://site.ebrary.com/lib/utasp/docDetail.action?
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[ebrary], Circuitos electrnicos bsicos, Lpez Dorado , Almeida Martnez

Arribas
Alejandro,
2011,
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http://site.ebrary.com/lib/utasp/docDetail.action?
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Electrnica teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Robert L.

Boylestad, Louis Nashelsky, Octava Edicin, 2003, Mxico,