INFORME PREVIO DEL CURSO DE

ELECTROTECNIA

ALUMNO: RENZO CANDIOTTI ARANCIBIA

PROFESORA: Ing. Lita

ELECTROCTENIA

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TEORIA ATOMICA

1. DESCRIBA LA ESTRUCTURA ATOMICA:

La teora atmica constituy tan slo inicialmente una hiptesis de trabajo, muy
fecundada en el desarrollo posterior de la Qumica, pues un fue hasta fines del
siglo XIX en que fue universalmente aceptada al conocerse pruebas fsicas
concluyentes de la existencia real de los tomos. Pero fue entonces cuando se
lleg a la conclusin de que los tomos eran entidades complejas formadas por
partculas ms sencillas y que los tomos de un mismo elemento tenan en
muchsimos casos masa distinta. Estas modificaciones sorprendentes de las
ideas de Dalton acerca de la naturaleza de los tomos no invalidan en el
campo de la Qumica los resultados brillantes de la teora atmica.
Los tomos estn constituidos por protones, neutrones y electrones. Los
protones estn cargados positivamente y se encuentran reunidos con los
neutrones (sin carga) en el ncleo. Los electrones, que tienen una carga
negativa igual en magnitud a la carga positiva del protn, se mueven en el
espacio que rodea al ncleo. Los protones y los neutrones tienen masas
semejantes, aproximadamente 1800 veces mayor que la masa de un electrn.
Casi toda la masa del tomo reside en el ncleo, pero son los electrones los
que toman parte en los enlaces y en las reacciones qumicas.
Cada elemento se distingue por el nmero de protones en su ncleo. Por lo
general, el nmero de neutrones es semejante al nmero de protones, aunque
puede variar. Los tomos que tienen el mismo nmero de protones, pero
diferente nmero de neutrones se llaman istopos. Por ejemplo, la especie ms
comn de tomo de carbono tiene en su ncleo seis protones y seis neutrones.
Su nmero de masa (la suma de protones y neutrones) es 12, y representamos
su smbolo 12C. Aproximadamente 1% de los tomos de carbono tienen siete
neutrones; el nmero de masa es 13, y el smbolo es 13C.

ESTRUCTURA ELECTRNICA DEL TOMO.

Las propiedades qumicas de un elemento se determinan por el nmero de

protones en su ncleo y el correspondiente nmero de electrones alrededor del
mismo. Los electrones son los que forman enlaces y determinan la estructura
de las molculas resultantes. Como son pequeos y livianos, muestran
propiedades tanto de partculas como de ondas; en muchos aspectos, los
electrones en los tomos y las molculas se comportan mas como ondas que
como partculas.

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Los electrones que estn unidos a los ncleos se encuentran en orbtales. El

principio de incertidumbre de Heisenberg afirma que nunca se puede
determinar con exactitud dnde se encuentra el electrn; pero aun cuando no
se conozca su lugar exacto, podemos hablar de la densidad electrnica, que es
la probabilidad de encontrar al electrn en una parte determinada del orbital.
Por tanto, un orbital es un estado permitido de energa de un electrn, con una
funcin asociada de probabilidad que define la distribucin de la densidad
electrnica en el espacio.

COMPONENETES DEL TOMO.

Como toda teora cientfica til, la teora atmica presentaba mas preguntas de
las que resolva. Aun antes de que las ideas de Dalton hubieran sido
generalmente aceptadas, filsofos y cientficos especulaban si los tomos,
diminutos como eran, podran a su vez ser desintegrados en partculas
menores. Casi 100 aos hubieron de pasar antes de que se pudiera responder
a esto afirmativamente basndose en evidencias experimentales. Tres fsicos
efectuaron los primeros trabajos en esta rea: El ingls J.J. Thomson, Ernest
Rutherford, natural de nueva Zelandia y Robert . Millekan.
Las primeras evidencias convincentes de las partculas subatmicas
provinieron de experimentos que requeran la conduccin de la electricidad a
travs de gases a bajas presiones. Cuando se vaca parcialmente un tubo de
rayos catdicos y se le conecta a una fuente de energa de alto voltaje, como
una bobina de chispa, fluye corriente elctrica a travs del tubo.
Acompaando a este flujo elctrico hay rayos de luz de color, que tienen su
origen en el electrodo negativo (ctodo), las propiedades de los rayos
catdicos, fueron estudiadas extensamente durante las tres ltimas dcadas
del siglo XIX. En particular, se encontr que estos rayos sufran una desviacin,
tanto por los campos elctricos como los magnticos. Mediante un estudio
cuidadoso de la naturaleza de esta desviacin, J. J. Tomson demostr en 1897
que los rayos consistan en una corriente desarticulas negativamente cargadas,
que l llam electrones. Thomson prosigui para medir la proporcin entre
masa y carga del electrn, encontrando que
m / e = 5,69 x 10-9 g / culombio
El hecho de que esta relacin sea ms pequea, en varios rdenes de
magnitud, que la de cualquier otra especie cargada, implica que estamos ante
una diminuta partcula subatmica.
En 1909 Millikan determin la carga del electrn, empleando el experimento
con gotas de aceite. Al medir el ritmo al que cae una gota de aceite entre las
placas, es posible determinar la carga ejercida sobre la gota. Midi el efecto de
un campo elctrico sobre la frecuencia con la que unas gotas de aceite
cargadas caan bajo la influencia de la gravedad. Pariendo de estos datos,
calcul la carga de las gotas, encontrando que era siempre un mltiplo integral
de la carga ms pequea. Suponiendo que la carga mas pequea sea la del
electrn, lleg a determinar un valor de 1,60 x 10-19 culombios. Combinando
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este nmero con la razn entre masa y carga ya citada, obtenemos para la
masa del electrn:
m = (1,60 x 10-19 culombios) x (5,69 x 10-9 g/ culombios) = 9,11 x 10-28 g
Esto es solo aproximadamente 1/1837 de la masa del tomo ms ligero, la del
elemento hidrgeno. El electrn es tambin mucho mas pequeo que el tomo
de hidrgeno, con un dimetro de solo 1/10000 del de aquel, o sea
aproximadamente 10-12 cm.
La existencia de los electrones ha sido confirmada por muchos experimentos.
Los electrones se encuentran entre las partculas (partculas ) emitidas por los
tomos que sufren desintegracin radiactiva.

NCLEO ATMICO.

En 1911 Ernest Rutherford y sus estudiantes efectuaron una serie de

experimentos que influyeron profundamente en nuestras ideas respecto a la
naturaleza de los tomos. Empleando una fuente radiactiva, bombardearon un
trozo de delgado papelillo de oro, con partculas alfa (tomos de helio
despojados de sus electrones). Con una pantalla fluorescente, observaron la
forma en que las partculas eran diseminadas por el papelillo. La mayora lo
atravesaban casi sin sufrir desviacin.
Algunas pocas, sin embargo, eran reflejadas hacia atrs del papelillo en
ngulos agudos. Los nmeros relativos de partculas reflejadas en ngulos
diferentes fueron determinados contando sobre pantalla las escintilaciones
(centello) causadas por las partculas individuales. Mediante un bello anlisis
matemtico de las fuerzas electrostticas que intervenan, Rutherford pudo
mostrar que esa dispersin era provocada por un centro de carga positiva
dentro del tomo del oro, que tenia una masa casi igual a la del tomo, pero un
dimetro (aproximadamente 10-12 cm) de solo 1/10000 del tomo. Se repiti
este experimento con resultados similares, empleando laminillas de muchos
otros elementos. En esta forma estableci Ruthrford que un tomo contiene un
centro masivo, diminuto y de carga positiva, llamado ncleo atmico.
Desde la poca de Rutherford hemos aprendido mucho respecto a las
propiedades de los ncleos atmicos, aunque todava no tenemos un cuadro
fsico claro de las fuerzas que mantienen unido al ncleo. Para nuestros fines,
podemos considerar al ncleo:
1. El protn, que tiene una masa casi igual a la del tomo de hidrgeno y lleva
una carga positiva unitaria, igual en magnitud, pero designo opuesto a la del
electrn.
2. El neutrn, partcula sin carga, con una masa aproximadamente equivalente
a la del protn.
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Todos los ncleos contienen un nmero integral de protones, exactamente igual

al nmero de protones del tomo neutro. En el ncleo de cada tomo de
hidrgeno hay un protn; el ncleo de de cada tomo de lawrencio contiene
103 protones. El nmero de protones del ncleo de un tomo es una propiedad
fundamental del elemento correspondiente, conocida como su nmero atmico.
nmero atmico = nmero de protones
En esta forma podremos decir que el nmero atmico del elemento hidrgeno
es 1, en tanto que el del elemento lawrencio es 103.
Los tomos del mismo elemento pueden variar en el nmero de neutrones que
se encuentran en su ncleo. El elemento hidrgeno, por ejemplo, encontramos
tres clases diferentes de ncleos atmicos que contienen 0, 1 y 2 neutrones
respectivamente. Estas tres especies de denominan a menudo istopos del
elemento hidrgeno. Difieren en masa; el istopo ms pesado de hidrgeno
(tritio) tiene una masa aproximadamente tres veces mayor que la del istopo
ms ligero. Un tomo de deuterio (un protn, un neutrn) tiene
aproximadamente doble peso que un tomo ligero de hidrgeno (un protn,
cero neutrones).
Como otro ejemplo, diremos que dos bien conocidos istopos de uranio, el
uranio-235, contiene ambos el mismo nmero de protones, 92, pero difieren en
el nmero de neutrones, 143 en uno y 146 en el otro.
El nmero de masa de un ncleo se encuentra sumando los nmeros de
protones y neutrones.
nmero de masa = nmero e protones + nmero de neutrones
Los tres istopos de hidrgeno tienen nmeros de masa de 1, 2 y 3,
respectivamente, en tanto que los nmeros de masa de los dos istopos de
uranio son:
istopo ligero: nmero de masa = 92 + 143 = 235 (uranio-235)
istopo pesado: nmero de masa = 92 + 146 = 238 (uranio-238)
A menudo indicamos la composicin de un ncleo escribiendo el nmero
atmico en la parte inferior izquierda del smbolo del elemento, y el nmero de
masa en la parte izquierda superior. Para las especies de que hemos trabajado,
escribiramos:

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2. DEFINA EL PRINCIPIO DE PAULI:

El principio de exclusin de Pauli, fue desarrollado por el fsico austriaco Ernst

Pauli en el ao 1925. Este principio de la cuntica dice que dos partculas
(concretamente fermiones) que tiene los nmeros cunticos con los que
constan idnticos, no pueden existir.

Esto significa que dos electrones ( fermiones) que se encuentren en un tomo

no podrn poseer a la vez iguales nmeros cunticos. Este hecho explicara
que los electrones se dispersen en capas o niveles en torno al ncleo del
tomo y por lo cual, los tomos que posean mayor nmero de electrones
ocupen mayor espacio, debido a que aumenta el nmero de capas de las que
consta el tomo. El nmero mximo de electrones que puede tener una capa o
nivel es de 2n^2.
Para poder describir de forma completa al electrn dentro del tomo de
hidrgeno, necesitamos introducir obligatoriamente un cuarto nmero cuntico
a los ya conocidos. Dicho cuarto nmero cuntico se representa por las letras
ms, y es conocido como el nmero cuntico de spin, el cual se encuentra
relacionado estrechamente con las propiedades magnticas que presentan los
electrones. El nmero cuntico ms, tan slo puede tener dos valores diferentes,
+1/2 o -1/2. A los electrones cuyos valores de ms son iguales, se dice que
cuentan con lo que se conoce como spines paralelos, sin embargo, si los
valores que presenta ms son distintos se dice que poseen spines opuestos o
tambin llamados anti paralelos.
Para poder describir a un orbital, se necesitan tres nmeros cunticos ( los
nmeros n, l y ml), a la vez que un electrn que se encuentra en un tomo
viene dado por una combinacin de cuatro nmeros cunticos, los tres
principales ms el nmero ms. El principio de exclusin de Pauli nos dice que
en un tomo es imposible que coexistan dos electrones con los cuatro nmeros
cunticos idnticos. Segn establece este principio, en un orbital de tipo
atmico, que se encuentra determinado por los nmeros cunticos n, l, y ml,
solamente pueden haber dos electrones: uno de ellos con un spin positivo +1/2
y otro con su contrario spin negativo -1/2.
Entonces decimos que cada uno de los tipos de orbitales solamente puede
contener 2 electrones como mximos, los cuales debern obligatoriamente
tener spines contrarios. Estos electrones tendrn todos sus nmeros cunticos
iguales , y tan slo se diferenciarn en el nmero cuntico ms ( spin).
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Para entenderlo mejor, cuando distribuimos los electrones por capas,

representamos un orbital con una flecha hacia arriba y otra hacia abajo, lo cual
nos indicar que hay dos electrones en dicho orbital, pero que poseen spines
diferentes. Este tipo de representacin se conoce como configuracin
electrnica. Para realizar dicha representacin de llenado de orbitales
electrnicos, se comienza llenado el orbital S,, para seguidamente continuar
con el siguiente orbital. Vamos insiriendo los electrones de uno en uno hasta
completar enteramente el espacio del que cuenta el orbital
El principio de exclusin de Pauli tambin explica la estabilidad de la que
constan los orbitales atmicos, as como la presin que realiza la materia
degenerada

3. DESCRIBA LA DIFERENCIA ENTRE UN AISLANTE, UN

SEMICONDUCTOR Y UN CONDUCTOR:
Los conductores tienen la propiedad fsica de conducir los electrones debido a
que un la ultima rbita comnmente pueden tener ms de cuatro y hasta ocho
electrones lo cual les da esta caracterstica, la mayora de los metales son
excelentes conductores porque sus tonos estn muy junto entonces aunado a
la caracterstica anterior funcionan muy bien para conducir electrones. El mejor
conductor
es
el
oro.
Los semiconductores tienen la caracterstica de que en su ultima rbita
solamente tienen cuatro electrones, por lo cual mezclados con otros materiales
funcionan ya sea como aislante o conductores, los materiales semiconductores
son cristales como el silicio y germanio de los cuales se pueden dopar con otro
material para forma los materiales llamados P o N (depende el dopaje)
comnmente
usados
en
la
electrnica.
Los materiales aislantes reducen la conduccin elctrica debido a a que en su
ultima rbita tienen menos de cuatro electrones por lo cual no son buenos
conductores,
el
mejor
material
aislante
es
la
porcelana.
Es importante saber que no existen materiales ideales (ni conductores ni
aislantes), es decir que no conducen ni aislan al 100%.

4. DEFINA EL PORTADOR LIBRE, MATERIAL INTRINSECO,

MATERIAL EXTRINSECO, BANDA DE VALENCIA, BANDA DE
CONDUCCION Y BANDA PROHIBIDA
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Portador de carga denota en fsica una partcula libre (mvil y no enlazada)

portadora de una carga elctrica. Como ejemplo los electrones y los iones. En
la fsica de semiconductores, los huecos producidos por falta de electrones son
tratados como portadores de carga.
En soluciones inicas, los portadores de carga son los cationes y aniones
disueltos. Similarmente, los cationes y aniones de los lquidos disociados sirven
como portadores de carga en lquidos y en slidos inicos derretidos.
En el plasma, as como en el arco elctrico, los electrones y cationes del gas
ionizado y del material vaporitado de los electrodos actan como portadores de
carga.
En vaco, en un arco elctrico o en un tubo de vaco, los electrones libres
actan como portadores de carga.

Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

1. Intrnsecos
2. Extrnsecos
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o
sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su
estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda
de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones
libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor
intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones
pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo
del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y
all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de
un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.

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Como se puede observar en la ilustracin, en el

caso de los semiconductores el espacio
correspondiente a la banda prohibida es mucho
ms estrecho en comparacin con los materiales
aislantes. La energa de salto de banda (Eg)
requerida por los electrones para saltar de la
banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV
aproximadamente. En los semiconductores de
silicio (Si), la energa de salto de banda
requerida por los electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de germanio (Ge) es de
0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco,

compuesta solamente por tomos de silicio (Si) que
forman una celosa. Como se puede observar en la
ilustracin, los tomos de silicio (que slo poseen
cuatro electrones en la ltima rbita o banda de
valencia), se unen formando enlaces covalente para
completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido
semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio
se comportar igual que si fuera un cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS"

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce

cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente
elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura
molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio
con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas".
Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos
semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita
[como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su
ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o
el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de
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conducir

la

corriente

elctrica.

En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso

de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente
relativamente barato de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales
semiconductores de silicio es la arena, uno de los materiales ms abundantes en la
naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una
oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un
espejo.

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal

semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la
fabricacin de transistores y circuitos. integrados. A la derecha aparece
la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. minsculos dados o
chips, que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que
despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn
en. transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han
convertido en. transistores o circuitos integrados sern desprendidos
de la oblea y colocados dentro. de una cpsula protectora con sus
correspondientes conectores externos.

El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor

proporcin que el silicio, es el cristal de germanio (Ge).

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Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para

fabricar diodos semiconductores en forma de placas
rectangulares, que combinadas y montadas en una especie de
eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y
convertirla en directa. Hoy en da, adems del silicio y el
germanio, se emplean tambin combinaciones de otros
elementos semiconductores presentes en la Tabla Peridica.
Placa individual de 2 x 2 cm de rea,
correspondiente a un antiguo diodo de
selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As)
utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin
de diodos lser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se encuentra

instalado un diodo lser de arseniuro de galio (GaAs)
empleado para leer datos de texto, presentaciones multimedia
o msica grabada en un CD. En esta ilustracin el. CD se ha
sustituido por un disco similar transparente de plstico comn.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es
decir, como elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse
formando "enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de
cualquier elemento, independientemente de la cantidad de electrones que contengan
en su ltima rbita, tratan siempre de completarla con un mximo de ocho, ya sea
donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia que le corresponda a cada
tomo
en
especfico.
Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones
en su ltima rbita, sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes,
compartiendo entre s los cuatro electrones que cada uno posee, segn la tendencia
de completar ocho en su rbita externa. Al agruparse de esa forma para crear un
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cuerpo slido, los tomos del elemento semiconductor adquieren una estructura
cristalina, semejante a una celosa. En su estado puro, como ya se mencion
anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos
semiconductores se comportan como aislantes.

La teora de bandas est basada en la mecnica cuntica y procede de

la teora de los orbitales moleculares (TOM). En esta teora, se considera el
enlace metlico como un caso extremo del enlace covalente, en el que los
electrones de valencia son compartidos de forma conjunta y simultnea por
todos los cationes. Desaparecen los orbitales atmicos y se forman orbitales
moleculares con energas muy parecidas, tan prximas entre ellas que todos
en conjunto ocupan lo que se franja de denomina una banda de energa.
Aunque los electrones van llenando los orbitales moleculares en orden
creciente de energa, estas son tan prximas que pueden ocupar cualquier
posicin dentro de la banda.
La banda ocupada por los orbitales moleculares con los electrones de
valencia se llama banda de valencia, mientras que la banda formada por los
orbitales moleculares vacos se llama banda de conduccin. A veces, ambas
bandas se solapan energticamente hablando.
Este modelo explica bastante bien el comportamiento elctrico no solo
de las sustancias conductoras sino tambin de las semiconductoras y las
aislantes.
En los metales, sustancias conductoras, la banda de valencia se solapa
energticamente con la banda de conduccin que est vaca, disponiendo de
orbitales moleculares vacos que pueden ocupar con un mnimo aporte de
energa, es decir, que los electrones estn casi libres pudiendo conducir la
corriente elctrica.
En los semiconductores y en los aislantes, la banda de valencia no se
solapa con la de conduccin. Hay una zona intermedia llamada banda
prohibida.

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En
los
semiconductores, como el
Silicio o el Germanio, la
anchura de la banda
prohibida no es muy grande
y los electrones con
suficiente energa cintica
pueden pasar a la banda
de conduccin, por esa
razn, los semiconductores
conducen la electricidad
mejor en caliente. Sin
embargo, en los aislantes,
la banda prohibida es tan ancha que ningn electrn puede saltarla. La banda
de conduccin est siempre vaca.

BIBLIOGRAFIA

http://www.100ciaquimica.net/temas/tema4/punto5c.htm
https://espanol.answers.yahoo.com/question/index?qid=20081116164355AArKmBd
http://html.rincondelvago.com/estructura-atomica_2.html
http://quimica.laguia2000.com/general/principio-de-exclusion-de-pauli

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