SISTEMA FOTOVOLTAICO

1. Estructura de una celda solar:

Tal como se menciona en el apartado anterior, el elemento ms importante en la
estructura de una celda es el semiconductor por lo que se analizar en forma ms
detallada a continuacin. La estructura fsica, o arreglo atmico, de los semiconductores
se puede dividir en tres grupos: Cristal simple, policristalino y amorfo
A. Celdas Solares de tipo Monocristalino:

Panel con celdas monocristalinas

Este tipo de celda tiene una estructura cristalina ordenada, con cada tomo idealmente
situada en una posicin pre-ordenada y muestra un comportamiento predecible y
uniforme.
El silicio pasa a travs de varios ciclos de filtracin intensiva lenta con la energa y los
procesos de separacin y por lo tanto es el tipo ms costoso de silicio.
Estas celdas normalmente se crean en una forma circular o un "cuadrado-sin-esquinas.
Esto es porque, cuando se cultivan a partir de un lingote, la nica manera de crear
estructuras cristalinas de alta pureza es extruido del lquido fundido y la gravedad hace el
resto, con respecto a la creacin de un bloque cilndrico de que las celdas ms pequeas
se cortan. Por lo general, los fabricantes dejan las clulas en una forma circular sin
embargo, debido a los avances en el reciclaje, las clulas se estn cortadas en
cuadrados-sin-esquinas para maximizar la densidad de empaquetamiento de los mdulos.
Mejor conocidos como paneles de pelcula fina de energa solar tambin son una
categora de las clulas fotovoltaicas. Este concepto es una extensin de la idea detrs de
silicio amorfo sin embargo en lugar de utilizar silicio de la industria en este caso se usan
otros elementos, el ms eficiente de los cuales es de arseniuro de galio de pelcula fina.
Estos tipos de clulas solares requieren menos materia prima que implicara que el coste
de las materias primas debe ser inferior sin embargo, debido al alto grado de
manipulacin y los costes de transformacin de tales clulas delgadas, combinadas con la
mayor eficiencia, hace que sea muy difcil juzgar si su vale la pena su precio. No obstante,
existe una cierta demanda de estas clulas

B. Celdas Solares de tipo Multicristalino o Policristalino

Panel solar policristalino

Este tipo de celda contiene varias regiones de silicio cristalino que se mantienen juntas a
travs de un enlace covalente y separados por 'lmites de grano.
El silicio pasa a travs de un menor nmero de ciclos de filtracin intensiva de energa
que los procesos de separacin de las clulas monocristalinas y por lo tanto son un
material menos costoso para los fabricantes.
Estas celdas son fabricadas en una forma cuadrada. Esto es debido a que el lquido
fundido en los lingotes (cuadrado) no es para ser extruido o ir a travs de otro proceso,
sino para producir un bloque de silicio fuera de los cuales las pequeas clulas son
cortadas. (Las uniones entre los granos tienen un efecto interesante en la eficiencia de la
celda solar.
C. Celdas Solares Tipo Amorfo

Celda solar tipo amorfo

Este tipo de celda tiene un arreglo incluso menos regular de los tomos, que dan lugar a
enlaces colgantes y varias lagunas donde la recombinacin puede tener lugar.
El silicio puede ser fabricado en cualquier forma o tamao y puede ser producido, en
teora, a precios muy bajos.
Estos fueron el primer tipo de clulas de energa solar que se utilizaron en la aplicacin de
productos de consumo, como los relojes, calculadoras y otras aplicaciones no crticas y al
aire libre.

D. Celdas solares tipo Nanocristalinas:

Celda solar tipo micro nanocristalina

Mejor conocidos como paneles de pelcula fina de energa solar tambin son una
categora de las clulas fotovoltaicas. Este concepto es una extensin de la idea
detrs de silicio amorfo sin embargo en lugar de utilizar silicio de la industria en
este caso se usan otros elementos, el ms eficiente de los cuales es de arseniuro
de galio de pelcula fina. Estos tipos de clulas solares requieren menos materia
prima que implicara que el coste de las materias primas debe ser inferior sin
embargo, debido al alto grado de manipulacin y los costes de transformacin de
tales clulas delgadas, combinadas con la mayor eficiencia, hace que sea muy
difcil juzgar si su vale la pena su precio. No obstante, existe una cierta demanda
de estas clulas

2. Fabricacin de paneles solares:

El silicio es actualmente el material ms comnmente usado para la fabricacin de clulas
fotovoltaicas. Se obtiene por reduccin de la slice, compuesto ms abundante en la
corteza de la Tierra, en particular en la arena o el cuarzo.
El primer paso es la produccin de silicio metalrgico, puro al 98%, obtenido de pedazos
de piedras de cuarzo provenientes de un filn mineral (la tcnica de produccin industrial
no parte de la arena).
El silicio se purifica mediante procedimientos qumicos (Lavado + Decapado) empleando
con frecuencia destilaciones de compuestos clorados de Silicio, hasta que la
concentracin de impurezas es inferior al 0.2 partes por milln. As se obtiene el Silicio
grado semiconductor con un grado de pureza superior al requerido para la generacin de
Energa Solar Fotovoltaica.
Este ha constituido la base del abastecimiento de materia prima para aplicaciones solares
hasta la fecha, representando en la actualidad casi las tres cuartas partes del
aprovisionamiento de las industrias
Sin embargo, para usos especficamente solares, son suficientes (dependiendo del tipo
de impureza y de la tcnica de cristalizacin), concentraciones de impurezas del orden de

una parte por milln. Al material de esta concentracin se le suele denominar Silicio de
grado solar.
Con el silicio fundido, se realiza un proceso de crecimiento cristalino que consiste en
formar capas monomoleculares alrededor de un germen de cristalizacin o de un cristalito
inicial. Nuevas molculas se adhieren preferentemente en la cara donde su adhesin
libera ms energa. Las diferencias energticas suelen ser pequeas y pueden ser
modificadas por la presencia de dichas impurezas o cambiando las condiciones de
cristalizacin.
La semilla o grmen de cristalizacin que provoca este fenmeno es extrada del silicio
fundido, que va solidificando de forma cristalina, resultando, si el tiempo es suficiente, un
monocristal y si es menor, un policristal. La temperatura a la que se realiza este proceso
es superior a los 1500 C
El procedimiento ms empleado en la actualidad es el Proceso Czochralski, pudindose
emplear tambin tcnicas de colado. El Silicio cristalino as obtenido tiene forma de
lingotes.
Estos lingotes son luego cortados en lminas delgadas cuadradas (si es necesario) de
200 micrmetros de espesor, que se llaman obleas. Despus del tratamiento para la
inyeccin del enriquecido con dopante (P, As, Sb o B) y obtener as los semiconductores
de silicio tipo P o N
Despus del corte de las obleas, las mismas presentan irregularidades superficiales y
defectos de corte, adems de la posibilidad de que estn sucias de polvo o virutas del
proceso de fabricacin.
Esta situacin puede disminuir considerablemente el rendimiento del panel fotovoltaico as
que se realizan un conjunto de procesos para mejorar las condiciones superficiales de las
obleas tales como un lavado preliminar, la eliminacin de defectos por ultrasonidos, el
decapado, el pulido o la limpieza con productos qumicos. Para las celdas con ms
calidad (monocristal) se realiza un tratado de texturizado para hacer que la oblea absorba
con ms eficiencia la radiacin solar incidente. Posteriormente, las obleas son
metalizadas, un proceso que consiste en la colocacin de unas cintas de metal
incrustadas en la superficie conectada a contactos elctricos que son las que absorben la
energa elctrica que generan las uniones P/N a causa de la irradiacin solar y la
transmiten.
La produccin de clulas fotovoltaicas requiere energa, y se estima que un mdulo
fotovoltaico debe trabajar alrededor de 2 a 3 aos segn su tecnologa para producir la
energa que fue necesaria para su produccin (mdulo de retorno de energa).
Las tcnicas de fabricacin y caractersticas de los principales tipos de clulas se
describen en los siguientes 3 prrafos. Existen otros tipos de clulas que estn en
estudio, pero su uso es casi insignificante.
Los materiales y procesos de fabricacin son objeto de programas de investigacin
ambiciosos para reducir el costo y el reciclado de las clulas fotovoltaicas. Las
tecnologas de pelcula delgada sobre sustratos sin marcar recibi la aceptacin de la

industria ms moderna. En 2006 y 2007, el crecimiento de la produccin mundial de

paneles solares se ha visto obstaculizado por la falta de clulas de silicio y los precios no
han cado tanto como se esperaba. La industria busca reducir la cantidad de silicio
utilizado.
Las clulas monocristalinas han pasado de 300 micras de espesor a 200 y se piensa que
llegarn rpidamente a las 180 y 150 micras, reduciendo la cantidad de silicio y la energa
requerida, as como tambin el precio.
3. Conduccin Intrnseca y Dopaje.
Al aumentar la temperatura de un cristal semiconductor, algunos de los electrones
Recibirn suficiente energa trmica (va colisiones con la red de tomos) como para
alcanzar la banda de conduccin, en donde pueden formar parte de un flujo de electrones
o corriente. Al perder un electrn la banda de valencia se produce un espacio, con carga
positiva, conocido como hueco. La banda de valencia al no estar completa tambin sirve
como vehculo para el trasporte de corriente
En un semiconductor puro (intrnseco) y alrededor del cero absoluto (0 K), el nmero de
huecos en la banda de valencia es igual al nmero de electrones en la banda de
conduccin. En condiciones normales la ms probable distribucin es que los electrones
estn en la banda de conduccin y los huecos en la de valencia, que es donde se
minimiza la energa del cristal.
La alteracin de conduccin va temperatura, es decir conduccin intrnseca es muy
pequea, casi despreciable, por lo que se aprovecha la capacidad de los semiconductores
de alterar su conductividad con pequeas cantidades de ciertos tomos llamados
impurezas, este proceso es tambin conocido como dopaje. Dichas impurezas,
dependiendo del tomo usado entrega electrones o huecos adicionales, provocando que
el material quede con portadores de carga negativa o positiva.
Si la impureza deriva en electrones adicionales, la impureza es conocida como donante, y
si el efecto es una adicin de huecos la impureza se conoce como receptor. Esta
nomenclatura deriva de la accin de la impureza. Para un tomo donante, la energa de
los electrones (EC) est ligeramente por debajo de la banda de conduccin por lo que el
electrn puede alcanzar fcilmente energa para excitarse y entrar en la banda de
conduccin, donde acta como portador de carga. En un tomo receptor el nivel de
energa de los electrones que lo orbitan EA est ligeramente por encima de la banda de
valencia, en esta situacin los electrones de la banda de valencia puede ser fcilmente
excitados por los tomos receptores.

Banda de energa de los electrones

Para el grupo IV de semiconductores (referido a la tabla peridica de elementos) tales

como el silicio o el germanio, tienen en su banda de valencia 4 electrones, que estn
unidos con sus vecinos en forma de enlaces covalentes. La adicin de impurezas del
grupo V tales como el Arsnico o el Fsforo a tomos del grupo IV resulta en un exceso
de electrones, luego son donadores. Por otro lado con elementos del grupo III, tales como
el Boro o el Indio, conlleva a una prdida de un electrn por parte del cristal. Algunos de
los semiconductores empleados para la construccin de celdas solares son: Germanio
(Ge), Silicio (Si) del grupo IV, Indio Fsforo (InP), Galio Arsnico (GaAs), Aluminio
Antimonio (AlSb), Galio fsforo (GaP) son semiconductores de grupos III y V. Cadmio
Telurio (CdTe), Cadmio Selenio (CdTe) son del grupo II y VI.

Elementos donadores

Elementos receptores
Existen muchos mtodos para introducir impurezas, o cebar, a un semiconductor: se
puede insertar cuando el cristal ya est formado y purificado, cubriendo una lmina del
semiconductor con el donante y luego calentar la superficie, esto permite que los tomos
del donante se difundan al semiconductor, luego la alta temperatura se disminuye para
disminuir la tasa de difusin a cero. Otro mtodo incluye la difusin gaseosa, en el
proceso se utiliza un lquido para rociar el semiconductor, y una tcnica en la cual los
iones de la impureza se introducen de forma muy precisa directamente en la superficie del
semiconductor a cebar. El cebado tambin se puede hacer en el proceso de purificado del
cristal, tal como es el caso de las impurezas receptoras, o bien mediante implantacin de
iones a altas velocidades, estos iones impactan al cristal del semiconductor y lo penetran,
a una distancia que depende de la aceleracin, del semiconductor y del in.

3.1 Proceso bsico de fabricacin:

a) En una lmina de material semiconductor puro se introducen elementos qumicos
llamados dopantes que hacen que esta tenga un exceso de electrones y aunque
no exista en realidad desequilibrio elctrico (existir el mismo nmero de
electrones que de neutrones en el total de la plancha del semiconductor)
convencionalmente se entiende que esta plancha tiene una carga negativa y se la
denomina N
b) Por otro lado en otra lmina de material semiconductor se hace el mismo proceso
pero en esta ocasin con otra sustancia dopante que provoca que haya una falta
de electrones. Por esta razn se entiende convencionalmente que la plancha tiene
una carga positiva y se le denomina P
c) Es en este punto donde se procede a realizar la unin P-N en la cual el exceso de
electrones de N pasa al otro cristal y ocupa los espacios libres en P. Con este
proceso la zona inmediata a la unin queda cargada positivamente en N y
negativamente en P crendose un campo elctrico cuya barrera de potencial
impide que contine el proceso de trasvase de electrones de una plancha a la otra.