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Leccin4.DiodosdeSilicioyGermnio

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7.4.1Smbolo

7.4.2CaractersticasdelosDiodos.

Lascaractersticas especificaciones de los elementos semiconductores son proporcionados normalmente por los fabricantes
en dos formas: Una es una descripcin muy breve del dispositivo la cual permite una revisin muy rpida de los elementos
disponibles en unas pocas pginas la segunda hace un examen completo del dispositivo, donde se incluyen grficas,
aplicaciones,caractersticastcnicas,etc.
Acon
tinuacinnombraremosalgunasdelasespecificacionesmsimportantesatenerencuentaparaunabuenaoperacinde
estoselementos:
PIV:PeakInverseoVoltajeInversoPicooVoltajeInversodeRuptura:EselmximoVoltajePicoodealternaquese
lepuedeaplicaraundiodocuandoestpolarizadoinversamente.
= Forward Current o Corriente Directa:

=ForwardVoltajeDropoVoltajedeCadaDirecto:Eslacadadetensinqueproducelaresistenciainterna
deldiodocuandoestpolarizadodirectamenteparaelsili
cio=0.7V,yparaelGermanio=0.3V.

=ReverseLeakageCurrentoCorrienteInversadeescapeodesaturacin:Eslaquecirculaatravsdel
diodocuandoestapolarizadoinversamente.

=Rupture voltaje o voltaje de Ruptura: Es el mximo valor de voltaje que se le debe aplicar al diodo para no
daarloasseaenpolarizacindirectaoinversa.

7.4.3CurvaCaractersticadelDiodo.
En la figura se representa esquemticamente las curvas caractersticas de los diodos semiconductores de Silicio y Germanio
dondepodemosobservarelcomportamientodelacorrienteyelvoltajecuandoestpolarizadodirectaoinversamente.
Resumen
1.Enpolarizacindirectasolamentesonnecesariasunaspocascentsimasdevoltajeparaoriginaraumentosdecorriente
considerables
2.Enpolarizacininversacorrientes muy significantes se originan por cambios grandes del voltaje hasta el punto en el
cualsealcan
zaelvalordelvoltajederuptura.
3. Tan pronto se sobrepasa el voltaje de ruptura, la corriente se in
crementa considerablemente en polarizacin inversa
hastaalcanzarelpuntocemximadisipacindepotencialacualesdestructivaparaeldiodo.
4.Yaseaenpolarizacindirectaoinversaeldiodosedaasisesobrepasaelvalordemximadisipacindepotencia

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7.4.4CmoIdentificaryProbarunDiodoSemiconductor
Segnsuestructura, forma, tamao notaciones o marcas utilizadas por el fabricante, se pueden identificar los terminales de
los diodos, una banda o un punto que aparecen dibujados al lado de uno de los terminales se identifica como el ctodo o el
smbolosobresuchasistambinpermitesuidentificacin.
Lodescritoanteriormentenossirveparareconocerdeunaformavisuallosterminalesdeconexindeundiodosemiconductor
peronoparadiagnosticarsucomportamientodiciendosiestonoenbuenestado.Unaformaparadeterminarsitrabajaono,
es probar con un ohmmetro las condiciones en que se encuentra el diodo, el instrumento de medicin puede ser anlogo o
digital y dependiendo del tipo de polaridad se obtiene una lectura diferente. Luego es importante que identifiquemos la
polaridadparasabersiesdirectaoinvertidayestarsegurosdelapruebaqueserealiza.
Un mtodo bastante fcil para comprobar la polaridad del ohmmetro, es usar un diodo en buen estado con sus respectivos
terminalesintensificados.Elprocedimientoeselsiguiente:
Conectamos el terminal positivo del multmetro (comnmente el rojo) al nodo del diodo y el terminal negativo
(comnmentenegro)alctodo.
Sielmultmetroesdepolaridaddirectaaldiodosepolarizaensentidodirectoyelmedidordelohmmetronosindicauna
resistencia baja. Si el ohmmetro es de polaridad invertida, para la misma conexin del diodo, este se polariza en
sentidoinversoylaresistenciamedidadebesermuyalta.

7.4.5CircuitosEquivalentes
Un modelo es la representacin de un dispositivo que puede ser en forma matemtica o grfica, la cual describe su
comportamiento frente a ciertas condiciones establecidas y el diodo no es la excepcin. Existen 3 modelos utilizados
comnmentepararepresentarelcomportamientodeldiodo:
1Aproximacin
2Aproximacin

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3Aproximacin

7.4.5.1Primeraaproximacin(eldiodoideal)
Conbaseenlacurvacaractersticadeldiodo,lacualdescribeunacurvaexponencialcrecienteseaproximaaunaverticalque
pasaporelorigendecoordenadascartesianas.Estaprimeraaproximacinesmuyimportanteytilpuespermiteconsideraral
diodocomouninterruptorNeto,elcualenelmomentodeencontrarseenlazonadeconduccinpuedeserconsideradocomo
uncortocircuitopuro.

CurvacaractersticadeldiodoPrimeraaproximacin
POLARIZACINDIRECTA
Esasumirelcomportamientodeundiodocomouninterruptorcerrado.

POLARIZACININVERSA
Esasumirelcomportamientodeundiodocomouninterruptorabierto

Comosehavisto, el diodo acta como un interruptor abrindose o cerrndose dependiendo si esta en polarizacin inversa o
directarespectivamente.
7.4.5.2Segundaaproximacin
EnstesegundocasosetieneencuentalacadadevoltajeeneldiodoquedependiendosiesdeSilicioodeGermaniopuede
ser de 0,7V o 0,3V respectivamente. Se aplica la misma consideracin anterior aproximando la exponencial a una vertical
iniciandoen0,7VporelejeX(estevaloreselvalordelatensinumbralparaelsilicio,sifueradegermaniosetomarael
valorde0,3V).

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CurvacaractersticadeldiodoSegundaaproximacin
Alrealizarlosclculosrespectivosutilizandolasegundaaproximacinelerroresmenorqueenlaaproximacinanterior.
POLARIZACINDIRECTA
Laverticalesequivalenteaunafuentede0,7V.

IR=(Vs0.7)/R
VR=(Vs0.7)VD =0.7
POLARIZACININVERSA
Esuninterruptorabierto.

Lasegundaaproximacines una de las ms recomendadas a la hora de realizar clculos para diseos y anlisis de circuitos
utilizandodiodos.
7.4.5.3.Terceraaproximacin
En sta tercera aproximacin se tiene en cuenta no solamente la cada de tensin en el diodo sino tambin el valor de
resistenciaofrecidaporstedispositivoalahoradeencontrarseenlazonadeconduccin.Lacurvadeldiodoseaproximaa
unarectaquepasapor0,7Vytieneunapendientecuyovaloreslainversadelaresistenciainterna.

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CurvacaractersticadeldiodoTerceraaproximacin
El anlisis es muy semejante a los casos anteriores, presentndose la diferencia significativa cuando el diodo se encuentra
polarizadodirectamente:

VD =0.7+I*rBDonderBeslaresistenciainternadeldiodo
Observemos que en sta tercera aproximacin realmente no es muy utilizada debido a que el error que se comete, con
respecto a la segunda aproximacin, es mnimo, prcticamente despreciable. Por tal razn para efectos prcticos se
recomiendautilizarlasegundaaproximacinenlugardelaterceraexceptoenalgncasoespecialenelcualsearequerido.
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