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RESUMEN
Con la realizacin de esta experiencia se busc analizar e identificar el comportamiento del
transistor, representndolo en una serie de curvas por medio de diferentes mediciones de voltaje y
otros parmetros presentes en un circuito que se explicar detalladamente a lo largo del presente
informe.
Palabras claves: Transistores, bipolar, ganancia del transistor, transistor de base positiva..
1. INTRODUCCIN
El transistor est compuesto por tres zonas de
dopado, como se ve en la figura:
posee
una
(1)
(2)
(3)
I C = I B
caractersticas
(4)
del
2.1.2.
Para VCE=0
Para IC=0
Obtencin de la Ganancia a
partir
de
las
curvas
caractersticas
3. METODOLOGA
Los elementos electrnicos que se usaron en
esta experiencia fueron los siguientes:
-
2 resistencias de 1K.
1 transistor 2N3904.
1 Fuente.
1 Multmetro.
10
0,61
0,62
0,63
0,64
0,65
0,66
0,68
0,7
0,71
0,715
0,73
0,75
0,765
0,5
0,5
0,55
0,6
0,61
0,62
0,63
0,64
0,65
14,93
0,655
0,67
0,68
0,69
0,7
0,729
0,748
0,757
0,767
0,803
VB
0,5
0,55
0,601
0,61
0,62
0,626
0,63
0,64
0,65
0,66
0,67
0,68
0,69
0,7
0,71
0,72
0,73
0,5
0,55
0,598
V BE V RB
0,5
0,55
0,60
1
0,61
0,62
0,62
6
0,63
0,64
0,65
0,66
0,67
0,68
0,69
0,7
0,71
0,72
0,73
0,5
0,55
0,59
8
V RC
0,0016
0,0024
0,0031
0,0048
0,007
0,0092
0,0148
0,025
0,0382
0,265
0,399
0,562
0,901
1,354
1,881
1,955
4,82
7,36
9,66
9,6
9,43
9,1
8,68
8,12
7,01
5,11
2,7
0,055
1,03
9,59
9,79
0,442
0,052
2,94
5,41
0
0
0
0,0013
0,0015
0,0026
0,0034
0,0052
0,0082
9,86
9,92
0,0045
0,0046
0,028
0,202
0,276
0,399
0,621
0,947
1,625
0,068
0,06
10
14,93
14,91
14,71
14,65
14,59
14,29
13,97
13,27
0,015
0,0235
0,0335
0,0488
0,0625
3,478
4,89
6,83
9,55
11,95
11,4
9,97
8
5,33
2,95
0,1
14,59
0,359
1,26
14,77
0,106
2,633
14,78
0,087
4,7
14,04
14,79
14,79
0,0765
0,066
4. RESULTADOS Y ANALISIS
V CC
0,61
0,62
0,63
0,64
0,65
0,66
0,67
0,68
0,69
0,71
5
0,73
0,74
5
0,76
0,5
0,5
0,55
0,6
0,61
0,62
0,63
0,64
0,65
0,65
5
0,67
0,68
0,69
0,7
0,72
5
0,74
5
0,75
5
0,76
5
0,8
V CE
0
0,0003
0,0037
0,022
5
4,99
0,0012
0,0017
0,0023
0,178
0,251
0,365
4,83
4,76
4,65
0,003
0,0032
0,0045
0,0063
0,0093
0,0123
0,0182
0,0252
0,232
0,814
1,659
4,04
0
0
0,0012
0,459
0,535
0,804
1,17
1,753
2,357
3,466
4,65
4,9
4,94
4,95
4,96
0,0045
0,0291
0,196
4,55
4,47
4,21
3,83
3,267
2,668
1,56
0,361
0,104
0,0717
0,0578
0,0465
10
9,98
9,9
=202 .
I C = I B
V =IR , luego
I=
V
R ; Entonces:
IC =
V RC
Rc
I B=
V RB
Rb , finalmente
tenemos
0
0
0
0
IC
I B , donde la ganancia total ser
0
0
ni
i=1
La ganancia
entonces:
V CC V BE
0,6
0,61
promedio
IC
del capacitor
IB
es
186,03
Terico
Experimental
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
ni
i=1
0
0.5
de error
202
186,03
7,904
Tabla 3. Comparacin entre los valores de
ganancia tericos y experimentales.
Se puede observar que el valor de la ganancia
obtenido por los datos experimentales nos da
muy cercano al valor de ganancia propio del
transistor, con un valor menor al 8%.
Hallando la curva caracterstica del transistor
VBE-IB, tenemos:
0
0.56
0.61
0.66
0.71
0.76
0.81
0.02
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0
0
0
0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85
Grfica 3. Curva caracterstica experimental
del transistor VBE-IB para 14,93V.
Mediante esta curva podemos determinar los
efectos que producen las variaciones de la
tensin de polarizacin VBE sobre la corriente
de base IB. Conocidas como curvas
caractersticas de transferencia. Las curvas
que se obtienen son muy similares a la de un
diodo cuando se polariza directamente.
Debido a que el multmetro que se utiliz para
la experiencia estaba bajo de batera, este
tom una referencia diferente, por lo cual los
valores tomados se encontraban desfasados
de los reales, sin embargo al calcular el
desfase probando con otro multimetro, se
modificaron los datos, estos sirven para
ilustrarnos la forma de esta grfica. En las
figuras 1-3 se aprecia el cambio transicional
(casi asinttico) del transistor; en este caso en
valores despus de 0,7V debido a lo que se
mencion anteriormente.
Esta experiencia se simulo para obtener las
curvas caractersticas tericas del transistor,
se simul en el programa Multisim, puesto
que en este se puede variar la ganancia, lo
que nos permite obtener resultados ms
cercanos y exactos al de la experiencia de
laboratorio.
Los resultados obtenidos de la simulacin, se
presentan a continuacin.
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
tericas
0
0
0
0
Figura 15. Circuito simulado en Multisim para
14,93V.
0
0
0
0
0
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0
Como se puede observar, los valores de la
curva experimental discrepan ligeramente de
la curva terica, lo que nos permite concluir
que la experiencia para la obtencin de la
curva se realiz en buenas condiciones.
0
0
0
0
0
0
0
Ib vs Ic (5V)
0
0
0.560.58 0.6 0.620.640.660.68 0.7 0.720.74
Grfica 8. Curva caracterstica terica del
transistor VBE-IB para 10V. Curva azulExperimental, Curva roja-Terica.
0.01
0.01
0
0
0
0
0
0
0
Ib vs Ic (10V)
0
0.01
0.01
0
0
0.55
0.01
0.01
0.6
0.65
0.7
0.75
0
0
0
Ib vs Ic (14,93V)
IB-IC (5V)
0.02
0.01
0.02
0
0
0.01
0
0
0.01
0
0
0
1773340,27
172503,02
111819,30
pendiente para cada
IB-IC (10V)
0.01
0.01
0.01
0
0
0
IB-IC (14,93V)
0.02
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0
0
0
0
0
5. CONCLUSIONES
Aunque los transistores pueden tener igual
referencias en el mercado, sus propiedades
constructivas acarrean cambios exagerados
en su funcionamiento y en su comportamiento,
por lo que puede decirse, que la curva para
cada transistor es diferente, de igual forma,
pero valores nicos para cada transistor. Se
logr apreciar la estrecha relacin que este
dispositivo guarda con respecto a un montaje
equivalente de diodos y sus semejanzas en el
comportamiento que estos ilustran en sus
curvas caractersticas.
Fue importante durante la experiencia verificar
los terminales del transistor, aunque cada
encapsulado nos dice de qu manera van
organizados los terminales, es importante
verificarlos, esto se hace de una manera muy
sencilla para un BJT NPN:
-
130395,097
112777,715
107250,107
pendiente para cada
BIBLIOGRAFA
I.
II.
III.
McGraw-Hill/Interamericana de
Espaa, 1999, p. 1099.
Alexander Charles, Sadikus Matthew.
Fundamento de Circuitos Elctricos,
Mxico, McGraw-Hill/Inter-americana
Editores, 2004, p. 1051