Transporte de carga en Semiconductores - Ecuacin de transporte de Boltzmann - I

3
d
k
1
En equilibrio termodinmico : N = f (
k ) f (
k)

n=
f ( k )d 3 k
3
3

8
8
k
V cr
f (
k ) : Funcin de distribucin de Fermi- Dirac. Representa el nmero de electrones por estado
cuntico. (En otros casos podra ser la de Bose-Einstein o Maxwell-Boltzmann).

Fuera del equilibrio: La funcin de distribucin ha de incluir dependencias con r ,

p (=
k ), t .
p ,t ) d3r d3p el nmero de electrones (o huecos) que hay en un volumen del espacio
Sea n ( r ,
de las fases d3r d3p en torno de ( r , p ) en un instante t :
- Los electrones se mueven con velocidad
v (t)= r (t ) Entran y salen de d3r
= p Entran y
- Sobre los electrones actan fuerzas que cambian su momento
p: F
salen de d3p

- Los electrones en este elemento de volumen experimentan colisiones con otros electrones,
fonones, impurezas... que los sacan de d3r d3p. Electrones de otros elementos de volumen
llegarn a ste debido a sus colisiones.
n( r ,
p ,t ) n n
n
n
=
+
+
t
t
t v t F t

( ) ( ) ( )

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Col

Transporte de carga en Semiconductores - Ecuacin de transporte de Boltzmann - II

(t 0 )] la densidad de electrones que hay en el volumen considerado en t0.

Sea n [ r (t 0 ) , p
Al cabo de t, los electrones del volumen han salido, y han entrado los que estaban en
y a v en este intervalo es:
r (t 0 t ),
p (t 0 t ). El cambio en n debido a F

n=n ( xv x t , y v y t , zv z t , p x F x t , p y F y t , pz F z t )n (x , y , z , p x , p y , p z )

n
n
n F
=v
k n+
r
t

n n
n
n)
n)F

lm

+
=(
v (
r

p
t v t F
t 0 t

( )

( ) ( )

Col

3
Si ponemos n ( r ,
k )=f ( r , k )(8 /V cris ) f es la densidad de electrones por estado k :

f
F
f
+ v r f + k f =
t

( )

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Col

Ecuacin de transporte
de Boltzmann

Transporte de carga en Semiconductores - Ecuacin de transporte de Boltzmann - III

f
F
f
+ v r f + k f =
t

( )

Col

En general:

( )
f
t

Col

= { W (
k ' k )f ( k ' )[1f (
k )]W (
k k ' )f (
k )[1f (
k ' )] } d 3 k '

La ecuacin de transporte es integro-diferencial. Muy dificil de tratar.

Aproximacion: tiempo de relajacin:

= 0, f uniforme
Caso ms simple: F

( )
f
t

Col

f f
= 0

t
f f 0
df

= f f 0 =C e
dt

De la aproximacin del tiempo de relajacin (con campos elctricos) se obtienen los

modelos ms simples de transporte.

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Transporte de carga en Semiconductores

Movilidad de portadores:
aplicados, el movimiento de los electrones es
- En ausencia de E
aleatorio debido a:
* interaccin con las vibraciones de la red: interaccin electrn - fonn.
* Interaccin con impurezas ionizadas (culombiana y apantallada).
* Interaccin con impurezas neutras.
* Rugosidad superficial ...
* Cualquier defecto que rompa la idealidad del cristal.
aplicado, cada electrn experimenta una fuerza neta
- Cuando hay E
. Los choques anteriores continan y aumentan, pero en
= q E
promedio sobre el conjunto de electrones, adquieren una velocidad
:
media proporcional a E

v n = nE

y v p = pE

J n=q n v n =q n n E

nE
J p= q p v p =q p p E

pE

n , p : MOVILIDAD de los electrones, huecos

J =Jn Jp= n p E
= E=q

n n p p E

En general:
J =( ij ) E

(La justificacin de la movilidad desde primeros principios se obtiene a partir de la ecuacin de

transporte de Boltzmann)
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Algunas propiedades de la movilidad

La velocidad originada por el campo electrco y limitada por la movilidad se denomina
velocidad de arrastre (drift velocity), y a las corrientes que se originan, corrientes de
arrastre (drift current).
n,p: Tiempo (constante) de relajacin del momento de los
q
q
electrones o huecos.
n= n ; p= p
m *cn
m *cp
m*cn,cp: Masa efectiva de conduccin de electrones o huecos.

Para Si, Ge:

1
1 1
2
=

m * cn 3 m * l m * t

Para GaAs:

m*cn = m*n

Para huecos la situacin es ms complicada:

Hay que utilizar la poblacin de cada banda:
p = pn+ pp = q (plh lh +phh hh )

Regla de Mathiessen: Cuando hay varios efectos de scattering que introducen, por separado,
movilidades 1, 2 , 3 .., la movilidad resultante se obtiene de:
1 = 1 1 1
1 2 3

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Dependencia de la movilidad con la Temperatura:

Efecto del scattering culombiano por
impurezas y por fonones acsticos:

1 1
1
=
+
phon imp

(Culombiano)

(Fonones
acstcos)

A baja T:
- Los tomos de la red se mueven
con poca amplitud.
- Los portadores tienen poca
energa y se mueven lentamente.
- Domina el scattering por impurezas.
- Al aumentar T, aumenta la velocidad
de los portadores y las impurezas
dispersan menos.
A alta T:
- La velocidad de los portadores es
elevada y las impurezas apenas les
afectan.
- Los tomos de la red se mueven
con gran amplitud y domina el
scattering por vibraciones de la red:
por fonones.

Normalmente intervienen otros mecanismos de scattering: rugosidad superficial, scatering no

culombiano... La dependencia trmica de presenta otros valores del exponente.
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Dependencia de la
movilidad con la
concentracin de impurezas

Concentracin de
impurezas = Na + Nd

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Efectos de Campo Elctrico Alto

A bajos campos elctricos:
vd (cm/s)

; =Cte .

v =() E

107

Comportamiento hmico.
A altos campos, la velocidad de
arrastre se satura. Para electrones:

106

=( E ); J=q n v =q n( E ) E

=Cte

105

Comportamiento no-Ohmico.
102

103

104

E (V/cm)

105

Cuando
v n , p
v th , los portadores se
denominan calientes (hot carriers).

Otros efectos:
* A altos campos y en distancias muy cortas: velocity overshoot.
por cambio de valle (de la B.C.) de
* Decrecimiento de la velocidad con E
los portadores en GaAs
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