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Informe de laboratorio II
Turno: Vespertino
Grupo: 3T2-Eo
Fecha: 17/05/2015
Introduccin
Durante asignaturas previas hemos estudiado el comportamiento del transistor BJT en sus
diferentes configuraciones ante pequea seal, as tambin como difieren los clculos tericos
con los resultados obtenidos mediante la prctica.
En este laboratorio se proceder a analizar parmetros adicionales del transistor los cuales son:
frecuencia de corte en alto (FH), frecuencia de corte en bajo (FL) con la finalidad de
determinar el comportamiento del transistor en sus diferentes configuraciones ante pequea
seal.
Objetivo
Determinar tericamente y mediante medicin las frecuencias FL y FH de un amplificador.
Desarrollo
Para llevar a cabo con xito el laboratorio se requiri la obtencin de FL y FH de forma terica
(anexados al final del informe) y se utilizaron los siguientes medios:
Osciloscopio X
Multmetro X
Fuente DC
Generador de funciones
Breadboard
As tambin se utiliz:
1) 560 (1/4 W)
2) 8.2K (1/4 W) 8
3) 2 resistores de 2.2K (1/4 W)
4) 1.8K (1/4 W)
5) 680 (1/2 W)
6) 2 Capacitores 470nF
7) 1 Capacitor 220F
8) Transistor 2N3904
Fig. 1.
Luego se procedi a completar la siguiente tabla con los resultados obtenidos:
Medidas
ABM
FL
FH
Valor
prctico
-17.53
38Hz
3.19MHz
Valor
terico
-109.62
179Hz
39Mhz
% Error
16%
21%
76%
Preguntas de repaso.
1) Qu pasara con la FH de su circuito si usted sustituye el transistor por otro con una
FT mayor?
c) No cambia ya que es independiente del transistor.
2) Si la resistencia de carga aumenta que pasa con la F H de su circuito:
a) Aumenta
3) Qu pasa con la FL si sustituimos el capacitor de 220F por uno de 10F?
b) Disminuye
4) Cul es la tendencia a seguir por la ganancia en la banda media si aumentamos el V CC?
b) Tiende a aumentar.
Conclusin
La construccin de un circuito que permita el anlisis de la respuesta en frecuencia de los
transistores nos facilita la comprensin de este fenmeno, a su vez, realizar el anlisis terico de
Anexos
Malla
2.
Malla
1.
Fig. 2.
Se procede a realizar el anlisis DC para el circuito de la Fig. 1 obteniendo el circuito de la fig. 2.
Vth= 1.818 /(1.8+8.2) = 3.24V.
RTH= 1.88.2 / (1.8+8.2)= 1.47 K.
Vi
Fig. 3.
FL = WL/2 = 179Hz
WL = 1/c1 + 1/c2 + 1/c3 = 1,130.04 rad/seg
c2 = (R6 + R7)*C2 = 2.068ms
c1 = [R1 + Rth || (rb + r )]*C1 = 0.5861 ms
Utilizando fuente y corriente de prueba para encontrar c3 obtenemos lo siguiente:
c3 = [(Rth + rb + r ) / (1 + gm*(Rth + rb + r )]*C3 = 1.5498ms
Ahora procedemos a calcular FH, tomando en cuenta las capacitancias internas del transistor,
dando como resultado el siguiente circuito:
FH = WH / 2 = 39MHz
WH = 1/c1 + 1/c2 = 247,770,388rad/seg
c2 = (R4 || R5) * C2 = 2.2 E - 9
c1 = [(R1 || Rth + rb) || r ] * C1 = 3.806 E - 9