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Dodo ideal

Circuitos Electrnicos Bsicos

Semicondutores
Elementos da coluna IV da Tabela Peridica.
Condutividade: maior que a dos isolantes, menor que a dos
condutores
Germnio Ge :

inicialmente

Silcio Si : actualmente: mais abundante e mais fcil

Circuitos Electrnicos Bsicos

Semicondutores

Electres da camada de valncia

Intrnseco:
sem impurezas.

Si
+4

cristal:
4 electres
perifricos
partilhados por
tomos vizinhos.

+4

+4

Ligao covalente

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Circuitos Electrnicos Bsicos

Semicondutores

Electres livres - libertos


das ligaes originam
par electro-lacuna

Ligao covalente destruda

Si
+4

Carga do electro:

+4

+4

Lacuna

Electro livre

q = 1.60 1019 C
lacuna: ausncia de
electro. Comporta-se
como carga +q

Circuitos Electrnicos Bsicos

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Semicondutores
n electres por unidade de volume
p lacunas por unidade de volume
n = p = ni no semicondutor intrnseco
ni2 = BT 3e EG / kT
em que:
T - temperatura absoluta em kelvin (K)
k - Constante de Boltzman, k = 1.38 1023 J/K
EG = 1.12eV (para o Si) "bandgap energy"
representa a energia mnima para formar par electro-lacuna
B = 5.4 1031 (para o Si) depende do material
Tpico: T = 300K ni =1.5 1010 portadores/cm3 em 5 1022 tomos/cm3
Circuitos Electrnicos Bsicos

Semicondutores

Elementos dadores:
coluna V
5 electres perifricos

Dadores (tipo n): antimnio fsforo arsnico

Si
+4

+4

+4

ND tomos dadores por


unidade de volume
Tipo n: com dadores

Electro livre

+4

+5

+4

+4

+4

+4

electres livres
predominam n ND
Em equilbrio trmico
np = ni2
Circuitos Electrnicos Bsicos

Semicondutores

Elementos aceitadores:
coluna III
3 electres perifricos

Aceitadores (tipo p): boro glio indio

Si
+4

+4

+4

+4

+3

+4

+4

+4

+4

NA tomos aceitadores por


unidade de volume
Tipo p: com aceitadores

Lacuna

lacunas predominam p NA
Em equilbrio trmico
np = ni2

Circuitos Electrnicos Bsicos

Semicondutores

Conduo:
movimento dos portadores de carga (electres ou lacunas)
2 mecanismos: difuso e deriva

Difuso:
gradiente de densidade de portadores (n, p )
densidade de corrente (A/m2 )
dn
dp
J n = Dn q
J p = Dp q ;
dx
dx
Dn , D p so constantes de difuso
Si intrnseco: Dn = 34cm2 /s; D p = 12cm 2 /s
Circuitos Electrnicos Bsicos

Semicondutores

Deriva:
aco do campo elctrico
velocidade vn = n E e v p = p E
n , p mobilidades

E campo elctrico

Si intrnseco: n = 1350cm 2 /Vs; p = 480cm2 /Vs


Dn D p
=
= VT
n p
VT =

kT
q

relao de Einstein

tenso trmica 25mV a 300K (temp. ambiente)

n = 2.5 a 3 p
densidade de corrente: J drift = q(n n + p p ) E
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4244
3
= 1 condutividade

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Juno pn

ies dadores
ies aceitadores
+

electres livres
lacunas

ies representados s na regio de depleco


N A x p = N D xn
Barreira de potencial: VO = VT ln

N A ND
ni2

difuso+recombinao
equilbrio, I = 0, (circuito aberto)
campo elctrico deriva
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Juno pn polarizao inversa


Barreira de potencial aumenta
regio de depleco alarga
VO+VR
Sem disrupo:
corrente inversa desprezvel VR<Vz
Disrupo: breakdown
Corrente IR elevada e independente da tenso VR<Vz
Disrupo= efeito Zener (Vz <5V) + avalanche (Vz >7V)
Ef. Zener: Campo elctrico forte gera pares electro-lacuna
Avalanche: coliso portadores-tomos gera pares electro-lacuna
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Juno pn polarizao directa

Barreira de potencial diminui


diminui campo elctrico
VO-V
corrente directa significativa
Portadores maioritrios de um lado so injectados para o outro
lado, passam a minoritrios e h difuso+recombinao, excesso
de portadores minoritrios, mx nas fronteiras da zona de
depleco.
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Juno pn polarizao directa


Barreira de potencial diminui
diminui campo elctrico
VO-V
corrente directa significativa

I = I S (eV / nVT 1) I S eV / nVT


se no for: VVT a corrente desprezvel
Dp
Dn
; L comprimento de difuso
I S =Aqni2
+
N D Lp N A Ln p ,n

I S proporcional rea, depende muito de T


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Caracterstica i-v do dodo

Os circuitos que utilizam os dodos na zona de disrupo so diferentes dos circuitos


que utilizam os dodos na polarizao directa ou inversa. Isto permite utilizar
modelos diferentes para o dodo de acordo com a aplicao.
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Dodo ideal

Aproximao linear por


troos: Dodo ideal

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Rectificador com dodo ideal

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Aproximao linear por troos: Dodo com tenso constante

dodos de Silcio
vD =0.6 0.8V
na figura considera-se VD = 0.7V
para i =constante
v
2mV/C
T

Especificaes:
corrente directa mxima
tenso inversa mxima
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Aproximao linear por troos: Dodo com resistncia

r=

v
i

dodos de Silcio
vD =0.6 0.8V
VD0 0.5V-0.65V
para i =constante
v
2mV/C
T

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Ponto de funcionamento em repouso

iD = f (vD )

V = Ri + v
D
D
DD
Mtodo grfico

Mtodo iterativo
iD 0
vD 0 = 0.7V
iD1 =

VDD 0.7
R

vD1 = vD 0 + nVT ln
iD1 =

iD1
i
vD1 vD 0 = nVT ln D1
iD 0
iD 0

VDD vD1
K
R

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Modelo incremental

O PFR estabelece a zona da caracterstica em que o


dispositivo est a funcionar.
Devido linearizao do modelo pode calcular-se de
forma simplificada o ganho (amplificao) de um
sinal de baixa amplitude.
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Resumo

Dodo ideal: til para avaliao de quais os dodos em


conduo e rpida anlise do funcionamento do circuito.
Pode ser utilizado se as tenses no circuito forem muito
superiores tenso de conduo do dodo.
Dodo com tenso constante: Fcil de utilizar e muito
prtico para clculos manuais.
Dodo com resistncia: Escolha da tenso e resistncia
depende dos valores em que o circuito vai operar. Menos
usado.
Modelo exponencial: Com base fsica e preciso.
Modelo incremental: Prtico quando se pretende analisar
a resposta a sinais de baixa amplitude. Serve de
introduo aos modelos incrementais de transistores
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Aplicaes: Fontes de Alimentao

Rectificador
Rectificador de meia onda
Rectificador de onda
completa
Ponte de Graetz

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Filtro (passa-baixo)
Reguladores de tenso
Com dodo de Zener
srie

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Rectificador de meia-onda

Transformador
Isolamento galvnico
Abaixamento da tenso
vs alternada, v unidirecional

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Rectificador de meia-onda

Desprezando a queda de tenso no dodo


vO = arcadas positivas de vs
VS max

n2
V1m
n1

Valor mdio da sinusoide simplesmente rectificada

( vo )av

1
1
=
VOm sin d = VOm

2 0

sentido do dodo trocado


vO = arcadas negativas de vs
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Rectificador de Onda Completa

Transformador com tomada no


ponto mdio do secundrio.

vS > 0 D1 conduz vO = vS
vO = vS
D2 cortado

2
vS < 0 D1 cortado vO = vS ( vO ) av = VOm

D2 conduz
(desprezando a queda de tenso no dodo quando conduz)
sentido dos dodos trocados vO = vS
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Rectificador em Ponte de Graetz

vvs<0;
=-v
=vss
s>0;vv
OO

Vantagens :
Secundrio do transformador sem tomada central com
metade da tenso
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Filtro (passa-baixo)

Tenso alternada rectificador


tenso rectificada filtro LP tenso
contnua (com tremor, ripple)

RC T vO VIm
desprezando a queda de tenso no dodo
carga perdida = carga reposta
C V =

VIm
V
T V = Im amplitude do tremor
R
fCR

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Dodo Zener

Para funcionar com polarizao


inversa.
Modelo mais simples assume rz=0
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exemplo

como que calcula I, IZ e IL?

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Dodo Zener
Ef. Zener (Vz <5V)
Avalanche (Vz >7V)
Especificaes:
corrente mxima (ou potncia)
tenso de Zener

Variao com a temperatura


Vz
v
+2mV/C (directa)
T
T
sugere uma combinao simples pouco sensvel temperatura
ex: Vz = 6.8V VD = 0.7V Vz _ eq = 7.5V
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Circuitos Limitadores

Exemplos de
circuitos
limitadores

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Regulador de tenso com dodo Zener


Regulador paralelo (dodo Zener // carga) i 1 R1

vI > Vz vO = VZ

i2

vI

vO

R2

independente de vI e de R2
V
v VZ
i2 = Z ; i1 = I
; iZ = i1 i2
R2
R1

i 1 R1
vI

i2
rz

vO

VZ

R2

Usa-se para potncias muito baixas


normalmente i2 0, gerador de tenso de referncia.
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Receptor
de Satlite

1Teste (3/11/2004)

i1
vI

R1

i2
D1
D2

vO

R2

Considere o circuito representado na figura, em que R1=1k, R2=4k, e que


|VZ|=3V.
1.

Determine i1, i2, iD2 e vO quando vI = 5 V (considere o modelo com fonte de


tenso).

2.

Indique como calcularia o modelo com resistncia de D2 para os valores


da alnea anterior.

3.

Represente vO(t) para vI (t)= 5 +1 sin(2 103 t) V e diga qual a amplitude


mxima de variao de vI
para que o circuito se comporte como
regulador.

Circuitos Electrnicos Bsicos

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i1

1Teste (3/11/2004)
i2

R1

D1
D2

vI

vO

R2

1) Hiptese: dodos ao corte?


Considerando vD _ on =0.7V vO =

R2
vI = 4V > VZ + VD _ on = 3.7V
R1 + R2

Os dodos esto a conduzir.


i1 =

(vI VZ VD _ on )
R1

iD = i1 i2 = 0.375mA

5 3.7
= 1.3mA
1 103

i2 =

( VZ + VD _ on )
R1

3.7
= 0.925mA
4 103

vO = 3.7V

2) Pode considerar-se vD _ on no intervalo [0.5, 0.65]V.


Considerando vD _ on =0.5V RD =

(0.7 VD _ on )
iD 0

0.7 0.5
= 533
0.375 103

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1Teste (3/11/2004)
i1
vI

3) vO =

R1

i2
D1
D2

vO

R2

R2
4
vI =
[5 + 1sin(2 1103 t )] = 4 + 0.8sin(2 1103 t )
R1 + R2
1+ 4

vO (sem regulao)

4.8

6
5

vI

3.7

3.2
vO (com regulao)

sera um bom regulador se a tenso na sada no fosse abaixo


dos 3.7V, ou seja 4/5 Vi_max=0.3=> Vi_max =0.375 V de amplitude.
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1Exame (19/1/2005)

Considere o circuito representado na figura,


em que R=1k.
1. Determine o valor da tenso na sada vO
quando I = 1 mA utilizando para o dodo
o modelo com fonte de tenso (VD=0.7V).
2. Determine novamente o valor da tenso
na sada vO quando I = 1 mA e em que os
dodos tm n=1 e IS=10-14A.

vO
R

D1
D2

3. Indique como que a tenso de sada


varia com a temperatura.
Circuitos Electrnicos Bsicos

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1Exame (19/1/2005)

vO

Nota : considerando R independente da temperatura.


1)

vO = IR + vD1 + vD 2 = 1 + 0.7 + 0.7 = 2.4V

2)

vD = nVT ln

I
1 103
= 25 103 ln
= 0.63V ;
IS
1 1014

vO = IR + vD1 + vD 2 = 1 + 0.63 + 0.63 = 2.26V


3)

vD = nVT ln

I
IS

v = 2mV / C
Circuitos Electrnicos Bsicos

D1
D2

I
T S
a I S dominante!
VT
vO diminui com a temperatura.
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