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Eletrônica

Eletrônica Básica Prof. Eng. Romeu Corradi Júnior

Básica

Prof. Eng. Romeu Corradi Júnior

Eletrônica – Dispositivo de estado sólido

Eletrônica – Dispositivo de estado sólido 1. Introdução Eletrônica Básica Prof. Eng. Romeu Corradi Jr. Esta

1.

Introdução

Eletrônica Básica

Prof. Eng. Romeu Corradi Jr.

Esta apostila tem o objetivo de proporcionar ao aluno um primeiro contato com os dispositivos semicondutores, como diodos e transistores. As informações aqui apresentadas serão utilizadas como introdução aos componentes semicondutores, cabendo ao aluno uma complementação em literaturas técnicas especificas. Os assuntos aqui abordados tem um caráter didático; na intenção de facilitar a compreensão de literaturas técnicas mais abrangentes, ajudando o aluno a se familiarizar com os termos técnicos e demais situações que envolve a eletrônica básica. Assim esta apostila irá ajuda-lo em seus estudos, mas você deverá reservar em casa um tempo para estudar os pontos aqui abordados e sempre complementando as informações apresentadas com livros de maior profundidade no assunto, e também resolver os exercícios propostos varias vezes de forma a garantir um bom aprendizado; lembre-se os assuntos a serem abordados requer estudo sistemático e dedicação na resolução de problemas, para que você obtenha boa compreensão dos circuitos estudados. Abaixo temos uma lista de possíveis literaturas técnicas que você poderá usar para se aprofundar mais nos assuntos, é importante que você tenha pelo menos um dos livros indicados.

Malvino, Albert Paul – Eletrônica Vol. 1 Editora – MAKRON Books

Boylestad – Nashelsky – Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos Editora – PHB – Prentice/Hall do Brasil

Cipelli, Antonio Marco Vicari e Sandrini, Waldir João - Teoria e Desenvolvimento de Projeto de Circuitos Eletrônicos Editora – Érica

Marques, Angelo Eduardo B. / Choueri Jr., Salomão / Cruz, Eduardo Cesar Alves – Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores Editora – Érica

Outros livros sobre eletrônica básica poderão ser utilizados como livro texto para apoio, o importante é que você tenha pelo menos uma literatura técnica para aprofundar os seus conhecimentos.

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2. Diodo ideal

Diodos são dispositivos eletrônicos de dois terminais com a propriedade de permitir a passagem de corrente elétrica mais facilmente num sentido que em outro. Esta propriedade torna os diodos extremamente úteis em aplicações eletrônicas, como veremos adiante. Para facilitar a compreensão dos diodos, discutiremos primeiramente o conceito de diodo ideal.

2-2.

O diodo ideal

O conceito de diodo ideal pode ser mais claramente entendido se, primeiro, compararmos suas

características com as de um resistor linear como mostrado na fig. 1. Tanto o resistor quanto o diodo são elementos de dois terminais. A característica V-I do resistor linear indica que ele obedece à lei de Ohm, qualquer que seja a polaridade da tensão aplicada. Daí podemos concluir que ele conduz igualmente nos dois sentidos.

concluir que ele conduz igualmente nos dois sentidos. Um resistor é então chamado um elemento de

Um resistor é então chamado um elemento de circuito bilateral. Um diodo ideal, como veremos,

é um dispositivo unilateral. Isto é, ele conduz perfeitamente em um sentido mas não no outro,

dependendo da polaridade da tensão aplicada. A representação esquemática de um diodo ideal está mostrada na fig. 2. Esta é também a representação de um diodo a estado sólido real,

sendo portanto necessário indicar se está sendo considerado um diodo ideal ou real. Na maioria dos casos, entretanto, o diodo a estado sólido se aproxima tanto do diodo ideal que podemos considerá-los compatíveis.

o diodo a est ado sólido se aproxima tanto do diodo ideal que podemos considerá-los compatíveis.

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Relacionando a curva V-I da fig. 1 com a da fig. 2 concluímos que o diodo ideal tem a seguintes características. Se tentarmos polarizar positivamente o ânodo com relação ao cátodo, uma condição chamada polarização direta, o diodo apresenta resistência zero pis vemos que na curva V-I, V = 0 para qualquer que seja I. A corrente I é então limitada somente pelo circuito externo ao diodo. Este é chamado estado ON ou estado de polarização direta ou ainda estado de condução direta do diodo. Qualquer tensão no primeiro quadrante que tenda a tornar ON o

V

diodo é então chamada tensão direta ( ) e a corrente correspondente é a corrente direta (

F

I

F

).

é forçada a

Inversamente, para um diodo ideal,

atravessá-lo como a proveniente de uma fonte de corrente. Vemos que um diodo ideal

polarizado diretamente simula uma chave fechada. Se V é uma quantidade ne

é

correspondentemente negativa e chamada corrente reversa (

mula uma chave aberta, desde q e nenhuma

-V. O

ponto no qual o diodo passa do estado ON para OFF e vice-versa é chamado ponto de quebra ou de corte. No ponto de quebra V = 0 e I = 0. O conceito do ponto de quebra é muito útil na a nálise de circuitos contendo vários diodos.

). Quando polarizado

negativo com relação ao cátodo ), V é chamada tensão

iva ( ânodo )

V

F

= 0, sempre que uma corrente

re

I

R

versa

(

I

F

g

at

V

R

u

V

R

e

I

reversamente o diodo ideal é tornado OFF e ele corrente pode fluir no sentido inverso. Assim,

si

I

R

= 0 para todos os valores de

ou

Resumindo: 1 – Se a corrente ou a tensão aplicada ao diodo ideal tende a polarizar

positivamente o ânodo com relação ao cátodo, o diodo torna-se polarizado diretamente ( ON ) e simula uma chave fechada com resistência zero e com queda de tensão zero. 2 – Se a tensão aplicada ao diodo ideal tende a polarizar negativamente o ânodo com relação ao cátodo, o

com resistência

diodo torna-se polarizado reversamente ( OFF ) e simula uma chave aberta in finita e com corrente nula através dela. 3 – No ponto de quebra, V = 0, I = 0

P rimeira série de exercícios:

P roblemas Básicos

1

.

Determine E e I no circuito abaixo. Admita como ideal o diodo.

E e I no circuito abaixo. Admita como ideal o diodo. 2 . Determine E e

2

.

Determine E e I na figura abaixo. Admita o diodo ideal.

no circuito abaixo. Admita como ideal o diodo. 2 . Determine E e I na figura

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P roblemas com respostas ( admita diodos ideais )

3. Determine I e E na fig. abaixo.

( admita diodos ideais ) 3. Determine I e E na fig. abaixo. R ESPOSTA I

R ESPOSTA I = 0, E = 0

4. Esboce a forma de onda de

e

O .

R ESPOSTA I = 0, E = 0 4. Esboce a forma de onda de e

5 .

RESPOSTA = 12 Volts

Determine

E

AB

AB

E

no circuito abaixo.

RESPOSTA = 12 Volts Determine E AB AB E no circuito abaixo. 6 . Esboce a

6 .

Esboce a característica Volt-Ampère vista pelos terminais do circuito mostrado na fig. abaixo. Cuide para que sejam observados os sentidos de referência apropriados.

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Eletrônica – Dispositivos de estado sólido 7 . Como você conectaria um diodo entre os terminais

7 .

Como você conectaria um diodo entre os terminais mostrados na fig. abaixo de modo que a

corrente flua através da ca rga

R

L

?

abaixo de modo que a corrente flua através da ca rga R L ? 8. Determine

8. Determine I na fig. abaixo.

flua através da ca rga R L ? 8. Determine I na fig. abaixo. 3. O

3. O diodo de junção a estado sólido

Estudamos no item anteri or o diodo ideal. Na prática não existe diodo ideal, mas felizmente suas característica são be m aproximadas por um diodo de junção a estado sólido, na maioria dos casos.

3-1.

O diodo de junção

A maioria dos diodos a junção são compostos primariamente do elemento silício, e em menor extensão, de germânio. Tanto o silício quanto o germânio são chamados semicondutores devido à resistência desses elementos estar situada entre a baixa resistividade dos condutores metálicos e a alta resistividade dos isoladores. Uma característica significante da estrutura atômica desses materiais é o fato deles possuírem quatro elétrons de valência.

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Você deve se lembrar que são os elétrons de valência que determinam basicamente as propriedades químicas e elétricas de um elemento. Agora, se esses elementos estiverem arranjados numa forma cristalina, os elétrons de valência nas camadas mais externas de um átomo qualquer, alinham-se com os elétrons de valência de átomos adjacentes para formar pares de elétrons, ch amando-se a isso ligações covalentes. Essas ligações covalentes levam o s átomos de silício e germânio a constituírem uma estrutura geométrica ordenada dentro do c ristal. Para nossos objetivos o átomo isolado de silício ou germânio pode ser representado pela forma esquemática mostrada na fig. 3. Cada linha deixando o núcleo, representa um elétron de valência.

deixando o núcleo, representa um elétron de valência. Fig.3 C onsideraremos somente os quatros prótons nece

Fig.3

C onsideraremos somente os quatros prótons necessários para balancear os quatro elétrons de v alência, a fim de manter a neutralidade elétrica do átomo normal. A fig. 4 ilustra como cada átomo de silício ou germânio está ligado a cada átomo adjacente através de ligações covalentes.

a cada átomo adjacente através de ligações covalentes. 3-2. Condução intrínseca Em uma amostra de semicondutor

3-2.

Condução intrínseca

Em uma amostra de semicondutor puro poucos elétrons estão disponíveis para a condução nas baixas e medias temperaturas, porque a maior parte dos elétrons está firmemente ligada através de ligações covalentes. A amostra de semicondutor apresentará portanto uma

resistência relativamente alta. Se, entretanto a temperatura do cristal fosse aumentada, veríamos que a resistência ôhmica da amostra decresceria. Este coeficiente de temperatura negativo da resistência se deve ao fato de o aumento de temperatura implicar num acréscimo da energia cinética dos elétrons de valência. O acréscimo de energia permite que alguns dos elétrons de valência se libertem de suas ligações covalentes. Estes elétrons livres são então capazes de agir como portadores de corrente sob ação de um campo elétrico aplicado.

O vão deixado pelos elétrons livres na ligação covalente é chamado buraco ou lacuna . Admite-

se que os buracos ou lacunas comportam-se como portadores de corrente adicionais carregados positivamente. Embora existam algumas diferenças significantes, podemos

considerar o buraco ou a lacuna como sendo equivalente a um elétron com carga positiva, para

a maior parte dos propósitos. Para melhor entender o conceito de buraco ou lacuna co nsidere

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a fig. 5 que ilustra um elétron e que foi arrancado de uma ligação covalente. Este elétron está agora livre para caminhar através do cristal se um campo elétrico é aplicado.

O campo poderia ser estabelecido conectando-se uma fonte de voltagem aos terminais do

cristal. Agora, o elétron constitui um portador de corrente considerado isoladamente. Note que onde a ligaç ão covalente foi rompida surge um vão de elétron ou buraco. Se c onsiderássemos que o elétron removido estava balanceado por uma carga igual e oposta d evido aos núcleos circundantes, poderíamos admitir que este buraco tem uma carga igual e oposta à do elétron. Isto parece razoável desde que a região estava eletricamente neutra antes

da remoção do elétron.

estava eletricamente neutra antes da remoção do elétron. Este buraco atrairá então um elétron de uma

Este buraco atrairá então um elétron de uma das ligações covalentes dos átomos vizinhos e esse elétron deixará também um buraco na sua posição inicial. Um terceiro elétron irá completar o buraco deixado pelo segundo elétron e assim por diante. Se um campo elétrico é aplicado, os buracos, que se comportam como cargas p ositivas móveis, caminham para a extremidade positiva. O buraco é também um portador de corrente, e ao alcançar a

extremidade negativa do cristal é neutralizado por um elétron vindo do fio que está ligado ao terminal negativo da fonte de voltagem. Assim, vemos que a ruptura de uma ligação covalente produz não somente um mas dois portadores de corrente. Deve ser notado que os buracos não fluem para o circuito externo mas somente no interior do semicondutor. Este tipo de condução, envolvendo a geração de pares elétron-buraco ou elétron-lacuna, é chamada condução intrínseca. Mais tarde veremos que a presença de pares elétron-lacuna é usualmente indesejável, e que desejamos somente elétrons ou somente buracos ou lacunas. Devemos também notar que temos tomado muita liberdade a fim de simplificar a física dos semicondutores envolvida. Entretanto, a apresentação é de suficiente profundidade para dar uma boa idéia intuitiva para a compreensão dos diodos e transistores. A condutividade do silício ou germânio aumentará à medida que o número de portadores de corrente crescer. Inversamente ela decrescerá à medida que o número de portadores decresce. Podemos, portanto, controlar a condutividade pela disrupção de ligações covalentes, mas isto é indesejável por duas razões. Primeiro, nossa fonte de c ontrole deve fornecer uma g rande quantidade de energia para quebrar uma ligação covalente. Segundo, portadores de corrente de ambos os tipos ( burac os e elétrons ) são gerados em iguais quantidades. Outros

m eios foram pesquisados para controlar a condutividade em semicondutores; descobriu-se que

a adição de certas impurezas reduziam esses efeitos indesejáveis.

3-3.

Semicondutores dopados

Para ver como a adição de certos átomos de impurezas afeta a condutividade de um semicondutor, considere a adição de uma pequena quantidade de arsênio a uma fornada de

silício puro em fusão. A fig. 6 é a representação de um átomo de arsênio, que possui cinco

solidifica num cristal, os átomos de

elétrons de valência. Quando esse silício em fusão se

arsênio estarão uniformemente dispersos através de estrutura cristalina. Como existem muitos

átomos de silício comparados aos de arsênio, virtualmente cada átomo de arsênio estará

circundando por átomos de silício. Isto está ilustrado na fig. 7. Mas o arsênio tem cinco elétrons

de valência enquanto o silício ou germânio tem quatro.

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7

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Assim, no cristal, quatro dos cinco elétrons de valência participarão das ligações covalentes com os átomos cir cundantes de silício ( ou germânio ). Isto, entretanto, deixa um quinto elétron d e valência do arsênio, fracamente ligado e sem lugar particular para ir. Se este elétron a bandonar o átomo de arsênio original devido a agitação térmica ou outras causas quaisquer, p ermanece no local um íon arsênio positivamente carregado, que está rigidamente ligado à estrutura cristalina. Isto deve acontecer devido à re gião estar eletricamente neutra antes da perda do elétron.

estar eletricamente neutra antes da perda do elétron. Desde que esse quinto elétron de valência do

Desde que esse quinto elétron de valência do arsênio está fracamente ligado ao átomo correspondente, ele requer uma quantidade de energia bastante pequena para tornar-se livre e disponível para a condução sob ação de um campo elétrico. Muito importante é notar que esse elétron não veio do rompimento de uma ligação covalente. Isto significa que nenhum buraco foi deixado para trás. Um buraco, você deve estar lembrando, é uma falta de um elétron numa ligação covalente. Portanto, pela adição de impureza pentavalente ( cinco elétrons de valência ) superamos as duas objeções associadas à variação da condutividade obtida pelo controle de produção de pares elétrons-lacunas. Outras impurezas pentavalentes, tais como fósforo ou antimônio, podem também ser usadas para formar peças de silício ou germânio com abundância de elétrons fracamente ligados. Esses semicondutores enriquecidos de elétrons são conhecidos como tipo N, e as impurezas pentavalentes são chamadas átomos doadores ou impurez as doadoras. O processo de adição de átomos de impurezas ao semicondutor puro

é chamado dopagem. É também possível produzir semicondutores tipo P, os quais são ricos e m lacunas, pela adição de pequenas quantidades de impureza trivalentes ( três elétrons de valência ) ao semicondutor em fusão. Impurezas trivalentes ( átomos aceitadores ) são índio, alumínio e gálio. A fig. 8 ilustra uma representação esquemática de um átomo de impureza trivalente.

esquemática de um átomo de impureza trivalente. A fig. 9 ilustra o efeito de uma impureza

A fig. 9 ilustra o efeito de uma impureza trivalente dentro da estrutura cristalina. Note que agora

temos uma ligação covalente incompleta na qual falta um elétron. Isto está de acordo com

nossa definição anterior de buraco ou lacuna. Neste caso o buraco é o único portador de corrente, pois não há presença de elétrons fracamente ligados.

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8

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Aqui encontramos uma abundância de cargas livres positivas e o material é então chamado silício ou germânio tipo P. Note que, nesta figura, o átomo de impureza torna-se um íon negativo tão logo um elétron de uma das ligações covalentes alcance o buraco. Esse buraco original é então neutralizado mas um outro buraco aparece, exatamente no lugar de onde o elétron neutralizante veio. Se pequenas, mas iguais, quantidades de impurezas tipos P e N fossem misturadas ao semicondutor em fusão, teríamos um cristal de comportamento muito próximo ao do semicondutor puro. A razão disto é que os elétrons da impureza tipo N preenchem os buracos da impureza tipo P. Na realidade nenhum espécime prático é somente tipo P ou tipo N, mas a a dição controlada de impurezas ( dopagem ) causa a predominância de

u

m ou outro tipo. Mais energia é necessária para romper uma ligação covalente no silício que

n

o germânio. Isto significa que, numa dada temperatura, O Si puro tem menos portadores de

orrente disponíveis que o Ge. Embora a resistividade do Si puro seja mais elevada, o que pode representar desvan tagem em alguns casos, o efeito total da temperatura sobre os transistores de Si será meno r que sobre o Ge. Por esta razão os transistores de Si são usualmente preferidos.

c

os transistores de Si são usualmente preferidos. c Elétrons numa região N ou buracos numa região

Elétrons numa região N ou buracos numa região P são, por razões óbvias, chamados portadores majoritários, enquanto que elétrons na região P ou buracos na região N são chamados portadores minoritários. Devido à ruptura das ligações covalentes nenhum material semicondutor é puramente N ou P. Ao invés disso, contém ambos os portadores: majoritários e minoritários. Os portadores majoritários estão continuamente se recombinando com os portadores minoritários, neutraliz ando-os. Os portadores minoritários não se acabam, entretanto, pois es tão sempre sendo recriados pela energia térmica. Nem os portadores majoritários se esg otam, pois a geração térmica de um portador minoritário é sempre acompanhada pela geração simultânea de um portador majoritário. Infelizmente a geração térmica dos portadores minoritários varia com a temperatura de uma forma exponencial. Isto torna os materiais semicondutores altamente sensíveis à temperatura, com o efeito sendo mais severo no germânio que no silício.

3-4.

A junção PN

A

s várias técnicas de fabricação de diodos e transistores têm pelo menos um objetivo comum,

e

este é produzir um cristal no qual exista uma ou mais junções PN. As propriedades da junção

P

N tornam possíveis a retificação e a ação do transistor. Se um cristal de semicondutor é

p

reparado de modo que exista uma fatia de material tipo P adjacente a uma fatia tipo N, a

in terface entre os dois é conhecida como junção PN. Esta situação está ilustrada na fig. 10.

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Eletrônica – Dispositivos de estado sólido Se dois terminais forem ligados a esta estrutura temos um

Se dois terminais forem ligados a esta estrutura temos um diodo a junção que está ilustrado

esquematicamente sobre o cristal. Note que o ânodo ( base da flecha ) corresponde ao material P enquanto o cátodo corresponde ao material N. Memor ize esta figura pois será útil mais tarde. P ara entender as propriedades da junção PN considere a fig. 11. Para fins de ilustração, admita que, no instante zero, nós, de alguma forma, formemos um cristal no qual há uma

interface entre uma região

negativos da impureza. Estes

íons são negativamente carre

sinais ( + ) representam os

os círculos com sinais ( + ) na

oadoras que perderam seus

m elétrons para preencher os

círculos com sinais ( - ) na regiã

N. Esta interface é uma junção PN. Os

tipo P e uma região tipo

o P representam os íons fixos

gados porque eles capturara

aceitadores

( tipo

P

).

Os

da região P. Analogamente,

ositivos das impurezas d

buracos introduzidos pelos átomo buracos livres caminhando atravé

s

s

região N representam os íons fixos p

elétrons fracamente ligados. Tanto a re gião P quanto a

p elétrons fracamente ligados. Tanto a re gião P quanto a região N são eletricamente neutras,

região N são eletricamente neutras, pois existem tantos buracos livres quantos íons negativos na região P e tantos elétrons livres quantos íons positivos na região N. Admita que a junção PN já foi formada, que a temperatura seja constante, e que nenhuma voltagem foi aplicada ao cristal. O lado P está carregado com buracos livres e íons fixos negativos, enquanto que no lado N existem elétrons livres e íons fixos positivos abundantes. Como a concentração de buracos no lado P é muito maior que no lado N, os buracos difundirão na região N. O mecanismo da difusão é semelhante à distribuição de moléculas de tinta num copo de água, após uma gota de tinta Ter sido introduzida. As moléculas de tinta tentam

uniformemente. Em termos técnicos dizemos que existe um gradiente de

distribuir-se

c oncentração de buracos da região P para N. Analogamente existe um gradiente de c oncentração de elétrons da região N para P e resulta na difusão de elétrons através da ju nção. À primeira vista, pareceria que elétrons e buracos manteriam a difusão através da ju nção e recombinariam uns com os outros até que nenhum portador permanecesse ou até que u ma ou outra espécie de carga permanecesse. Não é, entretanto, este o caso. Para cada b uraco que cruza a junção de P para N, fica um íon fixo negativo não neutralizado de cada lado d a junção são chamados cargas espaciais, e o campo elétrico entre eles pode ser convenientemente representado por uma bateria colocada através da junção como mostrada na fig. 12.

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Eletrônica – Dispositivos de estado sólido Esta barreira de potencial interna tende a restri ngir a

Esta barreira de potencial interna tende a restringir a difusão de buracos do lado P para o lado

N e os elétrons do lado N para o lado P. A barreira de potencial interna força também os

portadores minoritários, isto é elétrons do lado P e buracos do lado N, a cruzar a junção. A

região adjacente e de cada lado da junção é, portanto, relativamente livre de buracos e elétrons. Esta região essencialmente livre de cargas é chamada região de depleção. A largura da região de depleção depende da maneira pela qual o c ristal é preparado. A largura da região de depleção do lado P não é, necessariamente, a mesma que do lado N. O lado feito de material de resistividade mais elevada ( menos átomos de impureza ) terá uma região de depleção mais larga. Os buracos que cruzam da região P para a região N recombinam com os elétrons no lado N. Analogamente, elétrons da região N recombinam com buracos do lado P. Este fluxo de

elétrons de N para P e de buracos de P para N constitui uma corrente de recombinação através

da junção. Esta corrente de recombinação não permanece, no entanto, em um valor constante.

Ela cai a valores extremamente baixos devido ao processo de recombinação manter cargas descobertas nas proximidades de junção. Os íons negativos descobertos no lado P começam a

repelir os elétrons do lado N enquanto a parede de íons descobertos positivos no lado N repele os buracos do lado P. A bateria na fig. 12 representa, portanto, a barreira de potencial formada pelas cargas descobertas, as quais inibem a corrente de recombinação. Assim, parece que uma condição de equilíbrio é estabelecida entre o potencial de difusão do gradiente de concentração e a barreira de cargas descobertas. Se a agitação térmica fornecesse às cargas móveis a mesma energia cinética, esta simples explicação para as condições de equilíbrio seria suficiente. No entanto, a energia térmica fornecida aos portadores móveis de carga está distribuída aleatoriamente. Estatisticamente falando, alguns buracos e elétrons possuem uma pequena quantidade de energia cinética enquanto outros possuem uma grande quantidade. Alguns dos portadores de alta energia serão capazes de vez por outra, vencer a barreira de potencial. Se esta fosse a única ação, pareceria que a altura da barreira de potencial continuaria crescendo, num esforço de compensar os portadores de alta energia que conseguiriam vencê-la. Finalmente, poderíamos esperar que o último dos portadores de carga a cruzar a barreira deixaria uma barreira de

potencial bastante alta. Embora incompleto, este

é um quadro melhorado das condições da

junção. Algo que desprezamos é que nenhum material é perfeitamente P ou N. O material P terá alguns elétrons livres, surgidos pela ruptura de ligações covalentes por agitação térmica. O buraco que é produzido não é diferente de qualquer outro buraco do lado P, onde os buracos são os portadores majoritários. O elétron no material P constitui um p ortador minoritário e terá u m tempo médio ( chamado tempo de vida ) antes de recombinar com um dos numerosos b uracos disponíveis. O tempo de vida de um portador minoritário depende, claramente, do número de portadores majoritários circundantes, os quais, por vez, são determinados pelo número de átomos de impurezas introduzido no cristal. Se este elétron na região P tem vida suficientemente longa para caminhar até as vizinhanças da junção, ele ficará sob influencia do campo elétrico lá existente. O sentido do campo é tal que o elétron será forçado a cruzar a região de depleção ( região contendo as cargas descobertas ) pois ele é atraído pelos íons descobertos no lado N. Outra forma de visualizar, isto é, de imaginar a bateria de barreira na fig. 12, forçando elétrons do lado P para o lado N.

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P or razões análogas vemos que um buraco gerado termicamente no material N constitui um

p ortador minoritário que será forçado a cruzar a região de depleção do lado N para o lado P.

O fluxo de portadores minoritários através da junção é ajudado pela barreira de potencial.

Temos agora um quadro completo co

m o mostrado na fig. 13, abaixo.

agora um quadro completo co m o mostrado na fig. 13, abaixo. Sem voltagem externa aplicada,

Sem voltagem externa aplicada, as condições reais de equilíbrio são, como segue. Existe uma

corrente global de recom inação

ntido

o posto. Como um buraco indo da esquerda para a direita é equivalente a um elétron indo da

direita para a esquerda, as duas componentes da corrente de recombinação são aditivas, e podemos escrever:

u

b

I

r

através da junção a qual consiste de buracos

N e elétrons

I

rn

que atravessam a barreira no se

I

rp

ltrapassando a barreira do lado P pa ra

I

r

= I + I

rp

rn

Ao mesmo tempo a uptura de ligações covalentes causa a formação de uma corrente global

d evido aos portadores minoritários que são forçados a cruzar a

barreira. Esta corrente gerada termicamente terá também duas componentes, uma

componente de buracos

que flui da região P para N. Portanto:

,

gerada termicamente

r

I

g

I

gp

, que flui da região N para P, e uma componente de elétrons

I

gn

I

g

= I + I

gp

gn

A

chamada

a junção devido a

sentidos op

corrente gerada termicamente depende somente da temperatura e é, muita vezes

g

I

s

, co

os

rrente de saturação. Sob as condições de equilíbrio os portadores que cruzam

a qual tem componentes fluindo nos

a corrente total na junção é zero, o que

I

g

s

tos ao

compensam aqueles devido a

de

I

g

. O resultado final é que

I ,

r

I

d

eve ser verdade pois se curto-circuitarmos a junção PN com um pedaço de fio, nenhuma

c

orrente circula pelo fio. A altura da barreira terá um potencial de valor tal que permita a

orrente de recombinação igualar-se exatamente à corrente gerada termicamente. A representação esquemática de um diodo a junção está novamente mostrado na fig. 14. Como mostrado, o ânodo consiste de um material P e o cátodo consiste de um material N.

c

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12

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido A fig. 14 também indica alguns sentidos de re ferência

A fig. 14 também indica alguns sentidos de referência para voltagem e corrente. Note que V

corrente ( fluxo de

e létrons ) entrando pelo cátodo e saindo pelo ânodo. Deve ser entendido q ue, embora elétrons

e buracos fluam no interior do semicondutor, a corrente externa I repre senta o sentido de referência admitido como positivo do fluxo de corrente.

representa a voltagem no ânodo em relação ao cátodo, e I representa a

3-5.

Polarização direta

Se uma fonte de voltagem é aplicada ao diodo como mostrado na fig. 15, diz-se que o diodo está polarizado diretamente. Note que qua ndo polarizado diretamente, V é uma quantidade

mantido num potencial positivo em relação ao

positiva, o que significa que o material P é material N.

A voltagem externa V forma um campo elétri co através da junção o qual opõe à barreira de

potencial, portanto, reduz seu efeito.

Consequentemente, a corrente de recombi nação ( majoritária ) aumenta. Intuitivamente

a empurrar os buracos do lado P para o lado N e

podemos ver que a voltagem V tenderá

elétrons do lado N para o lado P, o que aum enta grandemente a corrente através da junção. D e fato, é necessário ou manter V bastante pequeno ou inserir um resistor limitador de corrente

e m série com a fonte de voltagem para manter a corrente no diodo num valor razoável.

para manter a corrente no diodo num valor razoável. Entretanto a corrente gerada termicamente é vi

Entretanto a corrente gerada termicamente é virtualmente não afetada pois esta corrente depende, pelo menos em teoria, somente da temperatura e não da voltagem aplicada. Uma relação teórica entre a corrente no diodo e a voltagem aplicada externamente é :

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1)

-

I = I

S

V

η

. V

T

1

Nesta equação

é a corrente de fuga gerada termicamente, às vezes chamada corrente de

satura ção. A voltagem V representa a voltagem do material P em relação ao material N e pode

ser um

V é uma quant

quantidade negativa, ela

C orresponde ntemente, a

.

corrente I, no sentido referência mostrado, pode ser uma quantida de

uma

, correspondendo à

condição de aplicação de uma voltagem direta

, correspondendo à condição na qual

. De outro lado se I é uma quantidade

negativa ela é chamada normalmente corrente reversa

V é uma quan

Volts e é dada por:

. Se V é uma

egativa, dependendo da polaridade da voltagem aplicada. Se

I

S

a quan tidade

idad

positiva ou n

e positiva, ele é normalmente chamada voltagem direta,

é

normalmente

chamada

voltagem

V

F

reve

rsa,

V

R

p ositiva ou n

egativa, dep

endendo da polaridade da voltagem aplicada. Se aco rente é

r

I

F

rsa. A quantidade

V

T

tem

quantidade positiva, ela é normalmente chamada corrente direta

tidade

negativa ou uma voltagem

V

F

reve

I

R

dimens ão de

2 )

-

V =

T

T

11000

volts

T é a temperatura em graus Kelvin e e stá relacionada com a temperatura em graus Celsius por:

3 )

4)

-

T

Kelvin

=

T

Celsius

+ 273

- η

= número entre 1 e 2

A q uantidade η é uma constante relativa geralmente tomada como 1 para o germânio. Para

s ilício, η pode variar de aproximadamente 2 nas baixas correntes, digamos menos de 0,2 mA, até ap roximadamente 1 para correntes diretas maiores que 0,2 mA. Na temperatura ambiente,

V

27ºC, = 26 mV. Vemos e ntão que a equação 1) – com η admitido = 1 e para V 100 mV,

T

I I

S


V

V

T

⎟ ⎞

. Por razão análoga,

I ≅ − I

S

se V é uma quantidade negativa ( polarização

reversa ) além de 100 mV.

A inclinação da característica corrente-direta versus coltagem-direta representa a condutância (

ac ) do diodo quando ele está diretamente polarizado. O valor teórico desta condutância

pode ser determinada por:

g

f

5

)

-

g

f

I

η.

V

T

O reciproco da condutância direta é a resistência direta. Portanto a resistência dinâmica direta

é :

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14

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

6)

-

r

f

=

η.

V

T

I

A corrente I é a corrente estática ( dc ) através do diodo. A equação 6) - indi ca que, para um

valor admitido de η = 1, um diodo polarizado diretamente apresentará uma re sistência dinâmica

mA. O valor real da

de 26 Ohms para uma corrente direta de 1 mA e 2,6 Ohms par I = 10

resistência dinâmica direta será sempre algo mais elevado que o valor teórico devido ao efeito

da resistência dos terminais e do volume do material que aparecem em série com . A fig. 16

ilustra uma característica direta de um diodo de silício de baixa potência.

r f

direta de um diodo de silício de baixa potência. r f A corrente direta está plotada

A

corrente direta está plotada para três valores diferentes de temperatura. Evidentemente, à

m

edida que a temperatura aumenta, a voltagem direta decresce. Especificamente, se a

corrente do diodo for mantida constante, a voltagem direta cairá tipicamente a uma razão de 2

a 3 mV para cada ºC de aumento da temperatura. Matematicamente isto é expresso por:

7)

-

dV

dT

T ≈ −2,5 /º

mV C

Note que este coeficiente de temperatura é negativo, o que implica num decréscimo da

voltagem direta com um aumento da temperatura. Na prática este coeficiente de temperatura

tende a se tornar menos negativo à medida que a corrente direta aumenta e para níveis corrente elevados pode atingir valores levemente positivos.

d e

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15

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

3 -6.

Polarização reversa

Se, como mostrado na fig. 17, V é uma quanti dade negativa, de modo que o material P é mantido negativo com relação ao mate rial N, o diodo é dito estar reversamente polarizado. Quando reversamente polarizado, o ca mpo elétrico estabelecido por V é de polaridade tal que se soma à barreira de potencial interna. Co nsequentemente, a corrente de recombinação, que consiste de buracos indo de P para N e elétrons indo de N para P, é drasticamente reduzida. A corrente externa I é uma quantidade n egativa devido ao fluxo de portadores gerados termicamente através da junção. Idealm ente, o diodo não exibiria corrente reversa alguma e assim esta pequena corrente reversa ge rada termicamente é comumente referida como

,

a componente gerada termicamente, que inde pende da magnitude da polarização reversa

componente devido aos efeitos de perdas na

superfície, que se manifestam onde a junçã o termina, nas extremidades do cristal.

corrente de fuga. Na prática, a corrente de fuga consiste realmente de duas componentes

( depende somente da temperatura ), e uma

;

I

S

componentes ( depende somente da temperatura ), e uma ; I S A componente de corrente

A componente de corrente de fuga devido aos efeitos de superfície é sensível à voltagem, de

modo que a corrente de fuga aumenta na prática com o aumento da polarização reversa. Isto

I

está ilustrado na fig. 18. Note que mostrada em linha tracejada é um valor pequeno e

S

constante que variaria com a temperatura, mas não com a polarização reversa.

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16

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido A corrente reversa real, devido aos efeitos de perdas na

A corrente reversa real, devido aos efeitos de perdas na superfície, exibe uma componente

ôhmica de resis tência através da junção, desde que um aumento na polarização reversa causa

u m aumento na corrente reversa. Como regra pode-se admitir que a componente gerada termicamente, aproximadamente dobra a cada aumento de 10ºC na temperatura . Quando uma junção PN está re versamente polarizada, a maior parte da tensão reversa aplicada externamente aparece sobre a região de depleção, pois é a região de cargas livres que apresenta a mais alta resistência do circuito. Em ou tras palavras, a queda de tensão

através da região de depleção será, em geral, quase igual à voltagem total aplicada. A região de depleção é bastante estreita, se ndo tipicamente da ordem de 0,0001 in ( polegadas ), ou

menor. Então uma

elétrico de

da junção. Quando a junção rompe, sua impe dância cai consideravelmente devido à geração

de muitos portadores adicionais de corrente

alta intensidade de campo pode causar a ruptura

pequena voltagem reversa, digamos 6 Volts, desenvolveria um campo

intensidade 60.000 Volts/in. Esta

por uma ionização e/ou fenômeno de emissão

secundária. ( ver mais detalhes no anexo 1 ). Diodos convenientemente projetados para serem usados na re gião de ruptura são comumente d enominados diodos zener ou de avalancha. Outro termo às vezes usado para estes diodos é diodo regulad or. Este termo provém do fato de, na ruptura ( note fig. 17 ), a voltagem reversa

s er mantida neste exemplo, num valor substancialmente constante de 20 Volts. Se a dissipação d e potência do diodo é limitada em um valor seguro, então a operação na região de ruptura

não é destrutiva. A voltagem de ruptura, que pode ser d e 3 Volts até varias centenas de Volts é

estudas mais adiante em um

item exclusivo a ele. A voltagem reversa de ruptura V ( BD = Breakdown )é algo dependente

apresenta um

da temperatura. Para diodos cuja ruptura é cerca de 5Volts ou menos

decresce com o aumento da temperatura. De

outro lado, diodos que exibem um

coe

de cerca de 6 Volts ou mais, tendem a apresentar um

coeficiente de temperatura negativo. Isto é,

determinada pelo processo de fabricação. Estes diodos serão

BD

V BD

V BD

V

BD

V BD

ficiente positivo de temperatura. Isto é,

aumenta com o aumento da temperatura.

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17

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

N a faixa entre 5 e 6 Volts, é possível encontrar diodos que apresentam um coeficiente de te mperatura quase nulo, o que os torna altamente vantajosos como fontes de referência de voltagem, veremos estas aplicações no estudo espe cifico do diodos zener num próximo item.

Segunda série de exercícios

Questionário

1.

Porque o semicondutor na sua forma pura nã o tem utilidade na eletrônica?

2

.

O que é buraco e/ou lacuna?

3

.

Que influência o semicondutor sofre com a intensidade de dopagem?

4.

Qual a influência da temperatura nos semicondutores?

5.

Que características apresenta um diodo a junção?

6.

O que é barreira de potencial?

7.

 

Defina:

 

a) Polarização direta;

b) Polarização reversa.

8.

O

que é corrente direta e tensão reversa?

9.

Como devemos testar um diodo a junção utilizando um Ohmimetro?

10.

Como sabemos que um diodo está em curto e/ou aberto?

Responda:

1. Quais são os portadores majoritários na região N?

2. Como é controlada a corrente de recombinação num diodo?

3. O que acontece com a largura da região de depleção quando a voltagem reversa é variada?

4. Como está a resistência direta de um diodo, relacionada com a corrente direta? Assuma T

= 27ºC.

5. A uma corrente direta de 12 mA e a 25ºC, a queda de voltagem estática (dc) através de um diodo é 0,31 V. Se a corrente direta fosse mantida constante, mas a temperatura aumentasse para 50ºC, qual seria a nova voltagem direta?

6. Determine E na fig. abaixo.

seria a nova voltagem direta? 6. Determine E na fig. abaixo. 7 . Determine o coeficiente

7 .

Determine o coeficiente médio de temperatura para uma faixa de –50ºC a 100ºC para um diodo polarizado, tendo as característica mostradas na fig. abaixo. Assuma que a corrente direta é mantida constante em 20 mA.

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18

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido 8. Determine o ponto Q para um diodo tendo as

8. Determine o ponto Q para um diodo tendo as característica diretas da fig. abaixo, quando é usado no circuito dado abaixo.

para um diodo tendo as característica diretas da fig. abaixo, quando é usado no circuito dado

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19

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

9 . Como você mediria a componente da corrente reversa de um diodo, gerada termicamente? 10. Se o diodo no circuito da fig. abaixo tem a característica mostrada na mesma figura, determine I e V a 25ºC.

mostrada na mesma figura, determine I e V a 25ºC. 4. Circuitos equivalentes do diodo Como

4. Circuitos equivalentes do diodo

Como os diodos e dispositivos derivados do diodo são comumente encontrados em ci rcuitos eletrônicos, torna-se bastante útil desenvolver um circuito equivalente ao diodo prático. Co mo veremos, o diodo prático pode ser representado em termos do diodo ideal.

4-1.

Modelos discretos de diodos

Uma forma de desenvolver um circuito equivalente para o diodo é usar a técnica de model ação por partes ou modelações discretas. Essencialmente ela consiste na partição de qu alquer trecho não linear da curva característica, em um número de segmentos retos, que aproxim arão

a curva para qualquer grau desejado. Um circuito equivalente, baseado nos diodos ideais, pode

então ser desenvolvido. Quanto maior o número de segmentos retos, mais complicado se t orna

o circuito equivalente.

Para ilustrar o desenvolvimento de um modelo discreto de um diodo, considere a curva V-I de um diodo mostrado na fig. 19 a qual está baseada nos sentidos de referência para volta gem e corrente mostrado na fig. 20. A voltagem V é referida como a voltagem do cátodo ( terminal K )

para o ânodo ( terminal A ) e a corrente I tem o sentido positivo de ânodo para cátodo, at ravés

do diodo. Para diodos de silício ( que são os mais comumente usados ) a curva V-I da fig. p ode ser aproximada pelos segmentos de reta ( trechos lineares ) da fig. 21.

U m circuito equivalente ( modelo discreto ) que levaria a esta característica V-I está mo strada

n a fig. 22. Os diodos na fig. 22 são diodos ideais e este modelo a dois diodos ideai s tem c aracterística aproximada à do diodo real da fig. 19.

P ara checar a validade deste modelo discreto devemos notar que para V grande e negativo (

s uponha uma fonte de voltagem conectada entre os terminais de entrada ) D1 está, s eguramente reversamente polarizado (OFF) e D2 está diretamente polarizado (ON). Como estes diodos são ideais, eles simulam, respectivamente, chaves aberta e fechada.

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20

19

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Portanto, para V < o ponto de operação está na região 1 e I é um a quantidade negativa. A

inclinação do segm

olha pelos terminai

Portanto, na região 1 a inclinação é

odelo na fig. 22, com D1 OFF e D2 ON. Cla ramente esta é .

na região 1 é determinada pela resistência increme ntal vista quando se

V

BD

ento

s

do

m

r

Z

ΔI / ΔV = 1/ r .

Z

quando se V BD ento s do m r Z Δ I / Δ V =
quando se V BD ento s do m r Z Δ I / Δ V =

V =−V

Façamos . Neste ponto a característica V-I da fig. 21 mostra uma descontinuidade

BD

abrupta chamada ponto de quebra e, neste ponto de quebra, D2 passa de ON para OFF e I cessa de fluir. O ponto de operação entra agora na região 2. Com ambos os diodos OFF a impedância vista, quando se olha pelos terminais de entrada do modelo, é infinita. A condutância é, portanto, zero e a inclinação da característica V-I na região 2 é zero, desde que nenhuma variação de corrente pode ocorrer devido a uma variação de voltagem. Quando a voltagem V aplicada tornar-se positiva a V’, o diodo D1 torna-se ON e o ponto de operação entra na região 3.

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21

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

A corrente é agora uma quantidade positiva dada por I =

entrada na região 3 é

(V

V ')

/ r

F

e a impedância de

te que como usado

r

F

. A inclinação da curva V-I é portanto 1/ r . No

F

r

F

no modelo não é o mesmo que r

F

=

V

T

/

I

=

26

/

mV I

( a 27ºC ). Na a pro ximação lin ear,

r

F

é algum valor médio, para o qual se aproxima a curva do dio do para uma

larga faixa de

, derivada da equação do diodo, é a resistênci a dinâmi ca n um ponto de

operação particular. As quantidades com índices maiúsculos serã o geralmente associadas com

voltagem, enquanto

r

F

o modelo discreto.

Embora o modelo de diodo a semicondutor da fig. 22 seja geralmente ad equado para a maioria

dos casos e problemas, existem situações em que a curva V-I de um

aproximação principalmente na característica reversa; porem este s modelos são mais complexos e fogem do escopo desta apostila. ( em livros para o tercei ro grau o aluno poderá encontrar tais modelos ).

diodo requer melhor

Exemplo – Desenvolver um modelo discreto para a característica do diod o da fig. abaixo.

discreto para a característica do diod o da fig. abaixo. So lução: A fig. abaixo ilustra

So lução:

A fig. abaixo ilustra o modelo discreto. Ele conterá no mínimo dois diodos ideais já que existem

dois pontos de quebra na característica V-I. Para V menor ( mais negativa ) qu e 400 V, o ponto

de operação está na região zener e D1 está ON. O diodo D2 está

OFF. Portanto,

BD = −400 e

V

V

r Z

=

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r

Z

, como determinado pela inclinação da curva é

Δ V

Δ I

=

41 0

400

100

x

10

3

=

100 Ω

22

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Para V maior que 400 Volts mas, menor que 0,8 Volts ( -40 0 V < V < 0,8 V ) D1 e D2 estão OFF de modo que a resistência reversa nesta região é inf inita. Para V mais positiva que 0,8 Volts, D2 torna-se ON. Da inclinação da curva nesta regiã o nós obtemos:

r Z

=

Δ V

Δ I

=

1,6

200

x

0,8

0,8

10

3

A ssim nosso circuito equivalente fica:

= 4 Ω

− 3 A ssim nosso circuito equivalente fica: = 4 Ω 5. Aplicação dos diodos d

5. Aplicação dos diodos d e junção PN

O s circuitos eletrônicos de forma geral necessitam de uma alimentação dc para poder trabalhar c orretamente. Como a tensão que recebemos em nossas residências e industrias é alternada,

a primeira coisa a ser feita em qualquer equipamento eletrônico é converter a tensão ac em

tensão dc. Neste item iremos discutir a retificação, trata-se de circuitos que realizam a conversão de uma tensão ac para uma tensão dc. Veremos também filtros com capacitores de entrada.

5-1.

Tensão de corrente alternada ( onda senoidal )

A onda senoidal é o mais básico dos sinais elétricos; ela é usada muitas vezes para testar

circuitos eletrônicos. Além disso, sinais complicados podem ser reduzidos a uma superposição de varias ondas senoidais. Neste item iremos verificar rapidamente as características básicas de uma onda senoidal, de forma que possamos compreender melhor o funcionamento dos circuitos retificadores ( conversores estáticos ). Em outra disciplina você terá maiores detalhes da tensão de corrente alternada.

5 -2

Corrente Alternada ( valores e formas de representação )

Observe a figu ra abaixo:

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23

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido Observação: O segmento OA é denominado de vetor girante (

Observação:

O segmento OA é denominado de vetor girante ( fasor ), ω é a velocidade ou fre qüência angular, φ é o angulo por unidade de tempo; assim temos:

ϖ =

φ

t

φ =ϖ . t

Onde: φ em r adianos ( rad. ) e t = tempo em segundos ( s ) Período ( T ) = tempo que o vetor OA ( fasor ) leva para completar um volta.

Logo:

φ

=

2 .

π

rad.

, t

=

T

=

φ ϖ

.t

2.

π

=

ϖ

.t

ou

ϖ

=

2 .

π

T

F reqüência ( f ) = número de voltas completados em um segundo, podemos afirmar então:

T

1

 

1

f

Assim

 

f

 

2.

π

ϖ =

1

ϖ

=

2 .

π

f

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=

. f

1

T

então

:

24

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Da trigonometria podemos tirar :

de estado sólido Da trigonometria podemos tirar : sen φ = b v ( t )

sen

φ

=

b

v

(

t

)

b

=

v

(

t

)

. sen

φ

b = trata-se de um valor em um determinado instante de tempo, portanto podemos expressar a onda senoidal em forma de uma função dada p ela equação:

v

t

= V

max

. sen

(ϖ

. t +ϕ)

onde ϕ é um angulo de fase inicial. Observe a expressão abaixo

(

v t = 179,61.sen 377.

t )[V ]

E ntão você é capaz de dizer que sinal é este, onde podemos encontra-lo?

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25

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

5-3.

Representação Fasorial

Observe:

v

t

= 10sen( t + 30º)

ϖ

Fasorial Observe: v t = 10sen ( t + 30º ) ϖ Da trigonometria pode mos

Da trigonometria pode mos escrever:

V

x

V

y

V

x

= V

max

= V

max

= 8,66

cos 30 º

sen 30 º

V

y

= 5

R epresentações:

F orma trigonométrica:

.

V

= V

max

F orma polar:

.

V

= V ϕ

max

0

cosϕ + jV

0

max

senϕ

0

Forma algébrica ou r etangular:

.

V

= V ± jV

x

y

Assim podemos escrever a equação v = 10sen( t + 30º)

t

ϖ

Polar : 1030º [V] ; R etangular : 8,66 + j 5 [V]

5 -4.

Outros valores importantes

Valor de pico a pico

, de duas formas, observe:

O valor de pico a pico de qualquer sinal é a diferença entre o seu máximo e o mínimo algébrico:

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26

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

V

pp =

V

max

V

min .

Assim para uma senoide, o valor de pico a pico é 2Vp. Em outras palavras, o valor de pico a pico de uma onda senoidal é o dobro do valor de pico. Dada uma senóide com um valor de pico de 15 V, o valor de pico a pico será de 36 V.

Valor eficaz ( RMS )

Se uma tensão senoidal aparecer através de um resistor, ela produzirá uma corrente senoidal em fase através do resistor. O produto da tensão instantânea pela corrente dá a potência instantânea, cuja média durante um ciclo resulta numa dissipação média de potência. Em outra s palavras, o resistor dissipa uma quantidade constante de calor, como se houvesse uma tensão dc através dele.

O valor rms ( raiz media quadrática, do inglês root mean square ) de uma onda senoidal,

também chamado valor eficaz ou valor de aquecimento, é definido como a tensão dc que produz a mesma quantidade de calor que a onda senoidal. Os cursos básicos mostram que

V

rms

= 0,707V

p

Podemos provar estas relação experimentalmente construindo dois circuitos: um com uma

fo nte dc seguida de um resistor e um outro com uma fonte senoidal ligada a um resistor de

mesmo valor.

o nda senoidal, mediremos uma tensão dc igual a 0,707 vezes o valor de pico da onda senoidal.

( uma outra forma de se provar que

Se a fonte dc for ajustada para produzir a mesma quantidade de calor que a

V

rms

= 0,707V

p

é através de matemática avançada ).

Valor médio

O valor médio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo é zero. Isto porque a onda senoidal

é simétrica: cada valor positivo da primeira metade do ciclo é compensado por um valor igual

negativo da Segunda metade do ciclo. Portanto, se você somar todos os valores da onda seno entre 0º e 360º, terá zero como resultado, o que implica um valor médio zero. Em outras palavras, u m voltímetro dc indicará zero se usado para medir uma onda senoidal. P or que? Porque o po nteiro de um voltímetro dc tenta flutuar positiva e negativamente com amplitudes iguais, porém a inércia das partes móveis o impede de fazê-lo, então ele indica um valor médio igual a zero. ( isto supõe uma freqüência maior do que aproximadamente 10 Hz, de modo que o ponteiro não possa acompanhar variações rápidas. )

5. O transformador

A alimentação dos equip amentos eletrônicos residenciais ou industriais vem da linha de

energia fornecidas pela s companhias concessionárias e estas linhas são perigosas devido a sua resistência Thevenin aproximar-se de zero. Isto que dizer que ela pode fornecer centenas de ampères. Mesmo com um disjuntor no circuito, ela ainda pode liberar dezenas de ampères, dependendo das dimensões do circuito disjuntor.

Abaixa dor de tensão

Alguns equipamentos eletrônicos ( a

fig., abaixo para abaixar ou elevar a te

u m transformador estão relacionados da seguinte forma:

grande maioria ), in nsão da linha, confo

cluem um transformador como o da rme exigir a aplicação. As tensão de

N

S

=

N

P

V S

V P

I P

=

I S

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27

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

O nde:

=

número de espiras do secundário

=

nùmero de espiras do primário;

=

tensão do secundário ;

=

tensão do primário;

N

N

V

S

P

S

V

I

I

P

S

P

= corrente do secundário ;

= corrente do primário

;

S P = corrente do secundário ; = corrente do primário ; Um exemplo: Suponha que

Um exemplo:

Suponha que para o circuito acima a relação de espiras seja de 9:1, então

V

S

127

=

1

9

V

⇒ =

S

127

9

= 14,11V

rms

Esta tensão mais baixa é um pouco ma

v alor típico exigido por alguns circuito

c arga ( todos os circuitos que você está medindo ) da rede. Isto quer dizer que a única ligação c om a rede de alimentação é através do campo magnético que põe em comunicação os e nrolamentos do primário e do secundário. Isto reduz ainda mais os perigos de um choque elétrico porque não existe mais um contato elétrico direto com os dois lados da rede.

ra se trabalhar do que os 127 V rms, e é um utores. Além disso, o transformador isola a

is segura pa

s de semicond

Fusível

P ara um transformador ideal, temos as seguintes relações:

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N

S

I

P

=

N

P

I

S

28

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Você pode usar esta equação para calcular os valores do fusível. Por exemplo, se a corrente de carga for de 1,5 A rms e a razão de espiras de 9:1, então

1

9

=

I

P

1,5

I

P

=

1,5

9

= 0,166 A

rms

Is to que dizer que o fusível deve Ter um valor maior que 0,166 A, mais 10% no caso da tensão d e linha ser alta, mais aproximadamente outros 10 % para perdas no transformador ( essas perdas produzem corrente adicional no primário ). O v alor de fusível padrão imediatamente s uperior, 0,25 A ( de fusão lenta no caso de oscilações da rede ), provavelmente seria satisfatório. A finalidade do fusív el é de evitar dano excessivo no caso da resistência da carga s er posta em curto acidentalmente.

Obs.: Você irá ter mais informações sobre transformadores em outra disciplina; para compreendermos o funcionamento básico dos retificadores a informação aqui oferecida é suficiente.

6.

Aplicação dos diodos em circuitos retificadores

6-1.

Retificadores estáticos

No item 5 comentamos que vár ios circuitos eletrônicos necessitam de uma alimentação dc e e stes equipamentos são ligados as linhas de alimentação. Como os sinais transmitidos por e stas linhas são ac é necessário convertermos este tipo de tensão em uma tensão dc. P ortanto, o processo de conversão de um sinal ac em uma tensão dc é conhecido como retificação. Os retificadores são entã o circuitos eletrônicos que fazem esta conversão, os retificadores básicos são:

A)

Retificador de meia ond a;

B )

Retificador de onda completa com transformador com derivação central;

C )

Retificador de onda completa em ponte.

V eremos agora cada um deles analisando o seu funcionamento, características elétricas, m étodos de projeto e topologia.

6 -2.

Retificador de Meia Onda

Observe o circuito abaixo:

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29

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido Devemos observar que o circuito acima converteu a tensão ac

Devemos observar que o circuito acima converteu a tensão ac de entrada em p ulsante. Podemos concluir que a tensão na carga é sempre positiva ou zero.

Tensão média na carga

uma tensão dc

D enominado de tensão dc pois é o valor medido por um voltímetro e é dado por:

V dc

= 0,318.V

P

ou

V =

dc

V

P

π

.

Como é obtido este valor? Solução matemática:

1 T V V V P [ − ( cos π − cos0 ] )
1
T
V
V
V
P
[ −
(
cos
π
cos0 ]
)
π
P
P
=
=
((
−−− = .2
1
1
))
V médio
2
π
0 2
π
2 π
V
P
=
V médio
π

V médio

=

T

T

1

2

vdt

=

1

2

π

π

0

(

V

P

)

sen

ϕ ϕ

d

V médio = ∫ T T 1 2 vdt = 1 2 π ∫ π 0

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30

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

E specificações de corrente e tensão para o diodo:

I

F

V

RRM

I

R

max

L

(

V pico

S

)

Onde:

I

F

é a corrente direta do diodo e

V

RRM

é a tensão

re versa máxima repetitiva que o diodo pode suportar.

E xercício de aplicação:

1- O transformador da fig. abaixo tem uma tensão do secundário de 30 Vac. Qual a tensão de pico através da resis tência de carga? A tensão média? A corrente média através da resistência de carga?

A corrente média através da resistência de carga? 2- Abaixo temos as es pecificações de alguns

2-

Abaixo temos as es pecificações de alguns diodos em termos de corrente direta:

a)

1N 914 - = 50 mA ;

b)

1N 3070 - = 100 m A;

c )

1N 4002 - = 1 A;

d)

1N 1183 - = 35 A.

S e a tensão do secundário for de 120 Vac no circuito anterior, qual o tipo de diodo dado acima que pode ser usado?

3-

Abaixo temos as e specificações de alguns diodos em termos de tensão reversa:

a)

1N 914 - = 20 V;

b)

1N 3070 - = 50 V;

c )

1N 4002 - = 100 V;

d)

1N 1183 - = 175 V.

D ada uma tensão do secundário de 60 Vac no circuito do exercício 1, qual a Vrrm através do d iodo? Qual dos diodos anteriores pode ser usado?

6-3.

Retificador de onda co mpleta com transformador com tomada central

O bserve o circuito abaixo:

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31

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido Onde: (a) – Retificador de onda completa; (b) – Saída

Onde:

(a)

– Retificador de onda completa;

(b)

– Saída retificada;

(c)

– Semiciclo positivo;

(d)

– Semiciclo negativo;

(e)

– Tensão de pico inversa e/ou tensão reversa repetitiva máxima.

Tensão média de saída

Podemos observar um efeito de duas vezes a saída do retificador de meia onda portanto, podemos verificar que este retificador é mais eficiente do que o primeiro, ou seja:

V

dc

Freqüência

= 2 x 0,318 V

P

0,636 V

P

ou

2.V

P

π

O período T de uma onda repetitiva é o tempo entre pontos equivalentes ou correspondentes da onda. A freqüência f é o inverso do período T. Num retificador de meia onda, o período da saída é igual ao período da entrada, o que quer dizer que a freqüência da saída é a mesma que a freqüência da entrada. Em outras palavras, para cada ciclo na saída você tem um ciclo na entrada. Por esta razão, a freqüência que sai de um retificador de meia onda é de 60 Hz, o mesmo valor da freqüência da rede. Um retificador de onda completa já é diferente. Observe atentamente a figura anterior item (b), veja que o período é a metade do período da entrada. Colocando de outra forma, ocorrem dois

32

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Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

semiciclos na saída para cada ciclo na entrada. Isto acontece porque o retificador de onda completa inverteu a metade negativa do ciclo da tensão de entrada. Disto resulta que o retificador de onda completa tem uma freqüência de 120 Hz, exatamente o dobro da freqüência da rede. Especificação dos Diodos:

I

F

V

RRM

I

R

L

2

V

S

Exemplo de aplicação:

(

pico

) ("secundário todo" )

No circuito abaixo a tensão do secundário é de 30 V ac. Utilizando diodos ideais, calcule a

tensão de carga dc. Deduza também as especificações e para os diodos.

F

RRM

I

V

também as especificações e para os diodos. F RRM I V Resolução : 6-4. O Retificador

Resolução :

6-4.

O Retificador em ponte

Veremos agora o retificador em ponte, a forma mais fácil de se retificar, porque ele alcança a tensão de pico completa de um retificador de meia onda e o valor médio mais alto de um retificador de onda completa. Observe o circuito abaixo:

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33

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido T ensão média de saída: Desprezando as quedas no diodo,

T ensão média de saída:

Desprezando as quedas no diodo, o pico da tensão de carga é

Observe que toda a tensão do secundário aparece através do resistor de carga; este é um dos motivos que tornam o retificador em ponte melhor do que o retificador de onda completa visto no item anterior, onde somente metade da tensão do secundário chegava até a saída. Além disso, um transformador com derivação central que produza tensões iguais em cada metade do enrolamento secundário é difícil e caro de ser fabricado. Pelo fato da saída da ponte ser um s inal de onda completa, o valor médio ou dc é

V

Saída ( pco )

= V

S ( pico )

.

V =

dc

E specificação dos diodos:

0,636

V

S pico

(

)

I

V

F

RRM

I R

L

2

V

S

(

pico

)

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34

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

6 -5.

Quadro resumo – Retificadores Médios Ideais

 

Meia Onda

Onda Completa

Ponte

Número de diodos

 

1

2

4

Tensão de pico de saída

 

Vs (pico)

0,5 Vs (pico)

Vs (pico)

Tensão dc de saída

0,318 Vs (pico)

0,636 Vs (pico)

0,636 Vs (pico)

Co

rrente dc do diod

o

Idc

0,5 Idc

0,5 Idc

 

Tensão de pico inversa

Vs (pico)

Vs (pico)

Vs (pico)

 

Freqüência de

     

ondulação

f (ent.)

f (ent.)

f (ent.)

Tensão dc de saída

0,45 Vs (rms)

0,45 Vs (rms)

0,9 Vs (rms)

PROBLEMAS

1- A tensão de entrada Es é de forma triangular com um valor pico a pico d e 60 V. Determinar para cada um dos circuitos abaixo a forma de onda da tensão de saída.

dos circuitos abaixo a forma de onda da tensão de saída. 2- Na fig. K ,

2-

Na fig. K, a tensão do secundário é de 40 V ac. Q ual a tensão de pico da carga? Qual a tensão dc da carga? Qual a corrente de carga dc?

3-

Dada uma tensão de secundário de 40 V ac na fig. K, calcule a corrente de carga dc e a Vrrm atr avés de cada diodo. Qual a corrente média retificada que passa através de cada diodo?

4-

A tensão do secundário na fig. L é de 60 V ac. Qual a corrente de corrente dc através de cada diodo? Qual a Vrrm através de cada diodo?

carga dc? Qual a

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35

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

5 - Os diodos da fig. L têm uma especificação de corrente direta de 150 mA e uma especificação de tensão reversa de 75 V. Estes diodos são adequados para a tensão do secundário de 40 V ac?

são adequados para a tensão do secundário de 40 V ac? 7- O Filtro com Capacitor

7- O Filtro com Capacitor de entrada

S abemos que a saída de um retificador médio é uma tensão dc pulsante. O que necessitamos nos circuitos eletrônicos é de um a tensão dc constante, assim para convertermos um sinal de meia onda e de on da completa em tensão dc constante, precisamos usar um filtro. Observe o circuito abai xo e as formas de onda:

em tensão dc constante, precisamos usar um filtro. Observe o circuito abai xo e as formas
em tensão dc constante, precisamos usar um filtro. Observe o circuito abai xo e as formas

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36

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido - 7 -1. Concluímos que a tensão de carga agora

-

7 -1.

Concluímos que a tensão de carga agora é uma tensão dc quase perfeita. O único desvio são as pequenas ondulações causadas pe las cargas e descargas do capacitor. Quanto menor a ondulação, melhor é a retificação.

Determinação da tensão de ondulação

P odemos dizer que a ondulação é a variação da tensão do intervalo ωt1 e ωt2.

Dá eletri cidade elementar tiramos que :

C =

q

, então:

 
 

E

 

E =

1

q

1

C

e

E

2

=

q

2

C

 

Obs. : a tensão de ondulação

 
 

é a diferença

entre

t1 e

ω ω

t2.

 

então :

E

1

E

2

=

q

1

q

2

V

ond .

=

Δ

q

na função do tempo

V

ond

Δ

q

V

ond

. C

C

Δ

q

C

 

.

=

=

.

=

 

t

C .t

 

t

t

D

á eletricidade elementar vimos que

Δq = i.Δt ; assim:

 

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37

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

V

ond

.

.

C

Δ

q

=

t

t

i

⇒ =

V

ond

.

.

C

t

As condições criticas de descarga para o capacitor são para

um tempo t igual ao período T

T =

1 ⎞ ⎟

f

V

ond .

. C

V

ond .

1

f

=

i

C

C f

.

i

= ⇒

V

ond .

.

C . f

= i

assim a tensão de ondulação fica :

onde (i ) é a corrente de carga max.

C

C

=

capacitânc ia do capacitor de filtro;

f

= freqüência de saída do retificado r

Obs. : retificado r meia onda

f

= 60

Hz

retificado r de onda completa f

= 120 Hz

7 -2.

Orientação para um projeto

Podemos estabelecer um compromisso entre uma ondulação pequena e uma capacitância grande. Vamos admitir uma regra para a escolha do ca pacitor de filtro. Assim iremos escolher u ma ondulação não superior à 10% da tensão de pico.

Tensão dc na carga

Observando a forma de onda aproximada da tens ão de saída na carga de um circuito retificado c om filtro à capacitor podemos estabelecer que:

V dc

= V

pico

V ond .

2 e a resistência efetiva de saída será :

E specificações dos diodos

Meia onda :

I

F

V

RRM

I

R

L max

2.

V

sec(

pco

)

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R

O = 0,5.

f C

.

.

38

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Onda completa :

I

F

V

RRM

I

R

L (max)

2

V

sec .(

pico

)

Exercícios de aplicação

1-

Um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada tem uma tensão de pico na

saída de 25 V. Se a resistência de carga for de 120 Ohms e a capacitância de 560 μF, qual

a

ondulação de pico a pico?

2-

A tensão do secundário é de 25 V ac na figura abaixo. Qual a tensão de carga dc se C =

330 μF? Qual a ondulação de pico a pico? Quais as especificações mínimas de e

dos diodos?

I

F

V

RRM

as especificações mínimas de e dos diodos? I F V RRM 3- O circuito abaixo mostra

3- O circuito abaixo mostra uma fonte de alimentação dividida. Devido à derivação central aterrada ( fonte simétrica ), as tensões de saída são iguais e com polaridade oposta. Quais as tensões dc de saída para uma tensão do secundário de 12 Volts ac e C = 820 μF? Qual

a ondulação de pico a pico? Quais as especificações dos diodos e a tensão de isolação do

capacitor?

de pico a pico? Quais as especificações dos diodos e a tensão de isolação do capacitor?

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39

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

4 -

Uma onda senoidal com um pico de 25 V é aplicada ao circuito que aparece na figura abaixo. Descreva a tensão de saída.

que aparece na figura abaixo. Descreva a tensão de saída. 5- O amperímetro do circuito abaixo

5- O amperímetro do circuito abaixo tem uma resistência do medidor de 2 KΩ e uma corrente para fundo de escala de 50 μA. Qual a tensão através desse amperímetro quando ele indicar fundo de escala? Os diodos às vezes são ligados em derivação (shunted) através do amperímetro, como mostra o circuito abaixo. Se o amperímetro estiver l igado em série com um circuito cuja resistência Thevenin seja de 1 KΩ, os diodos através do medidor podem ser de grande utilidade. Para que você acha que eles podem servir?

grande utilidade. Para que você acha que eles podem servir? 6- Você mede 24 Vac através

6-

Você mede 24 Vac através do secundário do circuito do exercício dois (2). Em seguida você mede 21,6 V dc através do resistor de carga. Sugira alguns problemas possíveis.

7-

A tensão de carga dc do circuito do exercício (2) tem u m valor um pouco mais baixo do que deveria. Olhando para a ondulação com um osciloscópio, você descobre que ela tem um a freqüência de 60 Hz. Quais são as possíveis causas?

8-

Não há tensão de saída no circuito do exercício (2). Quais são as possíveis causas?

9-

Fazendo um te ste com um ohmímetro, você percebe que todos os diodos do exercício (2) estão abertos. Você substitui os diodos. O que mais você deve verificar antes de ligar a

alimentação?

10- Você está construindo um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada. As especificações são uma tensão de carga dc de 15 V e uma ondulação de 1 V para uma resistência de carga de 680 Ω. Que tensão de rms o enrolamento do secundário deve produzir para uma tensão de linha de 127 V ac? Qual deve ser o valor do capacitor do filtro

e

sua tensão de isolação? Quais as especificações mínimas para os seus diodos? Esboce

o

circuito elétrico de seu projeto.

11- Projete um retificador de onda completa usando um transformador com derivação cen tral de 48 V ac que produza uma ondulação de 10 % através do filtro com capacitor de entrada com uma resistência de carga de 330 Ω. Quais as especificações mínimas dos diodos?

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40

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

1 2- A fonte de alimentação dividida do exercício (3) tem uma tensão do secundário de 9 V ac. Escolha os capacitores de filtro, utilizando a regra dos 10 % para a ondulação.

13- Construa uma fonte de alimentação que preencha as seguintes especificações: a tensão de secundário seja de 12,6 V ac, uma saída dc de aproximadamente 17,8 V em 120 mA, e uma Segunda saída dc por volta de 35,6 V em 75 mA. Quais as especificações mínimas dos diodos?

14- A tensã o do secundário na figura abaixo é de 25 Vac. Com a chave na posição mostrada qual a tensão de saída ideal? Com a chave na posição mais baixa, qual a tensão de saída ideal?

na posição mais baixa, qual a tensão de saída ideal? 15- Projetar um retificador de onda

15- Projetar um retificador de onda completa com capacitor de filtro, para alimentar uma carga que possui as seguintes características: V dc = 30 V, potência dissipada pela carga de 300 mW. Apresentar: esquema elétrico, cálculos, lista de componentes e lay out da placa impressa.

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41

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

8. Diodo de referência ou Diodo ZENER

Trata-se de uma junção PN que recebe uma dopagem mais acentuada fazendo com que o dispositivo passe a trabalhar na região de ruptura ( controlada ). O diodo Zener será utilizado como estabilizador de tensão em fontes de alimentação, fontes de corrente, geradores de onda quadrada simples, etc. O diodo Zener deve ser polarizado reversamente para manter as suas características de regulador.

8-1. Diodo Zener

Os diodos retificadores e de pequeno sinal nunca devem operar intencionalmente na região de ruptura porque isto pode danificá-los. Um diodo zener é diferente; é um diodo de silício que o fabricante otimiza para trabalhar na região de ruptura. Em outras palavras, ao contrario dos diodos comuns que nunca trabalham na região de ruptura, os diodos zener trabalham melhor nesta região. Às vezes chamado diodo de ruptura, o diodo zener é a parte mais importante dos reguladores de tensão, circuitos que mantém a tensão da carga praticamente constante apesar das grandes variações na tensão da rede e da resistência de carga.

Alguns símbolos elétricos utilizados:

de carga. Alguns símbolos elétricos utilizados: 8-2. Curva característica do dispositivo ( gráfico I-V )

8-2. Curva característica do dispositivo ( gráfico I-V )

Alguns símbolos elétricos utilizados: 8-2. Curva característica do dispositivo ( gráfico I-V ) Prof. Corradi 4

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42

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Onde :

V ZN

Tensão zener nominal;

I Corrente zener de teste;

ZT

I ZM

Corrente zener máxima.

Ob.: Podemos notar que para uma grande variação da corrente do diodo zener, na região de ruptura controlada temos pouca variação da tensão em seus terminais, podemos considerar

V ZN

aproximadamente constante.

Especificações do diodo Zener

1-

2-

3-

4-

5-

Tensão zener nominal :

Potência zener máxima :

Coeficiente de temperatura;

Tolerância – A = ± 5% e B = ± 10%;

V

ZN

;

P

Z max

;

Corrente zener de teste ou mínima ( dada pelo fabricante ) -

Exercícios básicos:

I

Z max

P Z max

=

V ZN

1-

Um diodo zener tem 15 V aplicado sobre ele com uma corrente de 20 mA através do mesmo. Qual a potência dissipada?

2-

Se um diodo zener tiver uma especificação de potência de 5W e uma tensão zener de 20 V; qual o valor da sua corrente máxima?

3-

Um diodo zener tem uma resistência zener de 5 Ω. Se a corrente variar de 10 mA a 20 mA; qual a variação da tensão através do diodo zener?

4-

Uma variação de corrente de 2 mA através de um diodo zener produz uma variação de tensão de 15 mV. Qual o valor da resistência zener?

5-

Conforme o circuito abaixo esboce a forma de onda de saída.

o valor da resistência zener? 5- Conforme o circuito abaixo esboce a forma de onda de

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43

Eletrônica – Dispositivos de estado sólido

Responda as Questões:

1-

Como é utilizado o diodo zener?

2-

Como se comporta o diodo zener?

3-

O que é tensão zener?

4-

Quais as características do diodo zener?

5-

Explique cada uma de suas características.

6-

Explique a relação entre corrente e resistência do diodo zener.

8-3. Regulador de tensão RZ ( sem carga e com tensão de entrada fixa )

Verificamos que o diodo zener pode manter em seus terminais uma tensão praticamente constante dentro de uma certa faixa de corrente, assim iremos utiliza-lo para manter nos terminais de uma carga uma tensão estável. Para que o diodo funcione corretamente devemos polariza-lo reversamente através de um resistor limitador de corrente a fim de mante-lo dentro da região de avalanche controlada. Se sairmos desta região podemos perder a regulação ou destruir o diodo por excesso de dissipação de potência.

Observe o circuito abaixo para análise:

de potência. Observe o circuito abaixo para análise: Análise do circuito sem carga ; V ent

Análise do circuito sem carga ;

V ent

V

ent