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29/10/2013

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

El transmisor de efecto de campo(fet) es un dispositivo de 3 terminales . El
transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Para el FET la
corriente Ia ser un funcin de voltaje VGS aplicando al circuito de entrada
como se observa en la siguiente figura.
ID

FET

VGS (voltaje de control)

L a I del circuito de salida esta controlado por parmetro del circuito de in.
Hay transistores FTE de canal N y de canal P. El FET es un dispositivo que
depende nicamente de la conduccin o bien, de electrones ( canal n) o de
huecos (canal p).
CONSTRUCCION Y CARACTERISTICAS DE LOS JFET
La construccin bsica del JFET de canal n obsrvese que la mayor que la
mayor parte de la estructura es del material de tipo n que forma el canl
entre las capas interiores del material tipo P.
DRENAJE (D)

CONTACTOS OHMICOS

P
COMPUERTA (G)

REGION DE AGOTAMIENTO O FUENTE (S)

CANAL N

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La parte superior del canal tipo n se encuentra conectada por medio de un

contacto hmico a la terminal referida como el drenaje (d), mientras quie el
extremo por medio de un contacto hmico a una terminal referido como la
fuente (s), conectados entres si y tambin a una terminal de compuerta g.
Por tanto el drenaje y la fuente se hallan conectados a los extremos del
canal del tipo n y la entrada a las dos capas de material tipo p.
Durante la ausencia de cualquier potencial el JFET tiene dos emisiones p-n
bajo condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento
en c/ unin, lo cual se asemeja a la regin de un diodo de polarizacin.
La regin de agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es
por tanto, incapas de soporta la conduccin a travs de la regin.
Analoga hidrulica para el mecanismo de control del JFET.

DIBUJO DE UNA LLAVE

La compuerta mediante una seal aplicada (potencia), controla el flujo de

electrones hacia el drenaje.
S

Q2

Q1
G

2N3967

2N5114

G
canal N

S
canal P

Caracterstica y Parmetros del JFET.

VGS =0

VDS algn valor positivo

En la siguiente figura se a aplicado un voltaje positivo VDS a travs del

canl y la entrada se conecto directamente a la fuente con objeto de
establecer la condicin VGS=0. A medida que VDD (por tanto VDS) se
incrementa desde cero la Id crece proporcionalmente como se muestra en la
grafica entre los puntos A y B. En esta regin, la resistencia del canal es
esencialmente cte.; pues la regin de empobrecimiento no es

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29/10/2013

suficientemente grande para tener un efecto significativo. Esta regin se

denomina hmica porque ID y VDS estn relacionados por la ley de ohm.
En el punto B de la grafica los niveles de la curva se estabilizan en Id se
vuelve esencialmente cte.; cuando VDS crece desde el punto B hasta el
punto C.
ESTRANGULAMIENTO
Para VGS=0, EL VALOR DE VDS al que Id se vuelve esencialmente cte.
(punto B de la grafica), es el voltaje de estrangulamiento, Vp.
Para un JFET dado, Vp tiene un valor fijo. Como se puede observar, un
incremento continuado en VDS, por arriba del voltaje de estrangulamiento
produce una corriente de drenaje casi constante, el valor de esta Id es Idss
(corriente de drenaje a la compuerta en corto) y siempre se especifica en la
hojas de datos de los JFET. Idss es la mxima Id que un JFET es capas de
producir sin importar el circuito externo, y siempre se especifica par al
condicin VGS=0 V.
Al continuar sobre la grafica, la ruptura ocurre en el punto c cuando Id
empieza a crecer muy rpido con cualquier incremento adicional en VDS. L
ruptura puede dar por resultado el dao irreversible del dispositivo, de
modo que los JFET siempre se operan por debajo de la ruptura y dentro de
la regin de I cte.
DRENAJE (D)
ID

VDS

COMPUERTA (G)

BA T1
VDD

REGION DE AGOTAMIENTO
S

Is

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R1

RD

0R1

VGA

Id

BAT1
V DD

VDS

Q1
2N3458

VGS=0

Id

REGION DE CORRIENTE CTE.

VGS=0
B

Idss

A
0

VDS
REGION OHMICA
V p (voltaje de estrangulamiento)

El VGS controla la IA.

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Ahora se conectara un voltaje de polarizacin VGG, de la compuerta de la

fuente a medida que VGS se establece en valores c/v mas negativas
mediante el ajuste de VGS, se obtiene una familia de curvas caractersticas
del drenaje como se observa en la siguiente grafica.
R1
Q1:A

1k

2N3958

VGG

BAT2

BAT1

9V

1V

IA

I DSS

VGS=0V
VGS=-O.5V
VGS=-1
VGS0-2V
VGS=-3
VGS=-4V
VP

VDS

Observe que ID decrece a medida que la magnitud de VGS se incrementa a

valores C/V mas negativos. Tambin observe que , por el incremento en
VGS, que por c/ incremento en VGS, el JFET alcanza el estrangulamiento a
valores de VDS mayores que VP. As la cantidad de ID es controlada por VGS.

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CORTE
El valor de VGS que hace a ID aprox. Cero es el valor de corte, VGS(apag). El
JFET debe ser operado entre VGS=0 y VGS (apag). Para este rango de
voltajes de la compuerta a la fuente, ID variara desde un mximo de IDSS.
Hasta un mnimo a cero.
Para un JFET de un canal N, mientras ms negativa sea. VGS menor se
vuelve ID en la regin de I cte; cuando VGS asume un valor negativo
suficientemente grande, IA se reduce a cero. Este efecto de corte es
provocado por el ensanchamiento de la regin de empobrecimiento hasta
un punto en el que cierra por completo el canal.
-VGS (apag) y VP siempre son iguales en magnitud pero de signo opuesto.
En una hoja datos por lo general se proporciona VG(apag) o VP, pero no
ambos. Sin embargo, cuando se conoce uno tambin se conoce el otro.
Por ejemplo:
VGS (apag)=-5
VP=+5V
Ejemplo:
1 Para un JFET, el VGS (apag)=-4v e IDSS=12m A. Determine el valor
mnimo de VDD necesario para colocar el dispositivo en la regin de
operacin de cte.
+

Q1

2N3458

R1

VDD-VRD-VDS=0

560R

VDD=VRD+VDS

BA T1
VDD

Como VGS (apag) =-4V por lo tanto VP=4v

El valor mnimo de VDS para que el JFET se encuentre en la regin de I cte.
Es :
VDS=VP =4V
En la regin de I cte; con VGS=0v
ID=IDSS =12m A

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La cada a travs del resistor del drenaje es

I=V/R VRD=(12m A)(560 ohm)= 6.72v
Al aplicar la ley de kirchoff alrededor del circuito del drenaje se obtien
VDD= VDS+ VRD
VDD=4V+ 6.72V= 10.72V
Este es el valor de VDD para obtener VDS=VP y colocar el dispositivo en la
regin de I cte.
EJERCICIO.
2.- Si VDD se incrementa 15V, Cul es la corriente de drenaje?
I=V/R =15V/560OHM= 26m A
3.- Un JFET particular de canal P tiene un VGS (apag) =4v Cul es el valor
de Id cuando VGS=6V?
El JFET de canal? Requiere un voltaje de compuerta a fuente positivo
mientras mas positivo sea, menor la corriente del drenaje. Cuando VGS= 4v,
la Id es 0. Cualquier incremento adicional en VGS mantiene en corte al JFET
y si, la Id se mantiene en 0.
CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA DEL JFET
De las anteriores ya podemos comprender que un rango de valores de VGS,
desde 0 hasta VGS (apag), controla la cantidad de corriente de drenaje.
Para un JFET de canal N, EL VGS(apag) es negativo y para uno de canal P, el
VGS(apag) es positivo. Como VGS controla a IA, la relacion entre estas dos
cantidades es muy importante, y se ilustra en la siguiente grafico.
ID

-VGS

.
VGS (apag)

IDSS

ID=0 cuando VGS = VGS (apag)

ID=IDSS cuando VGS=0

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ID=IDSS (1-VGS/VGS (apag))

Con la ecuacion anterior la Id puede determinarse para cualquier VGS si se

conocen IDSS y VGS (apag).En virtud del termino cuadrtico en la ecuacion
a los JFET y los MOSFET a menudo se les conoce como dispositivos de ley
cuadrtica.
EJEMPLO: La hoja de datos para un JFET indica que IDSS=15m A y
VGS(apag)=-5v . Determine la ID para VGS=0V, -1V Y -4V.
SOLUCION
Para VGS0=0V, ID=IDSS= 15m A
Para VGS=-1V
ID=IDSS(I-VGS/VGS(APAG))2 0(15m A)(1-1V/-5V)
ID=(15m A )(1-0.2)2= (15m A)(O.64)= 9.6m A

TRANSDUCTANCIA DIRECTA DEL JFET

La transconductancia directa gm, es el cambio en la corriente del drenaje
(AID) pa ra un cambio dado en el voltaje de la compuerta a la fuente
(AVGS), con el voltaje del dranje ala fuente constante. Se expresa como una
razn y sus unidades son siemens(S).
Gm=AID/AVGS
Otras designaciones comunes para este parmetro son Gfs y Yfs
(admitancia de transferencia directa). Gm es muy importante en los
amplificadores FET como factor primordial para determinar la ganancia en
voltaje.Debido a que la curva caracterstica de transferencia
(transconductancia) de un JFET es no lineal. Como se puede observar en la
siguiente figura el valor Gm mayor cerca del extremo superior de la
curva( cerca de VGS=0), Y gm es menor en la parte inferior.

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IA

IDSS
AID2= g m2 =AID2/AV GS

.
.
-V GS V GS (APAG)

)
)

gm 2>gm1

AID1 = gm1 = AID1 /AVGS

gm= gm0 (1- VGS/VGS(APAG))

En las hojas de especificacin suele proporcionarse el valor gm medido en

VGS=0V es decir (gmo).
Cuando no se dispone de un valor de gm0 es posible calcularlo usando
valores de IDSS y VGS (apag). Las rectas verticales indican un valor absoluto
(sin signo).
Gm0 = 2IDSS/VGS (apag).
En la hoja de datos de un JFET se proporciona la siguiente informacin
IDSS= 20 m AVGS (apag)=-8v y gm0=4000US.
Determine la transconductancia en directa para VGS=-4V y encuentre ID en
este punto.
1.- gm se calculo
Gm=gm0 (1-VGS/VGS (apag))
= (1000u S) (1-(-4V)/ (-8))= 2000u S
2.- Se calcula ID en VGS=-4V
ID=IDSS(I-(VGS)/VGS(apag))2
=20m A (1-(-4)/(-8)2= 5m A.
EJERCICIO
Un JFET dado tiene las dos siguientes caractersticas: IDSS=12m A,
VGS(apag)=-5v cuando VGS=-2V.
Gm=gm0 (1-(VGS)/VGS (apag)) = 1800u S

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ID=IDSS (1-(VGS)/VGS (apag)) 2= 4.32m A.

RESISTENCIA Y CAPACITANCIA DE ENTRADA.

Un JFET opera con su unin GS polarizada en inversa. Por tanto, la
resistencia de entrada en la compuerta es muy alta. Las hojas de datos de
los JFET especifican para la corriente inversa de compuerta la Igss en cierto
VGS. La resistencia de entrada puede entonces determinarse usando la
siguiente ecuacion.
RENT= VGS/Igss
La capacitancia de entrada Ciss de un JFET es considerablemente con
respecto al BJT pues el JFET opera con una unin pn polarizado en inversa
recuerde que una unin PN polarizada en inversa funciona como un
capacitor cuya capacitancia depende de la cantidad de voltaje inverso.
EJEMPLO:
Un JFET tiene un ma Igss de 1 m A para VGS=-20V. Determine la
resistencia de entrada
RENT=VGS/Igss =20v/1m A=20 000 u ohm.
EJERCICO
Determine la resistencia de entrada para cualquiera de las hojas de
especificacin que conseguiste.

RESISTENCIA DEL DRENAJE A LA FUENTE

Y a se aprendi de la curva caracterstica de drenaje que, por arriba de la
regin de estrangulamiento, la ID es relativamente etc. Dentro de un rango
de voltaje drenaje- fuente (VDS).
La razn de estos cambios es la resistencia drenaje-fuente del dispositivo
RDS.
Las hojas de datos especifican frecuencia a este parmetro como
conductancia de salida, Yos. Los valores tpicos para RDS son el orden de
varios k ohm.
Mtodo manual grafico para trazar la curva de transferencia.
Se puede trazar una curva de transferencia con un nivel satisfactorio de
precisin utilizando simplemente 4 puntos definidos en la siguiente tabla.
VGS
0
0.3VP
0.5VP
VP

ID
IDSS
IDSS/2
IDSS/4
0m A

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EJEMPLO:
Trazar la curva definida por Idss=12m A Y VP=+6V.
IDSS=12m A

Vgs=0v

Id= 0m A

VGS=VP=-6V

0.3VP

IDSS/2

0.3(-6V) =-1.8V
0.5VP

12m A/2=6m A
IDSS=3m A

0.5(-6V)=-3V
.

IDSS=12m A

.
.
.

VGS

VGS=VP0-6V

EJERCICIO: Traza la curva de transferencia

para el JFET cualquiera de las hojas tcnicas que conseguiste.
POLARIZACION DEL JFET
El objeto de la polarizacin es elegir el VGS apropiado a fin de establecer un
valor deseado de ID. Existen 2 tipos primordiales de polarizacin; los de
auto polarizacin y los de polarizacin mediante divisor de voltaje.
AUTOPOLARIZACION
Los circuitos de auto polarizacin para los JFET son los siguientes.

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+V DD

1k

RG

R6

RD

RD

Q2

2N260 8

2N26 08

R3
1k

1k

Q1

IGSS

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-VDD

R2

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R5

R1

RG

1k

ID

1k

ID
R4

RS

1k

CANAL P

CANAL N
IS=ID EN TODOS LOS JFET

L a compuerta esta polarizada aproximadamente a 0v, por el resistor RG

conectado a tierra. La corriente de fuga inversa IGSS produce un voltaje
muy pequeo en RG como se indica aunque en rango mayor parte de los
casos es posible despreciarlo.
Formulas para calcular algunos elementos en los JFET.
VS=ID *RS
VGS= -ID* RS
VD= VDD-ID*RD
VDS=VD-VS
VDS= VDD- ID (RD+RS)

EJEMPLO:
Encuentre VDS y VGS del siguiente circuito dado que ID= 5m A

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+10 V

VDS=VD- VS
VD=VDD- ID * RD
R2
1k
RD

VD=10V- ( 5m A ) (1K OHM )

Q1
2N2608

VD=10V -5V=5V
R3

R1

1k

470R

RS

VS=ID * RS= 5m A (470 ohm )

VS=2.35V

VDS=VD - VS=5V - 2.35V= 2.65 V

VGS= -ID * RS = 5m A (470 ohm ) = -2.35V

EJERCICIO:
Determine VDS y VGS del siguiente circuito.
R3
820R

Q1
2N2608

R1

R2

1k

390R

+ 12V

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ESTABLECIMIENTO DEL PUNTO Q DE UN JFET POLARIZADO

El mtodo bsico para establecer un punto de polarizacin para el JFET es
determinar la ID para un valor deseado de VGS y calcular enseguida el
valor requerido de RS.
RS= VGS/ID
Para un valor deseado de VGS, la ID puede determinarse en cualquiera de
estas 2 formas.
A partir de la curva caracterstica de transferencia para un JFET particular
o utilizando la formula.
ID= IDSS( 1- VGS/VGS(apag))2

Ejemplo: determina en el valor RS requerido para auto polarizar a un JFET,

en VGS =-5V y VGS(apag)=-10v, IDSS=25m A ; B)VGS=-3V
Ejercicio
Determina el valor de Rs requerido para autopolarizar a un JFET utilizando
su curva de transferencia. Nota que usen una que puedan recortar.
Verificar con las formulas.

Polarizacin en el punto medio

A menudo es deseable polarizar un JFET cerca del punto medio. Para ellos se
utiliza la siguiente frmula para calcular ID.
ID= 0.50 Idss

VGS= VGS (apag)/3.414

Tarea determinar Rs requerido para auto polarizar un JFET utilizando su

curva de transferencia recorta y pega verifica con formulas.
Para establecer el voltaje del drenaje VD en el punto medio (Vd.=Vdd./2),
se elige un valor de Rd para obtener la cada de voltaje deseada. Rg se
elige grande.
Ejemplo
Seleccionar los valores de los resitores del circuito, a fin de establecer una
polarizacin aproxiomada en el punto medio. Los parmetros del JFET son
IDSS=15m A y VGS(apag) =8v

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+12V

RD
1k

Q1
2N2608

RG
1k

RS
1k

ID= IDSS/2=7.5m A
VGS=VGS(apag) /3.414
VGS=-8V /3.414=-2.343
RS= VGS/ID = 2.343V/7.5m A =312 ohm
VD=VDD-(ID) (RD)
Despejando RD
RD=VDD-VD/ID =12V 6V/ 7.5m A =800 ohm
Rg debe ser muy grande.

FET
vs
BJT

Transistores BJT

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los

diodos, puede ser de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP.

Cuenta con 3 patitas que se denominan de la siguiente manera: base

(B), colector (C) y emisor (E).

Tipos:

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Su funcin y composicin

Los transistores NPN consisten en una capa

de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N.
Una pequea corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es amplificada en la
salida del colector.

Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa

y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a
travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando
desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.

BJT

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Configuraciones del transistor bipolar

Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores con
transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las hacen
mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice que el transistor no est
conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de
base (Ib = 0)
Amplificador
emisor
comn
- Para que una seal esa amplificada tiene que ser una seal de corriente
alterna.
No tiene sentido amplificar una seal de corriente continua, por que sta no
lleva ninguna informacin.
En un amplificador de transistores estn involucradas los dos tipos de
corrientes (alterna y continua).
La seal alterna es la seal a amplificar y la continua sirve para establecer el
punto de operacin del amplificador.
Este punto de operacin permitir que la seal amplificada no sea
distorsionada.

Amplificador colector comn

El amplificador seguidor emisor, tambin llamado colector comn, es muy til
pues tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida
baja.
Nota: La impedancia de entrada alta es una caracterstica deseable en una
amplificador pues, el dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que
entregarle mucha corriente (y as cargarlo) cuando le pasa la seal que se
desea amplificar.

- Amplificador base comn

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Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales,

pero se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas,
y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

Transistores FET..
Que son?...

Se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un

"canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los
transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por
voltaje. Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenaje

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(drain) y fuente (source), se comporta como un interruptor controlado por

tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o
no corriente entre drenaje y fuente.

FETs

Se dividen en:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura

MOS(estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) consiste en un
condensador que ser la "puerta", el dielctrico se forma con un xido
del semiconductor del sustrato, y un semiconductor, denominado como

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sustrato). Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica.

Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial
estn basados en transistores MOSFET.

El JFET (Junction Field-Effect Transistor) .-es un circuito que, segn

unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de
salida, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto
la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta).

Son de dos tipos

Canal N.- Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas

que permiten la aparicin de electrones sin huecos asociados a los
mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o
entregan electrones.

Canal P.- Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que

permiten la formacin de huecos sin que aparezcan, como ocurre al
romperse una ligadura, electrones asociados a los mismos. Los tomos
de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn.

Caractersticas

Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).

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No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).

Hasta cierto punto inmune a la radiacin.

Es menos ruidoso.

Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

Ventajas de los FETs frente a los transistores bipolares

Fabricacin sencilla, ocupando menor espacio en su integracin

Son ms estables trmicamente

Son relativamente ms inmunes a la radiacin

Tiene una gran resistencia de entrada (MW): se pueden conectar como

resistencias de carga en sistemas digitales

No tienen tensin umbral para corriente de drenaje cero: excelentes

recortadores y muestreadores de seal

Debido a sus capacidades internas o propias pueden funcionar como

elementos de memoria

Tienen menor ruido

Inconvenientes

Como amplificadores, menor producto ganancia-anchura de banda

Practica simulada 1
Materiales

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Transistor BJT 2n2222

1 resistencia de 5 k
1 resistencia de 10 k
1 resistencia de 1 k
Fuente de voltaje de 5v

BJT 2N2222

Simulado

VRc
VRb
VRe

3.88v
3.22v
1.1v

Practica simulada 2

Temperatu
ra
Ambiente
4.64v
4.02v
.417v

Aplicando
Calor

Esttica

4.61v
4.38v
.447

4.61v
4.02v
.417v

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Materiales
Transistor BJT 2n2222
1 resistencia de 4.7 k
1 resistencia de 4.7M
1 resistencia de 1 k
Fuente de voltaje de 5v

JFET
2n5457

Simulado

Vs
Vg
Vd

626.31mV
14.31V
2.94V

Temperatu
ra
Ambiente
.791v
0v
3.68v

Aplicando
Calor(aproxi
mado 200 C
.714v
0v
3.46v

Esttica

.792v
0v
3.681v