Informe Final: Principios del Modulador PIN

Sandoval Hilario Jordan, Rodrguez Cruz Dalia, Zegarra Ventura Renzo, Vela Mata George,
Mauricio Yuyas Girio
Escuela de Ingeniera de Telecomunicaciones
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

ResumenEn esta experiencia se

desarrollarn experimentalmente las curvas
del modulador PIN, las partes del circuito a
usar: Oscilador Gunn, Aislador, transicin
gua de onda coaxial y modulador pin . Se
explicarn sus parmetros ms importantes
como lo son la frecuencia de corte y
frecuencia de resonancia.

I. INTRODUCCION
El fotodiodo PIN fue inventado por
Jun-ichi Nishizawa y sus colegas en 1950,
un nuevo tipo de emisor de luz, el LED, de
pequea superficie radiante, idnea para el
acoplamiento en F.O. Por lo que se refiere
a los fotodetectores, los diodos PIN y los
de avalancha a base de Si, fueron
desarrollados sin dificultades y ofrecan
buenas caractersticas. Sin embargo, no
podan aplicarse en longitud de onda >
1100 nm. El Ge era un buen candidato a
ser utilizado para trabajar entre 1100 y
1600 nm, y ya en 1966 se dispona de ellos
con elevadas prestaciones elctricas. El
primer PIN de InGaAs (arseniuro de indio
y galio) se realiza en 1977.
II. ESTADO DEL ARTE
A. Diodo Pin

Un diodo PIN es un diodo con una

amplia, ligeramente 'cerca' de la regin
semiconductor intrnseco dopado entre
un semiconductor de tipo p y una
regin de tipo n. Las regiones de tipo p
y de tipo n son tpicamente fuertemente
dopados ya que se utilizan para los
contactos hmicos.

La regin intrnseca amplia es en

contraste con un diodo PN ordinaria.
La regin intrnseca amplia hace que el
diodo PIN un rectificador inferiores,
pero hace que el diodo PIN adecuado
para atenuadores, interruptores rpidos,
fotodetectores, y aplicaciones de
electrnica de potencia de alta tensin.
B. Operacin

Un diodo PIN opera bajo lo que se

conoce como la inyeccin de alto nivel.
En otras palabras, la regin intrnseca
"i" se inunda con los portadores de
carga de las regiones de "n", "p" y. Su
funcin se puede comparar a llenar un
cubo de agua con un agujero en el lado.
Una vez que el agua alcanza el nivel
del agujero en el que comenzar a
derramar. Del mismo modo, el diodo
conducir la corriente una vez que los
electrones y los huecos inundados
llegan a un punto de equilibrio en la
regin intrnseca. Debido a esta
inyeccin de alto nivel, que a su vez se
debe al proceso de agotamiento, el
campo
elctrico
se
extiende
profundamente en la regin. Este
campo elctrico ayuda en la
aceleracin del transporte de portadores
de carga desde la P a la regin N, que
se traduce en un funcionamiento ms
rpido del diodo, por lo que es un
dispositivo adecuado para operaciones
de alta frecuencia.

general permite la generacin de par

electrn-hueco
profundo
en
el
dispositivo. Esto aumenta la eficiencia
cuntica de la clula.
Fig.2 Fotodiodo Pin

Normalmente, las clulas de silicio de

pelcula delgada amorfa utilizan
estructuras PIN. Por otro lado, las
clulas de CdTe utilizan estructura NIP,
una variacin de la estructura PIN.

Fig.1
Diodo Pin
C.

Clula fotoelctrica y fotovoltaica

Fotodiodos PIN se utilizan en las

tarjetas de red de fibra ptica y los
interruptores. Como un fotodetector, el
diodo
PIN
est
polarizado
inversamente. En polarizacin inversa,
el diodo normalmente no realiza. Un
fotn entrar en la regin intrnseca
libera un portador. El campo de
polarizacin inversa barre el portador
fuera de la regin y crea una corriente.
Algunos detectores pueden usar la
multiplicacin de avalancha.
La clula fotovoltaica PIN funciona en
el mismo mecanismo. En este caso, la
ventaja de utilizar una estructura PIN
por
unin
semiconductora
convencional es la respuesta de
longitud de onda ms larga de la
primera. En caso de irradiacin de
longitud de onda larga, los fotones
penetran profundamente en la clula.
Pero slo los pares electrn-hueco
generados en y cerca de la regin de
agotamiento
contribuyen
a
la
generacin actual.
La regin de agotamiento de una
estructura PIN extiende a travs de la
regin intrnseca, profundamente en el
dispositivo. Esta anchura agotamiento

En una estructura de NIP, una capa

intrnseca CdTe se intercala por ndopado CdS y p-dopado CnTe. Los
fotones inciden sobre la capa de ndopado a diferencia de un diodo PIN.
Un fotodiodo PIN tambin puede
detectar los rayos X y gamma, fotones
de rayos.
III. DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA
Equipos a usar
Oscilador Gunn
Consiste en una cavidad de alto Q con un
diodo Gunn en su interior, y un
cortocircuito variable que determina la
frecuencia de oscilacin, siempre dentro de
la banda X (8,5 10,5GHz). El diodo
Gunn tiene una zona de resistencia
dinmica negativa, por lo que oscila.
Fuente de alimentacin Gunn
Est diseada para alimentar a un oscilador
Gunn con la necesaria potencia continua.
Aislador
Permite el paso de potencia de microondas
en un sentido casi sin atenuacin y lo
impide en el sentido contrario.
Trabaja en el rango de frecuencias
comprendido entre 8,5 y 9,6GHz. Se basa
en la deformacin no reciproca que
experimenta el campo elctrico causada
por una barra de ferrita magnetizada.

 Transicin Gua de onda coaxial

La funcin de una transicin gua / coaxial
de medicin es la de transferir una seal
microondas que llega de un coaxial de
medicin hacia una gua de ondas, o de
una gua de ondas hacia un coaxial de
medicin.

5
6

PIN - modulador
El diodo
PIN
es
adecuado
para

del diodo detector con el

modulador PIN instalado.
Registrar las componentes de
voltaje AC (1Khz) de las seales
del diodo detector con el
voltmetro selectivo de frecuencia.
Medir las caractersticas del
modulador Gunn.
Caractersticas de la Gua de
Onda.
Caractersticas de la Cavidad
Gunn.

atenuadores,
interruptores
rpidos,
fotodetectores,
y
aplicaciones
de
electrnica de potencia de alta tensin.
Utilizado como modulador de amplitud de
alta frecuencia.
Detector coaxial
Utilizado en circuitos de proteccin para
moduladores de alta frecuencia.

Fig.3 Circuito implementado

III. DATOS OBTENIDOS

Circuito a implementar

Fig.2 Montaje experimental

Procedimiento:
1 Implementar el arreglo segn el
circuito
a
implementar
inicialmente sin modulador PIN.
2 Hacer las mediciones sin el
modulador PIN.
3 Mediciones de la curva de voltaje
con respecto al tiempo del voltaje

Tabla 1.1 Parmetros para las

caractersticas del voltaje del diodo
detector y su dependencia en la
modulacin de voltaje.

Tabla.1.1 Voltaje UD

Voltaje del Diodo

UD
Modulador PIN
removido

^ DO

= 6.15

De los resultados obtenidos

en
la
pregunta
1
V
observamos
que
la
relacin
Con modulador
UOFF= 0.1 V
de potencia para el estado
PIN
ON es alta (cercana a la
^ ON
U pin=0.8V

= 5.53 unidad) lo que indica que

casi toda la potencia que
V
entrega el diodo PIN est
^ ON
U pin=0.7V

siendo
transmitida
y
= 5.24
solamente un pequeo
V
porcentaje
se
pierde;
U
(V)
10log(
^N/ONN,0) en
Upinpinen
=0.6V
tambin
observamos que
= 4.0
(dB)
en el
estado
"OFF" la
0.8
V 0
relacin de potencia es
^ ON
0.7
-0.2339
U pin=0.5V

muy pequea (cercana a

= 1.16
0.6
-1.4066
cero) lo cual indica que en
Tabla.1.2 Dependencia
V
este estado no se transmite
de los voltajes
0.5
-6.7827
^ ON
casi nada de potencia; con
U pin=0.4V

0.4
-8.3964
= 0.8
estos 2 estados, donde en
0.3
-7.4709
uno de ellos transmite
V
0.2
-7.2988
^
U pin=0.3V
ON = 0.99 potencia y en el otro no
0.1
-7.2569
transmite
potencia
IV.
concluimos
que
el
CUESTIONARIO
V
modulador
PIN
trabaja
^
U pin=0.2V
ON = 1.03
como un interruptor que se
1) Bajo la asuncin
controla electrnicamente
de caracterstica de
V
dependiendo del nivel de
ley cuadrtica del U =0.1V
^ ON

pin
= 1.04
potencia que se le est
diodo
detector
dando. Por lo tanto
determine la potencia
V
podemos afirmar que el
PON en el estado
modulador PIN es un buen interruptor de
ON del modulador PIN que se
microondas electrnicamente controlable.
transmite a travs del modulador PIN y
la potencia POFF transmitido en el
3) Determine la diferencia de voltaje ONestado OFF y comparar cada valor
con la potencia relativa Po transmitida
OFF en funcin del voltaje de modulacin
cuando se quita el modulador PIN. Base
PIN y dibuje esta funcin.
sus clculos en el voltaje ms alto (
pin=0.9 V).
Tabla 1.2
Dependencia de las
componentes de
voltaje AC de 1kHz
N de la sea del diodo
detector sobre el
voltaje de
modulacin. (Con
referencia a la
amplitud N,0 para PIN
= 0.8V)

^ ON 5.53 V
P ON
=
=
=0.8992
^ DO 6.15 V
PO
^ OFF 0.1 V
P OFF
=
=
=0.01626
^ DO 6.15 V
PO

2) De acuerdo con los resultados de la

pregunta 1 discuta la conveniencia del uso
del modulador PIN como un interruptor
de
microondas
electrnicamente
controlado.

Item

Tensin
Corriente
(voltios)
(mA)
1
0
0
2
0.5
31
3
1
76
4
1.5
112
5
2
136
6
2.5
156
7
3
168
8
3.5
172
9
4
176
10
4.5
160
11
5
160
12
5.5
156
13
6
152
14
6.5
144
15
7
140
^
U
en
pin

ON

OFF
16
7.5
136
(V)
17
8
136
5.43
18 0.8
8.5
132
19 0.7
9
132
5.14
20 0.6
9.5
3.9128
0.5
1.06
0.4
0.7
0.3
0.89
0.2
0.93
0.1
0.94

Tabla.2
Diferencia
de voltajes

Ahora

-2
-3
10log(N/ N,0) en dB

-5
-6.78
-7.26
-7.3
-7.47
-7
-8

-8.4

-9

PIN

Grfica 2 Dependencia de voltajes vs

Upin

graficamos
ON-OFF
en funcin
de PIN

5) Discuta la relacin cualitativa entre

PIN y ON-OFF
La relacin entre estos valores podemos
observarla en la grafica de la pregunta
nmero 3, donde
notamos que para
valores bajos de UPIN (<0.5) vemos que
se forma una lnea casi recta lo que indica
que el ON es prcticamente igual al
OFF. Sin embargo, vemos el cambio que
ocurre al pasar el PIN a un valor mayor
que el de 0.5, pues los valores incrementan
haciendo que el ON sea bastante mayor
que el OFF.

3
2

-4
-6

3.9

-1.41 1
0.5

-1 0

5.43
5.14

0
-0.23

ON-OFF (V)

4) Dibuje la curva del valor mostrado en

el voltmetro selectivo de frecuencia (tabla
1.2) en funcin de PIN

1.06
0.94
0.93
0.89
0.7

Tabla 3 Tensin y corriente

0
0

0.2 0.4 0.6 0.8

PIN (V)

6) Graficar los valores corriente versus

tensin del oscilador Gunn.
Ahora graficamos los datos de la tabla:

Grfica 1 Diferencia de voltajes vs

Upin

200

c
f c=
2

150
Corriente (I)

100

f c=

50

m 2 n
+
a
b

)()

3 10 8
2

0
0

Tension (V)

10

2
1
0
+
0.0226
0.0102

) (

f c =6.63GHz
Frecuencia de resonancia:

Grfica 3 Curva del oscilador Gunn

DATOS ADICIONALES
Hallaremos las frecuencias de corte y
resonancia con las dimensiones de la
cavidad de la gua de onda.

Utilizaremos la ecuacin para hallar la

frecuencia de resonancia, tomando los
valores para los modos:
m=1
n=0
p=1

f c=

c
2

f R=

m 2 n 2 p 2
+
+( ) =
a
b
d

)()

3 10 8
2

2
2
1
0
1
+
+
0.0226
0.0102
0.0265

)(

)(

f R =8.723GHz
Los valores de a, b y d medidos en el
laboratorio son:
a
0.0229m

b
0.0102 m

d
0.0265

Frecuencia de corte:
Es la mnima frecuencia de operacin que
posee una gua de onda. Las frecuencias
por debajo de la frecuencia de corte no
sern propagadas por la gua de onda.
Utilizaremos la ecuacin para hallar la
frecuencia de corte, tomando los valores
para los modos TE
m=0
n=1

IV. CONCLUSIONES
Verificamos el funcionamiento del
modulador PIN como conmutador
dados los marcados estados de ON y
OFF que obtuvimos comparando los
valores de potencia que se le entrega
con los resultantes.
Sin modulador se observ un voltaje
constante en el detector pero con
modulador se observ una serie de
pulsos. Adems se obtuvo las curvas
caractersticas del diodo PIN

V. ANEXO

Fig.4 Hoja de datos

VI. BIBLIOGRAFIA

[1] G.Hiller: Design with PIN-Diodes, RF

design, March/April and May/June 1979
[2] E.A. Wolf, R Kaul: Microwave and system
application, Wiley & Sons, New york, 1988
[3]docsetools.com/artculos_informativos/a

rticle_648.html
[4] R.V. Garver: Microwave Diode Control
Devices Artech House, Deadham (MA) 1976
[5]www.aliatuniversidades.com.mx/.../Dis

positivos_electronicos-Parte2.pdf