INFORME DE LABORATORIO Nro.

02
EL TRANSISTOR BJT EN CORTE Y SATURACIN

I.

OBJETIVOS
Identificar los terminales tanto en transistores NPN y PNP
Polarizar de forma correcta un transistor UJT
Experimentalmente entender el funcionamiento del transistor UJT en corte y
saturacin.

II.

MATERIALES Y EQUIPO

1 Multmetro digital Marca Elenco M-1940.

1 transistor BC548 o 2N2222
1 resistencia de 10 K,
1 resistencia de 470 ,
1 condensador electroltico de 100 uF * 40 V
1 pulsador normalmente abierto (NA)

III.

PROCEDIMIENTO
EXPERIENCIA 1: IDENTIFICACIN DE TERMINALES DE TRANSISTORES NPN Y PNP

1. Despus de haber puesto atencin al profesor como identificar los terminales (pines)
del transistor; Tome un transistor PNP y usando el multitester en la escala de ms baja
resistencia identifique la base (B), colector (C) y emisor (E) respectivamente.

Tipo: PNP

0,698

0,685

633

644

Ganancia (): 153

Tipo: NPN
Ganancia (): 254

EXPERIENCIA 2: EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR ELECTRNICO

1. Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe
tener un valor bajo y alto para lograr que el transistor entre en corte y otro para que
entre en saturacin respectivamente.
Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mnima (prcticamente
igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) mximo (casi igual al voltaje de
alimentacin).
Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic) mxima y un voltaje
colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios).
En el circuito siguiente la corriente de colector en saturacin (IS) es dada por:

Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser
bajo, en la prctica es cero.

2. Implementar el circuito de la fig. 01. Cierre S1 el LED deber estar apagado.

3. Presione y suelte el pulsador, el LED deber prender y se ir apagando lentamente. A

qu se debe esto? Explique
Se debe a que cuando se cierra el circuito, el condensador almacena corriente
haciendo que el transistor se active o desactive y har que la corriente llegue al LED
a medida que el condensador se cargue.

4. Retire el condensador e implemente el circuito de la fig. 02

5. Presione y suelte el pulsador, el LED deber prender y apagarse. A qu se debe esto?

Explique
El pulsador permite el paso directo de la corriente hacia el LED, por lo que el LED se
enciende o se apaga directamente.
6. Con el multitester en la escala de corriente mida la corriente de saturacin; as mismo
la tensin colector-emisor (VCE). Anote el resultado.
= = 0,86
= 2,06( )
= 1,02(sin )
7. Calcule tericamente la corriente de saturacin Is, en base al paso 4. Y comprelo con
el valor experimental.
=

6 1,02 2,06
=
+
0 + 470
= 5,8

IV. INFORME FINAL

1. Describa el mtodo de identificar los pines de transistores NPN y PNP usando un
multitester analgico.
Al colocar las puntas de prueba, positivo en uno
del transistor y negativo en el otro extremo, ste nos da un valor.

de

los

pines

Vemos que al mantener la Punta de Prueba Positiva en el mismo pin y colocamos

la Punta de Prueba Negativa en el pin central, el instrumento nos da un valor distinto
y menor que la medicin anterior.
Vemos que al colocar las puntas de prueba, negativas en uno de los pines del
transistor y positivas en el otro extremo el instrumento nos da un valor infinito.
Vemos que al mantener la Punta de Prueba Negativa en el mismo pin y colocamos
la Punta de Prueba Positiva en el pin central, el instrumento nos sigue dando un valor
infinito.
Los resultados de stas pruebas nos estn demostrando algo que es primordial,
especialmente en la medicin de un TRANSISTOR de Silicio Bipolar y es la
identificacin individual de cada uno de los pines. Tienen en comn la Punta de
Prueba POSITIVA, y recordando que las junturas de un TRANSISTOR tienen en comn
la BASE, ya tenemos identificado el primer pin.
Por norma natural de las junturas la base emisor es mayor.
2. Qu significa que el transistor trabaje como insulador y como conductor?
Insulacin
La grafica muestra al transistor en su efecto de cambio cuando el transistor est
hecho para alterar su estado de inicio de conductividad (prendido, la corriente al
mximo) a su condicin final de insulacion (apagado y sin flujo de corriente). La
corriente fluye desde el emisor (punto E) al colector (punto C). Cuando un voltaje
negativo se le aplica a la base (punto B), electrones en la regin base son empujados
(como dos cargas que se repelan, en este caso dos negativas) creando la insulacion.
La corriente que flua desde el punto E al punto C se detiene.

 Conductividad
La grafica muestra el efecto del transistor cuando pasa de su estado de insulacin
(apagado y sin flujo de corriente) a su estado final de conductividad (prendido, la
corriente al mximo). El transistor trabaja al principio como un insulador. Para que
pueda tener conductividad, voltaje positivo tiene que ser aplicado a la base (punto
B). Como las cargas positivas se atraen (en este caso, positivo y negativo), los
electrones se halados fuera de los lmites y deja que siga el flujo de corriente como
lo muestra la figura. El transistor se cambi de insulador a conductor.

3. Investigue brevemente acerca de transistores moleculares.

Transistores moleculares.- La electrnica molecular busca desarrollar un reemplazo
de tamao molecular para los dispositivos semiconductores actuales. Utilizando
molculas de dimensiones inferiores a un nanmetro se podra aumentar ms de mil
veces el nmero de componentes en un circuito integrado. Recientemente se ha
logrado construir transistores moleculares en los cuales se conecta una molcula
entre dos electrodos metlicos, emisor y colector, y se utiliza un tercer electrodo
como compuerta (ver Figura 1). La corriente que circula entre el emisor y el colector
puede ser alterada modificando las propiedades de la molcula con el electrodo de
compuerta. En estos transistores, el elemento activo es una molcula, por lo que el
comportamiento electrnico es cualitativamente diferente al de sistemas

macroscpicos y no puede ser deducido a travs de una simple ley de escala del
comportamiento de estos ltimos. El confinamiento electrnico, las interacciones en
la molcula y el acoplamiento de los electrones a las vibraciones moleculares dan
lugar a una rica variedad de fenmenos fsicos. En lo que sigue, para simplificar el
anlisis, se consideran dispositivos a temperaturas muy bajas (ms estrictamente el
cero absoluto: 0 grados Kelvin o 273,15 grados centgrados bajo cero). Sin embargo,
dicho caso da una idea cualitativa de lo que sucede a temperaturas mayores. Para
comprender el transporte a travs de una molcula, es necesario analizar primero
cmo se comportan los electrones en ella. Niels Bohr present en 1913 una teora,
precursora de la mecnica cuntica, segn la cual los electrones realizan rbitas
alrededor del ncleo del tomo indicando que slo algunas rbitas estn permitidas
y que cada una tiene una energa bien definida. Aunque su teora fue ms tarde
mejorada, sirve para hacerse una idea cualitativa de lo que sucede con los electrones
tanto en tomos como en molculas. Los electrones slo pueden estar en ciertos
orbitales que tienen una energa bien definida. Esta cuantizacin de los niveles de
energa electrnicos en una molcula tiene consecuencias directas para el paso de
los electrones a travs de la misma. En la Figura 1 (al centro) se presenta un esquema
donde se indican con lneas horizontales los niveles de energa electrnicos
asociados a los orbitales de una molcula, y con flechas los electrones que los
ocupan. Una molcula aislada tiene un nmero de electrones N que se reparten
entre los orbitales moleculares de manera tal que los orbitales que tienen las
energas ms bajas se llenan primero. Una restriccin importante es la que impone
el principio de exclusin de Pauli, que implica que puede haber hasta dos electrones
en cada orbital. Los metales que sirven de electrodo tambin tienen estados
cunticos con sus respectivas energas. Mientras que en la molcula los niveles de
energa estn en general bien separados, en los metales hay una densidad mucho
mayor de niveles. Nuevamente, los niveles de ms baja energa son los que van a
estar ocupados. La energa del ltimo nivel ocupado (el de ms alta energa) es
comnmente llamada energa de Fermi. Los electrodos son como dos mares llenos
de electrones hasta cierto nivel (el nivel de Fermi). El transistor molecular funciona
como un sistema de vasos comunicantes, de modo que si se aumenta el nivel de
llenado del electrodo emisor, los electrones van a fluir pasando por la molcula hacia
el colector hasta que se igualen los niveles. Supongamos que se quiere pasar un
electrn del emisor al colector en el transistor. Es necesario entonces sacarlo de un
nivel ocupado del emisor, ponerlo en un orbital desocupado de la molcula y de ah
pasarlo a un nivel desocupado del colector. Eso parece siempre posible, sin embargo
hay una restriccin muy importante que no hemos mencionado an: la conservacin
de la energa. Para que se conserve la energa, el electrn que sacamos de un nivel
del emisor tiene que terminar en un nivel que tenga la misma energa en el colector.
Eso slo es posible para un electrn que est exactamente en el nivel de Fermi ya
que todos los estados por debajo del mismo estn ya ocupados y no hay electrones
disponibles en el emisor por encima del mismo. Adems, para que el electrn pueda
pasar por un nivel electrnico del orbital molecular, el nivel va a tener que estar
alineado con el nivel de Fermi de los electrodos. En general esto no va a ocurrir

naturalmente y por lo tanto la corriente va a ser baja. Como mencionamos

previamente, el sistema de vasos comunicantes indica que si un nivel de la molcula
est por debajo del nivel de Fermi (la energa de llenado de los electrodos), dicho
nivel va a estar ocupado, mientras que si est por encima del mismo, va a estar vaco.
Tambin sabemos que si se acerca un electrodo con potencial positivo a la molcula,
los electrones se van a sentir atrados hacia la misma y su carga va a aumentar, y lo
contrario va a ocurrir si se pone un potencial negativo en dicho electrodo. Esto quiere
decir que cambiando el potencial del electrodo de compuerta se puede hacer pasar
un nivel de la molcula a travs del nivel de Fermi, y de esa forma obtener un pico
en la corriente (ver Figura 1, derecha). Vemos que, de esta forma, el transistor
molecular funciona como un interruptor en el que se puede regular el paso de la
corriente con el potencial de compuerta. En la situacin que analizamos la molcula
estaba muy dbilmente conectada a los electrodos, si la conexin es mejor, se van a
producir picos ms anchos en la corriente como funcin del voltaje de compuerta.
Los efectos cunticos hacen que la conductancia (la inversa de la resistencia) de la
molcula tome un valor muy especial. Si consideramos que los electrones pasan a
travs de un solo nivel molecular, la corriente I es proporcional al voltaje I=GV, y la
conductancia mxima en uno de los picos es e2 /h, donde e es la carga del electrn
y h la constante de Plank. Lo llamativo de este resultado es que es independiente de
las caractersticas de la molcula y slo depende de constantes universales. Si la
corriente pasa a travs de n niveles moleculares, la conductancia mxima es n e2/ h,
un efecto llamado cuantizacin de la conductancia

Figura 1. Izquierda: transistor molecular, los electrones saltan a la molcula desde el

emisor. Centro: niveles de energa de la molcula y de los electrodos. Las flechas
representan electrones ocupando los orbitales moleculares. Derecha: corriente a
travs de la molcula en funcin del voltaje de compuerta.

4. En qu ao se invent el transistor y a quien se le atribuye la invencin?

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en
diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford
Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue
el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo.

 El transistor de efecto campo fue patentado antes que el transistor BJT (en 1930),
pero no se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados
transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor o
fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo elctrico
establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo Metalxido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente
compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa
CMOS (Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos
diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y
consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.
5. Que utilidades puede describir en la utilizacin del transistor en la Ing. Mecnica
Muchos transistores microscpicos trabajan dentro de una computadora para
calcular y transmitir cdigos binarios a otros transistores. Los transistores trabajan
como un grupo denominado circuito integrado.
Las mejoras y nuevos usos de los transistores ayudaron a la causa de la exploracin
espacial. Con su uso en computadoras, comunicaciones e interruptores, el transistor
hizo posible el lanzamiento de un ser humano a la luna y pusieron en la rbita
terrestre grandes telescopios que nos ayudan a estudiar el universo.
6. Dibuje un circuito a base de transistor para activar mediante la ECU del automvil el
ventilador del motor cuando este ha sobrepasado su temperatura ptima.

V. CONCLUSIONES
Concluimos que en la configuracin emisor comn se obtienen elevadas ganancias de
tensin y corriente, hacindolo el circuito ideal para amplificacin de pequeas
seales.
El condensador en el circuito cumple la funcin de regular la cantidad de corriente al
momento de presionar el pulsador.

VI. OBSERVACIONES
Se encuentra que cuando se realiza el diseo del circuito es conveniente que el valor
de la resistencia no sea excesivamente alta para dar estabilidad al circuito y observar
claramente si se enciende el LED.

UNIVERSIDAD NACIONAL
JORGE BASADRE GROHMANN
FACULTAD DE INGENIERIA
ESCUELA ACADEMICA PROFESIONAL DE INGENIERIA
MECANICA

NOMBRE DEL CURSO:

Ingeniera Electrnica.

TITULO:

Informe de Laboratorio

TEMA:

El Transistor BJT.

PROFESOR:

Ing. Alberto Cohaila Barrios.

CODIGO

2010 - 34791

NOMBRE:

Carlos A. Gonzales Saire.

AO:

Quinto.

TACNA PER
2015 - IS