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carga espacial no catodo, a qual ter que ser removida (ou se recombinar) para permitir
a passagem para o estado bloqueado do diodo.
O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito
diferente do de uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.1. No desligamento,
a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que se possa reiniciar a
formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores transitando, o
diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve diminuio da queda
hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi retirado o excesso de
portadores, iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente,
associada s indutncias do circuito, provoca uma sobre-tenso negativa.
Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos,
enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos.
O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao
fato de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de
sobretenses produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde
circula tal corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos
"soft-recovery", nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de
tenso gerados.
Em aplicaes nas quais o diodo comuta sob tenso nula no se observa o
fenmeno da recombinao reversa.
anodo ou fazendo-se com que esta tenso resulte a um valor menor que o necessrio
para proporcionar a existncia da corrente mnima de manuteno.
Circuitos e aplicaes
A seguir apresentamos circuitos prticos com tiristores.
b) Desligamento
O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa.
O uso de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da
capacitncia de entrada.
Como os MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de
armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP.