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Diodos de Potncia

Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de


tenso e de corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Detalhes de
funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos
para componentes de maior potncia, caracterizados por uma maior rea (para permitir
maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A
figura 1.1 mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.

Figura 1 Estrutura bsica de um diodo semicondutor


Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial
aparecer na regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor
muito maior que a do restante do componente (devido concentrao de portadores).
Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tenso
negativa no anodo (regio P) e positiva no catodo (regio N), mais portadores positivos
(lacunas) migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da regio de
transio aumenta, elevando a barreira de potencial.
Por difuso ou efeito trmico, uma certa quantidade de portadores minoritrios
penetra na regio de transio. So, ento, acelerados pelo campo eltrico, indo at a
outra regio neutra do dispositivo. Esta corrente reversa independe da tenso reversa
aplicada, variando, basicamente, com a temperatura.
Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potncia um pouco diferente
desta apresentada. Existe uma regio N intermediria, com baixa dopagem. O papel
desta regio permitir ao componente suportar tenses mais elevadas, pois tornar
menor o campo eltrico na regio de transio (que ser mais larga, para manter o
equilbrio de carga).
Esta regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa
caracterstica resistiva quando em conduo, a qual se torna mais significativa quanto
maior for a tenso suportvel pelo componente. As camadas que fazem os contatos
externos so altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com
caracterstica hmica e no semicondutor.
O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo
criar campos eltricos mais suaves (evitando o efeito de pontas).
No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor,
cuja carga aquela presente na prpria regio de transio.
Na conduo no existe tal carga, no entanto, devido alta dopagem da camada
P+, por difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-. Alm disso, medida
que cresce a corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons
venham da regio N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma

carga espacial no catodo, a qual ter que ser removida (ou se recombinar) para permitir
a passagem para o estado bloqueado do diodo.
O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito
diferente do de uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.1. No desligamento,
a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que se possa reiniciar a
formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores transitando, o
diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve diminuio da queda
hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi retirado o excesso de
portadores, iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente,
associada s indutncias do circuito, provoca uma sobre-tenso negativa.
Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos,
enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos.
O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao
fato de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de
sobretenses produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde
circula tal corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos
"soft-recovery", nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de
tenso gerados.
Em aplicaes nas quais o diodo comuta sob tenso nula no se observa o
fenmeno da recombinao reversa.

Figura 2. Estrutura tpica de diodo de potncia.e


Formas de onda tpicas de comutao de diodo de potncia.
Diodos Schottky
Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em contato
direto com um semicondutor, como indicado na figura 1.3. O metal usualmente
depositado sobre um material tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores
neste tipo de material. A parte metlica ser o anodo e o semicondutor, o catodo. Numa
deposio de Al (3 eltrons na ltima camada), os eltrons do semicondutor tipo N
migraro para o metal, criando uma regio de transio na juno.
Note-se que apenas eltrons (portadores majoritrios em ambos materiais) esto
em trnsito. O seu chaveamento muito mais rpido do que o dos diodos bipolares, uma
vez que no existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessrio
apenas refazer a barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A regio N+ tem uma

dopagem relativamente alta, a fim de reduzir as perdas de conduo, com isso, a


mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca de 100V. A aplicao deste tipo de
diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tenso, nas quais as quedas sobre os
retificadores so significativas.
Na figura 3.(b) tem-se uma forma de onda tpica no desligamento do
componente. Note que, diferentemente dos diodos convencionais, assim que a corrente
se inverte a tenso comea a crescer, indicando a no existncia dos portadores
minoritrios no dispositivo.

Figura 3 - (a) Estrutura de diodo Schottky; (b) Forma de onda tpica no


desligamento. Canal 1: Corrente; Canal 2: tenso vak
Aspectos Gerais: Tiristores

Tiristores so dispositivos de estado slido que fazem parte da famlia dos


semicondutores, usam realimentao interna para produzir operaes de chaveamento,
So dispositivos biestveis que podem ser chaveados do corte para a conduo e vice
versa. Para iniciar seu estudo conveniente o conhecimento dos seguintes termos
relacionados com a corrente alternada senoidal, mostrados na figura 01, quais sejam:
a) Wt: velocidade angular do gerador de corrente alternada;
b) W1: ngulo de disparo do tiristor "SCR" (ngulo a partir do qual o dispositivo
comea a conduzir);
b) W2: ngulo de conduo (ngulo durante o qual o dispositivo est em
funcionamento);
c) W3: ngulo de corte (ngulo a partir do qual o tiristor deixa de conduzir).

Figura 4 - Tiristor e formas de ondas na entrada, na carga e pulso de disparo.


SCR ou RCS.(Retificador Controlado de Silcio)

Tiristor que atua com um nico sentido de conduo da corrente eltrica


(unidirecional). Caracteriza-se pela comutao entre dois estados o estado de conduo
ou o estado de corte ou bloqueio. A corrente aplicada nos seus terminais pode se
proveniente de uma fonte CC ou CA. A sua estrutura bsica parte de quatro camadas
semicondutoras, sendo duas de material semicondutor tipo "P" e duas de semicondutor
tipo "N", conforme mostra a estrutura abaixo.

Figura 5 - Smbolo, estrutura e circuito equivalente do SCR.

Funcionamento - Os SCR no so construdos para operar com tenso de


avalanche direta, so projetados para fechar por meio de disparo e abrir por meio de
baixa corrente. Em outras palavras, Um SCR permanece aberto at que um disparo
acione sua porta (gate). Ento o SCR trava e permanece fechado (conduzindo) mesmo
que o disparo desaparea. A nica forma de abrir um SCR. por meio de um
destravamento por baixa corrente. Na prtica feito desligando-se a alimentao entre o

anodo ou fazendo-se com que esta tenso resulte a um valor menor que o necessrio
para proporcionar a existncia da corrente mnima de manuteno.

Observando-se o circuito equivalente, fazendo-se uma anlise da polarizao dos


transistores, chega-se a concluso que aps um pulso no gate (porta), o transistor que
satura condiciona o outro a permanecer saturado mesmo que o pulso que provocou o
disparo seja retirado.

Curva caracterstica do SCR


Curva caracterstica - A curva caracterstica do SCR exibe no primeiro quadrante
alguns valores para a tenso anodo/catodo (Va-k) e respectivas correntes de gate (Ig) em
polarizao direta. No terceiro quadrante exibe a curva de corrente na polarizao de
tenso reversa mxima (Vr mx).

Figura 6 - Curva caracterstica do SCR.


Mtodos para evitar disparos indesejado - Dois mtodos se destacam para evitar
disparos indesejado no SCR, so eles o resistor de gate, conectado entre o gate e o
catodo para desviar parte da corrente capacitiva e o snubber que amortece as variaes
bruscas de tenso entre anodo e catodo.

Figura 7 - Circuito para evitar disparo indesejado no SCR.

DIAC- ("Diode Alternating Courrent" ou Diode de Corrente Alternada)

um dispositivo semicondutor constitudo de dois terminais, funcionando como


um diodo bidirecional, passa do bloqueio conduo com qualquer polaridade de
tenso aplicada aos seus terminais.

Figura 8 - Smbolo, estrutura e circuito teste do DIAC.

Curva caracterstica - A curva caracterstica do DIAC exibe no primeiro e


terceiro quadrante as mesmas caractersticas de tenso e corrente. possuem a mesma
corrente de engate ou tranca (Il) em qualquer das duas direes conforme mostra a
figura abaixo.

Figura 9 - Smbolo, estrutura e circuito equivalente do SCR.

Funcionamento - O DIAC conduz quando a tenso em seus terminais excede o


valor da avalanche direta em qualquer sentido, aps o disparo o dispositivo conduz e a
tenso passa de um valor de disparo para um valor inferior (VH), onde se mantm
enquanto o DIAC conduz. Uma vez conduzindo a nica forma de abri-lo por meio de
um desligamento por baixa corrente, ou seja, reduzindo a corrente abaixo de um valor
especificado para o dispositivo.

TRIAC - ("Triode Alternating Courrent" ou Triodo de Corrente Alternada)

um dispositivo que atua nos dois sentidos de conduo da corrente eltrica


(bidirecional), o pulso de disparo pode ser positivo ou negativo. O TRIAC tem as
mesmas caractersticas bsicas de comutao que o SCR, porm, exibe estas
caractersticas em ambas as direes, Isto proporciona aos TRIACs maior simplicidade
mantendo eficincia, na elaborao de circuitos controladores de potncia em onda
completa.
Funcionamento - Os TRIACs assim como os SCRs, no so construdos para
operar com tenso de avalanche direta, so projetados para fechar por meio de disparo e
abrir por meio de baixa corrente. Porm, exibe as mesmas caractersticas de corrente e
tenso nas duas direes. O dispositivo ativado quando submetido a uma corrente de
gate suficientemente alta e desativado pela simples reduo de sua corrente andica
abaixo do valor de manuteno (IH).

Figura 10 - Smbolo, estrutura e circuito teste do TRIAC.

Curva Caracterstica do TRIAC


Curva caracterstica - A curva caracterstica mostra a corrente atravs do TRIAC,
resultado da avalanche quando uma tenso de ruptura (VBO) aplicada entre os
terminais anodo 1 e anodo 2. A avalanche ocorre quando a tenso entre os terminais A1
e A2 eleva-se a ponto de desenvolver uma corrente interna suficiente alta para provocar
a conduo do dispositivo.

Figura 11 - Curva caracterstica do TRIAC.

Circuito bsico e formas de ondas - A figura seguinte mostra um controlador de


potncia e o circuito de disparo representado em bloco. Do lado esquerdo esto
representadas as formas de ondas: da corrente alternada que alimenta o circuito, dos
pulsos de disparo do TRIAC e da carga.

Figura 12 - Circuito com TRIAC e formas de ondas de entrada, de disparo e na


carga.

Circuitos e aplicaes
A seguir apresentamos circuitos prticos com tiristores.

Figura 13 - Circuito Controlador de onda completa com SCR.

Figura 14 - Circuito Controlador de Potncia com TRIAC.

Figura 15 - Circuito Disparador Monofsico Sincronizado com a Rede.


MOSFET

Atualmente no existem transistores MOSFET para aplicaes em potncias


mais elevadas. Os componentes disponveis tem caractersticas tpicas na faixa de:
1000V/20A ou 100V/200A. Sua principal vantagem a facilidade de acionamento, feita
em tenso, e a elevada velocidade de chaveamento, tornando-o indicado para as
aplicaes de freqncia elevada (centenas de kHz).

Princpio de funcionamento (canal N)


O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO2. A juno PN- define um
diodo entre Source e Drain, o qual conduz quando Vds<0. A operao como transistor
ocorre quando Vds>0. A figura 16 mostra a estrutura bsica do transistor [3.12].

Quando uma tenso Vgs>0 aplicada, o potencial positivo no gate repele as


lacunas na regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando
esta tenso atinge um certo limiar (Vth), eltrons livres (gerados principalmente por
efeito trmico) presentes na regio P so atrados e formam um canal N dentro da regio
P, pelo qual torna-se possvel a passagem de corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais
portadores so atrados, ampliando o canal, reduzindo sua resistncia (Rds), permitindo
o aumento de Id. Este comportamento caracteriza a chamada "regio resistiva".
A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu
afunilamento, ou seja, o canal mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando
se liga regio N-. Um aumento de Id leva a uma maior queda de tenso no canal e a
um maior afunilamento, o que conduziria ao seu colapso e extino da corrente!
Obviamente o fenmeno tende a um ponto de equilbrio, no qual a corrente Id se
mantm constante para qualquer Vds, caracterizando a regio ativa do MOSFET. A
figura 17 mostra a caracterstica esttica do MOSFET,

Figura 16. Estrutura bsica de transistor MOSFET.


Caracterstica de chaveamento - carga indutiva
a) Entrada em conduo (figura 18)

Ao ser aplicada a tenso de acionamento (Vgg), a capacitncia de entrada


comea a se carregar, com a corrente limitada por Rg. Quando se atinge a tenso limiar
de conduo (Vth), aps td, comea a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df
se mantm em conduo e Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a
reduo de Vds ocorre um aparente aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do
transistor (efeito Miller), fazendo com que a variao de Vgs se torne muito mais lenta
(em virtude do "aumento" da capacitncia). Isto se mantm at que Vds caia, quando,
ento, a tenso Vgs volta a aumentar, at atingir Vgg.

Figura 17. Caracterstica esttica do MOSFET.


O que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que drena
corrente do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia
dentre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e
dreno. A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de
acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que
Cgd esteja descarregado.

b) Desligamento
O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa.
O uso de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da
capacitncia de entrada.
Como os MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de
armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP.

Figura 18 - Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga


indutiva.

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