Laboratorio de Dispositivos Electrnicos

I. TEMA: CARACTERSTICAS BSICAS DEL DIODO

SEMICONDUCTOR (SILICIO Y GERMANIO).

II. OBJETIVOS:
1. Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.

III. INTRODUCCION TEORCA:

DIODO
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la
circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido.
Debido a este comportamiento del diodo, se les suele denominar rectificadores,
ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier
seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente
continua.
DIODO PN UNIN PN:
En un diodo cuando la zona P como la zona N, son neutros (cuando tienen el
mismo nmero de electrones que de protones). Al unir un semiconductor tipo N
con uno tipo P se origina un flujo de electrones a travs de la unin PN. Los
electrones libres (del semiconductor N) se unen a los hueco (del cristal P)
formndose un in positivo en N y uno negativo en P.
Esto origina una tensin de difusin que se opone al flujo de electrones a
travs de la unin. Esta tensin ir aumentando con el paso de ms electrones
de N hacia P, hasta llegar un punto que imposibilita el paso de ms electrones.
Al valor de la tensin en este momento se le llama barrera de potencial o
tensin umbral, (aproximadamente 0,7 V para diodos de Silicio, y de 0,3 V para
diodos de Ge). En la zona prxima a la unin PN aparece la llamada zona
de deplexin, en la cual no existen portadores de carga libres libres.

Polarizacin directa:
Conectando el borne positivo (ctodo) de la fuente a la zona P, y el borne
negativo (nodo) a la zona N. Al aplicar tensin directa, se reduce la barrera de
potencial de la unin, ya que la tensin aplicada impulsa a los electrones de N
y huecos de P hacia la unin (estrechando la zona de deplexin). Por tanto, los
electrones tienden a cruzar la unin de N a P y los huecos en sentido

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opuesto. Si la tensin de la fuente es mayor que la tensin umbral, el diodo
conducir la electricidad a su travs.

Polarizacin inversa:
Conectando el borne positivo (ctodo) de la fuente a la zona N y el borne
negativo (nodo) a la zona P. Debido a la polarizacin de la batera, los
electrones y los huecos se encuentran atrados hacia los extremos del diodo,
alejados de la unin PN, de manera que se ensancha la zona de deplexin. As
los electrones y huecos encuentran mayor dificultad para pasar a travs de la
unin. Por consiguiente, el diodo no permitir el paso de la corriente a su
travs comportndose como un interruptor abierto.

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO:

Tensin umbral, de codo o de partida (V):

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin

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directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado.

Corriente mxima (Imax).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin
fundirse por el efecto Joule.

Corriente inversa de saturacin (Is).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el
diodo por la formacin de pares electrn-hueco.

Corriente superficial de fugas.

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo.

Tensin de ruptura (Vr).

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de
darse el efecto avalancha.

MODELO MATEMTICO:
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley que permite aproximar
el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin
que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:
La ecuacin matemtica de esta curva es:

V. PROCEDIMIENTO:

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1. Usando el Ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del
diodo.
Registrar los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1.
a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la
corriente y el voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la tabla
2.
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los
instrumentos, proceder como en a), registrando los datos en la tabla
3. (uso del Micro ampermetro)

TABLA 1(Si)
R directa()

R inversa()

TABLA 2:
Vcc
(V.)
Id(mA)
Vd (v.)

0.1

0.2

0.4

0.8

1.6

2.5

5.0

8.0

10.0

12.0

TABLA 3:
Vcc (V.)
Vd (V.)
Id(
A.)

0.0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

12.0

15.0

20.0

15.0

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3. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del

diodo de
Germanio.Registrar los datos en la tabla 4.
TABLA 4 (Ge)
R directa ()

R inversa()

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de Germanio, de

manera similar al paso 2, proceder a llenar las tablas 5 y 6.
TABLA 5:
Vcc
(V.)
Id(mA)
Vd (v.)

0.1

0.2

0.4

0.8

1.6

2.5

5.0

8.0

10.0

12.0

15.0

TABLA 6:

Vcc (V.)
Vd (V.)
Id(
A.)

0.0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

12.0

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VI. CUESTIONARIO FINAL:

1. Construir el grafico Id = f (Vd) con los datos de las tablas 2 y 3.
(Si.)
Calcular la resistencia dinmica del diodo.
2. Construir el grafico Id = f (Vd) con los datos de las tablas 5 y 6.
(Ge.)
Calcular la resistencia dinmica del diodo.
3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.
4. Explicar los controles de operacin de la fuente DC utilizada.
5. Exponer sus conclusiones del experimento.
En esta experiencia se observa que un diodo permite la
conduccin de corriente cuando esta polarizado directamente
comportndose como un circuito cerrado, sin embargo,
cuando esta polarizado inversamente el diodo impide la
conduccin de corriente comportndose como un circuito
abierto.

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VII)

BIBLIOGRAFA:

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://pelandintecno.blogspot.com/
http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/inde
x.html