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UNESP UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA

CAMPUS DE ILHA SOLTEIRA


DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

Curso de Graduao em Engenharia Eltrica

apostila:

materiais
eltricos
Anna Diva Plasencia Lotufo e Carlos Roberto Minussi

Ilha Solteira-SP, Agosto-2012.

MATERIAIS ELTRICOS

1. INTRODUO

Os materiais usados em eletricidade classificam-se, basicamente, nas seguintes classes:


1. supercondutores;
2. condutores;
3. semicondutores;
4. isolantes;
5. magnticos.
Estes materiais so abordados a seguir.

2. PROPRIEDADES DOS MATERIAIS ELTRICOS

2.1. Resistividade

A classificao dos materiais, em eletricidade, caracterizada atravs da quantificao de


um parmetro chamado resistividade definida por:

ou:

= R

S
L

(2.1.1)

R=

L
S

(2.1.2)

sendo:
: resistividade ( m);

S : seo transversal do material (m2);


L : comprimento (m).

Resistividade definida como sendo a resistncia eltrica de um corpo de seo reta uniforme
com rea unitria, e cujo comprimento igual unidade.

Portanto, a resistividade uma caracterstica especfica de cada material, a que varia em

funo da temperatura, conforme ser discutido adiante.

Outro parmetro que empregado na anlise de materiais eltrico refere-se condutividade


que definida por:
=

(2.1.3)

sendo:
: condutividade.

Na Tabela (2.1.1) mostrado os valores da resistividade de alguns materiais disponveis no


mercado.
Tabela 2.1.1. Resistividade de materiais condutores, semicondutores ou isolantes.

Materiais

Resistividade ( m) a 20C

Prata

1,58 x 108

Cobre duro

1,7 x 108

Ouro

2,44 x 108

Alumnio

2,82 x 108

Tungstnio

5,6 x 108

condutores

1 x 107

Ferro

Tipo

Carbono

(3 60) x 105

Germnio

(1 500) x 103

Silcio

0,1 60

Vidro

109 1012

Borracha

1013 1015

semicondutores

isolantes

O melhor condutor eltrico conhecido, a temperatura ambiente, a prata. No entanto, este


metal excessivamente caro para o uso em larga escala. O ouro possui uma resistividade
maior do que a do cobre, ou seja, menos condutor em comparao prata e ao cobre.

2.2. Influncia da Temperatura Sobre a Resistividade

Com o aumento da temperatura, h um aumento na vibrao dos cristais, criando


obstculos a passagem dos eltrons livres e, portanto, diminuindo a condutividade ou
aumentando a resistividade. A variao da resistividade pode ser calculada da seguinte
forma:
(T) = 0 [ 1 + ( T T0 )]
sendo:
(T) :

resistividade do material em funo da temperatura T;

resistividade do material condutor a uma temperatura de referncia T0;

temperatura do material;

T0

temperatura inicial do material, sendo T > T0;

coeficiente da temperatura para a resistividade.

(2.2.1)

2.3. Influncia da Temperatura a Resistncia

Como a resistividade de um material depende da temperatura, aumentando quando se


aquece o condutor, na maior parte dos casos. Assim, quando a temperatura de um fio
condutor aumenta, geralmente, sua resistncia aumenta em vista do aumento da
resistividade da substncia que o constitui. A variao da resistncia por dilatao do
condutor pode ser desconsiderada, em alguns casos. Assim, estes resultados levam-nos a
concluir que a resistncia eltrica tambm deve depender da temperatura. Substituindo-se
(2.2.1) em (2.1.2), obtm-se:
R(T) = R0 [ 1 + ( T T0 )]

(2.3.1)

sendo que:
: resistncia eltrica do material na temperatura inicial T0;

R0

R(T) : resistncia eltrica do material na temperatura T.


2.4. Dilatao Linear com a Variao da Temperatura

A dilatao do material em funo da variao da temperatura dada por:

LT = L0 [ 1 + K' ( TT - T0) ]

(2.4.1)

sendo:
LT :

comprimento do condutor a T 0C;

L0

Comprimento a T0 0C;

K'

coeficiente de dilatao trmica

K'

= 16,6 x 10-6 para o cobre.

2.5 Propriedades Mecnicas

A variao do comprimento de uma barra ou fio de cobre com o esforo de trao


calculada por:

L = L L0 = L0

sendo:

( 0 )
S E

(2.5.1)

: comprimento correspondente ao esforo ;

L0

: comprimento correspondente ao esforo 0;

: esforo;

: esforo inicial;

: mdulo de elasticidade;

: seo do condutor.

3. MATERIAIS SUPERCONDUTORES

A supercondutividade uma caracterstica intrnseca de certos materiais, quando esfriados


a temperaturas extremamente baixas, para conduzir corrente eltrica sem resistncia
(resistividade nula) e sem perdas, funcionando tambm como um diamagneto perfeito
(excluso do campo magntico de seu interior) abaixo de uma temperatura crtica. Esta
propriedade foi descoberta, em 1911, pelo fsico holands Heike Kamerlingh Onnes,
quando observou que a resistncia eltrica do mercrio desaparecia quando resfriado a 4K
(452F, ou 269,15C). Grande parte dos materiais supercondutores composto por
cermica com brio, lantnio, cobre, oxignio, bem como outros elementos.

Estes materiais ainda no esto definitivamente disponveis no mercado, para aplicaes,


por exemplo, em transmisso de energia eltrica, embora vrias pesquisas estejam sendo
realizadas por laboratrios especializados mundialmente. O grande desafio obter
materiais que se caracterizam como supercondutores a temperaturas mais elevadas
(temperaturas ambientes). Atualmente, pode-se destacar o uso de supercondutores em
aparelhos de ressonncia magntica nuclear, trens baseados em levitao magntica, entre
outras aplicaes.

Como se pode observar, a resistncia eltrica e a temperatura so diretamente


proporcionais para os materiais condutores. Assim, a temperaturas suficientemente baixas
deveria se atingir valores nulos de resistncia. Esse fenmeno acontece para algumas
substncias condutoras como o mercrio e o chumbo, ao contrrio de outras como o cobre
e o ouro.

A transio de um estado de supercondutividade um processo reversvel, pois a


temperatura ao ser aumentada perturba este estado, fazendo com que substncia retorne ao
seu estado de no-supercondutor com um valor finito de condutividade.

Algumas substncias no-supercondutoras associadas em ligas com outras que possuem


esta propriedade podem alcanar o estado de supercondutividade.

O fenmeno da supercondutividade mostra que a corrente eltrica, uma vez induzida num
lao de resistncia, circular indefinidamente, persistindo sem variaes, desde que seja
mantido o resfriamento na temperatura adequada.

Um supercondutor produz um campo magntico da mesma forma que um m permanente,


ou seja, uma bobina supercondutora com corrente circulando um eletromagneto
supercondutor.

Figura 3.1. Diagrama dos estados.

Figura 3.2. Variao na resistncia do Hg (mercrio) e Pt(Platina) com o resfriamento profundo.

Em 1933, Meissner e Ochsenfeld descobriram que os supercondutores quando resfriados a


temperaturas inferiores a requerida para supercondutividade subitamente perdem
magnetismo, isto , tornam-se diamagnetos ideais. Sua permeabilidade cai subitamente de
= 1 a = 0, sendo : permeabilidade magntica.

Arkadyev demonstrou este fenmeno com o seu magneto suspenso (vide Figuras 3.3 e
3.4).

Figura 3.3. Magneto Suspenso de Arkadyev.

Efeito Meissner
T < Tc

Figura 3.4. Deflexo do fluxo magntico.

Quando o magneto colocado na superfcie de um material supercondutor, mantida abaixo


da temperatura crtica, o magneto repelido da superfcie e permanece suspenso no ar
numa posio de equilbrio. A espcie supercondutora pode da mesma forma ser
suspendida acima da superfcie magntica.

Este fenmeno permite a construo de mquinas eltricas de pequeno tamanho, e massa


com alta frequncia.

As bobinas usadas em magnetos supercondutores so geralmente feitas de ligas Nb-Zr e


Nb-Ti.

O resfriamento mantido por hlio lquido, cujo ponto de liquefao est em torno de 4,2
K, o que encarece o uso, alm de no ser facilmente encontrado.

4. MATERIAIS CONDUTORES

A seguir, abordar-se-o os principais materiais condutores empregados na Engenharia


Eltrica.

4.1. Cobre

o material condutor de maior importncia industrial, cujas vantagens referem-se baixa


resistividade, alta resistncia corroso, boa maleabilidade;

o cobre usado como condutores eltricos o cobre eletroltico que contm 99,9% de cobre
puro;

o tratamento para a fabricao de condutores, pode ser de dois tipos, que so: estiramento a
frio que resulta no cobre duro e o recozimento que resulta no cobre mole ou recozido;

resistividade = 0,17 m a 200C para padro de cobre recozido;

a resistividade do cobre recozido menor, se comparada a do cobre duro.

tipos usuais de cobre:

A Especificao Brasileira EB11 da ABNT (Associao Brasileira de Normas Tcnicas)


estabelece a resistividade mxima admissvel em fios de cobre para condutores eltricos.
Na Tabela (4.1.1) a seguir apresenta-se a relao entre a condutibilidade do fio considerado
e a do padro internacional:

Tabela 4.1.1. Resistividade de condutores de cobre.

Condutor

Resistividade

cm

Condutividade
Padro 100%
(cobre padro)

1,7564

98,16

1,75

96,66

Fio de cobre meio duro: dimetro maior que 8,24 mm

1,7654

97,66

Fio de cobre duro: dimetro at 8,24mm

1,793

96,13

Fio de cobre duro: dimetro maior que 8,24mm

1,7745

97,16

Fio de cobre recozido


Fio de cobre meio duro: dimetro at 8,24 mm

Nos clculos, utiliza-se, geralmente, a condutividade de 97,3% para o cobre duro.

influncia da temperatura sobre a resistividade:

= 0,00427 para T0 = 250C

= 0,00393 para T0 = 200C

= 0,00385 pata T0 = 00C

: coeficiente de temperatura para resistividade.

dilatao Linear do cobre com a variao da temperatura:

K' = 16,6 x 10-6 OC1 para o cobre.

Figura 4.1.1. Variao da resistncia com a temperatura.

Figura 4.1.2. Resistividade x temperatura para o cobre..

propriedades mecnicas:
- a carga de ruptura estabelecida na EB 11 de 22 kg / mm2;
- o cobre recozido no apresenta limite de elasticidade definido;

- o estiramento a frio aumenta a resistncia trao, com a carga de ruptura alcanando


46 kg / mm2, para o cobre duro;
- o mdulo de elasticidade varia entre 1 x 106 e 1,3 x 106 kg / cm2;
- a variao do comprimento de uma barra ou fio de cobre com o esforo de trao
calculada por:

L = L L0 = L0

( 0 )
A x E

(4.1.1)

sendo:
L : comprimento correspondente ao esforo ;
L0 : comprimento correspondente ao esforo 0;
: esforo;
E : mdulo de elasticidade;
A : seo do condutor.

4.2. Ligas de Cobre

Empregam-se na manufatura de fios e cabos, onde se desejam caractersticas um pouco


diferentes das do cobre. Podem, tambm, ser usadas na fabricao de peas para aparelhos
eltricos;

so compostas, principalmente, de cobre, estanho, cdmio, alumnio, mangans, silcio e


ferro;

as propriedades variam com a composio e com os tratamentos trmicos e mecnicos,


obtendo-se algumas com maior resistncia trao, melhor resistncia ao desgaste, se
comparadas ao cobre eletroltico;

a resistividade das ligas maior que a do cobre eletroltico;

por exemplo, a adio de cdmio ao cobre aumenta a resitncia mecnica e dureza com
uma pequena reduo na condutividade.

4.3. Condutores Compostos

So condutores formados de diferentes materiais condutores. Os mais usados so o fio de


ao recoberto de cobre (COPPERWELD) ou de alumnio (ALUMONWELD) e o cabo de
alumnio com alma de ao (ACSR);

a seo total de um condutor composto a soma das sees dos componentes, assim como
o peso total. A condutncia total tambm a soma das condutncias dos componentes;

no processo COPPERWELD o cobre fundido despejado em um molde onde j se


encontra uma barra de ao. O processo metalrgico resulta num fio onde o ncleo de ao
e a periferia de cobre;

no processo ALUMONWELD, o alumnio aplicado em p sobre o ao e submetido a


tratamento de calor e presso;

em um fio de alumnio com alma de ao tem-se um fio central de ao em volta do qual so


torcidos fios de alumnio;

o mdulo de elasticidade calculado pela frmula:


E=

AS ES + A a E a
AS + A a

(4.3.1)

sendo:
E

mdulo de elasticidade do condutor composto ( por exemplo um cabo de alumnio com


alma de ao);

ES :

mdulo de elasticidade de um dos componentes ( por exemplo o fio de ao);

AS :

seo do primeiro componente;

Aa :

seo do segundo componente;

Ea

mdulo de elasticidade do outro componente ( por exemplo os fios de alumnio).

Nos cabos de alumnio com alma de ao, a resistncia mecnica dada pela alma de ao
enquanto o alumnio contribui com a condutividade eltrica.

4.4. Alumnio

o material condutor mais importante aps o cobre. Quanto a propriedades eltricas e


mecnicas inferior ao cobre;

a vantagem maior consiste em que o alumnio encontrado em maior quantidade do que o


cobre;

na Tabela 4.4.1. so apresentadas algumas comparaes das propriedades do cobre e do


alumnio quando aplicados na fabricao de fios.
Tabela 4.4.1. Comparaes das propriedades do cobre e do alumnio.

Propriedade

Alumnio

Cobre

Condutncia para mesmo volume

63

100

Volume para mesma condutncia

159

100

Dimetro para mesma condutncia

126

100

Peso para mesmo volume

30,4

100

Peso para mesma condutncia

48,3

100

Resistncia mecnica (ruptura)

26

100

As propriedades mecnicas dependem dos tratamentos trmicos e mecnicos;

as ligas de alumnio apresentam uma resistncia mecnica maior. Por exemplo, a liga
conhecida como ALDREY que contm de 0,3 a 0,5% de Mg, 0,4 a 0,7% de Si e 0,2 a 0,3%
de Fe, quase to leve quanto ao alumnio puro, condutividade eltrica bastante prxima e
uma resistncia mecnica prxima a do cobre;

apresentam-se na Tabela 4.4.2 alguns tipos de alumnio ou ligas, submetidos a tratamentos


diferentes, com diferentes condutibilidades.

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Tabela 4.4.2. Condutividade do alumnio e do cobre.

Material

Alumnio

Cobre

Condutibilidade %

a 00 C

K = 1/

55

0,00392

252,5

59

0,00423

236

60

0,00431

231

61

0,00438

228

62

0,00446

224

63

0,00454

220

65

0,00470

212,5

100

0,00427

234,5

4.5. Ferro e Ao

o mais comercial e mais barato metal usado como condutor com uma alta resistncia
mecnica. Mesmo o ferro puro tem uma resistividade alta comparada ao cobre e ao
alumnio, em torno de 0,1 m, o que acontece tambm com o ao que uma liga que
contm ferro com carbono principalmente;

so usados principalmente em circuitos de trao eltrica, ligas de ferro para resistncias


eltricas, e nas linhas areas. O ao usado como condutor o chamado ao leve que contm
de 0,1 a 0,15 % de carbono, com condutividade eltrica em torno de 1/6 a 1/7 da do cobre.
Para baixas correntes a resistncia mecnica que determina a escolha da seo do
condutor e no a resistncia eltrica.

Figura 4.5.1. Seo total de um condutor de alumnio (curva 1), com alma de ao (curva 2) e
resistncia de uma unidade de comprimento do condutor (3), como funo do
dimetro externo.

Figura 4.5.2.

Resistncia de uma unidade de comprimento de condutor em funo do dimetro


externo.
11

Figura 4.5.3. Resistividade versus temperatura para ferro puro (curva 1), ao com 4% de
silcio (curva 2) e liga Fe-Ni-Cr (curva 3).

4.6. Ligas para Resistncias Eltricas

Devem suportar temperaturas em torno de 1000 0C ou mais, seu coeficiente de resistividade


para temperatura deve ser baixo coeficiente de f.e.m. trmica. Devem tambm ser
adaptadas para uso contnuo, terem boa maleabilidade e serem usinveis a fraes de
milmetros. Alm de tudo devem ser baratas e no conterem elementos raros.

Exemplos de algumas ligas mais comuns:


- Manganin: contm de 80 a 85% de cobre, 12 a 15% de mangans, e 2 a 5% de nquel.
Resistividade entre 0,42 a 0,48 m. Coeficiente de resistividade para temperatura, 6 a
50 x 10-6 K-1. A temperatura limite est em torno de 2000C. Pode ter dimetro de at
0,02 mm. a mais tpica e mais usada.
- Constantan: contm 60% de cobre e 40% de nquel. Seu nome se deve a sua
resistividade constante a temperaturas variveis. Em temperaturas normais o coeficiente
de temperatura para resistividade est entre -5 x 10-6 e - 25 x 10-6 K-1, numa
resistividade de 0,48 a 0,52 m. Quanto as propriedades mecnicas se assemelha ao
manganin. Seu uso no maior devido conter uma grande quantidade de nquel, que
encarece o produto.

As ligas a base de ferro so principalmente usadas para aquecimento, o qual pode proteger
ou oxidar, causando um maior desgaste. o problema da corroso.

Na Tabela 4.6.1. so mostradas algumas propriedades das ligas nquel-cromo.


Tabela 4.6.1. Propriedades das ligas nquel-cromo.

Composio % (Relao Ao ferro)

(m)

x 106 K-1

Temperatura
limite (0C)

Cromo

Nquel

Mangans

15 - 18

55 - 61

1,5

1,1 - 1,2

100 - 200

1000

20 - 23

75 - 78

1,5

1,0 - 1,1

100 - 200

1100

Propriedades das Ligas Cromo-Alumnio (vide Tabela 4.6.2):

12

Tabela 4.6.2. Propriedades das ligas (Cromo-Alumnio).


Composio %

m x106 K-1 Temp.


limite 0C

Cromo

Alumnio

Carbono

Silcio

Nquel

Mangans

12-15

3,5-5,5

0,15

1,0

0,7

1,26

150

750

16-19

4,0-6,0

0,12

1,2

0,7

1,3

60

850

16-19

4,0-6,0

0,06

0,6

0,6

0,7

1,3

60

950

23-27

4,5-6,5

0,12

1,2

0,7

1,4

50

1000

23-27

4,5-6,5

0,06

0,6

0,7

1,4

50

1400

4.7. Ligas Fusveis

Sua principal utilizao est nos circuitos eltricos para proteo. So compostas
principalmente de bismuto, cdmio, chumbo e estanho.

So conhecidas por nomes comerciais e suas propriedades e caractersticas encontram-se


nos manuais dos fabricantes. Em certos fusveis especiais usa-se a prata.

Existem frmulas para se calcular a corrente necessria para fundir um fio de um


determinado metal, baseadas no efeito Joule, lei de Newton e emissividade da superfcie, e
tambm se h ou no ventilao natural.

A Tabela 4.7.1 so apresentadas algumas ligas e seu respectivo ponto de fuso:


Tabela 4.7.1. Ligas e respectivo ponto de fuso.

Composio

Ponto de
fuso 0C

Bismuto

Chumbo

Estanho

Cdmio

Mercrio

20

20

60

20

50

27

13

10

72

52

40

92

53

32

15

96

54

26

20

103

29

43

28

132

32

50

18

145

50

50

160

15

41

44

164

33

67

166

20

80

200

4.8. Carbono e Grafite

So de aplicao geral na fabricao de eletrodos e escovas para mquinas rotativas. Os


eletrodos de carbono operam a altas temperaturas, at acima de 3000 0C.

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Como outros elementos de carbono, tm um coeficiente de temperatura para resistividade


negativa.

< Caracterstica de isolante

Figura 4.8.1. Resistividade x temperatura para eletrodo de carbono.

O carbono puro encontrado na forma de diamante um dieltrico.

Os carbonos porosos so usados em microfones e a resistividade depende do processo de


compactao utilizado e do tamanho do gro.

4.9. Outros Metais

Tungstnio : um dos mais importantes metais utilizados na fabricao de dispositivos


vcuo, como os filamentos incandescentes. Possui alta resistncia mecnica e no
funde a altas temperaturas podendo operar a temperaturas acima de 2000 0C.

Figura 4.9.1. Coeficiente de expanso linear x temperatura para o tungstnio.

Figura 4.9.2. Calor especfico e condutividade trmica x temperatura para o tungstnio.

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Molibdnio : Largamente utilizado na indstria de tubos eletrnicos onde os requisitos de


temperatura no so to altos quanto os do tungstnio. Os elementos
incandescentes molibdnio devem operar vcuo, gs inerte ou atmosfera
reduzida. A resistncia mecnica dependente da tcnica de processamento
utilizada. Tambm usado em contatos eltricos.

Figura 4.9.3. Resistividade x temperatura.

Prata

: Resistente a oxidao em temperaturas normais. o metal de menor


resistividade. Usada para contatos em baixas correntes, placas em capacitores de
cermica e mica. Baixa resistncia qumica.

Ouro

: Alta plasticidade, usado em contatos resistentes corroso, eletrodos de


fotoclula, eletroscpios.

Estanho

: Metal macio e malevel, que pode ser laminado em folhas muito finas.
resistente a corroso atmosfrica, estvel na gua e mais ou menos resistente
cidos. Usado em revestimentos eltricos para dar uma proteo durvel aos
acabamentos de metais, como um elemento de liga em bronzes e soldas leves.
Uma lmina de 6 a 8 mm empregada em alguns capacitores, geralmente
associado com 15% de chumbo e 1% de antimnio para facilitar o processo de
laminao e melhorar a resistncia mecnica. Lminas de 20 a 40 mm so usadas
como placas em capacitores de mica.

Chumbo

: Alta resistividade. Metal macio e plstico. Tem uma estrutura cristalina bastante
grande. Alta resistncia corroso, estvel na gua, cidos sulfrico e
hidroclordrico em baixas temperaturas. Usado em revestimentos de cabos
protegendo a isolao do cabo e tambm em placas de baterias, e fusveis.
Tambm usado como protetor contra radiaes, absorvendo por exemplo os raios
X. As ligas de chumbo com outros materiais como antimnio, telrio, cdmio,
cobre, clcio e estanho aumentam a resistncia mecnica, mas reduzem a
resistncia corroso comparado ao chumbo puro. So usados principalmente na
engenharia de cabos (blindagem).

Platina

: Alta resistncia a agentes qumicos, praticamente no reagindo com o oxignio.


Algumas ligas so usadas em termopares para medir temperaturas acima de 1600
0
C. Os filamentos de platina so usados para suspenso de sistemas mveis em
dispositivos eletromagnticos.

Paldio

: Metal raro com propriedades prximas da platina. Suas ligas com cobre e prata
so usadas na produo de contatos eltricos.

Nquel

: Largamente usado na indstria de tubos eletrnicos. Muito usado em ligas com o


silcio, mangans entre outros. Alta resistncia mecnica. Usado em dispositivos
eltricos vcuo, e ligas condutoras e magnticas.

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Cdmio

: Usado na fabricao de fotoclulas, clulas galvnicas e aplicaes especficas


como moderador em reatores atmicos.

Zinco

: Usado em eletrodos e clulas galvnicas, e tambm em fotoclulas.

Mercrio

: nico metal encontrado na forma lquida temperaturas normais. Oxida no ar


somente perto do seu ponto de fuso quando aquecido. Metais alcalinos terrosos
como magnsio, alumnio, cdmio, platina, ouro e prata se dissolvem no mercrio
e formam ligas chamadas amlgamas. usado como ctodo lquido em lmpadas
a vapor de mercrio, rels de contato e dispositivos de descarga a gs.

4.10. Resistividade de Volume e de Massa

A resistividade de volume v ou simplesmente resistividade , a resistncia eltrica de um


condutor de comprimento igual a 1m e seo uniforme igual a 1m2. o valor geralmente
utilizado nos clculos de resistncia de condutores.
sendo:
l : comprimento e S a seo, a resistncia dada por:
Porque envolve as grandezas:
rea e comprimento

R = v

L
S

(4.10.1)

O volume condutor V = S L e a sua massa M = V p = S L p,


sendo:

= M / (L p)

peso especfico.
e

= v L p / M.

A resistividade de massa m a resistncia eltrica de um condutor de seo uniforme,


comprimento L = 1 e massa M = 1.
m

= v p

= m / v

= R. S / L

= M / S. L

= R. M / L 2

Para o cobre padro a 20 0C a resistividade de volume v = 1/58 mm2/m.

Um fio de 1 m de comprimento e 1 mm2 de seo apresenta a resistncia de 1/58 .

O volume deste fio : V = !m x 1mm2 = 1 cm3.

O peso especfico do cobre sendo 8,89 a resistividade de massa ser:


m = v p
p

= 0,15328 m g.

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5. CONDUTORES INDUSTRIAIS

5.1.Tipos Gerais e Nomenclatura

Os lingotes de material condutor so transformados pelos processos de laminao,


trefilamento, torcimento, em condutores industriais. Os mais simples so os fios de seo
circular, mas podem existir de seo quadrada, retangular, trapeizodal.

Podem ser empregados fios nus e isolados. Existem tambm condutores sob a forma de
tubos ou barras de formas diversas nus ou isolados.
Fio

: um corpo de metal estirado, de forma cilndrica e seo circular.

Condutor

: um fio, ou conjunto de fios no isolados entre si, destinado a


conduzir corrente eltrica.

Fio nu

: um fio sem revestimento isolante de qualquer natureza.

Fio isolado

: um fio revestido de material isolante geralmente protegido por


uma capa.

Cabo

: um conjunto de fios encordoados no isolados entre si, com ou sem


isolao. Tambm usado para indicar de um modo geral fios e
cabos propriamente ditos em expresses como cabos eltricos,
cabos de baixa tenso, etc.

Cabo isolado

: onde um grupo de fios, ou cada fio, ou cada grupo de fios


revestido de material isolante, e o conjunto protegido por uma
capa.

Cabo singelo

: um cabo isolado de um nico condutor.

Cabo mltiplo

: um cabo isolado formado de vrios condutores.

Cabo armado

: cabo isolado provido de uma armao.

Cabo unipolar

: aquele constitudo por um condutor isolado mais cobertura.

Cabo Multipolar

: formado por vrios (dois ou mais) condutores, agora chamados


veias, com uma cobertura comum.

Cordo

: um conjunto de condutores isolados, de pequena seo e


construo flexvel, dispostos paralelamente ou torcidos
helicoidalmente.

Condutor compactado : um condutor encordoado e submetido a um trabalho mecnico,


de forma a ficarem praticamente eliminados os vazios entre os fios,
reduzindo o dimetro externo e tornando mais uniforme a
superfcie externa.
Condutor setorial

: aquele cuja seo transversal tem a forma aproximada de um


setor circular.

Cabo setorial

: um cabo multipolar cujas veias so condutores setoriais isolados,


geralmente compactados.

Cabos multiplexados : so cabos constitudos por vrios condutores isolados ou cabos


unipolares reunidos, sem cobertura comum.
Revestimento

: de um condutor a camada delgada de um metal ou liga,


depositada sobre um metal ou liga diferente para fins de proteo.

17

Isolao

: de um condutor a camada de material isolante aplicada sobre o


condutor propriamente dito, para isol-lo eletricamente de outros
condutores e da terra.

Cobertura

: um invlucro externo no metlico, sem funo de isolao.


Destina-se a proteger a isolao, no caso de instalao exposta, ou
o condutor propriamente dito.

Capa

: designa um invlucro interno metlico ou no aplicado sobre uma


veia ou sobre um conjunto de veias de um cabo.

Blindagem

: o envoltrio condutor ou semicondutor, aplicado sobre o


condutor isolado ( ou eventualmente sobre um conjunto de
condutores isolados), para fins exclusivamente eltricos.

Encordoamento

: a disposio dos fios ou grupos de fios que formam um cabo.

Enchimento

: o material usado em cabos mltiplos para preencher os espaos


entre os fios isolados e cabos componentes, de modo a constituir
um conjunto de forma desejada.

Armao

: uma proteo suplementar aplicada a certos cabos isolados,


constituda de fios ou fitas metlicas.

Cordoalha

: um condutor formado por um tecido de fios metlicos


extremamente flexvel.

Barra

: um condutor rgido em forma de tubo ou de seo perfilada


fornecido em trechos retilneos. Podem se nuas, revestidas ou
isoladas.

Figura.5.1.1. Condutor isolado.

Figura. 5.1.2. Cabo unipolar.

Figura 5.1.3. Cabo multipolar setorial.

18

5.2. Isolaes dos Condutores

Podem ser constitudas por materiais slidos e do tipo estratificado. Os slidos podem ser
termoplsticos (cloreto de polivinila e polietileno) e termofixos (borracha etileno-propileno
e polietileno reticulado). As do tipo estratificado utilizam papel impregnado. Este
utilizado em cabos de mdia e alta tenso. A isolao estratificada constituda, pois por
fitas delgadas de papel, colocadas helicoidalmente em diversas camadas, aps rigoroso
processo de secagem, por um material isolante cujas caractersticas variam com o tipo de
cabo.

O papel impregnado utilizado nos cabos a leo sob presso e nos cabos com massa no
escoante (usados em redes subterrneas em mdia tenso).

Os isolantes slidos so mais utilizados nos cabos de baixa e mdia tenso.

As caractersticas comuns dependem das propriedades especficas de cada material:


- homogeneidade de servio e boa resistncia ao envelhecimento em servio;
- ausncia de escoamento;
- reduzida sensibilidade umidade;
- insensibilidade s vibraes;
- bom comportamento frente ao fogo.

Caractersticas especficas:
Cloreto de Polivinila (PVC)

: Rigidez dieltrica elevada, resistncia de isolamento


fraca, quando comparado com o polietileno. Perdas
dieltricas elevadas (acima de 20 kV). Transmite mal
a chama; o envelhecimento trmico pode ser
combatido por estabilizantes apropriados. um
isolante muito bom para os cabos de potncia e para
os cabos de teletransmisso distncia mdia. De uma
maneira geral possuem uma fraca absoro de gua,
uma elevada resistncia mecnica e abraso, bom
comportamento frente ao fogo e resistncias
especficas aos solventes ou gasolina.

Borracha etileno-propileno (EPR) : Melhor resistncia ao envelhecimento trmico e aos


agentes oxidantes; boa flexibilidade mesmo em baixas
temperaturas; resistncia excepcional s descargas e
radiaes ionizantes, mesmo quente; absoro
razovel de gua; baixa disperso da rigidez dieltrica.
Polietileno reticulado (XLPE)

: Resistncia deformao trmica bastante satisfatria


(at 250 0C); a reticulao permite incorporar outros
materiais para melhorar o comportamento mecnico,
resistncia s intempries e ao fogo.

5.3. Blindagem sobre o condutor: (interna)

Com o condutor encordoado recoberto apenas por uma camada isolante, o campo eltrico
assume uma forma distorcida, acompanhando as irregularidades da superfcie do condutor,
provocando concentrao de esforos eltricos em determinados pontos. Estas solicitaes
eltricas podem exceder os limites permissveis pela isolao, ocasionando uma
depreciao na vida do cabo.

19

Nos cabos com isolao slida, a existncia de ar entre o isolante e o condutor pode dar
origem a ionizao, danificando o isolante.

Com a interposio de uma camada semicondutora, o campo eltrico se torna uniforme e os


problemas so minimizados ou mesmo eliminados.

Na isolao estratificada, a blindagem constituda por fitas de papel semicondutor


aplicadas helicoidalmente.

5.4. Blindagem sobre a isolao: (externa)

Consiste de uma camada de material semicondutor ou condutor aplicados sobre a superfcie


da isolao, com a finalidade de confinar o campo eltrico dentro do cabo isolado.

O cabo sem blindagem, denominado a "campo no-radial", o campo eltrico distribui-se de


forma equilibrada e radialmente em relao ao condutor. A construo a campo radial
prefervel em tenses mais elevadas, pois garante solicitaes eltricas uniformes em cada
camada isolante.

Da mesma forma que a blindagem interna, a externa deve ser construda de maneira a
eliminar qualquer vazio entre ela e a superfcie externa da isolao.

A tcnica moderna consiste da extruso simultnea da camada semicondutora. Antes,


aplicava-se uma camada contnua de verniz semicondutor seguido de fita txtil
semicondutora.

Figura 5.4.1.

5.5. Protees

Podem ser de dois tipos: no-metlicas e metlicas.


Protees no-metlicas : A cobertura dos cabos geralmente feita com PVC, polietileno
ou neoprene, e outros, com a escolha baseando-se na resistncia
e aes de natureza mecnica ou qumica. Em instalaes nos
ambientes com alto teor de cidos, bases ou solventes orgnicos
emprega-se o polietileno pigmentado com negro de fumo para
torn-lo resistente a luz solar. Em cabos de uso mvel, que
requerem boa flexibilidade e resistncia abraso e lacerao,
usa-se o neoprene ou polietileno sulfurado. Nos cabos isolados
em papel exige-se uma capa metlica do tipo contnuo. O
chumbo e alumnio so os mais empregados e so protegidos
contra corroso por uma cobertura de PVC ou polietileno.

20

Figura 5.5.1. Proteo no-metlica.

Protees metlicas

: Tem a funo de armao nas instalaes sujeitas a danos


mecnicos. As mais usadas so: armaes de fitas planas de ao
aplicadas helicoidalmente; armaes de fita de ao ou alumnio
aplicadas transversalmente, a qual confere boa flexibilidade ao
cabo.

Figura 5.5.2. Proteo metlica.

5.6. Efeito Cortical: (Skin Effect)

A resistncia eltrica que um fio ou cabo oferece a circulao de correntes alternada


maior que a oferecida corrente contnua considerando o mesmo condutor, embora a
resistividade seja a mesma para uma mesma temperatura.

Este fenmeno, denomina-se efeito cortical ou efeito pelicular e tanto mais acentuado
quanto maior for a seo do condutor e mais elevada a frequncia da corrente; variando
tambm com a temperatura do condutor.

A corrente alternada produz fluxos magnticos alternados, os quais induzem foras


eletromotrizes tambm alternadas no prprio condutor. As f.e.m. induzidas influem sobre a
distribuio da corrente no condutor, a qual no uniforme como no caso da corrente
contnua, havendo uma concentrao de corrente na periferia e menor densidade na parte
central do condutor.

Figura 5.6.1.

sendo:

J : densidade de corrente aumenta do centro para a periferia.

Por exemplo, para um tipo de condutor a resistncia a 25 0C para corrente contnua da


ordem de 0,018 /km; j para corrente alternada com frequncia de 60 Hz a resistncia

21

0,024/km. Valor este que varia com a variao da frequncia. Se fosse 50 Hz seria 0,022
/km.

A relao entre a resistncia corrente alternada de uma certa frequncia e a resistncia do


mesmo condutor corrente contnua chamada coeficiente para efeito cortical.

Com a finalidade de reduzir o efeito cortical so empregados condutores ocos (tubos) ou


cabos formados de fios de cobre ou alumnio torcidos sobre um ncleo de cnhamo ou
sobre um tubo formado sobre uma espiral de ao.

Figura 5.6.2.

Em altas tenses este aumento do dimetro evita tambm o efeito corona.

Uma reduo considervel no efeito pelicular pode ainda ser obtida empregando-se vrios
condutores ligados em paralelo, em cabos separados ou no mesmo cabo.

A figura apresenta um cabo de um s condutor dividido em quatro setores isolados entre si


por uma fina camada de papel impregnado de leo. O isolamento do conjunto adequado
para a tenso de servio muito maior que o isolamento entre os setores.

Figura 5.6.2.

6. MATERIAIS ISOLANTES
6.1. Campo Eltrico

Nas proximidades de um corpo eletrizado possvel observar certos fenmenos de atrao


e repulso de outros corpos.

Um corpo eletrizado pode ser considerado como aquele que possui uma certa quantidade
de eletricidade. A quantidade de eletricidade que se admite existir em um corpo eletrizado
a carga eltrica deste corpo.

Analisando do ponto de vista eletrnico, um corpo carregado positivamente apresenta uma


deficincia de eltrons em relao ao estado normal, no eletrizado ou neutro. A carga
negativa corresponde a um excesso de eltrons.

22

Define-se, portanto, campo eltrico como a regio do espao nas proximidades de um


corpo eltrico onde so observados fenmenos eltricos.

6.2. Dieltricos

possvel observar a ao de um corpo eletrizado sobre outros corpos efetuando


experincias. As substncias, atravs das quais o campo eltrico pode se manifestar, so
chamadas dieltricos.

Todas as substncias dieltricas so isolantes, no se comportando todas do mesmo modo


quando submetidas a uma diferena de potencial.

O comportamento do dieltrico depende do nvel mximo de tenso aplicado no podendo


ultrapassar este determinado valor. Caso isto acontea o dieltrico perde suas
caractersticas isolantes e acontece o fenmeno da ruptura em dieltricos.

6.3. Vcuo

Considere o circuito mostrado na Figura 6.3.1., onde as duas placas metlicas paralelas PP'
encontram-se em um recipiente no qual se obtm um vcuo to perfeito quanto possvel.

Figura 6.3.1.

Pela chave K1 liga-se o polo positivo de E placa P, circulando uma corrente i1, que cessa
aps um certo tempo estando aberta K2.

A corrente i1 a corrente de carga do capacitor formado pelas placas PP' e pelo vcuo.
Abrindo K1 no existe corrente. Fechando K2 (K1 permanecendo aberta) h a circulao de
uma corrente i2 da placa P a P' atravs da resistncia R. Esta a corrente de descarga do
condensador, de sentido contrrio a i1 e de curta durao.

Se for empregado o mesmo dispositivo, mas com as placas PP' separadas por uma outra
substncia isolante que no for o vcuo, so observados diversos fenmenos dependendo
do isolante empregado.

6.4. Dieltrico sem Absoro

Usando o enxofre como isolante e as chaves K1 e K2 estando inicialmente abertas, ao fechar


K1 observa-se a circulao de uma corrente i1 de curta durao;
23

possvel observar uma outra corrente i3 de mesmo sentido que i1 e que persiste enquanto
a bateria estiver ligada;

A corrente i3 a corrente de fuga do dieltrico; ela parte do polo positivo da bateria, passa
pela chave K1, placa P, dieltrico, placa P', voltando ao polo negativo da bateria. No incio
tem-se a superposio de i1 e i3 e depois somente i3;

Ao abrir K1 e mantendo K2 aberta, cessam todas as correntes no circuito externo ao


condensador; P continua positiva, P' negativa e a corrente de fuga i3 persiste pelo dieltrico
diminuindo medida que diminui a diferena de potencial entre P e P'. Passado um certo
tempo suficiente a ddp se anular;

Fechando K2, aps abrir K1 (antes de decorrido tempo suficiente para descarga do
condensador pela corrente de fuga), observa-se a circulao da corrente de descarga i2,
atravs da resistncia R, cessando rapidamente para pequenos valores de R.

6.5. Dieltricos com Absoro

Empregando agora a mica como isolante e repetindo as experincias anteriores, com a


chave K2 aberta, ao se fechar K1 observa-se uma corrente que cresce rapidamente at um
mximo, decresce rapidamente a princpio e depois lentamente at atingir um valor
constante.

Como no caso anterior, a corrente total compreende a corrente de carga i1 e a corrente de


fuga i3; mas existe ainda um terceiro componente da corrente total: a corrente de absoro
i4 .

A corrente de carga anula-se rapidamente e persistem as correntes de fuga i3 e de absoro


i4; esta corrente vai decrescendo at anular-se ao fim de um tempo que pode ser muito
longo, persistindo i3.

Mantendo K2 aberta, ao abrir K1 o fenmeno semelhante ao anterior: a corrente de fuga


continua de P para P' pelo dieltrico enquanto houver ddp entre as placas.

Fechando K2 aps abrir K1, observa-se atravs de R uma corrente que atinge rapidamente
um valor elevado, decrescendo em seguida na mesma velocidade e depois cada vez mais
lento. Essa corrente total possui dois componentes: i2 correspondente a i1, e i5 a i4.

Para que i5 se anule pode requerer um tempo muito elevado, enquanto que i2 se extingue
rapidamente.

Caso K2 seja aberta antes de i5 se anular e seja fechada algum tempo depois, observa-se
novamente a circulao de i5, que pode apresentar um valor mais elevado que o observado
ao abrir K2.

Aps o novo fechamento de K2, a descarga continua decrescendo cada vez mais
lentamente; i5 a corrente anmala ou corrente residual; corresponde a uma carga durante
um certo tempo depois de ligadas as placas.

A corrente de absoro i4, e residual i5 correspondem ao fenmeno denominado absoro


dieltrica.

Algumas substncias como a mica, ao fim de um tempo suficientemente longo, devolvem


toda a carga eltrica acumulada, sendo i3 a corrente de fuga desprezvel; apresentando
absoro reversvel.

Outras substncias isolantes (impuras ou contendo umidade) devolvem somente parte da


carga absorvida; apresentam absoro irreversvel.

De acordo com este comportamento, pode-se classificar os dieltricos como:


- dieltricos sem absoro: gases, enxofre;

24

- dieltricos com absoro reversvel: mica, borracha dura;


- dieltricos com absoro irreversvel: substncias impuras ou contendo umidade.
6.6. Constante Dieltrica

A capacitncia C de um condensador possuindo um dieltrico qualquer definida pela


relao:
C=Q/V

(6.6.1.)

sendo:
Q : carga eletrosttica ou quantidade de eletricidade recebida pelo condensador;
V : ddp aplicada entre as placas;

Para o mesmo condensador substituindo o isolante pelo vcuo


C0 = Q0 / V

(6.6.2)

sendo :
kd : C / C0 a constante dieltrica da substncia considerada.
6.7. Rigidez Dieltrica

Aumentando a ddp entre as placas, aumenta a quantidade de eletricidade Q recebida pelo


condensador.

Ao atingir um certo valor V, o dieltrico deixa bruscamente de funcionar como isolante,


sendo atravessado por uma corrente eltrica. O valor da ddp correspondente, referido a
unidade de espessura do dieltrico, kV / mm a resistncia dieltrica ou rigidez dieltrica.
O valor da resistncia dieltrica de uma certa substncia isolante depende de vrios fatores,
entre os quais:
- Espessura do dieltrico;
- Forma do corpo de prova;
- Temperatura;
- Durao da aplicao da ddp;
- Velocidade de crescimento de V;
- Frequncia (ddp alternada).

Na Tabela 6.7.1 apresentam-se


isolantes:

constante dieltrica e a rigidez dieltrica de alguns

Tabela 6.7.1. Constante dieltrica e rigidez dieltrica de materiais isolantes.


Constante Dieltrica

Rigidez Dieltrica kV/cm

1,006

30

leo mineral

2,1

80 a 200

gua

80

Quartzo fundido

3,9

600

Mica

5,4

600

4 a 10

75 a 300

Material
Ar

Vidros

25

6.8. Resistncia de Isolamento

Quando dois condutores so separados por um material isolante, ao se aplicar uma ddp
entre os dois condutores corresponde a circulao de uma corrente de fuga;

A resistncia eltrica oferecida a circulao dessa corrente o que se chama resistncia de


isolamento;

A corrente de fuga pode seguir dois caminhos diferentes: um atravs da massa do isolante e
o outro pela superfcie;

Desta forma distinguem-se a resistncia de isolamento volumtrica e a resistncia de


isolamento superficial;

Conforme o tipo de condutor industrial empregado cada uma dessas resistncias tem um
nvel de importncia;

Por exemplo, em um cabo isolado, a corrente de fuga passa inteiramente atravs do


isolante; a resistncia de isolamento superficial no precisa ser considerada;

Em uma linha area, onde os condutores nus so suportados por isoladores de porcelana,
importante considerar a corrente de fuga superficial;

Para os isolantes, a resistividade diminui com a temperatura; o coeficiente de temperatura


negativo para a resistncia;

A resistividade superficial depende da condutibilidade de uma camada de umidade, as


vezes contendo poeiras depositada sobre a superfcie do isolante.

6.9. Representao Esquemtica de um Isolante

Um isolante real, Figura 6.9.1, situado entre os pontos A e B de um circuito eltrico pode
ser representado pelo esquema da figura. R1 corresponde a perda dieltrica i12R1; a corrente
de carga e de absoro i1 atravessa C e R1; R2 corresponde a corrente de fuga i2. Em um
dieltrico perfeito R1 = 0 e R2 = .

Figura 6.9.1.

Isolante

: o material de baixa condutividade no qual o fluxo de corrente que o


atravessa, resultante da ddp aplicada desprezvel. A condutividade
dos isolantes da ordem de 10-20 a 10-9 -1 / cm.

Dieltrico perfeito : o material isolante ou isolador entre duas superfcies metlicas, no


qual toda a energia requerida para estabelecer um campo eltrico
retorna ao sistema gerador, quando retira-se o campo. Sua
condutividade nula, o caso do vcuo que o nico dieltrico
perfeito conhecido.
Dieltrico real

: o material isolante no qual parte da energia requerida para o


estabelecimento do campo atravs dele no retorna ao sistema quando
o campo removido; esta energia convertida em calor conhecida
26

como perda no dieltrico e seu valor caracterizar a qualidade do


dieltrico. A maioria dos dieltricos no se torna completamente
polarizado no instante em que se aplica o campo eltrico, isto os
dipolos da estrutura necessitam de um certo tempo para se orientarem.
6.10. Emprego dos Materiais Isolantes

A escolha do material isolante feita em funo das propriedades de cada um e do custo.

Devem ser consideradas as propriedades:


- Mecnicas : resistncia a trao, compresso, cisalhamento, impacto, porosidade,
absoro de umidade, dureza, facilidade de trabalho;
: resistncia de isolamento, resistncia dieltrica, absoro dieltrica;

- Eltricas

- Qumicas : estabilidade de composio, resistncia aos cidos, lcalis, ao calor,


oznio, corroso e umidade, combustibilidade;
- Trmicas : resistncia trmica, calor especfico, coeficiente de dilatao, ponto de
fuso.

Tabela 6.10.1. Constante dieltrica e rigidez dieltrica de materiais isolantes.

Rigidez Dieltrica kV/cm

Constante Dieltrica

Ar

30

1,006

Titanato de brio

40

103 a 104

Ebonite

200

Mica

600

5,5 a 9

Porcelana

7,5

Quartzo

3,8

Polietileno

400

2,25

Teflon

800

leo de transformador

250

2,1

Hexafluoreto de enxofre (SF6)

100

Material

7. POLARIZAO DE DIELTRICOS
7.1. Introduo

Nos materiais condutores, os eltrons da ltima camada so facilmente arrancados,


principalmente se estiverem sob a influncia de um campo eltrico, migrando facilmente de
tomo para tomo.

J nos dieltricos, onde os eltrons esto bem presos, estes no so facilmente arrancados
pela aplicao de campos eltricos comuns, permanecendo nas suas posies de equilbrio.

7.2. Polarizao

Quando se coloca um dieltrico na presena de um campo eltrico, observa-se que h um


ligeiro deslocamento dos eltrons em relao aos seus ncleos, de maneira que os tomos

27

individuais se comportam como pequenos dipolos atmicos, embora no haja migrao de


carga.

Na presena destes dipolos atmicos, diz-se que o dieltrico est polarizado ou que est
num estado de polarizao.

Removendo o campo eltrico, os dipolos desaparecem e os tomos retornam ao seu estado


normal.

Considere a representao de um tomo de um material dieltrico por um dipolo eltrico,


uma carga pontual positiva representando o ncleo e uma carga pontual negativa
representando a carga eletrnica, estando separados por uma pequena distncia.

Os eltrons giram em rbitas ao redor do ncleo e agem como uma nuvem carregada
negativamente circundando o ncleo, e o tomo estando despolarizado, a nuvem circunda o
ncleo simetricamente e o momento de dipolo zero.

Figura 7.2.1.

Sob a influncia de um campo eltrico a nuvem de eltrons fica ligeiramente deslocada ou


assimtrica, e o tomo polarizado.

Figura 72.2.

Figura 7.2.3. Dipolo equivalente.

Considera-se a barra dieltrica da figura situada no vcuo. Aplica-se um campo eltrico E


uniforme, normal barra, que ao polarizar induz dipolos atmicos em toda a barra. No
interior da barra, os dipolos adjacentes anulam os efeitos das cargas positivas e negativas.
Assim a polarizao produz uma camada de carga negativa numa superfcie e outra
positiva na outra.

28

Figura 7.2.4.

O efeito dos dipolos atmicos pode ser descrito pela polarizao P ou momento de dipolo
por unidade de volume:
P = p / V = (Q d ) / V

(7.2.1)

sendo:
p : momento de dipolo
=Q d

Considere o volume retangular da figura em que A a rea da superfcie e L a espessura:


V = A. L

(7.2.2)

P = p / V = (Q L) / (A L) = Q / A = sp

(7.2.3)

sendo:
sp : a densidade superficial de carga de polarizao que aparece nas faces da barra;
P tem dimenso de carga por rea.

Para definir P num ponto supe-se que o dieltrico na presena do campo eltrico tem uma
distribuio contnua de dipolos infinitesimais, isto uma polarizao contnua, apesar de
que os dipolos so tomos discretos polarizados.

Esta suposio no leva a erros pois se est trabalhando com regies microscpicas. Assim
o valor de p num ponto pode ser definido como:

p
V 0 V

P = lim

(7.2.4)

A aplicao do campo faz com que as cargas positivas se movam na direo do campo e as
cargas negativas na direo contrria.

Retirado o campo as cargas retornam ao seu estado inicial e os dipolos perdem a sua
orientao devido as flutuaes trmicas.

Considere agora um campo eltrico uniforme aplicado num capacitor de placas paralelas
separados por uma distncia d.

29

Figura 7.2.5.

Na parte superior o meio o vcuo com permissividade 0, a parte inferior contm uma
barra dieltrica de permissividade .
D0 = 0 E

(7.2.5)

sendo:
D

densidade de fluxo eltrico (c/m2);

permissividade do vcuo;

= 8,85 x 10-12 F/m;

intensidade de campo eltrico (V/m);


E = V/d
b

V = E dL

(7.2.6)
(7.2.7)

o qual trabalho realizado por uma fonte externa ao mover uma carga unitria positiva de
um ponto ao outro em um campo eltrico. Trabalho realizado ao movimentar de b para a,
porque b frequentemente tomado no e a uma posio fixa.

Na parte inferior, o campo eltrico polariza o dieltrico forando o aparecimento de cargas


sp em ambas as faces da barra dieltrica.

Estas cargas induzem cargas livres de sinais contrrios nas placas do capacitor que traz
como consequncia um aumento na densidade superficial de cargas livres.

Assim, no dieltrico tem-se:

D 0 E sp

(7.2.8)


D 0E P

(7.2.9)

Mas, como sp = P, ento:

Esta uma equao vetorial de aplicao geral, apesar de ter sido desenvolvida para o caso
de um capacitor de placas paralelas.

No dieltrico:

D xE
sendo:

30

(7.2.10)

: permissividade do dieltrico;


E 0 E P

P
0
E

(7.2.11)

ou:

P
0 .
E
que tambm pode ser escrita como:

P
0
E
sendo:
suceptibilidade eltrica, = r - 1, onde r = permissividade relativa. No vcuo = 0
e r = 1

Nos meios isotrpicos, P e E esto na mesma direo, e o seu quociente um escalar.

Nos meios anisotrpicos, como os cristais, P e E no esto na mesma direo, e portanto


no mais um escalar.


(7.2.12).
D 0 E P ( uma expresso mais geral)

( uma expresso concisa, apenas para os meios isotrpicos).


(7.2.13)
D E

8. RUPTURA EM DIELTRICOS
8.1. Introduo

Um dieltrico na presena de um campo eltrico pode perder suas propriedades de isolante


se a intensidade do campo exceder um certo valor crtico. Este fenmeno conhecido
como ruptura do dieltrico e a tenso na qual isto ocorre a tenso de ruptura ou tenso
disruptiva.

A resistncia dieltrica determinada pela tenso de ruptura referida a espessura do


dieltrico no ponto de penetrao
Ebr = Vbr / h

(8.1.1)

sendo:
Ebr :

resistncia dieltrica;

Vbr :

tenso de ruptura;

espessura do dieltrico;

A unidade comumente usada no SI MV/m, apesar da tenso ser dada em kV e a espessura


em mm.

O centelhamento num gs devido a coliso e a ionizao dos ftons.

A ruptura em lquidos se origina de processos de ionizao. Nos dieltricos lquidos as


falhas eltricas ocorrem devido a presena de impurezas.

31

A ruptura em slidos devido a processos trmicos e eltricos que ocorrem sob a ao de


um campo eltrico.

A ruptura eltrica est associada com o processo eletrnico que se desenvolve num campo
eltrico muito intenso no momento da descarga e provoca um crescimento rpido e
instantneo na densidade local de corrente.

A ruptura trmica resulta de um decrscimo da resistncia do dieltrico devido ao seu


aquecimento sob o efeito do campo eltrico. Neste processo a corrente efetiva cresce e
causa aquecimento do dieltrico enquanto se rompe.

Quando a tenso aplicada ao dieltrico for por um perodo muito longo, a ruptura pode ser
causada por processos eletroqumicos que se desenvolvem no dieltrico sob a influncia do
campo eltrico.

A ruptura em gases um fenmeno puramente eltrico e, portanto, todos os dados


numricos na descarga de gases se referem a tenses de pico. Como a ruptura de lquidos e
especialmente nos slidos um processo trmico, os valores numricos da tenso de
ruptura se referem a valores efetivos ou rms, quando o campo alternado atua no dieltrico.

8.2. Ruptura em Gases

O ar serve como isolante externo em vrios equipamentos eltricos, tais como:


transformadores, linhas de transmisso, capacitores.

Em condies normais, a resistncia dieltrica do ar baixa comparada com a resistncia


dieltrica de muitos dieltricos lquidos ou gasosos.

Considere um gs cujas molculas esto no estado neutro, e uma pequena quantidade de


eltrons e ons negativos e positivos no seu movimento na direo do campo eltrico.

A energia adicional das partculas carregadas transferida s molculas com as quais elas
colidem. Se esta energia for suficientemente alta, os tomos e molculas se tornam
excitados e os eltrons se movem a distncias maiores que a sua rbita, at mesmo
deixando estas rbitas naturais, formando o que se conhece como ons positivos. Estes ons
acelerados vo colidir com as partculas neutras ionizando o gs.

O potencial de ionizao definido por:


Vi = Wi / q

(8.2.1)

sendo:
Wi :

energia de ionizao

W = q V ;

carga eltrica;

V :

a tenso de queda em torno de um caminho livre .

Se o campo for uniforme V = E. , onde E a resistncia do campo, portanto:


W=Eq

(8.2.2)

O potencial de ionizao para vrios gases est entre 4 e 25 V, que corresponde a uma
energia de ionizao de 4 a 25 eV.

Em alguns casos, o eltron acelerado no est apto a ionizar a molcula, somente levando a
um estado de excitao. Num prximo momento, a molcula excitada libera sua energia
excessiva por radiao, emitindo um fton. Ento outras molculas absorvem o fton e

32

assim inicia a ionizao, provocando uma descarga devido a rpida propagao da


radiao.

Considerando um entreferro de 1cm, o tempo necessrio para o incio da descarga ordem


de 10-7 a 10-8 s. Quanto maior a tenso aplicada ao entreferro gasoso, menor o tempo de
ataque da descarga.

A descarga em gases depende do grau de uniformidade do campo eltrico.

A resistncia dieltrica do ar como uma funo da distncia entre dois eletrodos mostrada
na figura.

Figura 8.2.1. Resistncia dieltrica do ar versus distncia entre eletrodos num campo uniforme.

Em pequenas distncias entre eletrodos, a resistncia dieltrica cresce significativamente.

Este fenmeno pode ser considerado pela dificuldade em fortalecer a descarga num
pequeno entreferro.

Sob condies normais de temperatura e presso a resistncia dieltrica do ar de 3,2


MV/m com os eletrodos separados de 1 cm e cresce at 70 MV/m num espaamento de 5
mm.

A rigidez dieltrica de um gs depende bastante da densidade do referido gs, o que


tambm pode ser dito, mantendo a temperatura constante, a rigidez dieltrica depende da
presso do gs; Este fenmeno observado na Figura 8.2.2.

Figura 8.2.2. Dependncia entre a rigidez dieltrica e a presso.

Para campos homogneos, a tenso de ruptura de um gs depende bastante tambm da


frequncia, conforme por ser observado na Figura 8.2.3.

33

Figura 8.2.3.

Um campo no uniforme se forma entre dois pontos, ponto e plano, entre condutores de
uma linha de transmisso, superfcies esfricas espaadas em uma distncia superior ao
raio da esfera.

Figura 8.2.4.

Resistncia dieltrica do ar versus espaamento do entreferro num campo nouniforme de diferentes polaridades.

A caracterstica que distingue a ruptura de um gs num campo no uniforme a formao


de uma descarga parcial, chamada corona, nos lugares onde a resistncia do campo alcana
valores crticos; a descarga corona pode subsequentemente se modificar para uma centelha
ou descarga em arco com tenso crescente.

Em altas frequncias a tenso de ataque corona sempre coincida com a tenso de ruptura
que cresce suavemente com a distncia entre os eletrodos. Mas em frequncias comerciais,
a relao entre a tenso de ruptura e o espaamento do entreferro quase sempre linear.

Figura 8.2.4.

Resistncia dieltrica do ar versus espaamento do entreferro para vrias


frequncias.

A descarga atravs do ar perto de uma superfcie de um dieltrico slido chamada


descarga de superfcie ou "flashover".
34

Esta descarga depende da forma do campo eltrico determinado pela configurao dos
eletrodos e dieltrico, frequncia do campo, estado da superfcie do dieltrico e presso do
ar.

A umidade relativa do ar exerce uma grande influncia na tenso de "flashover" dos


isoladores em baixas frequncias e tenses contnuas, e tem pouco efeito em frequncias de
rdio. Assim um aumento na umidade relativa do ar de 60 a 80 ou 90% frequentemente
dividem a tenso de "flashover" dos isoladores de cermica operando numa frequncia de
50 Hz.

8.3. Ruptura em Lquidos

Sob condies normais, os dieltricos lquidos tem uma resistncia dieltrica superior a dos
gases. Mas quase impossvel se obter dieltricos absolutamente puros. As impurezas
quase sempre presentes so gua, gases e partculas slidas, as quais so responsveis pela
ruptura do dieltrico.

O campo eltrico aplicado produz a emisso de eltrons da superfcie dos eletrodos


metlicos que ento ionizam as molculas do lquido da mesma maneira que os gases. A
resistncia dieltrica dos lquidos maior que a dos gases porque o caminho livre para os
eltrons substancialmente menor.

A ruptura atribuda ao sobreaquecimento local (devido a energia gasta nas bolhas de


algum gs facilmente ionizvel) que leva a formao de canais gasosos entre os eletrodos.

O efeito da gua por exemplo na resistncia dieltrica em leos de transformador, onde a


gua no se mistura mas flutua sob a forma de gotas, na presena de um campo eltrico, se
polarizam e formam canais de alta condutibilidade produzindo uma descarga eltrica entre
os eletrodos.

Figura 8.3.1. Resistncia dieltrica do leo em funo da quantidade de gua.

A presena da gua no leo diminui sua resistncia dieltrica em temperaturas normais. Por
exemplo, a purificao de impurezas nos dieltricos lquidos pode aumentar a resistncia
dieltrica de 4 MV/m para 20 a 25 MV/m, para o caso dos leos de transformadores.

A influncia negativa da elevao da temperatura sobre as propriedades isolantes faz com


que o aquecimento que aparece em conseqncia das perdas reduzam a rigidez dieltrica
em freqncias elevadas, principalmente em lquidos polares.

35

Figura 8.3.2. Resistncia dieltrica do leo de transformador em funo da temperatura.

8.4. Ruptura em dieltricos slidos

Podem-se distinguir quatro tipos:


- ruptura eltrica em dieltricos homogneos (macroscpica);
- ruptura eltrica em dieltricos heterogneos;
- ruptura trmica;
- ruptura eletroqumica.

Cada um dos tipos ocorre em um dieltrico, e para o mesmo material depende das
caractersticas do campo eltrico (AC ou DC, alta ou baixa frequncia), defeitos no cristal,
tais como proximidade dos vazios, condies de resfriamento, perodo de ao da tenso.

8.4.1 Ruptura eltrica em dieltricos homogneos

Acontece muito rapidamente para intervalos de 10-7 a 10-8 s, e no depende da energia


dissipada no dieltrico como calor, embora o calor afete de uma certa forma a resistncia
dieltrica do material.

A ruptura se d por um processo eletrnico no qual alguns eltrons iniciam uma avalanche
eletrnica. Nos seus movimentos os eltrons espalham a energia que ganharam no campo
eltrico causando vibraes elsticas na estrutura do cristal. Os eltrons que atingiram uma
certa velocidade crtica se chocam com novos eltrons livres nas suas rbitas,
desagregando o estado estacionrio e assim iniciando a ionizao por impacto (coliso) no
corpo slido.

Figura 8.4.1.1.

Tenso de ruptura a 50 Hz versus espessura do vidro para um dos tipos de vidro


comercial.

36

8.4.2 Ruptura Dieltrica em Dieltricos Heterogneos

Ocorre na maioria dos dieltricos que contm impurezas gasosas. Como no caso
homogneo, a ruptura ocorre muito rapidamente.

A tenso de ruptura para dieltricos heterogneos expostos a campos externos uniformes ou


no uniformes geralmente menor e difere pouco em magnitude.

Figura 8.4.2. Tenso de ruptura x espessura do dieltrico para a porcelana.

A resistncia dieltrica de dieltricos slidos praticamente independente da temperatura


enquanto no atinge um certo ponto. Acima deste ponto a resistncia do dieltrico decresce
acentuadamente, o que indicativo de um ataque da ruptura trmica.

Na Figura 8.4.3. mostrada a dependncia da temperatura da resistncia dieltrica para a


porcelana eltrica a frequncia de 50 Hz.

Figura 8.4.3.

A resistncia dieltrica baixa tpica para dieltricos com poros abertos, tais como
mrmores, papel no impregnado, madeira e cermicas porosas. Os dieltricos slidos com
poros fechados tais como cermicas densas tm uma resistncia dieltrica alta.

Vazios gasosos em isoladores slidos so particularmente perigosos em altas frequncias.

A resistncia dieltrica alta especfica para dieltricos de estruturas fechadas que no tem
espaos preenchidos por gases. A este tipo pertencem a mica, papel impregnado com
dieltrico lquido e vidros.

37

Tabela 8.4.1.

Ebr eff (MV/m)

Caracterstica

Vidro

100 - 300

Sal

100 150

Dieltricos, densos e
Homogneos

Mica

100 300

Papel impregnado

100 300

Filmes orgnicos

90 120

Material

Cermicas

10 - 30

Micalex

10 15

Plsticos com filtros

10 - 15

Mrmore
Cermicas porosas

4-5
1,5 2,5

Madeira

4-6

Papel no-impregnado

7 - 10

Dieltricos heterogneos
com poros fechados

Dieltricos com poros


grandes abertos

8.4.3. Ruptura Trmica

A ruptura eletrotrmica causada pelo aquecimento de um material na presena de um


campo eltrico para temperaturas nas quais aparece no mnimo uma degradao local das
propriedades eltricas isoladoras devido a uma alta corrente de fuga ou perdas dieltricas.

A tenso de ruptura trmica depende da frequncia do campo, condies de resfriamento,


temperatura ambiente.

Redes em baixas frequncias usam materiais cujas tangentes de perdas crescem


rapidamente mesmo em temperaturas em torno de 20-300C; por outro lado os materiais
dieltricos so disponveis onde as tangentes de perdas variam pouco dentro de
temperaturas acima de 150-2000C.

A ruptura trmica nestes materiais se desenvolve somente quando a temperatura alcana


este limite.

Em altas frequncias, na maioria dos casos o calor removido por conveco atmosfrica.
o caso dos isoladores de suspenso e de suporte, capacitores cermicos.

A temperatura no deve exceder um valor crtico acima da qual ocorre a destruio


trmica; para isso necessrio estabelecer uma tenso permissvel.

8.4.4 Ruptura Eletroqumica

Acontece principalmente a altas temperaturas, com alta umidade do ar e pode aparecer


tanto em CC como CA em baixas frequncias como resultado do processo eletroltico que
causa um decrscimo irreversvel da resistncia de isolao levando a ruptura do dieltrico.

A ruptura eletroqumica um processo lento e est associada a um crescimento lento na


conduo eltrica, ou seja uma liberao progressiva de substncias quimicamente ativas
ou formao de compostos semicondutores. O material dos eletrodos tem uma grande
influncia na progresso da ruptura eletroqumica em tenses CC e CA em baixas
frequncias e condies de elevada temperatura e alta umidade do ar.

38

9. PROPRIEDADES MECNICAS E FSICO-QUMICAS

9.1. Resistncia Umidade

Os materiais eltricos isolantes so higroscpicos, num maior ou menor grau, ou seja, so


capazes de absorver umidade do sistema. Outros so permeveis, isto a gua passa
atravs do material. O ar atmosfrico contm sempre alguma quantidade de vapor de gua.
A saturao do ar com vapor de gua varia com a temperatura.

A gua um dieltrico polar com uma baixa resistividade, da ordem de 103-104 .m e


quando penetra em dieltricos slidos porosos, piora suas propriedades eltricas. O efeito
da umidade particularmente pronunciado em elevadas temperaturas (30-400C) e com altos
valores da umidade relativa do ar (98-100%), principalmente em pases de clima tropical,
estaes das chuvas, afetando a operao de equipamentos e mquinas eltricas.

A umidade elevada do ar afeta a condutividade superficial de dieltricos. As partes


isoladoras feitas de dieltricos slidos podem ser protegidas aplicando uma superfcie de
vernizes repelentes a gua.

A umidade aumenta a resistividade de volume de materiais porosos contendo impurezas


solveis em gua.

Figura 9.1.1. Resistividade de volume de um espcime seco com impurezas eletrolticas em funo
da temperatura.

Inicialmente, a resistividade cai em conseqncia do crescimento da decomposio das


impurezas na gua. Depois cresce por causa da remoo da mistura e secagem, voltando a
cair novamente em altas temperaturas.

Para reduzir a higroscopicidade e permeabilidade de materiais isolantes porosos usa-se a


impregnao, a qual somente diminui a absoro a umidade, mas no altera o valor da
resistividade aps um tempo prolongado de exposio a umidade.

Aps um tempo prolongado de uso de equipamentos eltricos em regies tropicais, pode


haver um crescimento de fungos em dieltricos orgnicos. Isto pode decrescer a
resistividade de superfcie, causar perdas dieltricas, diminuir a resistncia mecnica da
isolao conduzindo corroso de partes metlicas adjacentes. Os materiais mais
vulnerveis so celulose, incluindo aqueles impregnados, vernizes e os mais resistentes so
os inorgnicos, cermicas, vidros, mica e alguns orgnicos como resinas epoxi, teflon,
polietileno e poliestireno.

Para torn-los mais resistentes comum introduzir alguns fungicidas que retardam seu
crescimento, ou cobrir a isolao com vernizes contendo fungicidas. Os mais comuns
contm nitrognio, cloro e mercrio.

39

9.2. Propriedades Mecnicas

Resistncia trao, compresso e flexo so de grande importncia, visto que os


materiais isolantes esto sujeitos a cargas mecnicas.

A resistncia mecnica dos materiais anisotrpicos (laminados, fibrosos) depende


grandemente da direo de aplicao da carga.

importante observar que para uma variedade de dieltricos (vidros, cermicas, maioria
dos plsticos, e outros), a resistncia compresso substancialmente maior que a trao e
flexo, enquanto que nos metais da mesma ordem de grandeza.

A resistncia mecnica de um nmero de dieltricos dependente da rea da seo


transversal do espcime.

A resistncia varia tambm com a temperatura, decresce com o aumento de temperatura. A


dos materiais higroscpicos frequentemente dependente da umidade.

Figura 9.2.1. Tenso de trao do polietileno de baixa densidade em funo da temperatura.

A viscosidade uma caracterstica muito importante para lquidos e semi-lquidos, tais


como leos, vernizes e componente de enchimento e impregnao.

Figura 9.2.2. Relao tpica entre viscosidade e temperatura de um lquido.

Associados viscosidade esto os conceitos de velocidade interna de deslocamento e


resistncia dinmica de deslocamento, pois deles depende a facilidade de transferncia do
calor recebido por esses isolante.

9.3. Propriedades Trmicas

As propriedades trmicas mais importantes so: resistncia trmica, resistncia frio,


conduo de calor e expanso trmica.

40

9.3.1 Resistncia Trmica

Qualidade dos materiais isolantes de resistirem a altas temperaturas sem falhas para um
perodo de tempo longo ou curto.

Nos dieltricos inorgnicos a caracterstica determinada por mudanas substanciais nas


propriedades eltricas ou por um decrscimo na resistividade.

Para dieltricos orgnicos esta caracterstica determinada pela deformao sob trao ou
flexo.

Por exemplo, a resistncia trmica de alguns materiais dada em funo da temperatura,


determinando a estabilidade trmica:
Ebonite

: 65-750C

Poliestireno : -70-850C
Pertinax

: 150-1800C

9.3.2 Resistncia frio

Em baixas temperaturas as propriedades eltricas dos materiais isolantes geralmente


melhoram, mas alguns destes materiais, que so flexveis e elsticos em temperaturas
normais, se tornam quebradios a baixas temperaturas diminuindo a confiabilidade de
isolao.

As temperaturas as quais os materiais devem estar sujeitos so de -600C a -700C.

9.3.3 Conduo Trmica

A energia trmica dissipada devido a perdas em condutores isolados ou ncleos magnticos


e tambm devido as prprias perdas dieltricas na isolao, passam nas vizinhanas destes
e outros materiais permitindo a conduo trmica. A conduo trmica afeta a resistncia
dieltrica durante a ruptura trmica, e a resistncia dos materiais a choques trmicos.

Os valores da condutividade trmica para alguns dieltricos se encontram na Tabela


9.3.3.1.
Tabela 9.3.3.1.

Material

Condutividade Trmica
(/m oK)

Ar (entreferro)

0,05

Betume

0,07

Papel

0,10

Vernizes

0,13

gua

0,58

Quartzo fundido

1,25

Porcelana

1,6

Esteatita

2,2

Quartzo cristalino

12,5

Alumina

30

Magnsia

36

Berilio

218

41

A expanso trmica de dieltricos estimada pelo coeficiente de expanso linear da


temperatura.

Materiais com um baixo valor deste coeficiente mostram uma alta resistncia trmica e
vice-versa.

A tabela exemplifica os valores de alguns coeficientes de expanso trmica dentro de uma


faixa de temperatura de 20-1000C. Os dieltricos orgnicos tm altos valores de coeficiente
de expanso trmica quando comparados aos inorgnicos. Isto em conseqncia das
partes feitas de materiais inorgnicos oferecerem um aumento na estabilidade de suas
dimenses durante flutuaes de temperatura.
Tabela 9.3.3.2.

x 106 (K-1)

Material

Polivinilacetato

265

Polietileno

145

Acetato de celulose

120

Nylon

115

Politetrafluoretileno

100

Nitrocelulose

100

Poliestireno

68

Polivinil

64

Resinas epoxi

55

Mica

37

Vidro Slica

9,2

Cermicas

Esteatita

6,6

Porcelana

3,5

Quartzo fundido

0,55

9.4. Propriedades Qumicas

O conhecimento das propriedades qumicas essencial para estimar sua confiabilidade de


operao e processos de produo.

Quando em operao por um longo perodo, os dieltricos no devem se degradar; no


induzir corroso em partes metlicas adjacentes; no reagir com gua, gases, cidos, lcalis
e solues salinas. Os dieltricos diferem substancialmente um do outro em resistir a ao
destas substncias.

Devido ao alto tempo de exposio a radiaes, importante conhecer o grau no qual o


material estvel radiao e sua qualidade de manter as propriedades mecnicas e
eltricas.

42

10. ALGUNS MATERIAIS DIELTRICOS

10.1. Introduo

O nmero de materiais isolantes usados comercialmente chega a milhares.

As propriedades dos materiais so requisitos para seu uso nos diversos equipamentos.

Os materiais podem ser classificados pelo seu estado de agregao e subdivididos em


substncias slidas, lquidas e gasosas. Pela sua natureza qumica so classificados em
orgnicos e inorgnicos.

Alguns materiais apresentam superioridade em certos casos e em outros inadequados. Por


exemplo, a porcelana excelente para linhas areas pelas suas propriedades dieltricas,
qumicas e mecnicas, mas inadequada aos cabos isolados pela falta de flexibilidade.

A borracha apresenta excelentes qualidades qumicas, mecnicas e eltricas, mas no


resiste a altas temperaturas, atacvel pelos leos e pelo oznio.

O fato de um material apresentar propriedades eltricas muito superiores a outras (alta


resistncia dieltrica, alta resistividade, baixas perdas), no suficiente para determinar o
seu emprego se no tiverem propriedades qumicas e mecnicas adequadas. As substncias
orgnicas alm de outras, so deteriorveis.

10.2. Isoladores de Vidro e Porcelana

As propriedades do vidro variam de acordo com sua composio e seu tratamento trmico.
A resistncia compresso muito maior que trao.

Os vidros como outras substncias amorfas no tm um ponto de fuso definido e com


aquecimento a viscosidade decresce gradualmente.

Os vidros de slica so resistentes a cidos. A solubilidade do vidro cresce com a


temperatura.

Em temperaturas normais a resistividade de 106 a 1015 .m, e a permissividade, de 3,8 a


16,2.

As cermicas formam uma larga variedade, com diferentes propriedades dependendo do


seu propsito.

Figura 10.2.1. Resistividade do vidro em funo de sua composio.

43

Muitos dos materiais cermicos tm alta resistncia mecnica, alta resistncia trmica,
perdas dieltricas pequenas.

A porcelana feita de argilas especiais de grande pureza e outros materiais como quartzo e
feldspato.

O aquecimento serve para remover toda a gua e tornar a estrutura mais compacta durante
o processo de fabricao.

Os isoladores classificam-se basicamente como isoladores de suspenso para altas tenses


e de pino para baixas tenses. Outros tipos so usados em transformadores, conectores,
disjuntores de chaveamento e em linhas telefnicas.

10.2.1 Tenso de Descarga

a caracterstica eltrica bsica dos isoladores usados em alta tenso. a tenso que
aparece entre os eletrodos atravs do isolador. Pode-se distinguir dois tipos, tenso de
descarga a seco, e tenso de descarga mida. A primeira a que acontece atravs dos
eletrodos sob condies normais, e a segunda em condies de chuva, mesmo chuva
simulada.

A tenso a seco maior em mdulo que a sob chuva, e esta tenso d uma idia do
comportamento do isolador sob chuva. tambm de interesse a tenso de ruptura atravs
do corpo do isolador, a qual obtida simulando vrias situaes.

A tenso de ruptura para alguns isoladores est entre 110 e 130 kV.

Os isoladores resistem a temperaturas de 1300 a 13500C para alguns componentes de


subestaes e at 14100C para linhas de alta tenso.

10.2.2 Caractersticas dos Isoladores

As nervuras e saias tm por finalidade aumentar o percurso, para reduzir a corrente de fuga
superficial do condutor para o suporte que corresponde a resistncia de isolamento.

Em um isolador estabelecido um campo eltrico entre o condutor e o suporte; parte do


fluxo atravessa somente a porcelana ou o vidro e outras linhas de fluxo dirigem-se somente
pelo ar. O campo eltrico no ar influenciado pela forma do isolador, cujo material
apresenta elevada permissividade.

Existindo um cilindro de porcelana o campo modificado. A um meio de permissividade


mais elevada corresponde uma densidade de fluxo maior; como todo fluxo que atinge o
cilindro de porcelana atravessa o ar, nas suas proximidades a densidade maior do que nas
regies afastadas; consequentemente junto ao cilindro a intensidade de campo eltrico
ainda maior.

Ao longo de uma diretriz do cilindro, o campo eltrico no ar, tambm mais intenso que
antes de introduzi-lo, podendo se ter uma descarga disruptiva contornando o cilindro.

Pequenas nervuras: considervel aumento da intensidade do campo no ar.

Grandes nervuras: no provocam este fenmeno.

44

Figura 10.2.2.1. Isolador de pino.

A ddp estabelecida entre o fio metlico AA' de amarrao do condutor e o pino metlico
T. Se estivessem em um meio dieltrico homogneo, as linhas do campo eltrico teriam o
aspecto da figura, e caso s funcionassem a seco, a sua superfcie coincidiria com as linhas
de fluxo A'B'. Com a chuva, a resistncia eltrica superficial reduzida, recorrendo-se as
saias para alongar a linha de fuga e impedir que a chuva forme um percurso molhado
contnuo. Quando molhadas as superfcies superiores das saias comportam-se como
superfcies equipotenciais; as linhas de fluxo partindo da superfcie superior da saia
superior, atravessam as demais saias e os intervalos de ar; a posio das saias deve adaptarse s superfcies de nvel tericas.

Figura 10.2.2.1 Direo da descarga num isolador de pino testado para resistncia de
"flashover".
45

sendo:
AB, CD, EF- pores da superfcie do isolador molhado pela chuva.
10.3. leos

O leo de transformador o lquido mais comum dos dieltricos lquidos empregados na


engenharia eltrica. Tem dois objetivos, o primeiro, preencher os poros fibrosos e os
entreferros entre os enrolamentos condutores e os espaos entre o tanque e assim aumentar
a resistncia do dieltrico da isolao; segundo, facilitar a remoo do calor dissipada pelas
perdas nos enrolamentos e no ncleo magntico.

Tem uma colorao amarelo-preta e formado de vrios hidrocarbonos e so inflamveis.

Os leos de capacitores servem para impregnao dos papis de capacitores, especialmente


os capacitores de potncia para compensar mudana de fase em circuitos indutivos. So
similares aos de transformador, mas requerem um cuidado especial na limpeza com
absorventes.

Os leos para cabos servem como impregnantes dos papis usados nestes cabos.
Aumentam a resistncia dieltrica do papel e tambm ajudam a remover o calor devido as
perdas dieltricas.

10.4. Lquidos Sintticos

So superiores em algumas propriedades aos leos de transformador. Os mais importantes


so os clorohidrocarbonos ou "askareis", os quais tem como desvantagens serem altamente
txicos, tanto na forma lquida como seus vapores, o que faz com que seja proibido o uso
em muitos pases.

Os silicones lquidos tm baixa higroscopicidade, baixas perdas dieltricas e resistncia


trmica realada. Devido ao seu alto custo, sua aplicao limitada.

Os fluorcarbonos lquidos tem uma baixa perda dieltrica, higroscopicidade desprezvel e


alta resistncia trmica. Baixa viscosidade, tenso de superfcie pequena que favorece a
impregnao, alto coeficiente de temperatura para expanso volumtrica e alta volatilidade.

10.5. Resinas

So substncias orgnicas slidas ou semi-slidas, amorfas, de origem animal, vegetal,


mineral ou sinttica. Solveis no ter e no lcool mas no na gua.

So usadas na impregnao de materiais fibrosos ou na preparao de materiais moldados,


onde so empregados dissolvidos, outras so fludos para serem usados diretamente
secando no ar ou no forno.

As resinas sintticas so dentre outras: poliolefinas, poliestireno, lcool polivinlico,


fluorcarbonos, resinas termoplsticas, fenolformaldedo, resinas de poliester, resinas epoxi,
resinas de silicone.

As resinas naturais podem ser a goma laca, breu (resina de pinheiro) e o mbar:
Goma laca

= 1013 a 1015 .m
3,5

Breu

= 1012 a 1013 .m

mbar

= 1015 a 1017 .m
= 2,8.

46

10.6. Vernizes

So obtidos pela dissoluo de resinas ou gomas em lcool ou leo.

Devido sua aplicao podem ser divididos em vernizes impregnantes, de recobrimento e


adesivos.

Tambm so usados os esmaltes que so vernizes pigmentados ou tintas esmaltadas.

Os vernizes adesivos so usados como cimento na junta de materiais isolantes com metais.

Os chamados compostos diferem dos vernizes por no conterem solventes. Consistem de


vrios leos, resinas, betumes.

Se eles estiverem inicialmente no estado slido, devem ser aquecidos at atingirem uma
viscosidade suficiente. So usados como impregnantes e em enchimento.

10.7. Plsticos

So importantes pela sua capacidade de tomar formas de acordo com um molde quando sob
presso. So usados como isolantes e como materiais de construo.

So geralmente formados por um aglutinante que um polmero orgnico, capaz de ser


deformado sob presso e um enchimento que se adere ao aglutinante que pode estar na
forma de p, fibras e outros como algodo, asbesto, fibra de vidro, mica, papel.

Podem ser classificados ainda como termoplsticos que podem ser dissolvidos aps
moldagem que so os polivinil, derivados de celulose e resinas poliamidas, e os termofixos
os quais aps a ao do calor durante a moldagem passam para um estado insolvel. Citase os baseados em fenolformaldedo, carbamida e outras resinas termofixas.

Os plsticos laminados so aqueles onde vrios materiais fibrosos produzidos em lminas


servem como enchimento. Incluem o pertinax (baquelite laminada) e textolite (resina
laminada). A baquelite um formaldedo que reage com uma molcula de fenol formando
uma resina termofixa.

10.8. Elastmeros:

De grande importncia numa variedade de aplicaes industriais.

As borrachas naturais so provenientes das rvores (seringueiras), no so a prova d'gua,


so quebradias a baixas temperaturas e se tornam deformveis acima de 500C. A
vulcanizao (tratamento feito com enxofre) melhora sua resist6encia trmica a frio, sua
resistncia mecnica e a solventes.

A borracha natural tem = 1014 .m e = 2,4. Suas propiedades dependem da composio


e do processo de fabricao.

As borrachas usadas em isolao tem 1013.m, permissividade entre 3 a 7, resistncia


dieltrica de 20 a 30 MV/m.

As borrachas sintticas so derivadas do petrleo e apresentam qualidades superiores como


serem quimicamente inertes e resistirem a umidade.

Cita-se o butadieno, o butadieno-estireno, butil, cloropreno, nitrila, e borrachas de silicone


as quais tem uma alta resistncia trmica (2500C) e boa resistncia a frio (-70 a -1000C),
mas baixas propriedades mecnicas, fraca estabilidade a cidos e muito dispendiosa.

47

10.9. Mica

Alta resistncia dieltrica, resistncia trmica, resistente a umidade, boa resistncia


mecnica e flexibilidade, muito usado em isolaes de alta tenso, mquinas eltricas,
incluindo os grande turbogeradores, geradores hidrulicos, e tambm como dieltrico em
certos capacitores.

um mineral encontrado na natureza e sua composio qumica varivel.

106 a 108 .m
11 a 16 ou 23 a 46.

MICALEX um plstico fortemente preenchido com mica, e como aderente vidro pastoso.
Tem alto custo devido ao seu processo de fabricao ser muito difcil.

= 1010 a 1012 .m; = 6 a 8,5; resistncia dieltrica: 10 a 20 MV/m.


10.10. Betume

So materiais amorfos que consistem de misturas complexas de hidrocarbonos e contm


alguma quantidade de oxignio e enxofre.

So de cor preta ou marrom escuro, quebradios em baixas temperaturas. So solveis em


hidrocarbonetos, mais especificamente no benzeno e tolueno do que na gasolina, instvel
em leos, insolvel no lcool e na gua, baixa higroscopicidade e praticamente
impermevel na gua.

Permissividade de 2,5 a 3.
Ebr de 10 a 25 MV/m
Resistividade de 1013 a 1014 .m
So empregados na produo de vernizes e compostos.

10.11. Asbesto

o nome geral de uma variedade de fibras minerais. Ocorrem na rocha na forma de veios
consistindo de fibras que correm paralelas umas s outras. A vantagem que oferecem sobre
as fibras orgnicas sua alta resistncia trmica. Seu ponto de fuso 11500C e em
temperaturas entre 400 a 5000C se degradam a resistncia mecnica. Possuem alta
higroscopicidade que pode ser diminuda pela impregnao com resinas e betumes. As
propriedades de isolao eltrica no so altas, por isso no so muito viveis em altas
tenses e altas frequncias. s vezes contm certa quantidade de ferro, prejudicando suas
propriedades isolantes.

Encontram vasta aplicao em vrios campos da engenharia eltrica. As fibras so usadas


em ls (torcidas em tramas a prova de fogo) em fbricas de produo de papel.

Atualmente so substitudas pela fibra de vidro que tem alta resistncia trmica e melhor
propriedade de isolao eltrica.

48

11. MATERIAIS MAGNTICOS MACIOS


11.1. Introduo

Os materiais magnticos macios ou doces possuem laos de histerese com superfcies


relativamente pequenas, sendo utilizados na construo de dispositivos que trabalham com
fluxos magnticos alternados ou variados. Por exemplo, os rels de acionamento rpido que
devem promover um desligamento com resposta instantnea, as mquinas eltricas e os
transformadores so construdos com materiais de lao de histerese de pequena rea.
Constituem o grupo mais importante dos materiais magnticos.

Sendo a perda por histerese proporcional a rea do lao, os aparelhos que funcionam com
fluxos alternados tm suas perdas aumentadas em funo do tipo de material e da
resistividade eltrica imposta, j que estes influenciam na propagao das correntes
induzidas no material.

11.2. Ferro

Dentre os materiais magnticos, os ferros quimicamente puros, so os que apresentam


melhores caractersticas quanto a sua rea do lao de histerese. Por seu preo elevado, o
ferro substitudo por ligas, que apesar de serem inferiores podem oferecer um
desempenho satisfatrio.

O nquel e o cobalto so materiais ferromagnticos, mas so inferiores ao ferro


quimicamente puro.

Na Figura 11.2.1 mostra-se as variaes da densidade de fluxo e da intensidade de fluxo


para o ferro, nquel e cobalto.

Figura 11.2.1.

O ferro que indicado para os dispositivos que funcionam em corrente contnua, possui
baixa resistividade, o que faz com que as perdas por efeito Foucault sejam relativamente
elevadas, quando alimentadas por correntes alternadas.

Adicionando ao ferro quimicamente puro porcentagens variadas de silcio, as perdas no


ncleo diminuem e as propriedades eltricas e magnticas destas ligas variam com as
porcentagens da mistura.

A adio de silcio diminui o valor da intensidade de campo necessria para a saturao,


alterando a permeabilidade magntica e a rea do lao de histerese.

A mais importante liga de ferro-silcio o hipersil e contm 3,25% de silcio.

A partir de processos metalrgicos, esta estrutura magntica ganha orientao preferencial


a propagao do fluxo.

49

Os materiais magnticos que possuem esta propriedade so chamados de materiais com


gros orientados.

Na Tabela 11.2.1 apresenta-se uma comparao entre os materiais que apresentam


composies diferentes em relao a porcentagem de silcio na liga.
Tabela 11.2.1.

% Si

Resistividade

Perdas (W/kg)

Uso

( cm)

0,25-0,30

28

5,1

0,50-0,60

28

3,4

1,25-1,50

44

3,7

2,50-2,75

44

2,5

2,75-3,25

50

2,1

3,60-4,00

52

1,58

4,00-4,25

58

1,43

4,25-4,50

60

1,27

4,50-4,75

65

1,15

As aplicaes a que se refere a tabela podem ser resumidas como segue:


1. motores fracionrios de baixo custo para uso intermitente;
2. motores fracionrios, peas polares e circuitos de alta permeabilidade magntica;
3. mquinas de boa qualidade, transformadores pequenos de uso intermitente, rels e
reatores;
4. mquinas de eficincia mdia, transformadores pequenos e reatores;
5. mquinas de alta eficincia e tamanho mdio, transformadores de uso intermitente,
reatores, aparelhos de medidas, peas polares laminadas;
6. transformadores de potncia;
7. todos os tipos de transformadores de distribuio e mquinas eltricas de alta eficincia.

Salienta-se que a tabela refere-se a materiais magnticos fabricados em forma de chapas.

11.3. Outras Ligas

Outras ligas so conseguidas com a combinao dos elementos ferromagnticos bsicos


(Fe, Ni, Co) com outros elementos no ferromagnticos como o cobre, cromo, molibdnio
e carbono.

As ligas de ferro-nquel so aplicadas em instrumentos de medidas, em ncleos magnticos


de bobinas de rdio frequncia.

As ligas de ferro-cobalto por suportarem densidades de fluxos magnticos relativamente


mais elevadas do que as de ferro-silcio, podendo chegar a 2,5 tesla, so empregadas na
construo de ncleos magnticos para dispositivos de pequenas dimenses fsicas.

Na Tabela 11.3.1. pode-se observar as caractersticas magnticas das diversas ligas obtidas
com combinao entre o nquel e o ferro.

50

Tabela 11.3.1.

Nome

% Fe

inicial

% Ni

final

Bsaturao

cm

tesla
Permalloy-45

54

45

2500

25000

1,6

50

Permalloy-78

21

78

8000

100000

1,0

16

Permalloy-4-79

16

79

20000

80000

0,87

57

Hipernick

50

50

4000

80000

1,6

35

Mumetal

17

765

20000

110000

0,72

60

Supermalloy

15

79

100000

800000

0,8

60

A adio de molibdnio e cromo aumenta a resistividade e a permeabilidade inicial e


diminui a sensibilidade a deformaes magnticas.

A adio de silcio e magnsio nas ligas ferro-nquel aumenta a resistividade.

O cobre assegura permeabilidade constante dentro de uma estreita faixa do campo


magntico, melhora a estabilidade trmica, aumenta a resistividade.

Os grficos a seguir, mostram as propriedades magnticas e resistividade de ligas Fe-Ni em


funo da quantidade de nquel.

Figura 11.3.1.

51

As ligas de Fe-Ni so tambm conhecidas como ligas de alta permeabilidade.

Suas propriedades mecnicas respondem bem a esforos mecnicos externos, dependente


da composio qumica, quantidade de elementos estranhos e esto aptas a variaes de
temperatura ou taxas de aquecimento e resfriamento.

A permeabilidade diminui com o aumento da frequncia. O custo das ligas depende da


quantidade de nquel.

As propriedades do ferro no dependem somente do contedo de impurezas, mas da


estrutura do material, tamanho do gro e resistncia mecnica, conforme pode ser
observado na tabela a seguir.
Tabela 11.3.2. Composio Qumica e Propriedades Magnticas de Alguns Tipos de Ferro.

Material

Impurezas Impurezas

inicial

max

Fora
Coercitiva

%C

% O2

Ferro bruto

0,02

0,06

250

7000

0,064

Ferro eletroltico

0,02

0,01

600

15000

0,028

Ferro carbonyl

0,005

0,005

3300

21000

0,064

Ferro carbonyl reliquefeito vcuo

0,01

61000

0,072

Ferro refinado em hidrognio

0,005

0,003

6000

200000

0,032

Ferro extra

20000

340000

0,024

Monocristal de ferro

1430000

0,08

kA/m

11.4. Ao eltrico

Ao eltrico o principal material magntico macio. A adio de silcio aumenta sua


resistividade e reduz a circulao de correntes que causam perdas. O silcio tambm ajuda
na isolao de carbono na forma de grafite e contribui para a completa desoxidao do ao.
Aumenta a permeabilidade inicial e diminui a fora coercitiva e a perda de energia por
histerese.

As vezes o silcio afeta as propriedades mecnicas do ao, como tornar menos favorvel a
laminao da chapa.

Contendo abaixo de 4% de silcio suas propriedades mecnicas so relativamente boas,


mas se a porcentagem de silcio exceder 5%, torna-se bastante quebradio.

Combinando laminao a quente e a frio seguido de um tratamento trmico especial


possvel tornar um ao macrocristalino anisotrpico com os cristais orientados tais que seus
eixos de fcil magnetizao coincidam com a direo da laminao.

As caractersticas bsicas do ao eltrico so:


1. Induo magntica com um ndice numrico que especifica a dimenso do campo
magntico, (kA/m)
2. Perdas unitrias totais de energia em W/kg das laminaes do ao isoladas por vernizes
colocadas num campo magntico varivel.

52

Figura 11.4.1. Curvas B x H para o ao eltrico.

12. MATERIAIS MAGNTICOS DUROS


12.1. Introduo

Os materiais magnticos duros possuem laos de histerese relativamente de grandes


superfcies, determinando grandes valores de Br, Hc, (BH)max como mostra figura, isto ,
apresentam um fluxo residual elevado. Este fluxo residual implica na existncia de uma
densidade de campo residual.

Regio de desmagnetizao

Figura 12.1.1.

Para que se possa anular este fluxo residual, tem-se de fazer circular, pelo enrolamento
excitador uma corrente eltrica com tal sentido, que gere uma fora magntica motriz
responsvel por um fluxo que se oponha ao fluxo residual.

Examinando o lao de histerese, na regio compreendida entre os pontos RC, observa-se


que uma regio de desmagnetizao. Nesta regio, o material que armazena energia para
ser desmagnetizado, deve receber energia externa na forma de um fluxo, cuja magnitude
seja proporcional a rea hachurada da Figura 12.1.1. Esta regio RC do lao de histerese
chama-se curva de desmagnetizao.

Os materiais magnticos duros so utilizados para fabricao de ims permanentes.

Um critrio para a avaliao do desempenho de um material, quanto a sua dureza


magntica, o produto (BH)max, obtido na regio de desmagnetizao e os valores de Br e
Hc elevados.

Estes materiais so usados na construo de instrumentos de medida, rels, mquinas


eltricas pequenas. O ao carbono tem sido um material de desempenho satisfatrio.

O ao carbono com tungstnio, cromo ou cobalto de desempenho superior.

Outras ligas como Fe-Ni-Al, Fe-Ni-Si, Al-Ni-Co apresentam propriedades magnticas


excepcionais e seu custo relativamente pequeno.

A Tabela 12.1.1.enumera a composio e propriedades dos materiais magnticos


permanentes mais difundidos.

53

Tabela 12.1.1.

Material

% do elemento em combinao com o ferro


C

Ao- Tungstnio

Cu

Si

Cr

0,7

Co

Ni

Al

Ao- Cromo

Ao- cobalto

ALNI

30

ALNISI

Propriedades Magnticas
Hc

Br

HBmax

kA

tesla

4,776

300000

4,776

0,9

275000

17,512

0,9

930000

25

14

43,18

0,55

1300000

34

14

63,680

0,4

1400000

ALNICO

12

17

10

39,8

0,7

1500000

MAGNICO

24

13

39,8

1,25

4350000

12.2. Generalidades

As caractersticas dos materiais magnticos permanentes so a fora coercitiva, a


remanecncia, e a mxima energia que o magneto transfere ao ambiente.

A permeabilidade dos materiais magnticos permanentes menor que a de um material


magntico macio, quanto maior a fora coercitiva, menor a permeabilidade dos materiais
magnticos duros.

Um magneto na forma de um toride no libera sua energia para o ambiente. Para isto
acontecer necessrio a existncia de um entreferro entre os polos, isto , um circuito
magntico aberto.

Figura 12.2.1.

Na Figura 12.2.1. apresenta-se a curva de desmagnetizao (segundo quadrante do lao de


histerese) e a curva mostrando a relao entre a energia Wl e a induo Bl.

Figura 12.2.1.

54

HC : fora coercitiva;
BR : remanecncia;
BL : induo magntica;
WL : energia.

A energia no entreferro depende de sua largura; aqui a induo Bl no entreferro ser menor
que a induo residual Br devido ao efeito desmagnetizante dos polos magnticos. A
energia confinada num volume unitrio do entreferro pode ser representada pela seguinte
igualdade:
Wl = 0,5 Bl Hl

(12.2.1)

sendo:
Hl : intensidade de campo magntico correspondente a induo Bl.

Quanto menor o comprimento do magneto e mais largo o entreferro, maior ser a


intensidade do campo desmagnetizante dos polos e menor Bl.

Com o circuito magntico fechado, Bl = Br e a energia zero porque Hl = 0. Se o entreferro


entre os polos muito grande, a energia tende a zero, desde que Bl = 0 e Hl = Hc.

Em certos valores de BL e HL, a energia alcana seu mximo, como observado na Figura
12.2.1.

A quantidade:
WL = 0,5 BL HL = 0,5. (BH)max = Wmax

(12.2.2)

define a mxima eficincia do magneto e assim prova ser a qualidade bsica caracterstica
dos materiais magnticos permanentes. Estes materiais so frequentemente descritos pelo
produto da energia mxima BLHL ou fator de convexidade da curva de desmagnetizao:

K con

( BH ) max
2 Br H c

(12.2.3)

Os magnetos permanentes encontram muitas e variadas aplicaes. So produzidos de


muitas maneiras e dimenses.

12.3. Ligas de Ao

So ligas que contm tungstnio, cromo, molibdnio e cobalto.

A energia mxima est entre 1 e 4 kJ/m3.

As propriedades magnticas esto asseguradas pelo tratamento trmico (procedimento


variado com o tipo de ao) e estabilizao estrutural em gua fervente.

Estes espcimes foram os primeiros a serem usados para a construo de magnetos


permanentes. Em consequncia das propriedades magnticas inferiores, mas mesmo assim
no so desprezados, pois so de preo acessvel e industrializveis.

55

Tabela 12.3.1. Composio e Propriedades de Aos Magnticos Permanentes.

Composio Qumica % em Relao ao Ferro


Carbono
(C)

Cromo
(Cr)

0,95-1,1

Tungstnio
(W)

Cobalto
(Co)

Propriedade Magnticas
(valor mnimo)

Molibdnio
(Mo)

Br (tesla)

Hc (kA/m)

1,3-1,6

0,9

4,6

0,9-1,1

2,8-3,6

0,95

4,8

0,68-0,78

0,3-0,5

0,9-1,05

5,5-6,5

5,5-6,5

0,85

0,9-1,05

8-10,0

13,5-16,5

0,8

13,6

5,2-6,2
1,2-1,7

13.4. Ligas Magnticas Pesadas

Ligas ternrias de Al-Ni-Fe (Alumnio-Nquel-Ferro), chamadas ALNI tem uma grande


energia magntica.

A adio de cobalto e silcio melhora as propriedades magnticas.

A adio de Si (Silcio) d o ALNISI e do Monxido de Carbono (CO) d o ALNICO. Esta


com uma quantidade mxima de cobre d o MAGNICO.

As propriedades magnticas dos materiais magnticos pesados dependem do cristal e da


textura magntica.

Em todos os materiais magnticos pesados, as propriedades magnticas so obtidas com


uma distoro substancial da estrutura do cristal.

O melhoramento das propriedades magnticas da liga MAGNICO resulta no somente de


sua composio, mas tambm do tratamento especial que envolve resfriamento dos
magnetos num campo magntico muito forte.

MAGNICO anisotrpico pelas suas caractersticas; a fcil magnetizao observada ser


naquela direo na qual foi aplicado o campo magntico durante seu resfriamento.

Com a energia magntica sendo a mesma, o MAGNICO quatro vezes mais leve que os
magnetos ALNI e 23 vezes mais leves que os magnetos feitos de ao cromo.

As ligas dos tipos ALNI, ALNICO e MAGNICO sofrem a desvantagem de que so


quebradias e duras e assim no manufaturveis; os produtos para tomarem forma podem
ser acabados somente por esmerilhamento.

A classificao das ligas de Al-Ni-Fe contm onze composies cujas propriedades


magnticas esto apresentadas na Tabela 12.4.1..

56

Tabela 12.4.1. Propriedades Magnticas das Ligas Magnticas Permanentes.


Br (T)

Hc
(kA/m)

BL (T)

Kcon

Wmax
kJ/m3

Nome
Comercial

Al-Ni-Cu4

0,5

40

0,3

24

7,2

0,36

3,6

ALNI3

Al-Ni-Cu12

0,5

52

0,29

30

8,8

0,34

4,4

Al-Ni-Cu8

0,6

44

0,37

28

10,4

0,39

5,2

Al-Ni-Cu-Co15

0,75

48

0,43

28

12

0,33

6,0

Al-Ni-Cu-Co18

0,9

55

0,57

34

19,4

0,38

9,7

Al-Ni-Cu-Co-Ti5

0,8

87

0,5

56

28

0,4

14

Al-Ni-Cu-Co-Ti2

1,1

58

0,77

38

29,4

0,46

14,8

ALNICO24

Al-Ni-Cu-Co24

!,23

44

0,95

34

32

0,59

16

MAGNICO

Al-Ni-Cu-Co-Nb

1,2

51

0,85

37

32

0,52

16

Al-Ni-Cu-Co25

1,33

54

1,14

46

52,8

0,74

26,4

Al-Ni-Cu-Co-Nb

1,28

62

1,05

50

52,8

0,67

26,4

Tipo

HL
BLHL
(kA/m) T.kA/m

ALNICO15

ALNICO18

As ligas Al-Ni-Cu, Al-Ni-Cu-Co24 e Al-Ni-Cu-Co15 so as mais usadas. As duas


primeiras h muito j passaram o perodo experimental e ganharam reconhecimento de
especialistas. Al-Ni-Cu-Co24 a mais barata das ligas Fe-Ni-Al.

A liga do tipo Al-Ni-Cu-Co24 usada quando importante obter magnetos permanentes


com propriedades magnticas excepcionalmente altas na direo preferida. A do tipo AlNi-Cu-Co15 encontra uso quando se deseja que o material deva mostrar propriedades
magnticas relativamente altas. Estes tipos contabilizam 80% de todos os materiais
magnticos pesados usados na indstria.

Figura 12.4.1.

57

12.5. Magnetos Porosos

Como impossvel obter pedaos pequenos das ligas Fe-Ni-Al recorre-se s tcnicas
metalrgicas porosas, que permitem a produo de magnetos permanentes com ou sem
aglutinantes. Os do primeiro tipo, isto com aglutinantes so chamados magneto metal
cermicos e os do segundo, magneto metal plsticos.

Os magnetos metais cermicos tm uma porosidade de 3 a 5 %; a energia magntica


armazenada inicial e a induo residual destes magnetos so 10 a 20 % menores que
aquelas dos magnetos feitos da liga correspondente, mas podem sobrepujar os magnetos
em resistncia mecnica, que de 3 a 6 vezes mais alta.

Os magnetos metais plsticos mostram propriedades magnticas inferiores devido a alta


concentrao, acima de 30%, de aglutinantes no magnticos. A fora coercitiva, a induo
residual e a energia inicial so, respectivamente, 10 a 15, 35 a 50 e 40 a 60% menores que
aquelas dos magnetos fundidos.

Os magnetos metais plsticos tm uma alta resistividade eltrica, o que o torna capaz de
us-los em equipamentos apropriados para operar em campos magnticos de alta
frequncia.

Na Tabela 12.5.1 mostrada as propriedades bsicas dos magnetos metal cermicos e


metal plsticos.
Tabela 12.5.1.

Composio
Qumica % Fe

Br (T)

Hc kA/m

Kcon

Wmax kJ/m3

Metal
cermico
base MAGNICO

8Al, 15Ni, 24Co,


3Cu

50

0,47

11,7

Metal plstico

15Al, 24Ni, 4Cu

0,3

38

0,28

1,62

Tipo do material

Uma alta fora coercitiva observada em materiais magnticos pesados sintetizados


baseados em ligas de cobalto com metais terras raras. A tabela abaixo apresenta a
composio qumica bsica e as propriedades principais dos magnetos feitos destes
materiais.
Tabela 12.5.2.

Br (T)

Hc (kA/m)

Wmax (kJ/m3)

36-38,5

0,77

0,54

55

36-38,5

0,82

0,56

65

36-38,5

0,85

0,52

65

36-38,5

0,90

0,50

72

% Cobalto

% Cobalto

Samrio

Samrio e
Praseodmio

Como visto na tabela, a fora coercitiva do material grande (to alta quanto as das ligas
de Al-Ni-Co-Fe) e, portanto, a energia magntica inicial excede a da maioria dos materiais
magnticos usados. A introduo de novos materiais na indstria assegura progresso no
desenvolvimento de dispositivos usando magnetos permanentes.

58

13. MAGNETO DIELTRICO E FERRITE


13.1. Introduo

Os osciladores de rdio empregam bobinas cujos ncleos so ferromagnticos. As


propriedades exigidas a estes ncleos, fizeram com que os fabricantes desenvolvessem
condutores magnticos com grande resistividade eltrica. Esses materiais denominam-se
materiais magneto-dieltricos e ferrites.

Os materiais magneto-dieltricos so obtidos pela mistura de p finamente pulverizado de


Magnetita (Fe2O3), Permalloy ou ferro, com elementos dieltricos. Esta mistura prensada
e deixada endurecer, ficando as partculas ferromagnticas envolvidas por dieltricos. Por
cauda da presena do isolante, os ncleos magnticos so insaturveis, seu r pode atingir
milhares de unidades.

As ferrites so fabricadas a partir da associao do xido de cobre ou de zinco com xido


de ferro ou nquel.

A mistura prensada e vulcanizada, tornando-se uma soluo slida, como, por exemplo,
ZnFe2O3. Por suas propriedades eltricas as ferrites so semicondutores e suas propriedades
magnticas so funes dos elementos que entram na mistura. Contrariamente aos
materiais magneto-dieltricos, as ferrites so saturveis. As ferrites formadas por xido de
zinco e de nquel possuem r inicial da ordem de 1000.

13.2. Ferrites

Ferrites so cermicas ferromagnticas ou magneto cermicos com uma baixa


condutividade eletrnica.

So tambm conhecidos por materiais ferrimagnticos. Estes possuem a caracterstica de


possurem um alinhamento antiparalelo de spins, onde prevalece uma certa direo de spins
sobre outras, mantendo um mnima energia potencial no sistema. Este fenmeno
caracterstico de certas substncias cristalinas.

Figura 13.2.1.

Muitos dos materiais ferrimagnticos so xidos complexos e diferem dos ferromagnticos


pela baixa saturao magntica, dependncia induo temperatura mais complexa, e uma
resistividade crescente ou mesmo algumas vezes muito alta.

Uma das diferenas est em que as ferrites tem uma estrutura cristalina com duas subgrades
que produzem fluxos magnticos no compensados antiparalelos, e a outra diferena que
as ferrites so de natureza no-metlica.

Por causa da alta resistividade, de 106 a 1011 vezes a do ferro, asseguram a no circulao
de correntes parasitas em altas frequncias. Apresentam propriedades magnticas
suficientemente altas, tornando-as bastante atrativas para aplicaes em altas frequncias.

As ferrites so constitudas de xidos de ferro com um ou mais xidos divalentes,


raramente com xidos monovalentes, de frmula geral MeOFe2O3 onde Me um metal
bivalente.

59

As ferrites tem uma grade cristalina cbica, como a que ocorre naturalmente na forma
MgOAl2O3. Como o ferromagneto natural (magnetita), MgOFe2O3, a maioria das
composies deste tipo apresentam propriedades magnticas, enquanto ZnOFe2O3 e
CdOFe2O3 so no-magnticos. As pesquisas mostram que a presena ou ausncia de
propriedades magnticas depende da estrutura do cristal, em particular da localizao dos
ons dos metais divalentes e ferro entre ons de oxignio.

Como as ferrites so cermicas, so geralmente produzidas por tcnicas metalrgicas


porosas. Os procedimentos usados tm um efeito aprecivel nas propriedades das peas j
prontas.

O processo de produo segue os seguintes passos: uma mistura dos xidos metlicos
calcinada, transformada em um p fino; atravs do lcool polivinlico toma um aspecto
plstico, sendo prensada para tomar forma sob alta presso ento sinterizada de 1100 a
14000C para formar solues slidas de ferrites.

Na presena do ar ou em geral numa atmosfera oxidante devem suportar o fogo.

Mesmo uma pequena quantidade de hidrognio no espao de um forno pode causar uma
reduo parcial do xido, conduzindo a um aumento aguado da perda magntica em
produtos prontos.

A dimenso de peas de ferrites queimadas pode alcanar 20%. As ferrites so duras e


quebradias e no podem se usinveis. As dimenses finais podem ser obtidas aps a
queima por torneamento e polimento.

13.2.1. Ferrites Magnticas Macias

Observa-se da curva de histerese que esta ferrite tem uma induo mxima acima de 0,3 T
e uma fora coercitiva em torno de 16 A/m. As ferrites que mostram alta permeabilidade
em campos variveis dissipam muita energia. A perda de energia cresce rapidamente com a
frequncia.

Figura 13.2.1.1. Lao de histerese de uma ferrite nquel-zinco de alta permeabilidade.

Figura 13.2.1.2. Permeabilidade inicial


MnZn e NiZn.

curvas de temperatura para vrias classes de Ferrites

60

A dependncia da permeabilidade em funo da temperatura em ferrites nquel-zinco


apresentada na Figura 13.2.1.2.

As caractersticas bsicas das ferrites so as seguintes: a densidade de 3 a 5 Mg/m3, calor


especfico em torno de 0,7 kJ/kgK; condutividade trmica aproximadamente 5/mK;
coeficiente de expanso linear da ordem de 10-5 K-1 e resistividade entre 10-1 e 108 m.

As ferrites tm uma permissividade relativa alta, que depende da sua composio e da


frequncia.

Com um uso mais abrangente destacam-se as ferrites Mn-Zn, Ni-Zn, Li-Zn.

As bandas de frequncia aproximada dentro das quais podem operar diferentes ferrites
dependem de suas caractersticas, permeabilidade e perda de energia conforme mostrado
na Figura 13.2.1.3.

Figura 13.2.1.2. Espectro de frequncia de operao aproximada para vrias ferrites.

13.2.2. Ferrites com Lao de Histerese Retangular

Estes materiais tm adquirido importncia considervel para dispositivos de memria e


chaveamento em computadores de alta velocidade.
Tabela 13.2.2.1. Propriedades de algumas ferrites magnticas macias.
Classe

inic

max

H A/m
em max

inic x
10-6 em
20 a
700C

Ni-Zn, alta
freqncia

Top 0C

(m)

6000

10000

12

0,2-1,5

60

0,005

0,1

110

2000

3500

20

-2 a 4,5

45

0,35

0,5

180

1000

2000

80

-0,5 a
8,5

45

0,7

0,5

180

700

2000

120

0,2-1,0

20

220

2000

7000

12

300

0,2

10

70

600

1600

56

125

1,2

100

110

200

300

160

65

1000

120

Mn-Zn

Ni-Zn, udioultrassnica e baixa freqncia de


rdio

Freq.
tg/inic
Limite
6
x10 em
em MHz
H=8A/m
tg = 0,1

330

60

540

560

50

55

10

100

280

720

35

104

360

150

350

640

25

104

360

360
450

50

1170

800

10

70

10

10

40

3600

120

250

108

61

Os materiais deste tipo preenchem um determinado nmero de requisitos e alcanam ainda


especificaes em alguns parmetros adicionais. Um destes fatores, o bsico, o fator de
retangularidade do lao de histerese, Krec que a razo da induo residual Br a induo
mxima Bmax:
Krec= Br/Bmax

(13.2.2.1)

Por definio Bmax medido em Hmax = 5Hc.

desejvel que Krec seja o mais prximo possvel da unidade.

Figura 13.2.2.1.

Os ncleos de ferrite com laos de histerese retangulares tm merecido um vasto


reconhecimento em relao s chapas metlicas finas feitas de permalloy, porque a
produo das ferrites muito mais simples e econmica. Deve ser considerado que as
ferrites variam com a temperatura.

Assim, uma temperatura que varia de 200C a 600C causa uma fora coercitiva de
diferentes classes de ferrites cair de 33 a 50%, e a densidade de fluxo residual de 35%.

Na Tabela 13.2.2. a seguir apresenta algumas propriedades de ncleos e materiais com


laos de histerese retangulares.
Tabela 13.2.2.2.

Hc (A / m)

Br (T)

Krec

Sq (C/m)

Ferrites de vrias classes

8-300

0,1-0,25

0,7-0,98

14-340

26-53

Ncleos de permalloy *

8-40

0,7-1,5

0,92-0,98

480-780

25-100

Tipo de material

Sq : coeficiente de chavemento;
* : compostos de 2 a 10 m de chapas finas.

13.2.3. Ferrites Magnetostritivas

So usadas em aplicaes de altas-frequncias.

Na Tabela 13.2.3.1 listam-se os valores da deformao magnetostritiva para um nmero de


ferrites. Os valores L/L relacionam a saturao magntica das espcies. Para comparao
includa uma classe de permalloy.

62

Tabela 13.2.3.1.

Composio

L/L x 106

Ferrite ferro (magnetita)

FeO Fe2O3

40

Permalloy

45Ni, 55Fe

27

Ferrite manganesa

MnO Fe2O3

-2

Ni2+0,35 Zn3+ Fe23+ O4

-5

Material

Ferrite Ni-Zn
Ferrite de litio
Ferrite de cobalto

1+

3+

Li Fe
Co

2+

0,35

3+

Fe2 O4

Fe23+

O4

-8
Perto de -200

13.2.4. Ferrites de Super Alta-Frequncia

Desempenham um papel bastante especfico, considerando primeiramente suas


propriedades magnticas e eltricas controlveis. O grupo compreende ferrites de nquel,
magnsio, ferroamonicatos de magnsio, ferrocromitos de nquel e magnsio, e ferrites de
trium.

Magnetostrio:
Quando um monocristal ferromagntico colocado num campo magntico est sujeito a
encolher ou expandir. Esta propriedade a magnetostrio. Um monocristal de ferro
mostra variaes em magnetostrio sobre diferentes eixos no cristal. Quando magnetizado
ao longo de um cubo, expande na direo diagonal e encolhe na direo da magnetizao
em materiais policristalinos.

13.2.5. Magnetodieltricos

Representam uma das variedades dos materiais magnticos.

So indicados para aplicaes em altas frequncias em consequncia de possurem uma


grande resistividade eltrica e assim uma tangente de perdas magnticas pequena.

Os magnetodieltricos so obtidos por uma moldagem presso de um ferromagneto em


p com um aglutinante orgnico ou inorgnico para isolar os gros um do outro. Ferro
carbonyl, alsifer terroso e outros materiais podem servir como base, e resinas formaldedos,
poliestireno, vidros, como agente aglutinador isolante.

A base deve ter propriedades magnticas superiores e o aglutinante a capacidade de formar


uma pelcula eltrica isolante contnua entre os gros. Tal pelcula deve ser o mais fina e
uniforme possvel e aglutinar o suficiente todos os gros.

Os magnetodieltricos so descritos pela permeabilidade efetiva que sempre menor que a


permeabilidade do ferromagneto que forma a base do magnetodieltrico. Isto se atribui a
duas causas: o aglutinante usado um material no-magntico, e as medidas da
permeabilidade so feitas frequentemente em ncleos fabricados do que em toroides.

Ncleos a base de ferro carbonyl tm uma estabilidade suficientemente alta, baixa perda de
energia e coeficiente de temperatura de permeabilidade positivo. So disponveis para uso
em uma vasta classe de frequncia.

Ncleos a base de alsifer apresentam um coeficiente de temperatura de permeabilidade


negativo. Isto torna possvel fabricar magnetodieltricos de misturas alsifer-ferro-carbonyl
de propores tais para obter o nvel e o sinal de desejado.

63

Na Tabela 13.2.5.1. listam-se as propriedades generalizadas bsicas dos magnetodieltricos


de alsifer-ferro carbonyl. A permeabilidade dos magnetodieltricos praticamente
incontrolvel por um campo magntico aplicado externamente.

Por causa da presena das ferrites, agora disponveis no mercado dentro de um vasto
espectro, estas oferecem um nmero de vantagens sobre os magnetodieltricos, os quais
perderam um pouco sua importncia tcnica, ficando com aplicaes limitadas.
Tabela 13.2.5.1.

Tipo material

R x 106 K-1

tgH/Hinic
(m/A)

Frequncia
Limite
(MHz)

Base ferro-carbonyl

5-16

50-100

1,25-6,26

50

Base alsifer

20-65

-200 a -400

15-62,5

0,1

Composies
Complexas
baseadas em mistura de alsifer
com outros ferromagnetos

20-60

-150 a 50

15-62,5

13.3. Ferros e Aos Construcionais

Estes materiais so empregados na fabricao de mquinas eltricas, dispositivos e


instrumentos que devem ter altas propriedades mecnicas e alcanar uma classe
suficientemente vasta de requisitos tecnolgicos. Pelas suas propriedades magnticas os
ferros e aos podem ser divididos em grupos magnticos e no magnticos. O primeiro
inclui o ferro fundido cinza, ligas de ao-carbono e o segundo os aos e ferros no
magnticos.

13.3.1. Ferro Fundido Cinza

Contm de 3,2 a 3,5% de carbono, silcio, mangans, fsforo e enxofre. So usados para
estruturas de mquinas eltricas, mancais magnticos, lminas.

Os ferros fundidos no necessitam aquecimento posterior, mas um recozimento tem as


vezes um efeito favorvel.

O ferro no adaptado para eixos, partes rotacionais de mquinas eltricas de alta


velocidade, lminas sujeitas a vibraes e torques. Estas partes devem ser feitas de ao que
preenchem adequadamente os altos requisitos de resistncia mecnica.

13.3.2. Ao-Carbono

Contm de 0,08 a 0,2% de carbono e geralmente usado para partes fundidas que esto
sujeitas a recozimento de 850 a 9000C. Para mquinas eltricas especiais ou altamente
crticas e tambm para mquinas fracamente modeladas, necessrio usar ao com
propriedades mecnicas melhoradas, ligas com nquel, vandio, cromo e molibdnio. Aps
o endurecimento, as partes feitas com as ligas devem ser recozidas de 650 a 7000C para
aliviar tenses internas.

64

14. SEMICONDUTORES
14.1. Informaes Gerais

Um grande grupo de substncias com uma caracterstica eletrnica de conduo, cujas


resistividades em temperaturas normais ficam entre a dos condutores e dieltricos so
classificados como semicondutores.

A conduo eltrica em semicondutores depende muito da ao de fatores de energia


externa e tambm de vrias impurezas contidas em pequenas quantidades nos
semicondutores intrnsecos.

O controle da conduo eltrica em semicondutores por calor, luz, campo eltrico e fora
mecnica classifica os princpios de operao dos respectivos resistores trmicos
(termistores), fotorresistores, resistores no-lineares (varistores) e tensorresistores.
Tabela 14.1.1. Resistividade de Materiais a 20 oC.

Classe
Condutores
Semicondutores
Dieltricos

( m)

Sinal de

Tipo de Conduo

10-8 10-5

Eletrnica

-6

Eletrnica

16

Inica e eletrnica

10 10
10 - 10

Os semicondutores apresentam dois tipos de conduo eltrica, eletrnica (tipo N) e


buracos eletrnicos (tipo P), sendo assim possvel produzir elementos e dispositivos
semicondutores PN, tais como retificadores, amplificadores e geradores de baixa e alta
potncia.

Os sistemas semicondutores encontram grande uso em converter vrias formas de energia


em energia eltrica com uma alta eficincia de converso suficiente para torn-los
comparveis ou mesmo superior aos tipos convencionais.

O efeito da luminecncia de juno PN produzida com tenso contnua baixa encontrou


recentemente grande aplicao prtica para a criao de fontes de sinais luminosos e
mostradores visuais de informaes processados por computadores.

Os semicondutores tambm podem ser adaptados para servirem como elementos de


aquecimento, ignitores de um ctodo em retificadores de ignio, dispositivos de medida
em induo magntica (geradores Hall), indicadores radioativos, etc.

Os materiais semicondutores usados na prtica podem ser agrupados em semicondutores


simples ou elementares e semicondutores compostos e semicondutores complexos (tipo
cermicos). Sob estudo esto os vtreos e os lquidos.
Figura 14.1.2. Semicondutores eletrnicos elementares.
Grupo na Tabela Peridica

Largura de banda (eV)

Boro

III

1,1

Silcio

IV

1,12

Germnio

IV

0,72

Fsforo

1,5

Arsnico

1,2

Enxofre

VI

2,5

Selnio

VI

1,7

Telrio

VI

0,36

Iodo

VII

1,25

Elemento

65

Os semicondutores compostos tem a frmula geral AIVBIV, como SiC, AIIIBV, como InSb,
GaAs, GaP, e AIIBVI como CdS, ZnSe, e tambm alguns xidos como Cu2O e substncias
de composies complexas.

Aos semicondutores compostos tambm pertencem semicondutores complexos com um


semicondutor ou condutor fase consistindo de carbureto de silcio, grafite juntados com
uma cermica ou outro aglutinante. A maioria deste tipo so os tirites e silites.

Dentre as propriedades dos semicondutores destacam-se: longa vida til; pequeno tamanho
e massa; construo potente, confivel e simples ( prova de choque e vibraes); ausncia
de filamentos nos circuitos, consumo baixo de pot6encia e alta velocidade de resposta; e
baixo custo quando produzido em larga escala.

15.2. Conduo Eltrica em Semicondutores


14.2.1. Semicondutores Intrnsecos

Para cada eltron excitado, para a banda de conduo, fica uma lacuna em uma ligao
covalente, ou no conceito de bandas, um estado deixado livre.

Figura 14.2.1.

Sob a influncia de um campo eltrico h um movimento do eltron livre e de eltrons de


valncia em direes contrrias. O movimento dos eltrons nas ligaes covalentes pode
ser visto como um movimento de lacuna.

Uma vez que existem dois tipos de portadores de cargas carregadas em um semicondutor
intrnseco, a expresso da condutividade eltrica deve ser modificada para considerar a
contribuio da corrente de lacunas:
= n e e + p e e

(14.2.1.1)

sendo:
n

: nmero de eltrons livres;

: nmero de lacunas por metro cbico;

e e : mobilidade das lacunas, que sempre inferior a mobilidade dos eltrons nos
semicondutores.

Nos semicondutores intrnsecos, a concentrao de eltrons livres sempre igual a


concentrao de lacunas.

Uma anlise atravs da mecnica quntica pode-se demonstrar que as concentraes de


eltrons e lacunas em equilbrio funo apenas da temperatura e independe das
concentraes de impurezas doadoras e aceitadoras.

66

14.2.2. Semicondutores Extrnsecos

Seu comportamento determinado por impurezas, as quais mesmo em pequenas


concentraes, introduzem excesso de eltrons ou lacunas. Uma concentrao de impurezas
da ordem de um tomo por 1012 suficiente para tornar o silcio extrnseco temperatura
ambiente.

14.2.2.1. Semicondutor do tipo N

Considere um semicondutor de silcio, o qual possui 4 eltrons na camada de valncia,


todos participando de ligaes covalentes com 4 tomos adjacentes de silcio. Suponha-se
que uma impureza com 5 eltrons na camada de valncia (fsforo, por exemplo) colocada
em substituio a um tomo de silcio. Como, somente 4 eltrons podem participar das
ligaes covalentes, um ficar fracamente ligado ao ncleo da impureza e ser facilmente
removido, tornando-se um eltron livre.

Na perspectiva das bandas de energia este eltron pode ser visto como um novo nvel de
energia, localizado dentro da banda proibida, logo abaixo da banda de conduo.

Portanto, a energia necessria para excitar este eltron bem menor que a largura da banda
proibida.

Figura 14.2.2.1.1.

Em um material deste tipo, o nmero de eltrons livres (partculas carregadas


negativamente) ultrapassa o nmero de lacunas. Neste caso, o material dito ser do tipo N
ou doador.

14.2.2.2. Semicondutor do tipo P

Se uma impureza com 3 eltrons na camada de valncia (boro, por exemplo) colocada na
rede cristalina do silcio, ou do germnio, hever deficincia de 1 eltron para compor as
ligaes covalentes com 4 tomos vizinhos. Desta forma, uma lacuna gerada.

Uma impureza deste tipo dita aceitadora e apenas 1 portador de carga, 1 lacuna, criada
quando um tomo deste tipo de impureza introduzido. Neste tipo de semicondutores o
nmero de lacunas (partculas carregadas positivamente) excede largamente o nmero de
eltrons e o semicondutor dito do tipo P.

Para semicondutores do tipo P, o nvel de Fermi posicionado dentro da banda proibida,


prximo da banda de valncia.

Figura 14.2.2.2.1.

67

Semicondutores extrnsecos, tanto do tipo P, quanto do tipo N, so produzidos a partir de


materiais que so inicialmente de pureza extremamente alta, normalmente com percentual
de impureza inferior a 107%. Concentraes controladas de impurezas especficas
(doadoras ou aceitadoras) so, ento, adicionadas intencionalmente, atravs de vrias
tcnicas. Tal processo chamado de dopagem.

Em semicondutores extrnsecos, grande nmero de portadores de carga (tanto eltrons


quanto lacunas) criado temperatura ambiente, atravs da energia trmica disponvel.
Como consequncia, altas atividades so obtidas em semicondutores extrnsecos. A maioria
dos dispositivos eletrnicos projetado para uso em temperatura ambiente.

14.3. Ao de Fatores Externos na Conduo Eltrica


14.3.1. Efeito Trmico

Em semicondutores dopados tipo N, com vrios graus de impurezas, a densidade de


transporte de carga varia numa larga faixa de temperatura. O nmero de transportadores
doadores pelas impurezas cresce com o crescimento da temperatura.

Na Figura 14.3.1.1. ilustrada a variao da condutividade com a temperatura como um


resultado das variaes na densidade e mobilidade dos transportadores de carga.

Figura 14.3.1.1. Relao entre densidade de carga e de temperatura para um semicondutor com vrias
concentraes de impurezas doadoras.

Na Figura 14.3.1.1. mostrada a regio de conduo intrnseca e de impurezas. A regio de


conduo de impurezas compreende trs curvas tpicas para vrias densidades de
impurezas, acima dos valores nos quais os semicondutores degeneram, isto , se
assemelham a metais na caracterstica condutividade-temperatura, dentro de uma faixa de
temperatura. O coeficiente de temperatura para resistividade no constante, mas decresce
com o crescimento da temperatura e varia diretamente com a energia de ativao da
conduo eltrica em semicondutores.

14.3.2. Efeito da Deformao

A conduo eltrica em cristais slidos varia com a deformao devido a um acrscimo ou


decrscimo (resistncia a trao ou compresso) das distncias interatmicas, conduzindo a
uma variao na densidade e mobilidade dos transportadores.

A banda de energia expande ou encolhe a diminuio da distncia interatmica. O mesmo


tipo de fadiga pode causar a condutividade de diferentes semicondutores tanto para
crescimento ou decrescimento. A quantidade que numericamente caracteriza as variaes
na condutividade (resistividade) de semicondutores sob certo tipo de deformao referida
como sensibilidade de deformao referida como sendo a sensibilidade de deformao:

68

/
l / l

(14.3.2.1)

que a razo da variao relativa na resistividade do semicondutor deformao relativa


numa certa direo.
14.3.3. Efeito da Radiao

A radiao recebida que age num semicondutor altera o equilbrio carga-transportador


tpico de um semicondutor numa dada temperatura e causa o aparecimento de um excesso
de transportadores que contribuem para a conduo eltrica.

14.3.4. Fotoconduo

a mxima conduo eltrica mostrada por uma substncia quando exposta radiao
eletromagntica.

Figura 14.3.4.1. Fotocondutividade do Germnio como uma funo do comprimento de onda da


radiao incidente

A fotoconduo um indicativo da natureza quntica da luz.

A fotocondutividade dependente da frequncia, isto , para pequenas ondas h um


decrscimo na fotocondutividade.

A fotocondutividade uma funo da intensidade de radiao, isto , a energia quntica


que aciona a fotoconduo, se torna mais efetiva com a intensidade da radiao crescente,
que se manifesta de duas formas: a primeira responsvel pela densidade crescente dos
transportadores de carga, e a Segunda pela taxa crescente de recombinao com um
crescimento na densidade de eltrons e buracos.

A curva resultante toma a forma seguinte (Figura 14.3.4.2):

Figura 14.3.4.2. Fotocondutividade de Semicondutores como uma funo da intensidade da


radiao ().

69

A temperatura tambm tem efeito sobre a fotocondutividade, isto , um decrsscimo na


temperatura leva a uma queda no efeito da conduo escura que d caminho
fotoconduo cujo desempenho comea a aparecer. Por outro lado, a prpria
fotocondutividade cresce com o decrscimo da temperatura porque uma reduo no
nmero de transportadores de carga escura resulta numa probabilidade menor de
recombinao de transportadores.

Um decrscimo na temperatura faz com que a banda de energia aumente ou diminua


dependendo do tipo de semicondutor.

14.4. Semicondutores Elementares


14.4.1. Germnio

A produo de germnio envolve um tratamento qumico, desde o material bruto passando


pelo tetraclorido de germnio at chegar ao GeO2, um p branco. O estgio final uma
reduo do dixido ao germnio elementar na forma de um p cinza em hidrognio numa
temperatura de 650 a 7000C.

Na Figura 14.4.1.1. mostrada a relao entre a densidade condicionada de transportadores


pelo grau de purificao e a resistividade do germnio.

Figura 14.4.1.1. Resistividade do Germnio tipo N e P versus Densidade do Transportador a 20 oC.

A resistividade eltrica varia em torno do comprimento porque a poro superior do cristal


contm uma quantidade menor de impurezas que a parte inferior produzida do resduo
fundido tendo uma concentrao crescente de impurezas.

Figura 14.4.1.2. Variao na resistividade do monocristal de germnio ao longo de seu


comprimento.

Na Figura 14.4.1.3. mostra-se a condutividade versus curvas de temperatura para o


germnio com vrias percentagens de arsnico. Pode-se observar as regies de temperatura
onde o germnio mostra componentes de condutividade intrnseco e de impurezas.

70

Observa-se tambm que o germnio com grandes quantidades de impurezas se torna


degenerado.

Figura 14.4.1.3. Condutividade do Germnio N e Concentrao de Arsnico em temperatura


ambiente.

O germnio usado em retificadores AC de vrias potncias e para transistores de tipos


diversificados. Tambm usados em geradores Hall e outros conversores para medir
resistncia do campo magntico, corrente, potncia, etc. As propriedades ticas do
germnio o tornam apropriado para fototransistores, fotoresistores, filtros ticos,
moduladores de onda de rdio de alta frequncia e onda de luz, etc. O germnio tambm
pode ser empregado em contadores de radiao nuclear. O fotoefeito intrnseco tambm
observado no germnio quando absorve eltrons lentos e rpidos, ou retarda a mobilidade
de partculas elementares pesadas. A temperatura de operao dos dispositivos de germnio
est entre 60 e 700C.

14.4.2. Silcio

o elemento encontrado na natureza em maior quantidade, em torno de 26% em relao a


outros. comumente obtido pela reduo do SiCl4 na presena de vapores de zinco em
temperaturas de 10000C numa atmosfera protegida. Tem um ponto de fuso maior que o do
germnio o que o torna bastante difcil, visto que este ponto prximo daquele do vidro de
quartzo.

Na Figura 14.4.2.1. apresenta-se a dependncia do fator de difuso de impurezas ligadas


adicionadas ao silcio com a temperatura.

Figura 14.4.2.1. Fator de difuso da temperatura versus impurezas fundidas no silcio.

O silcio encabea a lista de materiais usados para a fabricao de dispositivos


semicondutores tais como diodos, transistores, fotoclulas, transdutores e circuitos slidos
microeletrnicos. Dependendo do grau de purificao do silcio, o limite superior de
71

operao de temperatura de dispositivos a base de silcio pode se estender de 120 a 2000C,


em torno da temperatura limite superior do germnio.

Na Figura 14.4.2.2. mostra-se a resistividade de um silcio tipo N e tipo P versus a


densidade de transporte. A condutividade do silcio, assim como a do germnio depende
grandemente das impurezas.

Figura 14.4.2.2. Resistividade de eltrons e buracos de silcio versus densidade de transporte.

A prxima figura (Figura 14.4.2.3) mostra-se as curvas resistividade - temperatura para o


silcio tipo N. Curvas similares so obtidas para o silcio tipo P.

Figura 14.4.2.3. Condutividade do Silcio tipo N versus temperatura e concentrao de fsforo a


temperatura ambiente

14.4.3. Selnio

obtido como um subproduto do refinamento eletroltico do cobre em cido sulfrico.

A resistividade do selnio varia numa larga faixa, de 1 a 1011 m, a qual depende da


qualidade das impurezas e sua densidade, temperatura e iluminao. Geralmente um
semicondutor do tipo P.

Misturas de halognios (Cl, Br, I) reduzem a resistividade do selnio se a concentrao de


massa dessas impurezas for menor que 5x10-4 %. Um aumento na quantidade dessas
impurezas aumenta a resistividade. Misturas de telrio, mercrio e outros metais aumentam
a resistividade de espcimes de selnio comercialmente puros.

Na Figura 14.4.3.1 ilustrada a condutividade do selnio purificado como funo da


temperatura.

72

Figura 14.4.3.1. Condutividade versus temperatura para o selnio purificado.

O selnio usado em retificadores e instrumentos de medida de luz. A temperatura de


operao dos retificadores de selnio est na faixa de 60 a 750C.

As propriedades dos retificadores de selnio so inferiores as do germnio, e ainda mais


dos de silcio. A sensibilidade ao espectro do selnio depende do comprimento de onda da
radiao incidente. A sensibilidade de uma fotoclula de selnio est numa poro estreita
do espectro de radiao visvel. A eficincia das fotoclulas de selnio baixa, em torno de
0,2 %.

Figura 14.4.3.2. Resposta espectral de fotoclula de selnio.


Tabela 14.4.3.1. Comparao das propriedades do Ge, Si, Se.
Propriedade
0

Densidade a 20 C, Mg/m

Coeficiente Expanso linear (0-100 C), K

-1

Germnio

Silcio

Selnio

5,3

2,3

4,8

6x10

Condutividade trmica, /m K

-6

4,2x10

-6

50x10-6

55

80

333

710

330

936

1414

217-220

0,68 m

2000 m

0,72

1,12

1,7-1,9

0,39

0,14

Mobilidade dos buracos, m / V s

0,19

0,05

0,2x10-4

Potencial de ionizao, V

8,1

8,14

9,75

Permissividade

16

12,5

0,6 N/m

0,72

0,11

Calor especfico (0-100 C), J/kg K


0

Ponto de fuso, C
0

Resistividade intrnseca a 20 C
0

Largura banda energia a 20 C, eV


2

Mobilidade do eltron, m / V s
2

Tenso de superfcie (ponto de fuso)

73

14.5. Semicondutores compostos

Estes mostram uma diversidade de propriedades eletrofsicas.

14.5.1. Carbureto de Silcio

um mineral artificial, de composio SiCx (x1) que pertence a compostos AIVBIV, isto
composies do quarto grupo da tabela peridica. Sua composio estequiomtrica tem
70,045 % de Si e 29,955 % de C.

Cristais naturais so muito raros. Comercialmente so feitos em fornalhas eltricas pela


fuso da slica (areia de quartzo) e cozido em altas temperaturas.

A conduo eltrica nos cristais de carbureto de silcio em temperaturas normais o do tipo


de impurezas que varia em magnitude me torno de uma vasta classe.

As variaes na condutividade dos tipos N e P com a temperatura esto mostradas na


Figura 14.5.1.1.

Figura 14.5.1.1.

Na Tabela 14.5.1.1 apresenta-se as propriedades fsicas bsicas dos cristais de SiC.


Tabela 14.5.1.1.

Propriedade

Valor

Densidade, Mg/m

3,2

Condutividade trmica a 200C, /m K

10-40

Calor especfico, J/kg K

620-750
4 7 x 10-6

Coeficiente de expanso linear, K-1


Largura da banda de energia, eV
0

2,8 3,1

Mobilidade eletrnica a 20 C, m / V s

0,01 0,05

Mobilidade dos buracos a 200C, m2/ V s

0,002 0,005

Permissividade

6,5 7,5

A conduo eltrica em carbureto de silcio poroso depende da condutividade dos gros do


material inicial, finura do esmerilhamento, grau de compresso do p, resistncia do campo
eltrico e temperatura. A figura mostra a densidade de corrente atravs do carbureto de
silcio poroso comprimido versus resistncia mdia do campo eltrico.

74

Figura 14.5.1.2. Densidade de Corrente atravs do p de SiC comprimido como funo da


resistncia mdia do campo

Aquecimento de pontos de contato microscpico entre gros que ajudam na emisso


autoeletrnica, causam um crescimento na condutividade das partes transitrias e sua
ruptura parcial. A quantidade de calor envolvida pequena e o espcime no se aquece
atravs de seu volume.

A conduo eltrica nos varistores causada pelas vrias cadeias paralelas de gros de
contato com uma larga faixa na tenso de ruptura entre os contatos nas vrias cadeias.

14.5.2. Arsenido de Glio

Sua banda de energia excede a do germnio e do silcio, embora no seja muito grande. Sua
mobilidade eletrnica maior que a do germnio e silcio, mas a mobilidade dos buracos
comparvel com a do silcio. A introduo de Zn, Cd e Cu serve como receptores cujos
nveis de energia passam de 0,08 a 0,37 eV e permanecem abaixo do mximo da banda de
valncia do GaAs.

Os doadores so S, Se, Te e so introduzidos em pequenas quantidades para substituir os


tomos de Ga. Quando adicionados em grandes quantidades os elementos do quarto grupo
se tornam impurezas neutras, pois entram nos pares das grades, substituindo os tomos de
Ga e As. Quando a densidade de impurezas cresce, as caractersticas do material se
aproximam dos semicondutores degenerados.

O arsenido de glio usado para fotoclulas, medidores de radiao de raios X, diodos e


semicondutores lasers.

Os dispositivos de arsenido de glio esto disponveis para servio em temperaturas acima


de 4500C.

Figura 14.5.2.1. Condutividade do AsGa tipo P com vrias concentraes de impurezas como
funo da temperatura.

75

14.5.3. Antimonido de ndio

produzido pela fuso de ndio de alta pureza e antimnio, tomado numa relao
estequiomtrica. As curvas de condutividade temperatura esto na figura.

Figura 14.5.3.1. Condutividade versus temperatura.

Outras aplicaes incluem conversores termoeltricos e aquecedores. O In Sb desempenha


uma alta mobilidade eletrnica. O In Sb mostra fotoconduo num vasto espectro,
permanecendo na regio do infravermelho, acima de 8 m. empregado na fabricao de
fotoclulas de alta sensibilidade, geradores Hall, filtros ticos.

15. SUGESTO DE TEMAS PARA TRALHOS E PESQUISA NO CONTEXTO DE


MATERIAIS ELTRICOS

materiais OLED (Organic Light Emitting Diode / Diodo Orgnico Emissor de Luz);

material (cermica) PZT (Titanato Zirconato de Chumbo);

outros materiais piezoeltricos;

materiais polmeros usados em eletricidade;

memristor: considerando-se menos os aspectos construtivos, mais os materiais usados neste


tipo de dispositivo;

outros.
16. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] Bogoroditsky, N. P.; Pasynkov, V. V.; Tareev, B. M. Electrical Engineering Materials,


MIR Publishers, Moscow, 1977.
[2] Saraiva, D. B. Materiais Eltricos, Editora Guanabara Dois, Rio de Janeiro, RJ, 1983.
[3] Rezende, E. M. Materiais Usados em Eletrotcnica, Livraria Intercincia Ltda. Riode
Janeiro, RJ, 1977.
[4] Kraus, J. D.-Eletromagnetics, Mc Graw Hill, Inc. 1991.
[5] Bastos, J. P. A. Eletromagnetismo e Clculo de Campos, Editora da UFSC, 1989.
[6] Cotrin, A. Manual de Instalaes Eltricas, McGraw-Hill, 1985.

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