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con colector comn
Tipos de transistores
Existen diversos tipos de transistores, entre ellos los TBJ BJT (Transistor Bipolar
de Juntura), los TECJ JFET (Transistor de Efecto de Campo de Juntura), MOSFET TECMOS y otros. Los ms habituales son los TBJ y en ellos se centrar
esta referencia.
El transistor de unin bipolar (TBJ)
Es el dispositivo individual de estado slido de uso ms extendido, se utiliza en
circuitos discretos y en circuitos integrados, tanto analgicos como digitales en la
siguiente figura se muestra un esquema irreal de un TBJ ya que los transistores
reales no son as.
Cada una de las tres regiones semiconductoras de un transistor tiene una Terminal
que la conecta al mundo exterior.
Las terminales se marcan emisor (E), base (B) y colector (C).
Transistores JFET
Transistores MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de
efecto de campo que utilizan un campo elctrico paracrear una canal de conduccin.
Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos
integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS yMOSFET de canal P
o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulacin (enhancement) o deplexion
(deplexion); en la actualidad lossegundos estn prcticamente en desuso
Aplicaciones
- Cuando el transistor est en saturacin (Ic max.), que significa que Vce es
prcticamente 0 voltios y....
- Cuando el transistor est en corte (Ic = 0), que significa que Vce es
prcticamente igual a Vcc. Ver la figura.
Si se modifica R1 y/o R2 el punto de operacin se modificar para arriba o para
abajo en la curva pudiendo haber distorsin
Si la seal de entrada (Vin) es muy grande, se recortarn los picos positivos y
negativos de la seal en la salida (Vout)
Ventajas y desventajas
1. Los BJTs tienen como ventaja que es posible sacarles una mayor ganancia, a
contraparte de los FET y MOSFET, que a iguales configuraciones (por ejemplo,
emisor comun) poseen una menor ganancia. Tambien tienen como ventaja que su
utilizacion es mucho mas directa, pues no hay que usar demasiado formulerio, y
con solo checar la hoja de datos ya podes establecer las tensiones minimas, por
ejemplo, de saturacion o Vbeon. Como desventaja, presentan un consumo muy
importante en polarizacion, ya que estos transistores funcionan a partir de
corriente, mas especificamente, la de base. Esto lleva a que los circuitos logicos
formados a partir de tecnologia BJT (serie 74xxx) consuman mucho mas que las
familias formadas con CMOS (serie 4xxx). Otra desventaja es que su respuesta en
frecuencia tiende a ser un poco peor que en los MOS, aunque esto no es tan
general, ya que es posible comprar BJT con una gran frecuencia de trabajo.
Son mas costosos que los BJTs, y poseen un rendimiento mejor que estos. Como
caracteristicas esencial, poseen una altisima impedancia de entrada, cuyo origen
depende
del
transistor:
. En los FET, la impedancia se obtiene a partir de una juntura polarizada
inversamente.
. En los MOSFET, la impedancia es una pelicula de oxido de silicio, que es
considerado como uno de los mejores aislantes conocidos.
Poseen una respuesta en frecuencia un poco mejor que los BJTs. Para los
MOSFET, se necesitan cuidados exhaustivos en cuanto a su impedancia de
entrada, pues la acumulacion de corriente estatica en su entrada puede alcanzar