Pre-informe de laboratorio

POLARIZACION MOSFET
Transistor MOSFET
Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN,
como el transistor bipolar, ya que en ste, el movimiento de carga se produce
exclusivamente por la existencia de campos elctricos en el interior del
dispositivo. Este tipo de transistores se conocen como, efecto de campo JFET
(del ingls, Juntion Field Effect Transistor).
El transistor MOSFET, como veremos, est basado en la estructura MOS. En
los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensin entre el electrodo
de la Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de
Drenador
y
Surtidor,
gracias
al
efecto
de
campo.
El
trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad
elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la
regin correspondiente al canal, que tambin es conocida como la zona de
inversin.
Estructura MOS
La estructura MOS est compuesta de dos terminales y tres capas: Un
Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una
capa de Oxido de Silicio (SiO2) que, posee caractersticas dielctricas o
aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada. Por ltimo, sobre
esta capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee
caractersticas conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto hmico,
en contacto con la capsula, como se ve en la figura.

La estructura MOS, acta como un condensador de placas paralelas en el que

G y B son las placas y el xido, el aislante. De este modo, cuando V GB=0, la

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carga acumulada es cero y la distribucin de portadores es aleatoria y se
corresponde al estado de equilibrio en el semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo elctrico entre los terminales de Puerta y
substrato. La regin semiconductora p responde creando una regin de
empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de deplexin), al igual que ocurriera
en la regin P de una unin PN cuando estaba polarizada negativamente. Esta
regin de iones negativos, se incrementa con V GB.
Al llegar a la regin de V GB, los iones presentes en la zona semiconductora de
empobrecimiento, no pueden compensar el campo elctrico y se provoca la
acumulacin de cargas negativas libres (e-) atrados por el terminal positivo. Se
dice entonces que la estructura ha pasado de estar en inversin
dbil a inversin fuerte.
El proceso de inversin se identifica con el cambio de polaridad del substrato,
debajo de la regin de Puerta. En inversin fuerte, se forma as
un CANAL de e- libres, en las proximidades del terminal de Puerta (Gate) y de
huecos p+en el extremo de la Puerta.
La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua se comporta como
un condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir que, la impedancia desde la
Puerta al substrato es prcticamente infinita e IG=0 siempre en esttica.
Bsicamente, la estructura MOS permite crear una densidad de portadores
libres suficiente para sustentar una corriente elctrica.
Regiones de operacin
Cuando ya existe canal inducido y V DS va aumentando, el canal se contrae en
el lado del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese
punto, ms baja y la zona de transicin ms ancha. Es decir, siempre que
exista canal estaremos en regin hmica y el dispositivo presentar baja
resistencia.

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La operacin de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de
operacin diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un
transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes
regiones: regin de corte, regin hmica y regin de saturacin.
Regin de corte
El transistor estar en esta regin, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale elctricamente a un circuito abierto, entre los
terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo bsico del
transistor, en esta regin, el dispositivo se encuentra apagado. No hay
conduccin entre Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta
como un interruptor abierto.

Regin hmica
Cuando un MOSFET est polarizado en la regin hmica, el valor de
RDS(on) viene dado por:

VDS (on ) I D (on ) RDS (on)

En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de R DS(on) a una corriente de
Drenaje (ID) especfica y el voltaje Puerta-Surtidor.
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y
Surtidor. El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la
tensin entre la Puerta y el Surtidor (VGS).

Regin de saturacin
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin
entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensin de
saturacin (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas
caractersticas proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET
mantiene constante su corriente de Drenador (I D), independientemente del valor
de tensin que haya entre el Drenador y el Surtidor (V DS). Por lo tanto, el
transistor equivale a un generador de corriente continua de valor I D.
Cuando la tensin entre Drenador y Fuente supera cierto lmite, el canal de
conduccin, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del
Drenador y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se
interrumpe, es debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
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En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona hmica, y la

parte casi horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de
enriquecimiento, puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras,
puede actuar como una resistencia o como una fuente de corriente. El uso
principal est en la zona hmica.
Polarizacin del MOSFET
Los circuitos de polarizacin tpicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarizacin utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento tpico slo permite puntos
de funcionamiento con valor positivo de V GS para canal n y valor negativo de
VGS para el canal p. Para tener un valor positivo de V GS de canal n y el valor
negativo de VGS de canal p, es adecuado un circuito de auto polarizacin. Por lo
tanto hablamos de recorte de realimentacin y circuito divisor de tensin para
mejorar el tipo MOSFET.
El transistor que usaremos ser el IRF540N
Datasheet:

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El circuito que se armar ser similar al de los transistores anteriores

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