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FATORES QUE
MATERIAIS:
INFLUENCIAM
NA
DIFERENA
ENTRE
DIVERSOS
Obs.: Existem tambm materiais conhecidos como semicondutores III-V que so formados
a partir da ligao entre um elemento trivalente e um pentavalente. Os mais comuns so o
arseneto de glio (GaAs) e o fosfeto de ndio (InP).
O Silcio (Si) por ser o mais abundante na natureza o material mais utilizado (pode ser
obtido a partir de quartzo que encontrado na areia da praia e na terra) e portanto, mais
barato.
ESTRUTURA ATMICA DO TOMO DE SILCIO
Quando tomos de silcio se combinam para formar um slido, cada tomo cede dois
eltrons para o seu vizinho (ligao covalente), de tal forma que cada um fica com oito
eltrons na ultima camada, tonando-se, portanto estvel, segundo um padro ordenado
chamado de Cristal.
CORRENTE NOS SEMICONDUTORES
Dois tipos de fluxo de corrente quando h ruptura de uma ligao covalente em um
semicondutor, ser deixada uma lacuna na estrutura do cristal em virtude da perda de um
eltron. Como as lacunas so preenchidas por eltrons prximos, deixando em seu lugar
uma outra lacuna, o efeito total de uma unidade de carga positiva deslocando-se do
primeiro para o segundo tomo, corrente de lacunas e em sentido oposto corrente de
eltrons.
Obs.: A Energia trmica pode causar uma Corrente no cristal pela agitao dos eltrons,
quanto maior a temperatura, maior ser as vibraes mecnicas.
Corrente de deriva quando se aplica uma diferena de potencial em um semicondutor, o
campo eltrico estabelecido no material faz com que os eltrons livres desloquem-se numa
direo e as lacunas em outra oposta, essas duas componentes somam-se em vez de
cancelarem-se. Os eltrons livres e as lacunas so muitas vezes chamados de portadores.
SEMICONDUTOR INTRNSECO um semicondutor puro, ou seja, todos os tomos
do cristal so de silcio (Si), ou germnio (Ge) ou arseneto de glio (GaAs) ou fosfeto de
ndio .
Obs.: A 273oC o semicondutor intrnseco se comporta como um isolante perfeito.
SEMICONDUTOR EXTRNSICO
Tipo N
Tipo P
Nesse tipo de polarizao, o plo positivo atrair os eltrons e o plo negativo as lacunas,
aumentando assim a barreira de potencial, no havendo, portanto conduo de corrente
eltrica devido aos portadores majoritrios, existindo apenas uma corrente devido aos
portadores minoritrios corrente de Saturao (Is), que para o Silcio da ordem de
nanoamperes (nA), tornando-se desprezvel e muito menor que a do Germnio, da o silcio
ser muito mais utilizado.
Corrente de Fuga da superfcie corrente que circula na superfcie do cristal devido as
ligaes covalente quebradas.
RUPTURA
Valor de tenso reversa que um diodo pode suportar. Ao se aumentar a tenso reversa os
portadores minoritrios so acelerados e colidem com os tomos do cristal liberando
eltrons de valencia, ou seja, produzem eltrons livres, que por sua vez colidem com outros
tomos liberando mais eltrons livres, que vo se somando aos j existentes at que a
corrente se torne muito alta e o diodo conduz intensamente. A tenso de ruptura depende do
nvel de dopagem. Diodos retificadores possuem tenso de ruptura geralmente maior que
50V.
O EFEITO ZENEER
Diodos fortemente dopados a camada de depleo muito estreita fazendo com que a
tenso de ruptura ocorra para valores de tenso mais baixos, significa dizer que a tenso
permanece constante independente da corrente (reversa) que circule por ele. Diodos que
utilizam esta propriedade so chamados de diodo Zener, muito utilizados como referencia
de tenso.
Resistor de limitao de corrente e Reta de carga
Vs Vd
R