UNIVERSIDAD NACIONAL DEL ALTIPLANO PUNO

FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA ELECTRICA, ELECTRONICA Y SISTEMAS

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

LABORATORIO DE ELECTRONICA I
TEMA:

TRANSISTORES BIPOLARES
INFORME: FINAL N 04
GRUPO: A
Presentado por:
ANARA CURASI ERIC
GIACNARLOS
VILCA AYMA JUANCARLOS
SEMESTRE: ll

PUNO

114113
114611

PERU

2013

-1-

INFORME FINAL
A. PRESENTE RESULTADOS OBTENIDOS EN LA PRACTICA REALIZADA
EXPERIMENTO N 01
En el circuito que se muestra a continuacin podemos observar la seal de
entrada con la ayuda de un osciloscopio, debemos especificar que la seal de
entrada es de 200mv pp/60hz en el diagrama se ve que la base del transistor est
conectada a dos resistencias (r1 = 7k y r2 = 4k). estas dos resistencias forman un
divisor de tensin que permite tener en la base del transistor una tensin
necesaria para establecer la corriente de polarizacin de la base, mientras que los
capacitores se comportan como circuitos abiertos para la corriente continua, y
cono corto circuito para la corriente alterna

-2-

En el siguiente esquema estamos viendo la seal de salida con la ayuda de un

osciloscopio, notamos que la seal esta claramente amplificada hasta un valor de
voltaje mucho mayor que el de la entrada

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En la siguiente figura vemos las dos seales, tanto de entrada como la de salida,
notando que la seal aumenta de amplitud de 200mv pp a 400mv pp
aproximadamente
,

EXPERIMENTO N 02
Ajustando el potencimetro a 1kohm y Haciendo uso del multimetro digital
medimos la tensin colector-emisor Vce, resultndonos Vce = 92.97mv

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Se cumple la condicion de saturacin al aumentar el valor del potencimetro

Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic) mxima y una
tensin colector emisor (Vce) casi nula (cero voltios). Luego incrementando el
valor del potencimetro cuidadosamente vemos que aproximadamente ajustando
a no mas de 1kohm se obtiene Vce casi 0 Vce = 25.95mv, usando el simulador
Livewire- Edicin Profesional

B. EXPLIQUE LO SIGUIENTE
Analice matemticamente el primer y segundo circuito de esta experiencia,
obtenga Ibq, Ieq, Icq, Vceq. Los valores coinciden con los valores prcticos
obtenidos en el laboratorio?
CIRCUITO EXPERIMENTO 02

-5-

Para efectos de calculo de corrientes continuas, los capacitares se comportan

como circuito abierto

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De la malla1
I
3.6 2.5 C 0.7 1.5 I C 0
5
0.5 I C 1.5 I C 2.9
I C 1.45mA
I B 0.29mA
I C 1.46mA

De la malla2
10 2201.45 Vce 1.51.46 0
Vce 7.49v

A comparacin de los valores obtenidos en el laboratorio Ic=1.89mA,

Ie=1.93mA, Ib=40.80uA, Vce=6.69v
hay una ligera desigualdad
CIRCUITO EXPERIMENTO 02

-7-

De la malla1 (considerando beta igual a 75)

I
10 1 c 0.7 0
75
I C 0.124mA
I E 0.125mA
I B 1.65uA

De la malla2
10 3.3 0.124 Vce 0
Vce 9.59v

Vemos que las corrientes tericas varan en comparacin de las obtenidas en el

laboratorio Ic=43.24mA, Ib=9.15mA, Ie=52.40mA, Vce=56.76Mv
C. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
o Los valores tericos no siempre son iguales a los valores obtenidos en la
practica, podemos considerar entonces que los valores prcticos son los mas
exactos, y los valores tericos son solo aproximaciones
o Los transistores como lo hemos confirmado haciendo esta experiencia
pueden entrar tanto a la zona de corte como de saturacion Un transistor en
corte tiene una corriente de colector (Ic) mnima (prcticamente igual a cero)
y una tensin colector emisor (Vce) mxima (casi igual a la tensin de
alimentacin).Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic)
mxima y una tensin colector emisor (Vce)casi nula(cero voltios).
o Tambien concluimos que los capacitares tienen mucha importancia en la
etapa de amplificacin de seal, como lo vimos en el experimento 01
o A si mismo confirmamos que al trabajar con transistores hay que tener
cuidado, ya que son fciles de quemar si no tenemos conocimientos sobre
stos dispositivos sensibles,
o Sugerimos el estudio de circuitos de transistores con seales (voltaje alterno)
para el entendimiento de esta y prximas experiencias.
o A su vez la aplicacin de transistores trabajando en zona de corte y
saturacin se da en la electrnica digital.

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