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ESCOLA POLITÉCNICA DA UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO Departamento de Engenharia Metalúrgica e de Materiais PROPRIEDADES

ESCOLA POLITÉCNICA DA UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO Departamento de Engenharia Metalúrgica e de Materiais

PROPRIEDADES ELÉTRICAS DOS MATERIAIS

PMT 2100 - Introdução à Ciência dos Materiais para Engenharia

2º semestre de 2008 (Versão 2007)

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ROTEIRO DA AULA

Resistência elétrica e a lei de Ohm

Resistividade e condutividade elétrica

Lei de Ohm

Condutividade elétrica

Bandas de energia nos sólidos

Condutividade elétrica dos metais

Condutividade elétrica dos semicondutores intrínsecos

Condutividade elétrica dos semicondutores extrínsecos tipo n

Condutividade elétrica dos semicondutores extrínsecos tipo p

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RESISTÊNCIA ELÉTRICA

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O comportamento dos materiais, em resposta à aplicação de um CAMPO ELÉTRICO externo, define as PROPRIEDADES ELÉTRICAS dos materiais.

As propriedades elétricas dependem de diversas características dos materiais, dentre as quais mencionamos a configuração eletrônica, o tipo de ligação química e os tipos de estrutura e microestrutura.

A CORRENTE ELÉTRICA é o movimento de portadores de carga que ocorre dentro dos materiais, em resposta à ação de um campo elétrico externo. São portadores de carga: elétrons, buracos eletrônicos, cátions e ânions.

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RESISTÊNCIA ELÉTRICA

Em 1827 Georg Simon Ohm, baseado em evidências experimentais e utilizando o

conceito RESISTÊNCIA ELÉTRICA (R) de um

corpo, formulou uma lei que relaciona a VOLTAGEM (U) aplicada sobre o corpo com a

CORRENTE ELÉTRICA (I) que o atravessa.

U = R I

LEI DE OHM

Unidades SI:

U

… Volts (V) = J / C

I

… Ampères (A) = C / s

R

… Ohms () = V / A

Resistor Variável Amperímetro Área da seção Transversal, A Amostra Voltímetro
Resistor Variável
Amperímetro
Área da seção
Transversal, A
Amostra
Voltímetro

Bateria

Representação esquemática de um arranjo experimental que permite medir a resistência elétrica de um corpo.

No applet “http://www.mste.uiuc.edu/users/Murphy/Resistance/default.html” há uma animação em que você pode variar a resistência de um resistor e a voltagem sobre ele aplicada enquanto observa a corrente que flui pelo resistor.

Em “http://www.cvs1.uklinux.net/calculators/” você encontrará uma “calculadora da lei de Ohm”.

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RESISTIVIDADE E CONDUTIVIDADE ELÉTRICA

Para um corpo cilíndrico de comprimento L e seção transversal de área A (veja a figura da transparência nº 4), define-se a RESISTIVIDADE ELÉTRICA (ρ) do material do qual o corpo é constituído por

Unidade SI:

ρ = R (A / L)

ρ … Ohms-metro (.m) = V.m / A

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Note que a resistência é uma PROPRIEDADE DO CORPO enquanto a resisitividade é uma PROPRIEDADE DO MATERIAL do qual o corpo é constituído.

A CONDUTIVIDADE ELÉTRICA (σ) de um material é uma medida da facilidade com que ele é capaz de conduzir uma corrente elétrica. Define-se a condutividade elétrica como sendo o inverso da resistividade,

Unidade SI:

σ = 1 / ρ

σ … (Ohms-metro) -1 (.m) -1

= A / V.m

Cuidado com a notação! Observe que, de acordo com a notação do livro texto, estamos utilizando a letra “A” para denotar tanto a área da seção transversal do corpo cilíndrico como a unidade de corrente o Àmpere.

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LEI DE OHM

Utilizando o conceito de CONDUTIVIDADE (σ), a LEI DE OHM determina que a DENSIDADE DE CORRENTE (J) num dado material é diretamente proporcional ao CAMPO ELÉTRICO (E) aplicado sobre o mesmo.

Unidades SI:

J = σ E

E = U/ L … Volts-metros -1 (V/m) = J / m.C J = I/A … Ampères -metros -2 (A/m 2 ) = C / m 2 .s

= I/A … Ampères -metros -2 (A/m 2 ) = C / m 2 . s

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Observação: O caráter vetorial das diversas grandezas aqui consideradas será omitido em nosso tratamento matemático, ou seja, trataremos apenas de casos de materiais isotrópicos sujeitos a campos elétricos constantes. Como exercício para casa, mostre que as equações U = R I (veja o slide nº 4) e

J = σ E são equivalentes.

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CONDUTIVIDADE ELÉTRICA

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Os materiais sólidos podem ser classificados, de acordo com a magnitude de sua condutividade elétrica, em três grupos principais: CONDUTORES,

SEMICONDUTORES e ISOLANTES.

Condutividade σ em (.m) -1 de uma variedade de materiais à temperatura ambiente.

concreto poliestireno grafite (seco) polietileno SiO 2 Fe NaCl mica Mn porcelana Si dopado Ag
concreto
poliestireno
grafite
(seco)
polietileno
SiO 2
Fe
NaCl
mica
Mn
porcelana
Si dopado
Ag
madeira
borracha
vidro
seca
Ge
Cu
GaAs
quartzo
Si
10 -18
10 -16
10 -14
10 -12
10 -10
10 -8
10 -6
10 -4
10 -2
10 0
10 2
10 4
10 6
10 8
ISOLANTES
SEMICONDUTORES
CONDUTORES

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CONDUTIVIDADE ELÉTRICA

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O MODELO DOS ELÉTRONS LIVRES dos metais supõe que o material é composto por um gás de elétrons que se movem num retículo cristalino formado por íons pesados. Esse modelo prevê corretamente a forma funcional da lei de Ohm. No entanto, ele prevê incorretamente os valores observados experimentalmente para a condutividade elétrica. Por exemplo, para o cobre temos:

σ calculado = 5,3 x 10 6 (.m) -1 e σ experimental = 59 x 10 6 (.m) -1 .

Para uma compreensão aprofundada das propriedades elétricas dos materiais necessitamos considerar o caráter ondulatório dos elétrons e fazer uso de conceitos da mecânica quântica, mas isto está além do escopo desta disciplina.

Na aula de hoje, explicaremos a condutividade elétrica dos materiais utilizando, de forma simplificada, alguns conceitos provindos da mecânica quântica. Em particular, consideraremos o MODELO DE BANDAS DE

ENERGIA ELETRÔNICA NOS SÓLIDOS.

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BANDAS DE ENERGIA NOS SÓLIDOS

Considere um conjunto de N átomos. A distâncias de separação relativamente grandes, cada átomo é independente de todos os demais, e tem os níveis de energia atômica e a configuração eletrônica que teria se estivesse isolado. Contudo, à medida que esses átomos se aproximam uns dos outros, os elétrons sentem a ação dos elétrons e núcleos dos átomos adjacentes ou são perturbados por eles. Essa influência é tal que cada estado atômico distinto pode se dividir em uma série de estados eletrônicos proximamente espaçados no sólido, para formar o que é

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conhecido por BANDA DE ENERGIA ELETRÔNICA.

A extensão da divisão depende da separação interatômica e começa com as camadas eletrônicas mais externas, uma vez que elas são as primeiras a serem perturbadas quando os átomos coalescem.

Dentro de cada banda, os estados de energia são discretos, embora a diferença de energia entre os estados adjacentes seja excessivamente pequena.

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BANDAS DE ENERGIA NOS SÓLIDOS

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Gráfico esquemático da energia eletrônica em função da separação interatômica para um agregado de 12 átomos (N = 12). Com a aproximação cada um dos estados atômicos 1s e 2s se divide para formar uma banda de energia eletrônica que consiste em 12 estados. Cada estado de energia é capaz de acomodar dois elétrons que devem possuir spins com sentidos opostos.

Banda de energia eletrônica 2s (12 estados) Estado eletrônico 2s Estados energéticos individuais permitidos
Banda de energia
eletrônica 2s
(12 estados)
Estado eletrônico 2s
Estados energéticos individuais
permitidos
Estado eletrônico 1s
Banda de energia
eletrônica 1s
(12 estados)
Separação interatômica
Energia

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BANDAS DE ENERGIA NOS SÓLIDOS

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Bandas de energia eletrônica para um material sólido formado por N átomos.

Representação convencional da estrutura da banda de energia eletrônica para um material sólido na separação interatômica de equilíbrio.

Energia eletrônica em função da se- paração interatômica para um agrega- do de N átomos, ilustrando como a estrutura da banda de energia na separação interatômica de equilíbrio é gerada.

2p (3N estados) Representação convencional da estrutura da banda de Banda de energia energia eletrônica
2p (3N estados)
Representação convencional
da
estrutura
da
banda
de
Banda de energia
energia
eletrônica
para
um
material sólido na separação
Gap de energia
interatômica de equilíbrio.
Banda de energia
2s (N estados)
1s (N estados)
Separação
interatômica
Separação
Interatômica
de equilíbrio
Energia
Energia
Energia
Energia
Separação Interatômica de equilíbrio Energia Energia PMT 2100 Introdução à Ciência dos Materiais para
Separação Interatômica de equilíbrio Energia Energia PMT 2100 Introdução à Ciência dos Materiais para

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ESTRUTURAS DE BANDAS DE ENERGIA NOS SÓLIDOS

Estruturas de bandas de energia possíveis para sólidos a 0 K.

(a) (b) (c) Banda vazia Banda vazia Gap de energia E f Estados vazios Banda
(a)
(b)
(c)
Banda
vazia
Banda
vazia
Gap de energia
E
f
Estados vazios
Banda
E
f
preenchida
Estados
preenchidos

Banda de

condução

vazia

Gap de energia

Banda de

valência

preenchida

(d)

Banda de condução vazia Gap de energia Banda de valência preenchida
Banda de
condução
vazia
Gap de energia
Banda de
valência
preenchida

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(a) Bandas de energia de METAIS tais como o cobre (Z = 29, … 3d 10 4s 1 ) nos quais se encontram disponíveis, na mesma banda de energia, estados eletrônicos não preenchidos acima e adjacentes a estados eletrônicos preenchidos. (b) Bandas de energia de METAIS tais como o magnésio (Z = 12, 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 ) nos quais ocorre a superposição das bandas de energia mais externas, a preenchida e a não- preenchida. (c) Bandas de energia típicas de ISOLANTES: a BANDA DE VALÊNCIA (banda de energia preenchida) é separada da BANDA DE CONDUÇÃO ( banda de energia não-preenchida) por um GAP DE ENERGIA (banda de energia proibida, ou seja, barreira de energia) de largura relativamente grande (>2 eV). (d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia é semelhante à dos isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).

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CONDUTIVIDADE ELÉTRICA

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A ENERGIA DE FERMI, E f , é uma conseqüência do caráter estatístico do comportamento dos elétrons e do Princípio de Exclusão de Pauli. Para metais a T = 0 K, E f é definida como a energia máxima dos estados eletrônicos ocupados. Para semicondutores e isolantes E f tem um valor situado na faixa de energias do poço de potencial.

Nos metais, somente elétrons com energia maior que E f podem ser acelerados na presença de um campo elétrico. Esses elétrons são os que participam do processo de condução e são chamados de ELÉTRONS

LIVRES.

Em semicondutores e isolantes, os BURACOS ELETRÔNICOS têm energia menor que E f e também participam do processo de condução.

O processo de condução se origina na mobilidade dos PORTADORES DE

CARGA.

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CONDUTIVIDADE ELÉTRICA - METAIS

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Em metais, um elétron torna-se livre quando passa para um estado de energia disponível e não preenchido acima de E f ; é pequena a energia necessária para tal mudança.

A condutividade elétrica dos metais pode ser representada pela equação

OCUPAÇÃO DOS ESTADOS ELETRÔNICOS

Antes da excitação eletrônica

Estados

vazios

Estados

preenchidos

excitação eletrônica Estados vazios Estados preenchidos E f Após a excitação eletrônica E f Excitação do

E f

Após a excitação eletrônica

E f Excitação do elétron Energia
E
f
Excitação
do elétron
Energia

σ = n |e| µ e

n = número de portado- res de carga (elétrons) por unidade de volume |e| = magnitude da car- ga dos portadores (1,602x10 -19 C) µ e = mobilidade dos portadores de carga A condutividade elétrica dos metais condutores diminui à medida que a sua temperatura aumenta.

No link http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/elmat_en/kap_2/backbone/r2.html (do site da “Technische Fakultät der Christian- Albrechts-Universität zu Kiel”) há diversos tópicos sobre condutores. Veja em particular o item 2.1.1 que explica o conceito de condutividade elétrica.

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CONDUTIVIDADE ELÉTRICA - SEMICONDUTORES E ISOLANTES

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No caso de isolantes e semicondutores, um elétron torna-se livre quando salta da banda de valência para a banda de condução, atravessando o gap de energia. A energia de excitação necessária para tal mudança é aproximadamente igual à largura da barreira.

A diferença entre semicondutores e iso- lantes está na largura do gap de energia. Comparada com a largura do gap de energia dos isolantes,

a dos semicondutores

é bastante pequena.

Quando o elétron sal- ta da banda de valên- cia para a banda de condução são gera- dos tanto um elétron livre quanto um bura- co eletrônico.

OCUPAÇÃO DOS ESTADOS ELETRÔNICOS

Antes da excitação eletrônica

E G Energia
E
G
Energia

Após a excitação eletrônica

Banda de Gap de Banda de valência energia condução
Banda
de
Gap de
Banda de
valência
energia
condução

Elétron

livre

Excitação

do elétron

Buraco na

banda de

valência

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MATERIAIS SEMICONDUTORES

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SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS são aqueles cujo comportamento elétrico depende basicamente da estrutura eletrônica do material puro. Sua condutividade elétrica geralmente é pequena e varia muito com a temperatura.

SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS são aqueles cujo comportamento elétrico depende fortemente do tipo e da concentração dos átomos de impurezas. A adição de impurezas para a moldagem do comportamento elétrico dos semicon- dutores é chamada de DOPAGEM.

A maioria dos semicondutores comerciais elementais são extrínsecos; o mais importante exemplo é o Si, mas também estão nesta categoria o Ge e o Sn. É a possibilidade de adicionar impurezas diversas ao material puro que permite a fabricação de uma variedade de dispositivos eletrônicos a partir do mesmo material semicondutor.

Os semicondutores extrínsecos têm condutividade que varia pouco com a temperatura e cujo valor é controlado pela concentração de impurezas. As concentrações utilizadas variam de 10 14 cm -3 (1 parte em 10 8 , considerando 10 22 átomos por cm 3 ) a 10 20 cm -3 (1 parte em 10 2 , que é muito alta).

Semicondutores intrínsecos de compostos dos grupos III-V e II-VI vêm adquirindo crescente importância para a indústria eletrônica nos últimos anos.

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SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS

Modelo de ligação eletrônica para a condução elétrica no Silício intrínseco

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Campo E (a) (b) Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si
Campo E
(a)
(b)
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Campo E
elétron de valência
(c)
elétron livre
buraco
Si
Si
Si
Si
(a) Antes da excitação eletrônica.
(b) e (c) Após a excitação eletrônica (os movimentos subseqüentes do elétron livre e do
(b) e (c) Após a excitação eletrônica
(os movimentos subseqüentes do
elétron livre e do buraco em resposta
a um campo elétrico externo).
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si

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SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS

A condutividade elétrica dos materiais semicondutores pode ser representada pela equação

σ = n |e| µ e + p |e| µ b ,

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onde: n = número de elétrons livres por unidade de volume; p = número de buracos eletrônicos por unidade de volume; |e| = magnitude da carga dos portadores (1,6x10 -19 C);

µ e = mobilidade dos elétrons livres;

µ b = mobilidade dos buracos eletrônicos.

Note que µ e > µ b .

A condutividade elétrica dos semicondutores intrínsecos aumenta à medida que a temperatura aumenta.

Para semicondutores intrínsecos, n = p. Portanto,

σ = n |e| (µ e + µ b ) .

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SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS DO TIPO n

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Modelo de ligação eletrônica para a semicondução extrínseca do tipo n.

Por exemplo, a dopagem do Si (valência 4) com P (valência 5) gera elétrons livres; uma impureza desse tipo é chamada de doadora.

Campo E (a) (b) Si Si Si Si Si Si Si Si Si P Si
Campo E
(a)
(b)
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
P
Si
Si
Si
P
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Campo E (c) Si Si Si Si Si P Si Si Si Si Si Si
Campo E
(c)
Si
Si
Si
Si
Si
P
Si
Si
Si
Si
Si
Si

(a)

O átomo de impureza (P) substitui um átomo hospedeiro de Si, resultando em um elétron extra ligado ao átomo de impureza.

(b)

Excitação do elétron extra como conseqüência da aplicação de um campo elétrico externo, formando-se um elétron livre.

(c)

Movimento do elétron livre em resposta ao campo elétrico externo.

Para semicondutores do tipo n, os elétrons livres são os principais portadores de corrente, isto é, n >> p. Portanto,

σ n |e| µ e .

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condução

Banda de

energia

Gap de

Energia

de

valência

Banda

SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS DO TIPO n

Esquema da banda de energia eletrônica para um nível de impu- reza doadora localizado dentro do gap de energia, imediatamente abaixo da parte inferior da banda de condução.

Energia Banda de Gap de Banda de valência energia condução
Energia
Banda
de
Gap de
Banda de
valência
energia
condução

Estado

doador

Excitação de um estado doador em que um elétron livre é gerado na banda de condução.

em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de
em que um elétron livre é gerado na banda de condução. Elétron livre na banda de

Elétron livre na banda de condução

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SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS DO TIPO p

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Modelo de ligação eletrônica para a semicondução extrínseca do tipo p.

Por exemplo, a dopagem do Si (valência 4) com B (valência 3) gera buracos eletrônicos; uma impureza desse tipo é chamada de receptora.

(a)

Campo E (b) Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si B Si
Campo E
(b)
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
B
Si
Si
Si
B
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si

(a)

O átomo de impureza (B) substitui um átomo hospedeiro de Si, resultando na deficiência de um elétron de valência ou, de forma equivalente, num buraco eletrônico associado ao átomo de impureza.

(b)

Movimento do buraco eletrônico em resposta a um campo elétrico externo.

Para semicondutores tipo p, os buracos eletrônicos são os principais portadores de corrente, isto é, p >> n. Portanto,

σ p |e| µ b .

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condução

Banda de

energia

Gap de

Energia

de

valência

Banda

SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS DO TIPO p

Esquema da banda de energia para um nível de impureza receptora localizado dentro do gap de energia, imediatamente acima da parte superior da banda de valência.

Energia Banda de Gap de Banda de valência energia condução
Energia
Banda
de
Gap de
Banda de
valência
energia
condução

Estado

receptor

Excitação de um elétron para o nível receptor, deixando para trás um buraco na banda de valência.

deixando para trás um buraco na banda de valência. Buraco na banda de valência 22 PMT
deixando para trás um buraco na banda de valência. Buraco na banda de valência 22 PMT
deixando para trás um buraco na banda de valência. Buraco na banda de valência 22 PMT
deixando para trás um buraco na banda de valência. Buraco na banda de valência 22 PMT
deixando para trás um buraco na banda de valência. Buraco na banda de valência 22 PMT
deixando para trás um buraco na banda de valência. Buraco na banda de valência 22 PMT
deixando para trás um buraco na banda de valência. Buraco na banda de valência 22 PMT
deixando para trás um buraco na banda de valência. Buraco na banda de valência 22 PMT
deixando para trás um buraco na banda de valência. Buraco na banda de valência 22 PMT
deixando para trás um buraco na banda de valência. Buraco na banda de valência 22 PMT

Buraco na

banda de

valência

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PROPRIEDADES ELÉTRICAS DOS MATERIAIS

REFERÊNCIAS

Callister - Capítulo 19: Seções 1 a 7, 9, 10 e 11.

Leitura Adicional J. F. Shackelford em “Introduction to Materials Science for Engineers”, 4ª edição, Prentice-Hall Inc.,1996 - Capítulo 11

Dicas na rede

No applet em “http://lectureonline.cl.msu.edu/~mmp/kap18/RR447app.htm” você pode deslocar no espaço duas cargas elétricas, mudar a magnitude (intensidade e sinal) dessas cargas e observar o efeito que essas alterações causam nas linhas do campo elétrico por elas produzido.

Em “http://jas.eng.buffalo.edu” (The Semiconductor Applet Service) você encontrará diversas simulações do comportamento de materiais semicondutores.

No site “http://britneyspears.ac/lasers.htm” (Britney Spears guide to Semiconductor Physics) além de dar boas risadas, você poderá aprender muito sobre semicondutores. Leia em particular o item: The basics of semiconductors.

O site “http://www.educypedia.be/index.htm” contém dezenas de animações sobre os mais variados tópicos científicos (inclusive sobre as propriedades elétricas dos materiais).

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