001 Aulas Diodos

UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA - UFBA
ESCOLA POLITCNICA
Departamento de Engenharia Eltrica
Aula 2 Semicondutores, Juno PN

e Diodos
DISCIPLINA: DISPOSITIVOS
ELETRNICOS ENGC41
Manoel Messias Silva Jnior
Contedo Programtico
1. Semicondutores
1.1. Semicondutor tipo P e tipo N
1.2. Juno PN
1.3. Curva do caracterstica Diodo
2. Circuitos com diodos
2.1. Limitador
2.2. Grampeador
2.3. Multiplicador de tenso
2.4. Retificadores
3. Diodos especiais
3.1. Zener
3.2. LED
3.3. Fotodiodo e optoacoplador
Circuitos Eltricos
So constitudos de componentes passivos conectados entre si por fios
Circuito Eletrnico
So constitudos por dispositivos,

chamados de ativos que
de alguma forma controlam o fluxo de corrente
Semicondutores
A eletrnica fundamentada em dispositivos semicondutores, isto ,
dispositivos construdos a partir de um tipo de material chamado
semicondutor tais como o silcio e o germnio
3
Semicondutores
Em eletricidade os materiais se classificam em
condutores (Ex: cobre , alumnio, ferro, ouro, prata, etc)
e isolantes (Ex: madeira, borracha, ar, vidro, etc),)
Em eletrnica existe uma classe de material chamada de Semicondutor

Principal caracterstica:
Resistividade alterada quando fornecida algum tipo de radiao.
Tem dois tipos de portadores de carga.
tem resistividade intermediaria entre condutor e isolante
Principais semicondutores: Silicio (Si) e Germanio (Ge)
Estrutura atmica
Nveis de energia
Semicondutor Intrnseco
o semicondutor em estado puro (s tomos de semicondutor)
Estrutura simplificada do tomo de Si
Estrutura do Si
O Si um cristal: arranjo geomtrico dos tomos feito de forma regular
Ligao covalente: cada tomo se liga com quatro tomos vizinhos
Compartilhando os eltrons da ultima camada
Ligao covalente
Estrutura cristalina do Si a 0K ( -273C) - O material se comporta como

Isolante (no tem portadores de carga)
8
Gerao de Portadores
A ausncia do eltron na ligao covalente chamada de lacuna ou buraco e se
comporta como portador de carga positiva
Energia fornecida
Estrutura do Si a uma temperatura acima de 0K
Condutividade
10
Concentrao Intrnseca
Se n o numero de eltrons por unidade de volume (por cm3)
e p o numero de lacunas por unidade de volume ento:
n=p=ni= concentrao intrnseca do semicondutor que no caso vale:
ni=2,5x1013 cm-3 para o Ge

temperatura ambiente de 27C
ni=1,5x1010 cm-3 para o Si
11
Dopagem
Semicondutor TIPO-n
12
Dopagem
Semicondutor TIPO-p
13
Diodo no polarizado
14
Diodo com polarizao direta
15
Diodo com polarizao reversa
16
Corrente reversa e tenso de ruptura
17
Corrente de fuga superficial
18
Corrente reversa
19
Simbologia
20
Equao Caracterstica
i f(v) I .(e
S
v
.V
T 1)
Is corrente reversa de saturao

uma constante que pode variar entre 1 e 2 dependendo de aspectos
construtivos do diodo
VT depende da temperatura cujo valor calculado por
VT
k .T
q
k=constante de Boltzmann=1,38.10-23J/oK
T(oK)=273+ T(oC)
q=valor da carga do eltron=1,6.10-19C

Para a temperatura de 25oC o valor de VT de aproximadamente 25mV
Tenso de Joelho - Curva

Caracterstica
22
No linearidade
23
Polarizao Direta
Em polarizao direta e para v<0,5V a corrente desprezvel sendo essa
tenso chamada de tenso de corte.
Quando a tenso aumenta acima de 0,5V a corrente aumenta
exponencialmente sendo a relao i=f(v) dada pela equao caracterstica
Regio linear
Regio exponencial
Polarizao Reversa
Para VBK <v<0 e algumas vezes maior do que 25mV a expresso
i ser aproximadamente igual a -IS.
Na pratica a corrente reversa varia com a tenso pois constituda de duas

componentes: a corrente reversa de saturao (Is) cujo valor s depende da
temperatura e da corrente de fuga superficial que depende da tenso aplicada.
Silcio versus Germnio
26
Modelos do Diodo
Modelar um dispositivo eletrnico, usar
componentes
bsicos
tais
como
resistncias, fontes de tenso, fontes de
corrente e capacitncias para represent-lo,
permitindo desta forma que possamos usar
as leis de circuito para estud-lo.
I. Primeira aproximao
II. Segunda aproximao
III. Terceira aproximao
Modelo 1 - Diodo Ideal 1 aproximao

O modelo mais simples do diodo considera-o como sendo uma chave que
controlada pela tenso aplicada no diodo. Se a tenso positiva a chave fecha,
se negativa a chave abre. O diodo se comporta de forma ideal
O erro da ordem de 3%.
Modelo 1 - Diodo Ideal 1 aproximao
Quando o modelo no pode ser usado
A diferena entre os valores da ordem de 20%,
Modelo 2 - Bateria 2 aproximao

Neste caso o diodo quando em conduo ser considerado uma bateria de
0,6V ou 0,7V
O erro da ordem de 3%
Modelo 3 Bateria e Resistncia 3 aproximao

O modelo representativo do diodo em conduo pode ser melhorado
considerando a resistncia do corpo do diodo (RD)
0,6 V ou 0,7 V
O erro pode ser diminudo considerando um valor adequado de resistncia direta (RD).
O Ponto Quiescente (Q)
O ponto quiescente (Q) ou ponto de operao de um circuito corresponde

aos valores de tenses e correntes continuas desse circuito
Qual o valor da corrente no circuito? Qual modelo usar?
Usando o modelo ideal
Usando o modelo com bateria
12
12 mA
1K
12 0 , 7
1K
11 , 3 mA
Reta de Carga Resoluo Grfica

Para a analise grfica necessrio dispor da curva caracterstica e desenhar no
mesmo grfico a reta de carga do circuito. A interseco entre a reta de carga e
a curva a soluo.
Equao: Vcc= RL.I + VD
V CC
RL
1o Ponto: se VD=0 ento
V CC
RL
que representa um ponto no eixo das correntes.

2o Ponto: se I=0 na equao acima ento V=VCC
que representa um ponto no eixo das tenses
VQ
vD
Resoluo Grfica
i
I
V CC
RL
Q
IQ
VQ
V CC vD
Exemplo
35
Exerccio
36
Exerccio
37
Exerccio
38
Circuitos com diodo
39
Circuitos com diodo
40
Retificadores
41
Retificador de meia onda
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
Retificador de Onda Completa
58
59
60
61
62

Tenso reversa no diodo
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
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Comparao
74
Comparao
75
Comparao
76
Comparao
77
Comparao
78
Ripple
79
Fator de transformao
80
81
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88
Comparao
89
Filtros e Reguladores
90
91
Filtro capacitivo
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
Filtro capacitivo - Resistor para limitar a corrente de surto
104
105
Simulao!!!
106
Projeto
107
Projeto
108
Projeto
109
Projeto
110
Portas lgicas (and e or)
111
Portas lgicas (and e or)
112
Circuitos Ceifadores (Srie)
113
Circuitos Ceifadores
114
Exemplo
115
Exemplo
116
Circuitos Ceifadores (Paralelo)
117
Exemplo
118
Grampeador
119
Grampeador
120
Grampeador
121
Grampeador
122
Grampeador
123
Grampeador
124
Grampeador
Exerccio
Encontre a forma de onda na sada (vo) do circuito grampeador!!!
125
Grampeador
Exerccio
126
Grampeador
Exerccio
127
Grampeador
Exerccio
128
Grampeador
Exerccio
129
Grampeador
Exerccio
130
Grampeador
131
Diodo Zener
132
Diodo Zener
Regulao de tenso
133
Diodo Zener
Regulao de tenso
Vs=20 e Rs=1000K
Vs=30 e Rs=1000K
134
Diodo Zener
Aproximaes
135
Diodo Zener
Regulador Zener
Is
IL
Iz
136
Diodo Zener
Exemplo
137
Diodo Zener
Ondulao pelo resistor de carga
Se RL
constante ento:
138
Diodo Zener
Ponto de desligamento do Zener
139
Diodo Zener
Exemplo
140
Componentes Optoeletrnicos
141
Diodo Emissor de Luz (LED)

O diodo emissor de luz ou LED (Light-Emitting Diode) essencialmente
uma juno PN na qual existe uma abertura pela qual emitida
radiao luminosa quando a juno polarizada diretamente
A cor da radiao depende dos materiais usados:
A polarizao: consiste basicamente em estabelecer uma corrente, pois

a luminosidade depende da intensidade da corrente
O problema: tenso no LED pode variar de 1,5V a 3V para
Circuito de Polarizao
Calcular R para que o LED acenda com

20mA. Adotar VLED=2V
Bibliografia
[1] BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L.; Dispositivos Eletrnicos e Teoria de
Circuitos. 8.Ed. So Paulo: Prentice-Hall, 2007.
[2] MALVINO, A. P.; Eletrnica. 4.ed. So Paulo: Makron Books, 2009. V.1
144

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Manoel Messias Silva Jnior

3.3. Fotodiodo e optoacoplador

So constitudos por dispositivos,

Em eletrnica existe uma classe de material chamada de Semicondutor

Estrutura simplificada do tomo de Si

Estrutura cristalina do Si a 0K ( -273C) - O material se comporta como

Estrutura do Si a uma temperatura acima de 0K

n=p=ni= concentrao intrnseca do semicondutor que no caso vale:

ni=2,5x1013 cm-3 para o Ge

ni=1,5x1010 cm-3 para o Si

Diodo com polarizao direta

Diodo com polarizao reversa

Corrente reversa e tenso de ruptura

Corrente de fuga superficial

Is corrente reversa de saturao

q=valor da carga do eltron=1,6.10-19C

Tenso de Joelho - Curva

Na pratica a corrente reversa varia com a tenso pois constituda de duas

Silcio versus Germnio

Modelo 1 - Diodo Ideal 1 aproximao

O erro da ordem de 3%.

Modelo 1 - Diodo Ideal 1 aproximao

Quando o modelo no pode ser usado

A diferena entre os valores da ordem de 20%,

Modelo 2 - Bateria 2 aproximao

Modelo 3 Bateria e Resistncia 3 aproximao

O Ponto Quiescente (Q)

O ponto quiescente (Q) ou ponto de operao de um circuito corresponde

Usando o modelo ideal

Usando o modelo com bateria

Reta de Carga Resoluo Grfica

Equao: Vcc= RL.I + VD

1o Ponto: se VD=0 ento

que representa um ponto no eixo das correntes.

Circuitos com diodo

Circuitos com diodo

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Retificador de Onda Completa

Retificador de Onda Completa

Retificador de Onda Completa

Retificador de Onda Completa

Retificador de Onda Completa

Retificador de Onda Completa

Retificador de Onda Completa

Retificador de Onda Completa

Retificador de Onda Completa