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Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores CAP 7

7.1 O Transistor
O transistor um dispositivo de 3 terminais, utilizado para controlar sinais eltricos.
As duas funes mais usuais de controle so:
- Amplificao
- Chaveamento
Quando usado para Amplificao:
Sinal na sada da mesma forma que na entrada, com maior amplitude. O acrscimo de
potncia fornecido pela fonte de alimentao dc.
Devido a sua capacidade de converter energia de uma fonte dc em energia de um sinal
controlado, o transistor chamado de dispositivo ativo.
At meados da dcada de 1950 o dispositivo de controle eletrnico de maior uso era a
vlvula triodo.
O triodo formado por um tubo de vcuo contendo um ctodo aquecido que emite
eltrons e um anodo que os recebe, tendo entre eles um terceiro eletrodo feito de uma
malha de fios metlicos, chamado grade. Uma tenso varivel aplicada entre a grade e o
ctodo controla o fluxo de eltrons do catodo para o anodo passando pela grade. Desta
forma, um sinal de tenso entre grade e catodo controla a corrente de sada no anodo,
tornando a vlvula triodo um dispositivo ativo de controle.
Existem atualmente dois tipos principais de transistores: o transistor bipolar de
juno, em geral chamado simplesmente de transistor de juno, e o transistor de
efeito de campo.
O transistor bipolar de juno feito por duas junes p-n fabricadas na mesma pastilha
de semicondutor, sendo que a corrente na primeira juno controla a injeo de
portadores minoritrios na segunda juno.
Como os portadores minoritrios podem ser tanto eltrons como buracos, este
transistor opera com portadores de cargas positivas E negativas, da o nome bipolar.
O transistor de efeito de campo pode ser feito por duas junes ou por contatos metalxido-semicondutor. Em ambos os tipos, a tenso de entrada controla o fluxo de
portadores majoritrios que passam da entrada para sada do dispositivo.
Como estes portadores so eltrons OU buracos, dependendo do tipo de impureza do
semicondutor, o transistor de efeito de campo um dispositivo unipolar.

7.2 O Transistor Bipolar


Dispositivo semicondutor mais importante da atualidade. Ele pode ser fabricado numa
pastilha de semicondutor isoladamente (dispositivo nico de trs terminais) ou um
conjunto com muitos outros diodos e transistores, formando um circuito integrado.

Estrutura bsica: ele consiste de trs camadas de dopagens diferentes, feitas no mesmo
semicondutor, formando duas junes p-n com polaridades opostas. As trs camadas so
chamadas de emissor, base e coletor, que so ligadas ao circuito externo atravs de
contatos metlicos nos quais so soldados fios condutores. Podemos ter um transistor pn-p ou se as dopagens forem trocadas temos um transitor n-p-n, os dois operam de
maneira anloga sendo os papis do eltron trocado pelo de buraco e vice-versa.
IMAGEM
A Juno Emissor a juno p-n entre o emissor-base. A Juno Coletor a juno p-n
base-coletor. Veb e Vbc representa as tenses nas junes respectivamente.
Configurao base comum: um circuito que quando o terminal da base comum entre
os dois terminais de entrada e os dois de sada.
IMAGEM das Correntes IEp, IEn, etc.
A juno emissor Diretamente polarizada (regio de depleo menor) e a juno
coletor Reversamente polarizada (regio de depleo maior). Consequentemente a
resistncia da juno emissor pequena e a corrente IE (buracos majoritrios no
emissor) grande. Temos tambm o IEp que a corrente dos buracos que saem do
emissor e entra na base e IEn a corrente de eltrons que saem da base e entram no
emissor.
Como a espessura da base propositalmente pequena, os portadores minoritrios
(buracos) injetados na base no tem tempo de se recombinarem completamente e entram
na regio de depleo da juno do coletor, onde so acelerados pelo campo eltrico
para o outro lado da juno. Ao atingirem o coletor eles voltam a ser portadores
majoritrios e adquirem movimento de deriva sob ao do campo externo, formando a
maior parte da corrente IC.