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FACULDADE DE TECNOLOGIA

DE SO PAULO

Carlos Alberto Ribeiro de Arajo

MANUTENO E CARACTERIZAO DO EQUIPAMENTO


FOTOALINHADOR AL4-2

So Paulo
2007

Carlos Alberto Ribeiro de Arajo

MANUTENO E CARACTERIZAO DO EQUIPAMENTO


FOTOALINHADOR AL4-2

Trabalho

de

Concluso

de

Curso

apresentado Faculdade de Tecnologia do


Estado de So Paulo para obteno do
ttulo de Tecnlogo em Materiais, Processos
e Componentes Eletrnicos.

So Paulo
2007

Carlos Alberto Ribeiro de Arajo

MANUTENO E CARACTERIZAO DO EQUIPAMENTO


FOTOALINHADOR AL4-2

Trabalho

de

Concluso

de

Curso

apresentado Faculdade de Tecnologia do


Estado de So Paulo para obteno do
ttulo de Tecnlogo em Materiais, Processos
e Componentes Eletrnicos.

Orientador:
Prof Dr. Luis da Silva Zambom
Co-orientador:
Tecg Alexandre Marques Camponucci

So Paulo
2007

DEDICATRIA

Dedico este trabalho aos


meus pais Aluizo e Marta,
assim como a todos os meus
familiares e amigos.

AGRADECIMENTOS
Aos meus pais, Marta e Aluizo, pelo apoio constante durante todo o meu
perodo de estudos.
Ao prof Dr. Luis da Silva Zambom, coordenador do curso de Materiais,
Processo e Componentes Eletrnicos MPCE/FATEC, pela disponibilidade e
dedicada ateno durante o perodo da dissertao.
Ao Tecg Alexandre Marque Camponucci, pelos ensinamentos e conselhos
durante o processo pesquisa da dissertao.
prof Me. Silvia Wapke Graf, pelo incentivo constante e apoio.
Ao prof Dr. Nilton Itiro Morimoto, pela oportunidade e condies oferecidas
realizao do trabalho.
Aos meus colegas de trabalho do Laboratrio de Sistemas Integrveis da
Escola Politcnica da Universidade de So Paulo LSI-EPUSP, pela ateno e
colaborao.
Aos demais familiares, por sempre terem acreditado em mim.
Aos meus amigos, por estarem ao meu lado nos momentos difceis e por
sempre me motivarem a alcanar meus objetivos.

RESUMO
O processo litogrfico uma das etapas mais importantes no processo de fabricao
dispositivos em microeletrnica, por ser uma das etapas mais executadas durante
esse processo. Por conta disso, uma viso geral do processo mostrada
inicialmente nesse trabalho. A etapa tem como objetivo, transferir geometrias de um
meio para a superfcie do substrato. A transferncia feita utilizando uma mscara,
que contm as geometrias que se deseja transferir. Sobre o substrato, uma camada
de material fotossensvel depositada e aps ser sensibilizada pela incidncia de
radiao emitida por um equipamento fotoalinhador, deve ser removida, e assim
permitindo a continuidade do processo de fabricao. Neste trabalho, ser mostrada
a manuteno do equipamento fotoalinhador AL4-2, localizado na Sala Limpa do
Laboratrio de Sistemas Integrveis da Escola Politcnica da Universidade de So
Paulo que se encontrava fora de uso. Por no possuir qualquer documentao
tcnica, inicialmente foi feita uma investigao dos problemas que o equipamento
apresentava junto a antigos usurios. Em paralelo a essa pesquisa, um
levantamento da infra-estrutura necessria para o funcionamento ideal do
equipamento foi feito, assim como um novo manual de utilizao teve de ser
elaborado. O material fotossensvel utilizado foi o TSMR-V90 e com isso alguns
testes foram propostos para atestar o funcionamento do sistema e liber-lo para uso
do laboratrio. Com o sistema operando, foram obtidas linhas superiores a 5m
utilizando os parmetros recomendados pelo fabricante do resiste. Como esses
valores estavam muito acima do esperado, novos parmetros foram utilizados at se
alcanar medidas entre 2 e 3 m, que demonstraram o bom funcionamento do
sistema e com isso permitindo a sua utilizao no laboratrio.

Palavras-chave: Litografia, Fotorresiste, Alinhamento.

LISTA DE FIGURAS
Figura 1 - Tipos de litografia ...................................................................................... 14
Figura 2 - Espectro de radiaes .............................................................................. 16
Figura 3 - Evoluo de tecnologia ............................................................................. 17
Figura 4 - Esquema de um sistema de litografia por feixe de eltrons ...................... 18
Figura 5 - a. Sistema exposio com alinhamento; b. Expositora por raio-X ............ 19
Figura 6 - Tipos de resiste quanto ao resultado aps revelao ............................... 21
Figura 7 - Resultados aps revelao ....................................................................... 23
Figura 8 - Resultados obtidos.................................................................................... 23
Figura 9 - a) Mscara de corpo claro; b) mscara de corpo escuro .......................... 25
Figura 10 - Evoluo do processo litogrfico ............................................................. 26
Figura 11 - Tcnicas litogrficas................................................................................ 27
Figura 12 - Alinhamento entre mscara e substrato.................................................. 30
Figura 13 - Esquema bsico de uma fotoalinhadora ................................................. 31
Figura 14 - Etapas do processo litogrfico ................................................................ 32
Figura 15 Esquemtico de um spinner .................................................................. 33
Figura 16 Equipamento fotoalinhador .................................................................... 36
Figura 17 Identificao das partes ......................................................................... 37
Figura 18 - Mask Holder ............................................................................................ 41
Figura 19 - Esquema das vlvulas solenides .......................................................... 43
Figura 20 - Fonte ....................................................................................................... 45
Figura 21 - Regio de testes de intensidade ............................................................. 46
Figura 22 - Pontos de medio ................................................................................. 49
Figura 23 - Gradiente de exposies ........................................................................ 50
Figura 24 - Tempo de revelao: 20 s....................................................................... 54
Figura 25 - Tempo de revelao: 13 s....................................................................... 55
Figura 26 - Tempo de revelao: 16 s....................................................................... 56
Figura 27 - Resultado de corroso de silcio policristalino ......................................... 59

LISTA DE TABELAS
Tabela 1 Vantagens e desvantagens ..................................................................... 28
Tabela 2 - Condies para a utilizao da alinhadora ............................................... 38
Tabela 3 - Medida de degrau mdio aps revelao ................................................ 49
Tabela 4 - Medida de degrau mdio aps hard bake ................................................ 49
Tabela 5 - Primeiro teste de exposio. .................................................................... 51
Tabela 6 - Segundo teste de exposio .................................................................... 51
Tabela 7 - Terceiro teste de exposio ..................................................................... 52
Tabela 8 - Perfis de litografia..................................................................................... 53
Tabela 9 - Perfis de litografia..................................................................................... 53
Tabela 10 - Degraus aps corroso do silcio ........................................................... 57
Tabela 11 - Degraus aps corroso do silcio ........................................................... 57
Tabela 12 - Degraus aps corroso do fotorresiste .................................................. 57
Tabela 13 - Degraus aps corroso do fotorresiste .................................................. 57
Tabela 14 - Seletividade em relao ao tempo de exposio ................................... 58
Tabela 15 - Seletividade em relao ao tempo de exposio ................................... 58

SMARIO
1

Introduo......................................................................................................... 11
1.1

Objetivos do trabalho .................................................................................. 11

1.2

Apresentao do trabalho ........................................................................... 12

Fundamentos tericos ..................................................................................... 13


2.1

Origem da litografia ..................................................................................... 13

2.2

Processo litogrfico em microeletrnica...................................................... 13

2.3

Tipos de litografia ........................................................................................ 14

2.3.1

Litografia ptica.................................................................................... 15

2.3.2

Litografia por feixe de eltrons ............................................................. 17

2.3.3

Litografia por raios X ............................................................................ 19

2.3.4

Litografia por feixe de ons ................................................................... 20

2.4

Tipos de resistes ......................................................................................... 20

2.5

Revelao ................................................................................................... 22

2.6

Tipo de mscaras ....................................................................................... 24

2.7

Resoluo ................................................................................................... 25

2.8

Tipos de exposio ..................................................................................... 27

2.9

Alinhamento ................................................................................................ 29

2.10 Expositora / Alinhadora ............................................................................... 30


3

Etapas de processo no LSI ............................................................................. 32


3.1

Limpeza do substrato .................................................................................. 32

3.2

Deposio do Fotorresiste .......................................................................... 33

3.2.1

Utilizao de lcool .............................................................................. 33

3.2.2

Deposio do promotor de aderncia .................................................. 34

3.2.3

Colocao do fotorresiste .................................................................... 34

3.3

Pr cura ...................................................................................................... 34

3.4

Exposio ................................................................................................... 35

3.5

Revelao ................................................................................................... 35

3.6

Cura ............................................................................................................ 35

3.7

Corroso ..................................................................................................... 35

3.8

Retirada do resiste ...................................................................................... 35

Equipamento fotoalinhador AL4-2 .................................................................. 36

4.1

Descrio .................................................................................................... 36

4.2

Infra-estrutura ............................................................................................. 38

4.3

Funcionamento resumido............................................................................ 39

4.4

Anlise dos problemas ................................................................................ 40

4.4.1
4.5

Metodologia ......................................................................................... 41

Manuteno ................................................................................................ 42

Testes da fotoalinhadora ................................................................................. 48

Concluso ......................................................................................................... 61

Referncias ....................................................................................................... 62

Anexos ..................................................................................................................... 65
A. Diagrama da linha de ar comprimido ................................................................. 65
B. Manual detalhado .............................................................................................. 66
C. Diagrama esquemtico da placa me ............................................................... 76
D. Placa secundria n1 ........................................................................................ 77
E. Placa secundria n2......................................................................................... 77
F. Placa secundria n3 ......................................................................................... 78
G. Placa secundria n4 ........................................................................................ 78
H. Placa secundria n5 ........................................................................................ 79
I. Placa secundaria n6 .......................................................................................... 79
J. Placa secundria n7 ......................................................................................... 80

1 Introduo
A cada dia percebemos que os equipamentos utilizam a eletrnica para tornlos mais confiveis e fornecer resultados mais rpidos. Com o avano da tecnologia,
esses circuitos esto tomando formas menores e devido ao processo produtivo, os
tornam bem mais acessveis.
Hoje em dia muito difcil viver sem a eletrnica e o seu processo de
diminuio de tamanho e convergncia de tecnologias. Tudo est tendendo para
aparelhos que executam muitas funes, com velocidades de troca de informaes
maiores e com dimenses fsicas menores.
Tudo isso s pode ser feito com a miniaturizao dos componentes
eletrnicos utilizados nesses circuitos e tambm pelo volume de produo. Como
sabido, na indstria de componentes eletrnicos, so utilizadas muitas etapas de
processo para se fabricar um circuito integrado. Conforme esses circuitos vo
diminuindo, o processo se torna mais complexo. Como a produo basicamente
feita por mquinas, o custo inicial de uma nova tecnologia alto, devido ao tempo e
ao valor necessrios para se desenvolver essa nova tecnologia, no entanto quanto
mais se produz, menor vai se tornar o custo dessa produo.
Um dos desafios para a indstria de microeletrnica como produzir mais em
menos tempo, componentes mais rpidos, que consumam menos energia e com
dimenses menores.

1.1 Objetivos do trabalho


Nesse trabalho ser mostrada a manuteno do equipamento fotoalinhador
AL4-2 localizado na Sala Limpa do Laboratrio de Sistema Integrveis da
Universidade de So Paulo.
Em paralelo manuteno, um manual de utilizao do sistema foi elaborado e
alguns esquemas eltricos e pneumticos foram produzidos para a montagem de
uma documentao do equipamento.
Com o trmino na manuteno do sistema, testes foram propostos para a
certificao da manuteno e atestar o retorno do sistema para o uso do laboratrio.

11

1.2 Apresentao do trabalho


Este trabalho est dividido em 7 captulos, apresentados da seguinte forma:
No captulo 2 mostra um panorama geral sobre o processo litogrfico. Nesse
captulo sero mostrados os tipos de litografias, resistes, mscaras, exposies,
resoluo do processo e outros pontos importantes do processo. O processo que
ter mais nfase nesse trabalho a litografia por radiao UV.
O captulo 3 mostra de forma sucinta as etapas de processo utilizadas no
processo litogrfico da Sala Limpa.
Seguindo pelo captulo 4, este ir mostrar detalhadamente como foi feita a
manuteno do equipamento, abordando os problemas encontrados e quais foram
as solues encontradas para cada problema.
O captulo 5 mostrar os testes feitos com o equipamento aps o termino da
manuteno e seus resultados.
Terminando pelo captulo 6, este apresenta as principais concluses deste
trabalho.
Ao final desse trabalho, alguns anexos foram colocados para demonstrar alguns
esquemas que foram de suma importncia durante a manuteno do sistema.
Neste trabalho alguns termos esto na lngua de origem devido ao fato de
possurem tradues, mas no causaro m compreenso do texto onde esto
inseridos.

12

2 Fundamentos tericos
2.1 Origem da litografia
Litografia (do grego , de -lithos [pedra] e -grafin
[grafia, escrita]) um tipo de gravura. Essa tcnica de gravura envolve a criao de
marcas (ou desenhos) sobre uma matriz (pedra calcria) com um lpis gorduroso[1].
Essa tcnica foi inicialmente estudada e executada por Simon Schmidt[2],
professor bvaro que viveu no final do sculo XVIII. A tcnica utilizava pedras como
matrizes para cpias de imagens de plantas, mapas, etc. Na mesma poca, Alois
Senefelder[1] foi considerado o criador do processo litogrfico, uma vez que ele foi a
pessoa que padronizou o processo como um todo. Aps essa padronizao, a
tcnica propagou-se pelo continente europeu.
Portanto, a ao de transferncia de padres considerada uma forma de
impresso e por isso uma das inovaes tecnolgicas mais importantes
desenvolvidas na histria humana.

2.2 Processo litogrfico em microeletrnica


Por se tratar de dimenses submicromtricas, o processo litogrfico em
microeletrnica tem um tratamento diferenciado em relao ao processo
desenvolvido no sculo XVIII. A essncia do processo a mesma, porm os
materiais e a quantidade de etapas so totalmente diferentes[1].
Em microeletrnica, o processo de transferncia no difere do processo
inicialmente desenvolvido por Schmidt[1] e Senefelder[2], mas a base desse
processo est em se fazer passar luz atravs de uma mscara, uma espcie de
estncil (mtodo muito utilizado antigamente para reproduzir cpias de documentos).
A mscara possui, na verdade, um desenho, em escala real ou aumentada do
que dever ser o componente, parte do componente ou do circuito que se quer
produzir na lmina de silcio. Por meio de um complexo conjunto de lentes, as
formas impressas na mscara so transferidas sobre a lmina de silcio, j recoberto
13

pelo polmero sensvel radiao. O material que utilizado como base para as
formas que se deseja transferir para o substrato chamado de fotorresiste. Esse
material um polmero que recebendo determinado tipo de radiao tem sua
estrutura qumica modificada, ou sensibilizada, para posterior remoo com uma
soluo bsica ou solvente orgnico mais conhecido como revelador. Os
fotorresistes so conhecidos tambm como resistes e so classificados de acordo
com o resultado obtido aps a revelao.
A litografia muito importante para a indstria de microeletrnica, por ser
realizada diversas vezes no processo de produo. Essa etapa considerada um
limitante no processo, pois uma vez executada de forma inadequada, implicar no
funcionamento inadequado dos componentes produzidos e at mesmo a perda de
todo um lote de produo.

2.3 Tipos de litografia

Figura 1 - Tipos de litografia[3]

O ponto mais importante no processo litogrfico a resoluo do processo.


Essa resoluo nos mostra at que ponto o processo ser capaz de produzir
geometrias de acordo com os projetos. Na litografia, essa capacidade de projetar
imagens tem sido usada por anos, e desde seu incio as medidas das estruturas vm
sendo diminudas e com isso, diferentes tipos de radiao so utilizadas para atingir
as necessidades. Alm da utilizao de radiaes com comprimentos de onda
14

menores, novos sistemas pticos e resistes fazem com que a litografia consiga
transferir padres com medidas cada vez menores
H casos de litografia que necessitam de processos mais especficos, isso fez
com que o processo litogrfico necessitasse de novos tipos de tecnologia para suprir
essas necessidades e estender a capacidade de transferir padres alm dos limites
do processo fotolitogrfico.
As tecnologias mais conhecidas e que tm sido utilizadas e pesquisadas so:
litografia ptica (OL), litografia por feixe de eltrons (ELB), litografia por raio-X e
litografia por feixe de ons[4].
Cada uma dessas tecnologias ser explicada a seguir.

2.3.1 Litografia ptica


A litografia ptica o processo mais utilizado em escala industrial devido ao
alto conhecimento do processo e grande poder de reprodutibilidade. No incio, essa
tecnologia utilizava comprimentos de onda entre (365 a 405) nm, permitindo
resolues entre (500 a 600) m nos anos 90[5]. Atualmente, com a melhoria do
processo, os comprimentos de onda usados so menores, entre (248 a 193) nm[5].
Essa radiao produzida por uma lmpada de mercrio, concentrada por um
sistema de lentes e chega at o substrato contendo um filme de resiste, assim
sensibilizando-o.
Na Figura 2 mostrado o espectro de luz e suas subdivises em funo de
freqncia e comprimento de onda. Tambm se pode ter a idia como evoluiu o
sistema de litografia ptica.

15

Figura 2 - Espectro de radiaes[3]

Desde seu incio, essa tcnica tinha data para ser descontinuada e
substituda por algo diferente. Mas como a tecnologia dos sistemas pticos, dos
materiais fotossensveis e dos tipos de radiao utilizadas, faz com que atualmente
continue sendo utilizada, conseguindo atingir resolues de at 45nm[6].
A Figura 3 nos mostra como evoluiu a tecnologia no tempo e como o espectro
de radiao utilizada.

16

Figura 3 - Evoluo de tecnologia[7]

2.3.2 Litografia por feixe de eltrons


O processo litogrfico por feixe de eltrons, ou EBL como mais conhecido,
tem como princpio formar imagens sobre um substrato utilizando um feixe de
eltrons. No incio, essa tcnica era usada utilizando um microscpio por varredura
de feixe de eltrons comercial.
Com essa tcnica, no foi necessrio muito tempo at se perceber as
vantagens sobre o processo de litografia ptica. Inicialmente, o principal fator que
diferenciou as duas tcnicas foi a produo de imagens menores que as
conseguidas na litografia ptica sem necessitar de mscara. Com a evoluo da
tcnica, consegue-se produzir imagens entre 100 e 250[8]. Um esquema desse
sistema mostrado na Figura 4.

17

Figura 4 - Esquema de um sistema de litografia por feixe de eltrons[9]

No entanto, esse processo possui desvantagens, assim no permitindo o seu


uso em ambiente de produo em larga escala. A principal desvantagem o tempo
que necessrio para se expor uma determinada regio. Como o processo feito
por varredura, ou seja, ponto a ponto, o feixe deve passar por toda a extenso da
mscara, e dependendo do tamanho, pode levar minutos ou at mesmo horas. E por
fim, o preo do processo bem elevado, pois o sistema de controle do feixe de
eltrons bem complexo e caro.
A resoluo desse processo tem limitaes devido disperso da radiao
ser direta sobre o resiste e indireta pelo substrato. Isso acarreta na exposio de
regies aonde no se quer expor.
Por se tratar de um processo que no usado em larga escala na indstria,
mas produzindo resultados muito bons essa tcnica usada principalmente na
produo de fotomscaras para os processos litogrficos diversos.

18

2.3.3 Litografia por raios X


A litografia por raios-X, ou XRL comumente chamada, tem o seu princpio
similar ou processo da litografia ptica. Nesse caso, o raio X usado como radiao
que ser incidido diretamente sobre um substrato com fotorresiste. A utilizao do
raio-X tem como principal vantagem o comprimento de onda desse tipo de radiao,
que duas ordens de grandeza menor que a radiao ultravioleta[10], usada no
processo fotolitogrfico. A Figura 5 ilustra como o sistema.

Figura 5 - a. Sistema exposio com alinhamento; b. Expositora por raio-X[9]

Litografia por raios-X tem um custo alto, porque boa parte desse custo est no
equipamento que gera o raio X, normalmente um synchrotron. Dependendo do
equipamento, o custo por hora de trabalho, pode chegar a centenas de dlares e o
investimento inicial para aquisio de equipamentos na ordem de milhes de
dlares.
Atualmente esse processo tem como desafio se firmar como processo
industrial, j que experimentalmente tem-se conseguido bons resultados com
demonstraes de resolues menores que 100 nm[11].

19

2.3.4 Litografia por feixe de ons


Existem 3 tipos de litografia por feixe de ons, so eles:

Focused Ion Beam Lithography

Masked Ion Beam Lithography

Ion Projection Lithography


Essa tcnica uma variao do processo feito pela litografia por feixe de

eltrons, somente utilizando um feixe de ons ao invs de eltrons. Mais conhecido


como FIBL, Focused Ion Beam Lithography. Essa variao do processo tambm
chega ao esquemtico do processo que tambm parecido com um microscpico
de varredura por feixe de eltrons, assim emitindo um feixe de ons sobre a
superfcie de um substrato que tem um filme sensvel aos tipos de ons que sero
incididos.
O princpio da litografia por projeo inica consiste de um feixe de ons hlio,
gerados pela ionizao do gs. Tal feixe dirigido e modificado por um sistema de
lentes eletrostticas, o qual permite projetar sobre a placa de silcio um feixe quatro
vezes mais fino que a fonte. Essa tcnica utiliza ons de tomos leves (hidrognio,
hlio), podendo tambm funcionar com elementos como o argnio ou o xennio.
As vantagens desse processo; os resistes so mais sensveis devido as
massas desses ons serem maiores, no penetraro em profundidade como os
eltrons, h a possibilidade de corroso e implantao sem mscaras e o feixe pode
ser focado sobre linhas finas.

2.4 Tipos de resistes


O resiste ou material fotossensvel um polmero que ao receber uma
radiao diretamente tem sua estrutura qumica totalmente modificada. Antes de ser
exposto, ele deve permitir seu espalhamento por toda a superfcie da lmina, assim
produzindo camadas finas e ter um controle do processo qumico durante a
exposio.
20

Um dos tipos de resiste o resiste positivo que ao ser sensibilizado pela


radiao, tem sua estrutura qumica modificada de tal forma a reagir com o revelador
durante o processo de revelao. Duas famlias de resistes so bem conhecidas, o
Polimetilmetacrilato (PMMA)[12,13], que possui um componente e o resiste composto
por dois componentes (DQN), um ester diazoquinona fotoativo (DQ) e uma resina
fenlica novolak (N) [12,13].
O outro tipo de resiste, o negativo, tem o comportamento oposto ao positivo,
tendo sua estrutura modificada de tal forma a no reagir com o revelador durante o
processo de revelao. A Figura 6 mostra as imagens reveladas com cada tipo de
resiste:

Figura 6 - Tipos de resiste quanto ao resultado aps revelao[14]

Para que haja a melhor transferncia dos padres projetados na mscara


sobre a lmina, um fator muito importante a resoluo das imagens que sero
transferidas para a lmina.

21

2.5 Revelao
Aps o substrato completar as etapas de alinhamento e de exposio
radiao, formando reas sensibilizadas e no sensibilizadas, esse substrato dever
passar pela revelao. H dois processos de revelao, o mido que o processo
mais difundido e o processo seco, que ainda se mantm no estagio de estudos[4].
Esse processo pode ser executado de duas formas, uma por imerso e outra
por spray. A revelao por imerso o mtodo que as lminas so imersas num
banho contendo soluo reveladora, por um perodo de tempo, a uma determinada
temperatura e sofrendo agitao constante. O processo por spray o mtodo onde
a soluo de revelador pulverizada por sobre as lminas[4].
A revelao outra etapa crtica na litografia, pois um processo difcil de ser
controlado e medido. Durante esse processo deseja-se: manter a espessura original
do filme no exposto, o tempo de revelao deve ser curto e quando revelado, o
filme no pode sofrer distores e por fim as dimenses especficas dos padres
devem ser transferidas e reproduzidas com exatido[9].
O sucesso da revelao depende do tipo de resiste utilizado, j que cada tipo
tem suas particularidades estruturais e tambm depender dos mecanismos de
exposio.
Solues orgnicas so usadas como solvente para efetuar revelao dos
fotorresistes negativos, e tem como principal solvente o xileno, porm quase
qualquer solvente orgnico pode ser usado[4].
A maioria dos resistes positivos so revelados em solues alcalinas
moderadas. Os reveladores que so comumente usados so hidrxido de potssio
ou sdio (KOH ou NaOH), hidrxido de tetrametilamnia (TMAH), cetonas ou
acetatos[4].
Outro fator muito importante na revelao o tempo de exposio. Se o
tempo de exposio no for muito bem controlado, distores das estruturas que se
desejou transferir podem ocorrer. A Figura 7 expe claramente essa idia,
mostrando resultados aps diferentes tempos de exposio. O tipo de resiste
utilizado o negativo.

22

Figura 7 - Resultados aps revelao[15]

A Figura 8 mostra as possibilidades da litografia somente modificando o tipo


de resistes e tipo de mscara.

Figura 8 - Resultados obtidos[16]

23

2.6 Tipo de mscaras


Mscaras como so conhecidas, so ferramentas que possuem as
geometrias necessrias para se produzir componentes eletrnicos especficos e
circuitos integrados (CI).
O material utilizado para a produo das mscaras normalmente vtreo.
Alguns tipos de vidros so usados como os a base de sdio, os borossilicatos e o
quartzo. O quartzo o material mais utilizado na produo de mscaras por permitir
a passagem de radiaes prximas do Ultra-Violeta Profundo (deep UV), mesmo
tendo o seu valor de produo mais caro que o processo com outros tipos de
materiais. Com o incio da produo de quartzo sinttico[17], esse se estabeleceu
como principal material utilizado para se produzir as mscaras, devido ao menor
custo de produo.
Os materiais que sero utilizados sobre as placas de vidro podem ser o cromo
e o xido de ferro. Esses metais tm a funo de refletir a radiao incidida sobre a
lmina e as regies onde no h esse filme metlico permitem a passagem da
radiao, gerando sobre o filme fotossensvel os padres necessrios para as
etapas seguintes de produo dos circuitos integrados.
A deposio do metal sobre a lmina de vidro feita pelos processos de
evaporao[18], ou sputtering[18]. A espessura desses filmes metlicos pode ser da
ordem de 800[4]
As mscaras utilizadas na produo de circuitos so feitas de uma forma que
no contenham nenhum tipo de defeito estrutural em ambas as superfcies, assim
como em sua estrutura interna, alm de possuir um alto nvel de transmisso ptica,
para que haja a menor quantidade de radiao absorvida pelo material durante a
exposio do resiste. Por se tratar de um processo que usa radiaes, qualquer
defeito na estrutura atmica da mscara poder gerar barreiras para essa radiao
atravessar as mscaras, e com isso no transferir as imagens de forma fiel ao que
foram projetadas.
Todos esses cuidados devem ser levados em considerao ao se produzir
uma mscara, para que haja uma alta resoluo do processo de exposio, baixas
taxas de defeitos e ser opticamente compatvel com os equipamentos de exposio,
resistes, processos de limpeza e deposio.
24

H dois tipos de mscaras, as de campo claro e as de campo escuro. As


mscaras de campo claro permitem a maior passagem da luz, por possurem poucas
regies cobertas pelo metal. As mscaras de campo escuro tm a maior parte de
sua rea coberta por metal, tendo poucas regies em que a luz possa passar. A
Figura 9 mostra como so esses tipos de mscaras.

Figura 9 - a) Mscara de corpo claro; b) mscara de corpo escuro

2.7 Resoluo
Quando o termo resoluo (R) usado, isso quer dizer sobre a habilidade do
processo ptico de distinguir objetos com espaamento bem prximo. Em
microeletrnica, especificamente refere-se resoluo mnima do processo
litogrfico, que a medida mnima de uma linha ou geometria que todo o sistema
pode produzir, englobando o tipo de resiste utilizado, o comprimento de onda da
radiao incidida e do conjunto ptico que o equipamento possui.
Para se compreender melhor o que limite de resoluo utiliza-se a equao
1, conhecida como equao de Rayleigh:

R k1 *

NA

(1)

Nessa equao, NA o valor da abertura numrica do sistema ptico que o


equipamento possui, o comprimento de onda da radiao usada e k1 uma
constante que depende do resiste utilizado, da tecnologia do processo e da tcnica
25

usada para formar as imagens. Tipicamente utilizam-se valores de k1 entre 0,5 at


0,8 e valores de NA entre 0,5 e 0,6.
O ngulo formado pelo eixo ptico e os raios mais externos ainda cobertos
pela objetiva a medida da abertura numrica. O valor da abertura numrica est
diretamente relacionado com o ndice de refrao do meio por onde a radiao
projetada[19].
Analisando a equao 1, nota-se uma relao matemtica entre R e , esta
diretamente proporcional. J a relao entre R e NA inversamente proporcional,
uma vez que K1 constante do resiste utilizado.
Para se ter uma idia da evoluo do processo litogrfico e de sua resoluo,
Figura 10 e mostra a diminuio do comprimento de onda da radiao utilizada ao
longo dos anos.

Figura 10 - Evoluo do processo litogrfico[7]

Para se obter resolues cada vez menores, deve-se variar o comprimento de


onda, com isso tipos de radiaes ou feixe de ons diferentes podem ser utilizados.
Outras variveis para a diminuio das resolues seriam a modificao dos
sistemas pticos, assim modificando o NA e por fim o tipo de resiste utilizado no
processo, assim variando o K1.

26

2.8 Tipos de exposio


Existem trs mtodos principais de transferir opticamente as geometrias que
se deseja de uma mscara at o substrato recoberto com o filme fotossensvel, so
eles: a impresso por contato, proximidade e projeo. A Figura 11 mostra cada
mtodo de forma esquemtica.

Figura 11 - Tcnicas litogrficas[9]

A exposio por contato tem sido utilizada desde o incio da fabricao de


CIs, no meio da dcada de 1970. O princpio dessa tcnica fazer com que a
mscara toque o substrato recoberto com resiste, e assim receber a incidncia da
radiao. Antes de haver o contato, um alinhamento entre mscara e lmina deve
ser feito, e aps o alinhamento estiver bem executado, o contato deve ser feito e por
fim a exposio ser executada. Essa tcnica usada para processos que no
contenham alta densidade de dispositivos e consegue atingir medidas de at 1m[4]
Dependendo do tipo de resiste utilizado, pode atingir valores menores para os
padres.
Esse contato, quando freqente, poder causar muitos problemas para as
mscaras, camada de resiste ou em ambos ao mesmo tempo. Por ser um contato
fsico, parte do filme pode ficar sobre a mscara, alterando a resoluo do sistema
ou a uniformidade da exposio. Esses problemas causam variaes no tamanho
dos padres transferidos e erros durante o alinhamento.
O processo de exposio por proximidade a evoluo natural do processo
por contato, com seus equipamentos conhecidos como mquinas de contato suave.
27

O sistema no difere muito do sistema por contato e o que o torna diferente um


mecanismo, que distancia a mscara do filme de resiste, fazendo com que as
mscaras tenham uma vida til maior e no gerem problemas devido a impurezas.
A distncia entre mscara e resiste pode causar problemas de definio das
imagens, j que h uma disperso natural da luz at alcanar o resiste. Ao mesmo
tempo esse contato suave ou distanciamento reduz muito o nmero de defeitos
associados a resistes danificados. Normalmente a distncia tpica entre mscara e
substrato de 20-50m[4], e assim nesse processo a resoluo mnima pode
chegar entre 2 e 3m[4].
Como mostrado na Figura 11, o processo de exposio por projeo deve
possuir um conjunto ptico constitudo por lentes e espelhos, que focalizaro as
imagens das mscaras na superfcie do substrato. Por esse processo ter como
diferencial focar a luz sobre o substrato, o feixe de luz tem que percorrer toda a rea
da lmina, e assim um novo parmetro deve ser considerado e controlado, o tempo
de varredura.
Uma desvantagem desse processo o tempo de varredura que o sistema
necessita para percorrer toda rea do substrato, no tornando esse processo muito
usado em escala industrial. Outros problemas encontrados so: a distoro da luz,
defeitos induzidos pelas mscaras quando h poeira ou sujeira sobre elas e
provveis defeitos do vidro utilizado para produzir as mscaras.
A tcnica por projeo permite a estruturao de superfcies curvas, aliada
possibilidade de fazer impresses diretamente nas superfcies "sem contato" esto
entre as principais qualidades dessa tcnica. A Tabela 1[20] mostra um resumo
sobre as vantagens e desvantagens de cada tipo de exposio.
Tabela 1 Vantagens e desvantagens

Sistema
Contato

Proximidade
Projeo

Vantagens
Alta resoluo
Baixo custo
Alta produtividade
Baixa contaminao
Alta resoluo
Baixa contaminao
Alta produtividade

Desvantagens
Alta contaminao
Defeitos
Baixa resoluo
Custo

28

2.9 Alinhamento
Outro ponto importante que deve ser abordado o correto posicionamento
das mscaras entre um processo e outro. Esse processo de posicionar uma
mscara sobre a lmina chamado de alinhamento.
Todos os alinhamentos devem seguir o mximo de preciso possvel, caso
contrrio trar problemas no dispositivo que ser produzido. Como o alinhamento
feito por uma mquina, algumas medidas devem ser tomadas para que o
alinhamento no interfira na produo dos circuitos integrados.
Normalmente quando feito o alinhamento segue-se um gabarito, que uma
copia dos padres desenvolvidos sobre a mscara, assim mostrando as formas que
devero ser projetadas sobre as lminas. Para auxiliar o alinhamento, estruturas
especficas tambm so impressas. Essas estruturas so chamadas de estruturas
de alinhamento, normalmente posicionadas nas extremidades das mscaras. As
estruturas de alinhamento auxiliam o operador do equipamento fotoalinhador no
momento de alinhar as lminas sob as mscaras.
Na Figura 12, temos um exemplo de como deve ser feito um alinhamento
entre substrato e mscara.

29

Figura 12 - Alinhamento entre mscara e substrato[15]

2.10 Expositora / Alinhadora


O alinhamento e a exposio so feitos por equipamentos especficos para
cada tipo de radiao utilizada. O nome genrico desse equipamento fotoexpositor
ou fotoalinhador. Nesse trabalho ser mostrado o funcionamento de um
fotoalinhador

que

emite

radiao

ultravioleta.

Outros

equipamentos

com

caractersticas prprias podem emitir radiao de raios-X, feixe de eltrons ou


mesmo feixe de ons[4].
Alm de possurem um sistema nico de emisso de radiao, cada
equipamento alinhador/expositor deve possuir um conjunto ptico especifico.
30

A Figura 13 mostra um esquema de um equipamento.

Figura 13 - Esquema bsico de uma fotoalinhadora[21]

31

3 Etapas de processo no LSI


Esse captulo tem como objetivo apresentar todo o processo de litografia
ptica usado no Laboratrio de Sistemas Integrveis da Escola Politcnica da
Universidade de So Paulo (LSI-EPUSP). Por ser um processo usado em ambiente
laboratorial, quando comparado ao processo industrial poder resultar na falta de
etapas. Outro motivo pela descrio mais especifica do processo ptico porque o
equipamento de estudo uma fotoalinhadora de radiao UV.
O processo ser descrito a partir do momento em que a lmina termina de
receber o processo de limpeza e segue para o seu primeiro processo litogrfico.
Todas as etapas descritas nesse capitulo podero ser executadas mais de uma vez
durante a fabricao dos circuitos, sofrendo algumas modificaes. A Figura 14
mostra um diagrama com a seqncia de um processo litogrfico.

Figura 14 - Etapas do processo litogrfico[9]

3.1 Limpeza do substrato


A limpeza das lminas de silcio fundamental num processo de
microfabricao. Esta limpeza feita para remover quaisquer resduos de gordura
ou impurezas presentes na superfcie da lmina. Para garantir uma limpeza eficaz,
segue-se um processo padro[22].
Como o processo de limpeza um processo que utiliza solues lquidas para
remover cada tipo de contaminante, possvel a permanncia sobre as lminas de
certa quantidade de gua ou outra soluo.
32

3.2 Deposio do Fotorresiste


3.2.1 Utilizao de lcool
sabido que o lcool tem funo de desidratar as regies onde ele
aplicado, assim o objetivo dessa etapa de retirar o mximo de resduos lquidos
que possam ter ficado sobre a lmina depois do processo de limpeza. Isso feito
depositando lcool, que no laboratrio utilizado o Iso 2-Propanol com grau VLSI.
Utilizando um equipamento chamado spinner, que um dispositivo que
possui controle de velocidade e de tempo de rotao, importantes para a etapa de
deposio dos filmes como o promotor de aderncia e do polmero fotossensvel,
que sero descritos mais a frente. Outro fator a ser considerado a acelerao do
sistema, j que durante essa acelerao ocorre a maior parte do espalhamento do
filme depositado. Com a rotao, o lcool depositado sobre a lmina ser espalhado
por toda a superfcie e rapidamente evaporado. A Figura 15 mostra um esquema do
spinner.

Figura 15 Esquemtico de um spinner [3]

33

3.2.2 Deposio do promotor de aderncia


Antes de aplicar o resiste, materiais que melhoram a interface entre o silcio e
resiste so utilizados para promover a melhor aderncia do filme fotossensvel. Eles
so usados principalmente se h umidade na superfcie. Em geral os resistes
negativos so mais aderentes superfcie da lmina de silcio que os resistes
positivos[16].
No

LSI-EPUSP,

material

promotor

de

aderncia

utilizado

hexametildissilazana(HMDS).
Aps a deposio do HMDS sobre a lmina de silcio, ela ser rotacionada
para promover um filme bem homogneo sobre toda a superfcie e induzir a
permanncia de uma camada bem fina sobre essa superfcie.

3.2.3 Colocao do fotorresiste


O resiste deve ser depositado, uma vez que toda a preparao foi executada
para que haja a melhora a adeso entre silcio e o polmero.
Uma quantidade de resiste colocada sobre a lmina que novamente
rotacionada, para executar o espalhamento do filme sobre a lmina. A velocidade,
acelerao do sistema e viscosidade do resiste, so parmetros que ao serem
modificados, influram nesse processo, assim proporcionando filmes finos ou
espessos.

3.3 Pr-cura
Esta etapa tem como objetivo remover o mximo de solvente contido na
soluo do resiste e preparar esse mesmo filme para a etapa de alinhamento e
exposio.
A retirada de solvente visa tambm o endurecimento do filme resistivo e
melhorar as ligaes de interface silcio resiste, esse processo feito colocando as
lminas sobre uma chapa quente por um tempo determinado. O tempo de
permanncia do substrato sobre a chapa indicado pelo fabricante do resiste.
34

3.4 Exposio
Terminado o processo de deposio do filme fotossensvel, a lmina deve ser
colocada no equipamento fotoalinhador. Uma mscara ser colocada sobre a lmina
e assim receber a radiao, que nesse caso a radiao ultravioleta.

3.5 Revelao
Para o filme de resiste ser revelado, as lminas devem ser imersas na
soluo definida pelo tipo de resiste por um determinado tempo. O tempo de
revelao varia quanto ao tempo de exposio, tipo de resistes e soluo de
revelador utilizada.
No caso desse trabalho, a soluo utilizada como revelador uma soluo de
hidrxido de potssio, KOH, diluda em gua com concentrao de 17 g/l.

3.6 Cura
Tem o propsito de remover solvente residual, melhorar a aderncia e
aumentar a resistncia do resiste ao processo de corroso.
Nessa etapa, a lmina deve ser colocada novamente sobre a chapa quente,
respeitando as condies de tempo e de temperatura recomendadas pelo fabricante
do fotorresiste.

3.7 Corroso
Essa etapa tem como objetivo efetuar a remoo do filme que no foi
protegido pelo fotorresiste.

3.8 Retirada do resiste


Para finalizar a etapa litogrfica, o restante do fotorresiste deve ser removido.

35

4 Equipamento fotoalinhador AL4-2

Figura 16 Equipamento fotoalinhador

4.1 Descrio
A fotoalinhadora AL4-2 da empresa Electronic Visions Co. um equipamento
que executa a etapa de alinhamento e exposio das lminas de silcio aps
receberem um filme de material fotossensvel. Este equipamento semi-automtico,
pois a etapa de colocao de lmina sobre o chuck e o alinhamento dessa lmina
com a mscara so feitos manualmente. A Figura 17 mostra cada parte do
equipamento.

36

Figura 17 Identificao das partes

1- Chave MAIN SWITCH

8- Lentes objetivas

2- Boto POWER ON

9- CHUCK

3- Botes V MASK, V CHUCK,

10- MASK HOLDER

SEPARATION, RESET
4- Ajuste da presso do HARD
CONTACT
5- DISPLAY do equipamento

11- Controle de iluminao das lentes


12- Monitor do equipamento
13- Controlador do CHUCK
14- Ajuste da presso do Nitrognio

6- Teclado da AL4-2
7- Controle das lentes objetivas

Esse sistema utilizado no processo de litografia ptica dentro do LSIEPUSP, e emite radiao ultravioleta, com = 340 nm, produzida atravs de uma
lmpada do tipo incandescente com atmosfera de vapor de mercrio em alta
presso[23] para sensibilizar o fotorresiste depositado sobre a lmina previamente.
Atualmente utiliza-se a lmpada HBO 350W da empresa OSRAM[23].
O sistema foi adquirido entre os anos de 1997 e 1998 com o objetivo de
melhorar o processo litogrfico dentro do LSI, uma vez que o este laboratrio possui

37

outro equipamento que executa essa etapa manualmente e com algumas


caractersticas diferentes.
A alinhadora AL 4-2 muito utilizada em pesquisas com alunos de psgraduao da Universidade de So Paulo (USP) e de outras instituies de ensino
superior. A Faculdade de Tecnologia de So Paulo (FATEC-SP) tambm utiliza esse
equipamento no curso de Materiais, Processos e Componentes Eletrnicos (MPCE).
Durante o curso, os alunos da graduao devem simular todas as etapas de
produo de micro-componentes.

4.2 Infra-estrutura
O

equipamento

necessita

de

condies

especficas

para

seu

funcionamento. Caso uma dessas condies no esteja ajustada adequadamente,


implicar no funcionamento inadequado do sistema.
A Tabela 2 expe os valores efetivos das condies de utilizao do
equipamento.
Tabela 2 - Condies para a utilizao da alinhadora

Tenso e freqncia da rede

220 V/ 50 Hz

Potncia requerida

0,5 1,3 kW (dependendo da lmpada utilizada)

Ar comprimido

5,5 bar (4,1kTorr)

Nitrognio

6 bar (4,5 kTorr)

Vcuo

850 mBar (637.5 Torr)


Como a fotoalinhadora possui um sistema pneumtico de acionamento de

vlvulas, as presses de nitrognio (N2) e ar comprimido so essenciais. A mscara,


lmina e o chuck so fixos atravs do sistema de vcuo.
A linha de ar comprimido composta por um sistema formado por dois
compressores que mantm a presso da linha constante em 10 bar (7,5 kTorr).
Existem 7 filtros responsveis pela eliminao de impurezas e umidade provenientes
do sistema de compresso do ar.

38

A presso de nitrognio gerada a partir de um conjunto composto por um


tanque de nitrognio lquido e um vaporizador, fornecendo 12 bar (9 kTorr) na sada
para toda a linha.
O vcuo utilizado no equipamento produzido atravs de uma bomba
mecnica modelo E2M 1.5 da empresa Edwards[24].

4.3 Funcionamento resumido


Para se utilizar o equipamento fotoalinhador AL 4-2 deve-se seguir uma rotina
pr-definida. Nesse tpico ser descrita essa rotina de forma resumida.
Inicialmente as vlvulas correspondentes ao ar comprimido, nitrognio e
vcuo so abertas, verificando os respectivos valores de presso nos manmetros
localizados prximos a cada vlvula. Para o sistema de vcuo, alm da abertura da
vlvula localizada entre a bomba e o equipamento, deve-se conferir se a bomba se
encontra ligada.
Aps esta etapa, a chave principal (Main Switch) localizada no painel de
controle acionada. Essa chave permite a passagem de sinais eltricos e os fluxos
dos gases por todo o equipamento.
A lmpada utilizada no sistema possui uma fonte especfica para controlar
sua potncia e intensidade. Essa fonte faz a ignio da lmpada e tambm controla
o seu sistema de resfriamento. O tempo de estabilizao de corrente que passa pela
lmpada de aproximadamente 20 minutos antes de ser utilizada.
Ao pressionar a tecla POWER ON, o equipamento efetivamente ligado e
iniciar o processo de alinhamento, com a movimentao da base que sustenta a
mscara (mask holder).
Terminada a inicializao, a mscara ser posicionada e fixa sobre o mask
holder o substrato colocado e tambm fixo sobre uma base (chuck). O tempo de
exposio e o tamanho do substrato podero ser configurados pelo usurio.
Antes de se iniciar o alinhamento, o equipamento faz a aproximao da
mscara em direo lmina, com o objetivo posicion-la de tal forma que no
esteja inclinada em relao mscara. Esse procedimento ocorre ao pressionar a
tecla W-Error no painel.
39

Com o conjunto mscara e lmina devidamente posicionados, o alinhamento


feito atravs de pequenos movimentos no chuck e observados por um
microscpio.
Feito o alinhamento, deve-se escolher o tipo de exposio, que nesse sistema
pode ser por contato ou por proximidade, sendo a ltima etapa antes da exposio.
Durante esse processo, uma parte do equipamento, denominada castelo, se
direciona automaticamente at a posio onde se encontra a mscara e substrato.
recomendada a utilizao de culos protetores, j que a radiao UV prejudica a
viso.
Ao terminar a exposio, o castelo retorna a posio inicial, o mask holder se
distancia da lmina, assim poder ser retirada e revelada, dando seqncia no
processo de litografia.
Quando o equipamento for desligado, deve-se observar o tempo mnimo de
resfriamento da lmpada (20min).

4.4 Anlise dos problemas


A fotoalinhadora, como descrita no item 4.1 esteve operacional por vrios
anos, sendo utilizada em diversos cursos ministrados no LSI. No incio da
manuteno, a falta de documentos, esquemas eltricos, pneumticos e manuais de
utilizao detalhados dificultaram a compreenso do sistema.
O primeiro problema detectado foi no conjunto de vlvulas solenides do
equipamento. Durante a inicializao, uma destas vlvulas era acionada
indevidamente e impedia a operao do equipamento.
O aparelho tambm apresentava um funcionamento inadequado no
deslocamento do mask holder, que uma base metlica onde as mscaras
utilizadas so fixadas a vcuo. Esta base se movimenta perpendicularmente atravs
da atuao de um motor. A Figura 18 mostra a foto do mask holder no equipamento.

40

Figura 18 - Mask Holder

Outro problema observado estava relacionado fonte que alimenta a


lmpada de mercrio, que emitia um alarme incomum ao sistema. No mesmo
sistema foi constatado um funcionamento inconstante da lmpada.

4.4.1 Metodologia
A falta de documentao relativa aos procedimentos de testes e manuteno
conduziu elaborao de uma metodologia especfica para identificao e correo
dos problemas existentes no equipamento.
Uma pesquisa com todos os antigos usurios forneceu informaes
importantes como tempo de exposio, freqncia de utilizao e ajustes dos
diversos parmetros de configurao. De acordo com esses dados, foi iniciado um
estudo com o objetivo de alcanar os problemas propostos.
Esta anlise proporcionou o desenvolvimento de um esquema estrutural do
sistema, incluindo esquemas pneumticos, eletrnicos e de infra-estrutura.
Estes esquemas, somados com um roteiro bsico de funcionamento do
equipamento, permitiram a identificao e troca de componentes defeituosos de
forma preventiva. Seguindo esta metodologia, diversos componentes pneumticos e
eletrnicos foram substitudos. Estes esto detalhados no item 4.5 deste trabalho.

41

A cada etapa resolvida, testes eram realizados mensurando-se efeito das


mudanas realizadas no funcionamento geral do equipamento.
Eliminado

todos

os

problemas

identificados,

diversos

processos

de

alinhamento e exposio foram realizados e estudados, possibilitando a liberao do


equipamento para uso geral no LSI e para as aulas do Curso de MPCE. Estes
resultados esto expostos no item 5 deste trabalho. Um manual de utilizao foi
desenvolvido e est em anexo nesse trabalho.

4.5 Manuteno
Segundo a metodologia descrita no item 4.4.1 foi realizado um mapeamento
do sistema eletrnico composto por uma placa principal, tratada neste trabalho como
placa me, e sete placas secundrias.
Foram identificados na placa me todos os conectores de entrada e sada de
informaes, tais como sinais de vdeo, sensores, atuadores, entre outros.
Cada placa secundria foi caracterizada, buscando-se identificar seu
funcionamento bsico, funo e disposio fsica, bem como suas conexes.
Foi realizado um estudo detalhado da placa 42DC1, que a placa cuja funo
controlar o motor que movimenta o mask holder descrito no item 4.4. Aps a
identificao dos principais circuitos integrados (CIs) dessa placa, foram
pesquisados seus respectivos data-sheets, proporcionando uma compreenso
detalhada do circuito.
Foi gerado um diagrama eltrico com cerca de 60 a 70% das ligaes dessa
placa. Durante a anlise, foram identificados e trocados os transistores de potncia
BD437 e BD438 que estavam queimados. Um possvel causa dessa queima foi a
sobre carga do sistema, mas como esse problema no foi identificado quando
ocorreu, fica difcil analisar a causa real dessa queima.
Um procedimento especificando a seqncia lgica e durao de cada etapa
do equipamento foi desenvolvida a partir das entrevistas com antigos usurios do
equipamento. Durante o preparo deste material, foi observado um vazamento de
gua no regulador de ar comprimido localizado no painel frontal da alinhadora. Este

42

vazamento foi proveniente do acmulo de gua na tubulao do sistema


pneumtico.
Aps a drenagem da gua, foram adicionados filtros especficos na linha de ar
comprimido, abrangendo desde a sada dos compressores at as vlvulas de
entrada do equipamento. Este sistema previne o acmulo de gua e impurezas nas
paredes na tubulao, o que pode causar o entupimento da linha de ar, prejudicando
o fluxo necessrio para o funcionamento adequado da fotoalinhadora.
Aps a limpeza e mapeamento detalhado da linha de ar comprimido, os
sensores e vlvulas pneumticas que controlam a movimentao do mask holder
foram ajustados.
Dentro do equipamento, as tubulaes de ar comprimido, nitrognio e vcuo
so centralizadas em um bloco de distribuio composto de vlvulas solenides,
reguladores de presso, atuadores e sensores presso e posicionamento.
Cada vlvula deste bloco tem uma funo especfica no equipamento, e est
identificada com a sigla MV. A Figura 19 mostra, esquematicamente, o
posicionamento das vlvulas.

Figura 19 - Esquema das vlvulas solenides

A vlvula MV9, responsvel pela movimentao do conjunto de lentes,


espelhos

lmpada

de

mercrio

(denominado

de

castelo)

apresentava
43

comportamento alterado e impedia a inicializao do equipamento. Seqencialmente


a este atuador, foram identificadas duas vlvulas de ajuste de presso, bem como
dois sensores de posio responsveis por delimitar os extremos da movimentao
horizontal do castelo. Aps o ajuste das vlvulas Lh align (solenide Mv9), Lh exp
(solenide Mv10) e dos sensores de posio, a movimentao inicial do castelo foi
normalizada.
Seguindo a metodologia descrita no item 4.4.1, foi realizado um detalhamento
do sistema pneumtico do equipamento. Aps a inicializao e com a correta
movimentao do mask holder, a mscara e a lmina so fixas a vcuo mediante
acionamento da teclas V-mask e V-chuck, respectivamente, no painel de controle.
A movimentao do mask holder foi ajustada atravs das vlvulas agulhas
(Mask e Mask). Esse conjunto de vlvulas controlado pelo solenide MV11.
Aps a fixao do substrato, a base do chuck (chuck stage) deslocada at a
posio inicial, que sob a mscara e pressionada ativando um sensor pneumtico
e permitindo a continuidade do processo.
O sensor de vcuo posicionado abaixo da base do chuck da empresa
FESTO[25], modelo EV15/64. Se a presso for insuficiente para ativ-lo, a
mensagem no pressure indicada no display e o equipamento precisa ser reiniciado
atravs da tecla reset do painel de controle. O ajuste do switch de posio foi feito
atravs de seus terminais (sysin-4) localizados na placa me, baseando-se nos
diagramas esquemticos desenvolvidos durante este trabalho.
Todos os procedimentos realizados envolveram o acmulo de gua no
sistema pneumtico do equipamento, o que causou alterao no ajuste das vlvulas,
modificando parmetros importantes para o funcionamento bsico da alinhadora.
Estes procedimentos no alteraram a ignio da lmpada mercrio, necessria na
etapa de exposio.
Durante o deslocamento da mscara em direo a lmina, foi identificada
uma mensagem SOFT CONTACT ERROR no display do equipamento, impedindo o
processo de proximidade.
Quando um usurio muda o tempo de exposio, automaticamente o valor do
dimetro da lmina retorna a zero e T=0 aparecer no display. A configurao do
dimetro da lmina corrige esse erro. O anexo B detalha esse procedimento.
A presso que o equipamento exerce quando a mscara levada em direo
ao substrato, controlada pela vlvula HARD CONTACT localizada no painel. O
44

valor nominal dessa presso de 930 mbar (697 Torr), mas alguns processos
podero necessitar de valores diferentes.
O ajuste adequado desse valor evita que a mscara no se solte do mask
holder com uma presso baixa, ou danifique o filme fotossensvel com uma presso
alta, que tambm poder danificar a prpria mscara.
A etapa de exposio compreende a incidncia de radiao UV produzida por
uma lmpada do tipo incandescente com atmosfera de vapor de mercrio em alta
presso[23]. Esta alimentada por uma fonte que possui controles de intensidade
de iluminao e potncia aplicada. A Figura 20 mostra uma foto da fonte da
lmpada.

Figura 20 - Fonte

Como mencionado no item 4.4 deste trabalho, a fonte emitia um alarme


sonoro inicialmente relacionado ao sistema de refrigerao da lmpada. Entretanto,
observou-se que a real causa deste problema era o ajuste de intensidade luminosa
que estava acima do limite proposto pelo fabricante. Isto foi identificado aps a troca
da lmpada, uma vez que a lmpada que era usada estava com os contatos
oxidados e no possua controle das horas de uso no equipamento.

45

As possveis causas da oxidao desses contatos foram o mal encaixe da


lmpada em seu soquete e/ou a umidade da sala limpa. O tempo de vida de uma
lmpada dessas ser melhor descrito mais adiante.
A uniformidade da radiao incidida sobre a lmina um parmetro
necessrio para a exposio e deve ser calibrado a cada substituio de lmpada.
Utilizando um UV-meter (medidor de radiao UV), foram identificados pontos com
valores de radiao diferentes. As medidas foram feitas utilizando pontos prdeterminados no prprio equipamento, como indicado na Figura 21.

Figura 21 - Regio de testes de intensidade

Baseando-se em uma lmina de silcio de 3 polegadas, os pontos 2,4,5,6 e 8


formam a regio onde o substrato receber a radiao. O posicionamento correto da
lmpada feito por controles no castelo, obtendo o valor nominal mdio de
incidncia de radiao de 25mW/cm. Com esse valor estabelecido, o valor de
potncia aplicada na lmpada deve estar em 250 W.

46

O tempo de vida til da lmpada de aproximadamente 700 horas, no


entanto, tem uma reduo de 7 horas a cada ignio (segundo contato com o
fabricante). Observou-se que aps um determinado tempo de utilizao do
equipamento, ocorria o desligamento indevido da mesma.
Analisando-se o castelo, foi identificado um sistema de refrigerao da
lmpada composto por: um sensor de temperatura, tubulao de nitrognio
direcionada e uma linha de exausto.
O sensor de temperatura corta a alimentao da lmpada quando um valor
especfico atingido, evitando a possvel exploso devido ao superaquecimento do
sistema, alm de prevenir o acionamento da lmpada quando o castelo est aberto.
Identificou-se que a presso de nitrognio responsvel pela refrigerao
estava sofrendo interferncias de outros equipamentos dentro do laboratrio,
atingindo nveis menores que o valor mnimo exigido pelo sistema (5,5 bar). Como a
linha de nitrognio comum para toda a sala limpa, a queda de presso foi
percebida mediante a utilizao de mais de um equipamento simultaneamente.
Uma linha dedicada de nitrognio foi implementada a partir do vaporizador de
nitrognio lquido, eliminando as interferncias mencionadas.
Paralelamente, a linha de ar comprimido foi alterada com a substituio de
filtros e a elaborao de um novo painel de controle, facilitando a visualizao dos
valores de presso e drenagem do sistema.

47

5 Testes da fotoalinhadora
Nesse tpico sero mostrados alguns resultados conseguidos com a
utilizao do equipamento aps a manuteno.
As lminas utilizadas possuem as seguintes caractersticas:

Resistividade:

1-10 /cm

Dimetro:

3 (7,62 cm)

Orientao:

<100>

Tipo de Dopante:

P/Boro

Espessura:

13-17 Mils (330-431 m)

O fotorresiste utilizado foi o TSMR-V90 e possui as seguintes especificaes


do fabricante:

Resoluo de 0,5 m
Pr cura: 90 C / 90 s
Cura: 110 C / 90 s
Com o incio dos testes, os parmetros recomendados pelo fabricante do
resiste tiveram que ser modificados devido aos valores de resoluo obtidos
superavam os 5 m, com isso resultando num processo incorreto.
O equipamento fotoalinhador tem a capacidade de gerar padres na ordem
de 2m.
Inicialmente, foi proposto obter a espessura de degrau obtido pelo processo
litogrfico, para isso utilizou-se duas lminas. Com isso foram medidos valores de
degrau aps a revelao das regies no sensibilizadas e novas medidas foram
executadas aps a cura. Nesse teste foram utilizadas duas lminas.
Os parmetros desse processo so os seguintes:

Promotor de aderncia hexametildissilazana (HMDS), 1 a 2 mL

Resiste TSMR-V90, 2 mL
48

Pr cura:

Temperatura: 105 C
Tempo: 90 segundos

Rotao:

Exposio: 10 segundos

Soluo reveladora de KOH (C = 17 g/l) 1:1 de gua, 500ml

Tempos de revelao

3500 RPM

Lmina 1:

20seg

Lmina 2:

15seg

O esquema de medida foi feito como demonstrado na Figura 22. Aps as


medies, as Tabela 3 e Tabela 4 mostram os valores mdios dos degraus aps a
revelao e aps a cura.

Figura 22 - Pontos de medio

Tabela 3 - Medida de degrau mdio aps revelao

Altura mdia (m)

Lmina 1

Lmina 2

1,27

1,28

Lmina 1

Lmina 2

1,21

1,22

Tabela 4 - Medida de degrau mdio aps cura

Altura mdia (m)

Aps as medidas notou-se a diminuio mdia dos valores de degraus entre


as etapas de 0,06 m.
A diminuio dos valores mdios de degrau entre as etapas ocorreu devido a
evaporao do solvente contido na soluo de resiste.
Os parmetros utilizados no processo litogrfico a seguir, com 2 lminas
de silcio, foram:
49

Promotor de aderncia hexametildissilazana (HMDS), 1 a 2 mL

Resiste TSMR-V90, 2 mL

Pr cura:

Temperatura: 105 C
Tempo: 90 segundos

Rotao:

Exposio: 3, 6, 9 e 12 segundos

Revelao: soluo de KOH (C = 17 g/l)

3500 RPM

Iniciando o processo de exposio, o primeiro teste visou gerar um gradiente


de exposio sobre o resiste e com isso avaliar o tempo de revelao. O esquema
da Figura 23 ilustra a ordem de exposio de duas lminas utilizadas nesse teste.
Todos os valores medidos e colocados em tabelas foram medidos em micrometros
(m).

Figura 23 - Gradiente de exposies

O teste de exposio teve como objetivo analisar a homogeneidade de


exposio que a lmpada e seu sistema ptico incidem sobre as lminas. Os tempos
de exposio foram de trs segundos, onde a regio 1 recebeu quatro doses de
radiao, totalizando 12 segundos de exposio e a regio 4 recebeu somente uma
dose, recebendo 3 segundos de radiao. Nesse teste foram utilizadas 6 lminas de
silcio sendo duas delas com filme de alumnio.
Para analisar os degraus gerados durante a revelao, foi usado um
equipamento que move uma agulha sobre a superfcie da lmina, e com esse
sistema mvel possvel observar as diferenas de altura ao percorrer uma
distncia definida. O equipamento que gera esse perfil da superfcie da lmina
conhecido como perfilmetro.
50

As lminas utilizadas durante o primeiro teste foram denominadas lmina 1 e


2. Na Tabela 5 so mostrado os valores das alturas mdias obtidas no intervalo de 2
mm de varredura na regio onde os degraus foram formados.
Tabela 5 - Primeiro teste de exposio.

Regio

Lmina 1 (m)

Lmina 2 (m)

0,14

0,12

0,52

0,62

0,66

0,60

1,30

1,25

A lmina 1 foi revelada em 16 segundos, e a lmina 2 foi revelada em 14


segundos, conseguindo manter as 4 regies de exposio.
Como a diviso das regies para exposio foi feita utilizando pedaos de
lminas, isso afetou a boa definio e assim no proporcionando exposio
uniforme. Isso mostrado pela variao nos valores de degraus medidos.
O segundo teste teve como objetivo analisar diferentes tempos de exposio
com o mesmo esquema do primeiro teste, porm o tempo de revelao foi fixado em
20 segundos. Para isso duas lminas foram utilizadas e denominadas como lmina 3
e 4.
Tabela 6 - Segundo teste de exposio

Regio

Lmina 3 (m)

Lmina 4 (m)

0,24

0,26

0,79

0,83

1,20

1,16

No houve a possibilidade de medio de degraus na regio 1 devido ao


tempo de exposio ter alto. Aps a revelao das lminas, notaram-se valores mais
uniformes na lmina 3 em relao a lmina 4. A diferena ocorreu devido soluo
de revelador estar mais usada durante o ltimo processo de revelao.
A regio 1 no foi analisada devido ao tempo de revelao ter sido mal
controlado e com isso proporcionou a revelao dessa regio.
51

Para finalizar os testes com lminas inteiras, foi proposto analisar o processo
litogrfico sobre filme de alumnio. As lminas utilizadas foram denominadas 5 e 6.

Tabela 7 - Terceiro teste de exposio

Regio

Lmina 5 () (m)

Lmina 6 () (m)

0,09

0,05

0,40

0,33

0,89

0,68

1,07

1,05

O filme de alumnio depositado tem aproximadamente 0,2m.


Os valores obtidos com as lminas de silcio com filme de alumnio diferem
um pouco dos valores obtidos com as outras lminas devido ao espalhamento do
resiste sobre o alumnio ser maior do que sobre o silcio, assim gerando filmes mais
finos.
Aps observamos a uniformidade de exposio com os testes citados acima,
foi proposto caracterizar o fotorresiste TSMR-V90, por esse tipo de resiste utilizar
outros parmetros de pr cura e cura.
Para se iniciar a caracterizao do fotorresiste duas lminas receberam o
processo litogrfico at a etapa de revelao. Os parmetros utilizados foram:

Promotor de aderncia hexametildissilazana (HMDS), 1 mL a 2 mL

Resiste TSMR-V90, 2 mL

Pr cura:

Temperatura: 105 C
Tempo: 90 segundos

Rotao:

Exposio: 3, 6, 9 e 12 segundos

Revelao: soluo de KOH (C = 17 g/l)

3500 RPM

Antes do processo de revelao, cada lmina foi dividida em 4 partes. Cada


parte da lmina permaneceu um tempo especfico na soluo de revelador, que
variou de 8 a 12 segundos. O valor mdio de cada degrau ser demonstrado nas
Tabela 8 e Tabela 9 Tabela 9 - Perfis de litografia.
52

Quando solues de revelador usadas so utilizadas, as quantidades de


resistes contidas nessas solues dificultam os processos de revelao. O volume
de soluo tambm influencia, pois as solues com menor de volume tm a
tendncia de saturar mais rapidamente que as solues com volume maior.
As quantidades diferentes de revelador foram utilizadas para evitar o
desperdcio dessas solues, mas o que no deve ser feito, pois como descrito
geram erros no processo.
Tabela 8 - Perfis de litografia

Grupo 1
Tempo (s)

10

12

14

Mdia (m)

1,27

1,30

1,31

1,22

Tabela 9 - Perfis de litografia

Grupo 2
Tempo (s)

10

12

14

Mdia (m)

0,63

0,72

0,54

0,90

Primeiramente notam-se valores diferentes entre o grupo 1 e 2. Essa


diferena de valores explicada pela diferena da quantidade de soluo de
revelador, onde a revelao do grupo 1 foi feita com a soluo utilizada nos testes
de uniformidade, portanto uma soluo muito utilizada. O grupo 2 teve a soluo de
revelador nova, porm numa quantidade menor.

53

A Figura 24 mostra o resultado de revelao aps 8 segundos de exposio.

Figura 24 - Tempo de revelao: 20 s

54

A Figura 25 mostra o resultado de revelao aps 10 segundos de exposio.

Figura 25 - Tempo de revelao: 13 s

55

A Figura 26 mostra o resultado de revelao aps 12 segundos de exposio.

Figura 26 - Tempo de revelao: 16 s

56

Aps a revelao cada pedao de lmina recebeu o processo de corroso


seca do silcio e posteriormente do resiste. Os parmetros do processo foram:

Plasma de SF6 para corroso do

Plasma de O2 para corroso do

silcio

fotorresiste

V (25sccm)

V (50sccm)

P (100mTorr)

P (100mTorr)

Potncia (25W)

Potncia (50W)

Tempo (2min)

Tempo (2min)

Os degraus medidos aps a corroso do silcio esto nas Tabela 10 e Tabela


11 sem a remoo do resiste.
Tabela 10 - Degraus aps corroso do silcio

Grupo 1
Tempo (s)

10

12

14

Mdia (m)

1,74

1,77

1,79

1,62

Tabela 11 - Degraus aps corroso do silcio

Grupo 2
Tempo (s)

10

12

14

Mdia (m)

1,17

1,11

0,89

1,23

As Tabela 12 e Tabela 13 mostram os valores de degraus aps o fotorresiste


ser corrodo pelo processo de corroso seca.
Tabela 12 - Degraus aps corroso do fotorresiste

Grupo 1
Tempo(s)

10

12

14

Mdia (m)

1,07

1,14

1,09

1,00

Tabela 13 - Degraus aps corroso do fotorresiste

Grupo 2
Tempo (s)

10

12

14

Mdia (m)

0,42

0,41

0,36

0,68
57

Terminado o processo de corroso, para finalizar o processo de analise e


caracterizao de exposio, foi proposto o clculo da seletividade do processo. Os
valores obtidos so determinados pela formula (3). As Tabela 14 e Tabela 15
mostram os valores de seletividade calculados para cada tempo de exposio:

Onde:

H 1( H 2 H 3 )
(3)
t

H1 a medida do degrau sem corroso


H2 a medida do degrau aps a corroso do substrato
H3 a medida do degrau aps a corroso do fotorresiste
t o tempo do processo de corroso.

Tabela 14 - Seletividade em relao ao tempo de exposio

Grupo 1
Tempo de exposio (s)

10

12

14

Seletividade (m/min)

0,94

1,00

0,96

0,90

Tabela 15 - Seletividade em relao ao tempo de exposio

Grupo 2
Tempo de exposio(s)

10

12

14

Seletividade (m/min)

0,25

0,37

0,28

0,62

Como ltimo teste, foi decidido utilizar um processo de litografia cedido pelo
aluno de doutorado Marciel Guerino, do Instituto Tecnolgico da Aeronutica (ITA)
de exposio est funcionando de acordo com as expectativas feitas antes de se
iniciar o processo de manuteno. Os parmetros desse processo foram:
Etapas da fotolitografia de silcio policristalino, estando o mesmo depositado
sobre xido de silcio, o qual foi crescido a partir de uma lmina de silcio.
a) secagem com lcool Isoproplico por 20 s a 3500 rpm;
b) aplicao de promotor de aderncia hexametildissilazana (HMDS) por 20 s a
3500 rpm;
c) aplicao de 1,5 mL de fotorresiste por 20 s a 3500 rpm;
d) cura de 90 s na temperatura de 105 C;
e) exposio luz ultravioleta por 12 s;
58

f) revelao do fotorresiste por cerca de 50 s na soluo de 1 parte de gua + 1


parte de KOH;
g) cura de 5 minutos a 130 C;
Etapas posteriores:

Corroso do silcio poli por plasma.Parmetros:

- 25 sccm de SF6
- Presso de 100 mTorr
- Potncia de 50 W
- Tempo de corroso = 7 minutos

Retirada do fotorresiste utilizando plasma de O2 por um tempo de 4 minutos.


Aps as etapas de corroso, algumas fotos foram feitas e com isso pode-se

observar a qualidade do processo que teve o valor mnimo de largura de linha 50m.
Abaixo so mostrados os resultados aps a corroso.

Figura 27 - Resultado de corroso de silcio policristalino

59

O processo acima foi utilizado como demonstrao do funcionamento do


equipamento pela qualidade da transferncia das geometrias observadas na Figura
27. Nela podemos observar primeiramente a resoluo do processo que foi de 50m
(a unidade est errada na figura graas a um erro contido na mscara), outro ponto
a ser observado o contorno das linhas serem contnuos e bem definidos, tanto nas
estruturas quanto na legenda de cada estrutura, assim como as formas transferidas.
Na figura, tambm pode ser observado o contraste entre as linhas que
permaneceram aps os processos de corroso e o substrato.

60

6 Concluso
Como o objetivo principal desse trabalho foi executar a manuteno do
equipamento fotoalinhador que se encontrava danificado, pode-se afirmar que esse
objetivo foi atingido com sucesso, devido aos testes executados posteriormente a
essa manuteno mostrarem resultados satisfatrios.
No incio do trabalho, houve alguns problemas quanto documentao do
equipamento, pois essa no existia assim, em paralelo a manuteno do sistema,
alguns esquemas foram feitos, com o intuito de se montar uma documentao para
futuras manutenes, se necessrio.
Para analisar o funcionamento do equipamento, o fotorresiste TSMR-V90 foi
utilizado e caracterizado, assim produzindo padres da ordem de 2 m. Os tempos
de exposio e de revelao foram de 10 e 13 segundos respectivamente.
A medida de 2 m foi alcanada tambm alterando as temperaturas e os
tempos de pr cura e cura, uma vez que os valores recomendados pelo fabricante
do fotorresiste no produziram resultados satisfatrios, valores de resoluo acima
de 5 m. As temperaturas recomendadas pelo fabricante so de 90C com tempo de
90 segundos para a pr-cura, e de 110 C com tempo de 90 segundos para a cura.
Os tempos e temperaturas que melhor se adequaram ao processo foram: pr-cura
90 segundos a 105 C e cura 300 segundos a 130C
Durante a manuteno, um manual de utilizao do equipamento foi
desenvolvido, para que futuros usurios possam usar o sistema, assim evitando
qualquer problema decorrente da utilizao inadequada.

61

7 Referncias
[1] http://www.babylon.com/definition/Lithography/Portuguese
Retirado 24/06/2007
[2] http://www.glatt.com.br/tec_lito.asp
Retirado em 21/06/2007
[3]http://www.ece.nus.sg/stfpage/eleaao/EE6504/2007_EE6504_Nanofabrication_1_
double.pdf
Retirado em 10/07/2007
[4] Madou, Marc J., Fundamentals of Microfabrication, The Science of
Miniaturization, second edition
[5]http://liqcryst.chemie.uni-hamburg.de/lcionline/training/train_01/topics/2DSPT3.htm
Retirado em 10/07/2007
[6]http://www.smalltimes.com/Articles/Article_Display.cfm?Section=ARTCL&PUBLIC
ATION_ID=109&ARTICLE_ID=260007&C=Feats
Retirado em 15/08/2007
[7] http://www.labelectron.org.br/artigos/eventech_012.pdf
Retirado em 15/11/2007
[8] http://www_raith/nanolithography/nano_faqs2.html
Retirado em 14/09/2007
[9] Wolf, Stanley and Tauber, Richard N.
Silicon Processing for The VLSI ERA Vol.1
[10] J.G Chase and B. W. Smith, Overview of Modern Lithography Techniques and a
MENS-Based Approach to High Thoughput Rate Electron Beam Lithography,
62

[11] J. P. Silverman, Challenges and Progress in X-ray Lithography,


[12]http://www2.ece.jhu.edu/faculty/andreou/495/2003/LectureNotes/Photolithograph
yII.pdf
Retirado em 08/12/2007
[13]http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/kirchauer/node30.html
Retirado em 08/12/2007
[14] http://www.njnano.org/pasi/event/talks/cirelli.pdf
Retirado em 21/08/2007
[15] http://www.memsnet.org/mems/processes/lithography.html
Retirado em 05/07/2007
[16] Zant, P. V., Microchip Fabrication, A practical Guide to SEMICONDUCTOR
PROCESSING
[17] R. Iscoff, Photomask and Reticle Materials Review, Semiconductor Internatl
[18] Sorab K., VLSI Fabrivation Principles, Silicon and Gallium Arsenide
[19]http://www.biologico.sp.gov.br/biologico/v65_1_2/galetti.PDF
Retirado em 09/12/07
[20]http://mesonpi.cat.cbpf.br/e2006/graduacao/pdf_g7/Aula3%20-%20CBPF%20%202006%20-%20nanofabricacao.pps
Retirado em 18/08/2007
[21]Harriott, Loyd R., Limits of Lithography,
http://www.lsi.usp.br/~acseabra/pos/5838_files/TheLithoLimits.pdf
Retirado em 06/06/07

63

[22]http://www.ccs.unicamp.br/cursos/fee107/rca.html
Retirado em 20/07/2007
[23] http://www.msscientific.de/mercury_lamps.htm
Retirado em 30/08/2007
[24] http://www.edwardsvacuum.com/brasil/
Retirado em 03/09/2007
[25] http://www.festo.com/StartPage/Default.aspx
Retirado em 10/05/2007

64

Anexos
A. Diagrama da linha de ar comprimido

65

B. Manual detalhado
VISO GERAL DO EQUIPAMENTO

15- Chave MAIN SWITCH

22- Lentes objetivas

16- Boto POWER ON

23- CHUCK

17- Botes V MASK, V CHUCK,

24- MASK HOLDER

SEPARATION, RESET
18- Ajuste da presso do HARD
CONTACT
19- DISPLAY do equipamento

25- Controle de iluminao das lentes


26- Monitor do equipamento
27- Controlador do CHUCK
28- Ajuste da presso do Nitrognio

20- Teclado da AL4-2


21- Controle das lentes objetivas

66

CHECK IN
As etapas a seguir devem ser conferidas antes da utilizao do sistema. Caso haja
algum problema em alguma etapa, entrar em contato com os responsveis pelo
laboratrio.
Ao entrar no laboratrio conferir:
1. Vlvula de vcuo fechada;
2. Bomba de vcuo desligada;
3. Vlvula de nitrognio fechada;
4. Vlvula de ar comprimido fechada;
5. Reservatrio do manmetro de ar comprimido;
6. Chave geral (MAIN SWITCH) do equipamento desligada;
7. Fonte desligada;

INICIALIZAO DA ALINHADORA:
1. Ligar a bomba de vcuo (A);
A bomba est posicionada prxima da janela da sala limpa, ao lado da alinhadora
antiga.
2. Abrir a vlvula de vcuo (B);

67

3. Abrir as vlvulas do ar comprimido e do nitrognio;

Essas vlvulas esto localizadas abaixo da alinhadora, num painel, e os valores de


presso encontram-se indicados, 5,5bar para o ar comprimido e 6bar para o
nitrognio.
Abra apenas as vlvulas, pois os manmetros j esto ajustados nas respectivas
presses.
4. LIGAR CHAVE PRINCIPAL (Main Switch);
Chave amarela que est localizada no canto superior direito do painel de controle da
alinhadora.

68

5. FONTE;

Equipamento que controla a lmpada de mercrio, localizada esquerda da


alinhadora. Liga-se o equipamento na chave POWER e em seguida pressiona-se o
boto START por alguns segundos, para ligar a lmpada.

Displays da Fonte
Nessa fonte existem dois displays, um para mostrar a potncia e intensidade (direita)
da lmpada e outro para mostrar a corrente e a tenso da lmpada (esquerda. Antes
de qualquer exposio, a lmpada deve ter sua corrente e tenso estabilizadas por
10 minutos. Ao se ligar a lmpada, a tenso de trabalho mxima de 60 V e a
corrente mxima de 5,9 A. Quando a tenso e a corrente estiverem estabilizadas,
seus valores devem ser respectivamente de 55 V e entre 3,5 a 4 A.
No display de potncia da lmpada e intensidade, a potncia deve se estabilizar em
250 W e a intensidade em aproximadamente 25 mW/cm.

69

Aps cerca de 10 minutos pode-se fazer exposio. Deixe a lmpada UV o mximo


de tempo possvel ligada. Ligar e desligar vrias vezes ao dia degrada a lmpada
rapidamente.

ALINHAMENTO DA MSCARA COM OBJETIVAS:


1. O castelo ( a torre que compreende o sistema da lmpada) deve estar
totalmente para trs antes de iniciar o equipamento.;
Caso o castelo no esteja na sua posio, aguarde at o castelo se mover ate a
posio inicial.
2. POWER ON;
Pressionar a tecla POWER ON (tecla verde) no painel. Em seguida o equipamento
realiza um procedimento de inicializao.
3. Z MOTOR aparece no display;
4. O mask holder (base metlica, aonde a mscara dever ser colocada)
sobe lentamente (entre 10 a 15s);
5. MASK LOAD aparece no display;
A alinhadora possui dois teclados, o da direita o controle de tempo de exposio,
distncias entre a mscara e o substrato, etc. Deve-se alterar apenas o tempo de
exposio, se necessrio.
6. Mscara colocada;
7. Pressionando V MASK, o vcuo para prender a mscara ligado;
Ao colocar a mscara sobre o maskholder, chegar se a mesma se encontra fixa por
vcuo, aplicando um pequeno toque na mscara.
8. SUBS LOAD aparece no display;

70

Nesse momento, o conjunto chuck stage (conjunto que contm chuck de colocao
de lminas e micrmetros para ajustes de alinhamento da lmina) deve estar
posicionado a frente da mscara e no abaixo.
9. A lmina colocada;
10. Liga-se o vcuo da lmina, pressionando V CHUCK;
Confira se a lmina se encontra presa ao chuck por vcuo, fazendo uma pequena
presso com o auxilio de uma pina. Ao se certificar da fixao da lmina, o conjunto
chuck stage deve ser empurrado at ser situado abaixo da mscara.
11. A base do chuck pressionada;
Ao exercer uma presso na base do chuck stage, note um som de alvio de vlvula.
Se esse som no for notado, pressione novamente at ouvi-lo.
12. WEDGE ERROR aparece no display;
13. W-ERRO pressionado;
Essa etapa faz com que qualquer inclinao entre mscara e lmina seja eliminada.
Caso a mscara se soltar do maskholder, pressione RESET (tecla vermelha), mude
a presso no manmetro Contact Force. A presso mnima de 0,95bar, mas se
necessrio aumente ou diminua essa presso. Repita esse processo at a mscara
no se soltar na etapa WEDGE ERROR.

71

CONFIGURANDO O TEMPO DE EXPOSIO

Antes de expor sua lmina a radiao UV, deve-se configurar o tempo dessa
exposio. Os passos so os seguintes:
1. Pressione a tecla MENU (confira se um led amarelo se acende);
2. Selecione <PROC> e pressione ENTER;
3. Selecione <EXPO> e pressione ENTER;
4. Selecione <EXP> e pressione ENTER;
5. A opo <TIME> aparecer no display, pressione ENTER;
6. TIME = .... surge no display, para alterar digite o tempo necessrio e
pressione ENTER;
7. Para sair do menu, pressione MENU novamente (confira se o led amarelo se
apaga);
Obs. 1.: Os tempos selecionados so em segundos, variando de 001 at 999
segundos.
Obs. 2.: Se algum erro for cometido na seqncia descrita acima, pressione MENU 2
vezes, a primeira para sair do modo de configuraes e a segunda para retornar a
esse modo.

72

Obs.: O tempo de exposio e a distncia de separao entre mscara e lmina


podem ser configurados a qualquer momento. O recomendado que essas
configuraes sejam feitas antes da exposio.

CONFIGURANDO O TAMANHO DA LMINA:


Aps a escolha do tempo de exposio, deve-se configurar o tamanho da lmina
utilizada no processo. Os passos so os seguintes:
1. Pressione a tecla MENU (confira se um led amarelo se acende)
2. Selecione <PROC> e pressione ENTER;
3. Selecione <EXPO> e pressione ENTER;
4. Selecione <PRE> e pressione ENTER;
5. A opo <SELECT> aparecer no display, pressione ENTER;
Nesse momento, surgir no display SELECT e abaixo 6 nmeros em seqncia, de
1 a 6. Selecione o valor 4 e pressione ENTER.
6. Para sair do menu, pressione MENU novamente (confira se o led amarelo se
apaga);
Obs. 1.: Note em seu display que o valor do tempo escolhido aparecer ao lado da
palavra TIME e o tamanho da lmina ser uma unidade menor do que a
selecionada, no caso ET ser igual a 3 e no a 4. Isso no acarretar em erros
futuros.
Obs. 2.: Ao configurar o tempo de exposio, note que o valor T ao lado do tempo
muda para 0, esse valor dever ser mudado em seguida, pois se o processo
continuar ocorrer um erro chamado SOFT CONTACT ERROR.
Obs. 3.: Se algum erro for cometido na seqncia descrita acima, pressione MENU 2
vezes, a primeira para sair do modo de configuraes e a segunda para retornar a
esse modo.

73

PROCEDIMENTOS PARA EXPOSIO:


1. Tecla SEPARATION liga;
2. ALIGN aparece no display;
3. Quando a tecla SEPARATION pressionado, o led apaga;
Essa tecla serve para aproximar mais a lmina da mscara, para que haja um
melhor alinhamento entre elas. Essa distancia pode ser configurada antes dessa
etapa.
4. Antes da exposio (ALIGN aparece no display);
A tecla scan pode ser usada nesse instante para um melhor alinhamento entre
mscara e lmina, pois o castelo fica solto para uma movimentao manual e com a
ajuda do microscpio, pode-se observar o que for necessrio.
As teclas H-Cont e V-Cont tambm podem ser utilizadas. H-Cont significa Hard
Contact, isso faz com que a mscara seja forada sobre a lmina para haver um
melhor contato, j usando o V-Cont ou Vaccum Contact, assim atravs do vcuo
formado entre mscara e lmina proporcionando o contato sob a lmina.
Caso a mscara se soltar do maskholder ao escolher uma das opes de contato,
pressione reset e siga as instrues a partir da etapa WEDGE ERROR.
5. Aps a tecla EXP ser pressionada, o castelo se movimentar para frente;
6. Aps a exposio, o castelo se movimentar para trs;
7. Quando o castelo retorna o ponto inicial;
8. O processo retorna para a etapa de colocao da lmina, SUBS LOAD;

74

DESLIGANDO O EQUIPAMENTO
Aps a utilizao do equipamento, alguns cuidados devem ser tomados. Primeiro
deve ser desligar a alinhadora somente no boto POWER ON. Isso importante,
pois como o resfriamento desse equipamento feito por nitrognio, e desligando o
Main Switch, esse fluxo se encerrar. A fonte deve ser desligada e ligada aps o
uso, para que a lmpada continue recebendo o fluxo de nitrognio. O tempo mnimo
que a lmpada precisa para ser resfriada e religada e de 20 minutos. Se esse tempo
no for respeitado, a lmpada no ligar novamente.

SEQUNCIA DE DESLIGAMENTO EQUIPAMENTO:


1. POWER ON;
2. Desligue e ligue a fonte;
3. Aps 20min (tempo mnimo para resfriamento da lmpada), coloque o MAIN
SWITCH na posio OFF;
4. Feche a vlvula do ar comprimido;
5. Feche a vlvula do nitrognio;
6. Feche a vlvula da bomba de vcuo;
7. Desligue a bomba de vcuo;

CHECK OUT
Conferir:
1. Fechamento da vlvula de vcuo;
2. Desligamento da bomba de vcuo;
3. Fechamento da vlvula de nitrognio;
4. Fechamento da vlvula de ar comprimido;
5. Desligamento da fonte;
6. Desligamento do equipamento;

75

C. Diagrama esquemtico da placa me

76

D. Placa secundria n1

E. Placa secundria n2

77

F. Placa secundria n3

G. Placa secundria n4

78

H. Placa secundria n5

I. Placa secundaria n6

79

J. Placa secundria n7

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